半导体存储器装置和存储器系统的制作方法

半导体存储器装置和存储器系统
1.本技术要求于2021年9月10日在韩国知识产权局(kipo)提交的第10-2021-0121127号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
2.公开的实施例总体涉及半导体集成电路，更具体地，涉及半导体存储器装置和存储器系统。


背景技术：

3.半导体存储器装置可分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置在与电源断开时丢失存储的数据。非易失性存储器装置在与电源断开时保持存储的数据。易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(dram))可用作计算系统中的存储器存储装置，以存储计算系统上的程序的操作中使用的数据。例如，易失性存储器装置可用作服务器系统、用于车辆的计算系统等中的存储器存储装置。


技术实现要素：

4.本公开的实施例提供了一种能够计算剩余寿命的半导体存储器装置。
5.本公开的实施例提供了一种能够显示半导体存储器装置的剩余寿命的存储器系统。
6.根据本公开的实施例，一种半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及控制逻辑电路，被配置为从存储器控制器接收时钟信号和命令，并且控制所述半导体存储器装置将存储在存储器单元阵列中的数据发送到存储器控制器和/或将从存储器控制器接收的数据存储在存储器单元阵列中。控制逻辑电路包括：模式寄存器；以及剩余寿命计算装置，被配置为基于以下中的一个或多个来对使用度量进行计数：从存储器控制器接收的时钟信号的数量、发送到存储器控制器或从存储器控制器接收的数据的量、和从存储器控制器接收的命令的数量。剩余寿命计算装置还被配置为基于计数的数量生成表示所述半导体存储器装置的剩余寿命的剩余寿命码，并且将剩余寿命码存储在模式寄存器中。
7.根据本公开的实施例，一种存储器系统包括：片上系统，包括被配置为输出时钟信号和命令并且输入或输出数据的存储器控制器；半导体存储器装置，被配置为从存储器控制器接收时钟信号和命令，将数据发送到存储器控制器或从存储器控制器接收数据，对时钟信号、数据和/或命令的数量进行计数，基于计数的数量生成表示半导体存储器装置的剩余寿命的剩余寿命码，并且将剩余寿命码存储在模式寄存器中；以及显示装置，被配置为显示由剩余寿命码表示的剩余寿命。
8.根据本公开的实施例，一种存储器系统包括：片上系统，包括被配置为输出时钟信号和命令并且输入或输出数据的存储器控制器；半导体存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元，以及控制逻辑电路，被配置为从存储器控制器接收时钟信号和命
令，并且控制半导体存储器装置将存储在存储器单元阵列中的数据发送到存储器控制器或将从存储器控制器接收的数据存储在存储器单元阵列中；以及显示装置。控制逻辑电路包括：模式寄存器；时钟监测器，被配置为对从存储器控制器接收的时钟信号的时钟数量进行计数；数据计数器，被配置为对发送到存储器控制器或从存储器控制器接收的数据的数据数量进行计数；命令计数器，被配置为对从存储器控制器接收的读写命令的读写命令数量进行计数，并且对从存储器控制器接收的刷新命令的刷新命令数量进行计数；累加器，被配置为通过对时钟数量进行累加来计算累加时钟数量，通过对数据数量进行累加来计算累加数据数量，通过对读写命令数量进行累加来计算累加读写命令数量，并且通过对刷新命令数量进行累加来计算累加刷新命令数量；以及剩余寿命码生成器，被配置为通过从与半导体存储器装置的最大寿命对应的最大时钟数量减去累加时钟数量来计算剩余时钟数量，通过从与最大寿命对应的最大数据数量减去累加数据数量来计算剩余数据数量，通过从与最大寿命对应的最大读写命令数量减去累加读写命令数量来计算剩余读写命令数量，通过从与最大寿命对应的最大刷新命令数量减去累加刷新命令数量来计算剩余刷新命令数量，并且基于剩余时钟数量、剩余数据数量、剩余读写命令数量和/或剩余刷新命令数量来生成剩余寿命码。存储器控制器通过执行模式寄存器读取操作从半导体存储器装置接收存储在模式寄存器中的剩余寿命码。片上系统将针对由剩余寿命码表示的剩余寿命的图像数据传送到显示装置。显示装置基于图像数据显示半导体存储器装置的剩余寿命。
9.如上所述，根据本公开的实施例的半导体存储体装置和存储器系统可通过对时钟信号、数据和/或命令进行计数来预测或计算半导体存储器装置的剩余寿命。因此，半导体存储器装置的剩余寿命可被可被实时检查，并且由寿命耗尽引起的系统错误可被防止。
附图说明
10.根据下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解公开的说明性、非限制性实施例。
11.图1是示出根据实施例的半导体存储器装置的框图。
12.图2是示出根据实施例的半导体存储器装置的示例的框图。
13.图3是示出根据实施例的剩余寿命计算装置的框图。
