本发明涉及一种数据储存装置及其编程应力消除方法。
背景技术:
1、数据储存装置中损坏区块的数量多寡会影响写入数据至数据储存装置的效能、垃圾收集的效率、写入放大指标(write amplifier indicator,wai)的高低以及数据储存装置的等级,因此需要一种判断损坏区块的数量的技术。由于每种数据储存装置的制程不同,传统在数据储存装置的自我烧机测试的过程中,即对数据储存装置中的一区块进行编程(抹除(erase)、写入(write)、读取(read)、验证(verify))后,再对下一个区块进行编程,直到完成对所有区块的编程。在如此的自我烧机测试过程中,尤其是抹除区块与写入数据至区块时,可能会发生编程应力的问题。也就是说,当对一区块进行编程时,另一区块会受到上述区块编程的影响而导致错误比特率提高,甚至是无法通过错误修正码(error-correcting code,ecc)修正,因此需要一种在判断损坏区块的数量的同时可消除编程应力的技术。
技术实现思路
1、本发明提供一种数据储存装置及其编程应力消除方法,可找出因受到区块编程应力影响而被提高错误比特率的区块,并将其标记为损坏区块,以降低数据储存装置整体的错误率。
2、本发明所提供的编程应力消除方法,适用于数据储存装置。编程应力消除方法包括以下操作:抹除数据储存装置的每一区块;写入数据至数据储存装置的每一区块;判断每一区块的错误比特率是否大于临界值;以及当区块的错误比特率大于临界值时,标记区块为损坏区块。
3、本发明所提供的数据储存装置包括控制单元及连接控制单元的数据储存媒体。上述控制单元执行编程应力消除方法包括:抹除数据储存媒体的每一区块;写入数据至数据储存媒体的每一区块;判断每一区块的错误比特率是否大于临界值;以及当区块的错误比特率大于临界值时,标记区块为损坏区块。
4、在本发明的一实施例中,上述编程应力消除方法更包括:读取数据储存媒体的每一区块的写入数据并比对每一区块的写入数据与读取数据以获取每一区块的错误比特率。
5、在本发明的一实施例中,当区块的记忆单元为三阶储存单元时,临界值为错误更正比特数的80%。
6、在本发明的一实施例中,当区块的记忆单元为多阶储存单元时,临界值为错误更正比特数的50%。
7、在本发明的一实施例中,当区块的记忆单元为单阶储存单元时,临界值为20个错误更正比特。
8、本发明因改变对数据储存装置中区块编程的方式,因此可找出因受到区块编程应力影响而被提高错误比特率的区块,并将其标记为损坏区块,以降低数据储存装置整体的错误率。
9、为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
1.一种编程应力消除方法,其特征在于,适用于一数据储存装置,所述编程应力消除方法包括以下操作:
2.如权利要求1所述的编程应力消除方法,其特征在于,所述编程应力消除方法更包括:
3.如权利要求1所述的编程应力消除方法,其特征在于,当该区块的记忆单元为三阶储存单元时,该临界值为错误更正比特数的80%。
4.如权利要求1所述的编程应力消除方法,其特征在于,当该区块的记忆单元为多阶储存单元时,该临界值为错误更正比特数的50%。
5.如权利要求1所述的编程应力消除方法,其特征在于,当该区块的记忆单元为单阶储存单元时,该临界值为20个错误更正比特。
6.一种数据储存装置,其特征在于,包括:
7.如权利要求6所述的数据储存装置,其特征在于,该编程应力消除方法更包括:
8.如权利要求6所述的数据储存装置,其特征在于,当该区块的记忆单元为三阶储存单元时,该临界值为错误更正比特数的80%。
9.如权利要求6所述的数据储存装置,其特征在于,当该区块的记忆单元为多阶储存单元时,该临界值为错误更正比特数的50%。
10.如权利要求6所述的数据储存装置,其特征在于,当该区块的记忆单元为单阶储存单元时,该临界值为20个错误更正比特。