反熔丝感测装置及其操作方法与流程

本发明涉及一种电子电路，尤其涉及一种反熔丝(anti-fuse)感测装置及其操作方法。

背景技术：

1、反熔丝(anti-fuse)可以被应用于各种电子电路中，以闩锁不同信息。例如，动态随机存取内存(dynamic random-access memory，dram)芯片使用反熔丝来决定开(turnon)哪一条冗余列(redundant row)和/或冗余行(redundant column)。以反熔丝来说，经刻录反熔丝(blown anti-fuse)具有低阻值，而未刻录反熔丝(un-blown anti-fuse)具有高阻值。基于反熔丝的材质，在一些实施例中，经刻录反熔丝的阻值可以在2～100kω范围中，而未刻录反熔丝的阻值可以在5000～20000kω范围中。感测电路可以感测反熔丝的阻态，进而获知反熔丝的刻录状态。然而无可避免地，感测电路的半导体组件皆有温度效应。基于温度效应，感测电路在不同温度中提供给反熔丝的电压将会漂移，而漂移的电压可能导致阻态判读的错误。对于dram芯片而言，反熔丝的阻态判读错误会导致开错冗余列和冗余行，进而影响dram芯片的良率。

技术实现思路

1、本发明提供一种反熔丝(anti-fuse)感测装置及其操作方法，以补偿温度效应对感测电路的影响。

2、根据本发明的另一实施例，上述的反熔丝感测装置适于感测反熔丝的阻态。反熔丝感测装置包括电压产生电路、比较电路以及感测电路。电压产生电路用以产生随温度变化的比较电压。比较电路耦接至电压产生电路，以接收比较电压。比较电路用以比较比较电压与第一参考电压，以及将比较电压与第一参考电压的差异转换为随温度变化的第一偏压电压。感测电路耦接至比较电路，以接收第一偏压电压。感测电路用以依据第一偏压电压感测反熔丝的阻态。

3、根据本发明的另一实施例，上述的操作方法包括：由反熔丝感测装置的电压产生电路产生随温度变化的比较电压；由反熔丝感测装置的比较电路将比较电压与第一参考电压的差异转换为随温度变化的第一偏压电压；以及由反熔丝感测装置的感测电路依据第一偏压电压感测反熔丝的阻态。

4、基于上述，本发明诸实施例所述反熔丝感测装置可以产生随温度变化的第一偏压电压给感测电路。因此，所述反熔丝感测装置可以补偿温度效应对感测电路的影响。

技术特征：

1.一种反熔丝感测装置，适于感测反熔丝的阻态，其特征在于，所述反熔丝感测装置包括：

2.根据权利要求1所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述第一偏压电压随温度上升而升高，以及所述第一偏压电压随温度下降而降低。

3.根据权利要求1所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电压产生电路包括：

4.根据权利要求3所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电流电压转换电路包括：

5.根据权利要求1所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电压产生电路包括：

6.根据权利要求5所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电流电压转换电路包括：

7.根据权利要求1所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述比较电路包括：

8.根据权利要求7所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电压电流转换电路包括：

9.根据权利要求7所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电流电压转换电路包括：

10.根据权利要求9所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电流电压转换电路还包括：

11.根据权利要求7所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电压电流转换电路包括：

12.根据权利要求7所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电流电压转换电路包括：

13.根据权利要求12所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电流电压转换电路还包括：

14.根据权利要求1所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述感测电路包括：

15.一种反熔丝感测装置的操作方法，所述反熔丝感测装置适于感测反熔丝的阻态，其特征在于，所述操作方法包括：

16.根据权利要求15所述的操作方法，其特征在于，所述第一偏压电压随温度上升而升高，以及所述第一偏压电压随温度下降而降低。

技术总结
本发明提供一种反熔丝感测装置及其操作方法。反熔丝感测装置适于感测反熔丝的阻态。反熔丝感测装置包括电压产生电路、比较电路以及感测电路。电压产生电路用以产生随温度变化的比较电压。比较电路耦接至电压产生电路，以接收比较电压。比较电路用以比较比较电压与参考电压，以及将比较电压与参考电压的差异转换为随温度变化的偏压电压。感测电路耦接至比较电路，以接收偏压电压。感测电路用以依据偏压电压感测反熔丝的阻态。

技术研发人员：张志航
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13