14.图4a是示出存储剩余寿命码的模式寄存器的示例的示图，图4b是剩余寿命码的示例的示图。
15.图5是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
16.图6是示出根据实施例的剩余寿命计算装置的框图。
17.图7是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
18.图8是示出根据实施例的剩余寿命计算装置的框图。
19.图9是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
20.图10是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
21.图11是示出根据实施例的剩余寿命计算装置的框图。
22.图12a是示出存储参数设置信息和剩余寿命码的模式寄存器的示例的示图，图12b是参数设置信息的示例的示图。
23.图13是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
24.图14是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
25.图15是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
26.图16是示出根据实施例的包括温度传感器的半导体存储器装置的框图。
27.图17是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
28.图18是示出根据实施例的包括刷新间隔检测器的半导体存储器装置的框图。
29.图19是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
30.图20是示出根据实施例的包括半导体存储器装置的存储器系统的框图。
31.图21是示出根据实施例的在存储器系统中显示半导体存储器装置的剩余寿命的示例的示图。
具体实施方式
32.在下文中，将参照附图描述本发明构思的示例实施例。附图中的相同的参考标号可表示相同的元件，并且到已经省略对元件的描述的程度，可理解的是，该元件至少类似于在说明书中其他地方描述的相应的元件。
33.图1是示出根据实施例的半导体存储器装置的框图。
34.参照图1，半导体存储器装置100可包括存储器单元阵列110和控制逻辑电路120。半导体存储器装置100从存储器控制器190接收时钟信号clk和命令cmd，并且将数据dq发送到存储器控制器190或从存储器控制器190接收数据dq。
35.存储器单元阵列110可包括多条字线、多条位线以及与多条字线和多条位线结合的多个存储器单元。存储器单元阵列110的多个存储器单元可存储数据dq。在一些实施例中，半导体存储器装置100是但不限于动态随机存取存储器(dram)装置(诸如，双数据速率(ddr)同步动态随机存取存储器(sdram)、低功率双数据速率(lpddr)sdram等)，并且每个存储器单元可以是但不限于dram单元。
36.控制逻辑电路120从存储器控制器190接收时钟信号clk和命令cmd，并且可将数据dq发送到存储器控制器190或从存储器控制器190接收数据dq。控制逻辑电路120可控制半导体存储器装置100将存储在存储器单元阵列110中的数据dq发送到存储器控制器190或者执行数据读取操作。此外，控制逻辑电路120可控制半导体存储器装置100将从存储器控制器190接收的数据dq存储在存储器单元阵列110中或者执行数据写入操作。
37.在根据本公开的实施例的半导体存储器装置100中，控制逻辑电路120可包括模式寄存器130和剩余寿命计算装置140。
38.模式寄存器130可存储与半导体存储器装置100的操作模式对应的设置值。存储器控制器190可通过执行模式寄存器写入操作mrw来将设置值存储在模式寄存器130中。此外，存储器控制器190可通过执行模式寄存器读取操作mrr来接收存储在模式寄存器130中的设置值。
39.剩余寿命计算装置140可对从存储器控制器190接收的时钟信号clk、发送到存储器控制器190的数据dq或从存储器控制器190接收的数据dq、和/或从存储器控制器190接收的命令cmd的数量进行计数，并且可基于计数的一个或多个数量来预测或计算半导体存储器装置100的剩余寿命。时钟信号的数量、发送或接收的数据dq的量和命令的数量可被称为“使用度量(usage metric)”。此外，剩余寿命计算装置140可基于计数的一个或多个数量(使用度量)来生成表示半导体存储器装置100的剩余寿命的剩余寿命码，并且可将剩余寿
命码存储在模式寄存器130中。存储在模式寄存器130中的剩余寿命码可通过模式寄存器读取操作mrr而被提供给存储器控制器190，并且存储器控制器190可基于剩余寿命码获得半导体存储器装置100的剩余寿命。在本公开的一些实施例中，由存储器控制器190获得的剩余寿命通过使用输出装置(诸如，显示装置)而被提供给用户或系统管理器，并且系统管理器实时检查半导体存储器装置100的剩余寿命。此外，在半导体存储器装置100的寿命耗尽之前或者在半导体存储器装置100(例如，如通过输出装置所指示地)不具有剩余寿命之前，系统管理器可替换半导体存储器装置100。因此，可防止由半导体存储器装置100的寿命耗尽引起的系统错误。
40.图2是示出根据本公开的实施例的半导体存储器装置的示例的框图。
41.参照图2，半导体存储器装置200可包括控制逻辑电路120、命令解码器211、模式寄存器130、刷新控制电路215、地址寄存器220、存储体控制逻辑电路230、行地址复用器240、列地址锁存器250、行解码器、列解码器、存储器单元阵列、感测放大器单元(例如，感测放大器)、输入/输出(i/o)选通电路290、数据i/o缓冲器295。应当理解，一个或多个其他实施例不限于图2中示出和描述的组件的组合和数量。
42.在本公开的一些实施例中，半导体存储器装置200可以是易失性存储器装置。例如，半导体存储器装置200可以是各种易失性存储装置(诸如，dram、移动dram、ddr dram、lpddr dram、图形ddr(gddr)dram等)之一。
43.存储器单元阵列包括多个存储器单元。存储器单元阵列可包括多个存储体阵列(例如，第一存储体阵列至第四存储体阵列280a、280b、280c和280d)。行解码器可包括分别连接到第一存储体阵列至第四存储体阵列280a、280b、280c和280d的多个存储体行解码器(例如，第一存储体行解码器至第四存储体行解码器260a、260b、260c和260d)。列解码器可包括分别连接到第一存储体阵列至第四存储体阵列280a、280b、280c和280d的多个存储体列解码器(例如，第一存储体列解码器至第四存储体列解码器270a、270b、270c和270d)。感测放大器单元可包括分别连接到第一存储体阵列至第四存储体阵列280a、280b、280c和280d的多个存储体感测放大器(例如，第一存储体感测放大器至第四存储体感测放大器285a、285b、285c和285d)。
44.第一存储体阵列280a至第四存储体阵列280d、第一存储体行解码器260a至第四存储体行解码器260d、第一存储体列解码器270a至第四存储体列解码器270d以及第一存储体感测放大器285a至第四存储体感测放大器285d可分别形成第一存储体至第四存储体。例如，第一存储体阵列280a、第一存储体行解码器260a、第一存储体列解码器270a和第一存储体感测放大器285a可形成第一存储体；第二存储体阵列280b、第二存储体行解码器260b、第二存储体列解码器270b和第二存储体感测放大器285b可形成第二存储体；第三存储体阵列280c、第三存储体行解码器260c、第三存储体列解码器270c和第三存储体感测放大器285c可形成第三存储体；第四存储体阵列280d、第四存储体行解码器260d、第四存储体列解码器270d和第四存储体感测放大器285d可形成第四存储体。尽管图2示出包括四个存储体的示例半导体存储器装置200，但应当理解，一个或多个其他实施例不限于此，并且半导体存储器装置200可包括任何数量的存储体。还应当理解，虽然图2中示出的数量为四个的组件彼此具有一一对应，但是一个或多个其他实施例不限于此。例如，实施例可包括比图2的实施例中示出的更多或更少的解码器或感测放大器。
45.地址寄存器220可从存储器控制器(例如，图1中的存储器控制器190)接收包括存储体地址bank_addr、行地址row_addr和列地址col_addr的地址addr。地址寄存器220可将接收的存储体地址bank_addr提供给存储体控制逻辑电路230，可将接收的行地址row_addr提供给行地址复用器240，并可将接收的列地址col_addr提供给列地址锁存器250。
46.存储体控制逻辑电路230可响应于接收到存储体地址bank_addr而生成存储体控制信号。第一存储体行解码器260a至第四存储体行解码器260d中的与接收的存储体地址bank_addr对应的一个存储体行解码器可响应于由存储体控制逻辑电路230生成的存储体控制信号而被激活，并且第一存储体列解码器270a至第四存储体列解码器270d中的与接收的存储体地址bank_addr对应的一个存储体列解码器可响应于由存储体控制逻辑电路230生成的存储体控制信号而被激活。
47.刷新控制电路215可响应于接收到刷新命令或在进入自刷新模式时生成刷新地址ref_addr。例如，刷新控制电路215可包括刷新计数器，刷新计数器被配置为将刷新地址ref_addr从存储器单元阵列的第一地址顺序地改变为存储器单元阵列的最新地址。刷新控制电路215可从控制逻辑电路120接收控制信号。
48.行地址复用器240可从地址寄存器220接收行地址row_addr，并且可从刷新控制电路215接收刷新地址ref_addr。行地址复用器240可选择性地输出行地址row_addr或刷新地址ref_addr。从行地址复用器240输出的行地址(例如，行地址row_addr或刷新地址ref_addr)可被发送到第一存储体行解码器260a至第四存储体行解码器260d。
49.第一存储体行解码器260a至第四存储体行解码器260d中的激活的存储体行解码器可对从行地址复用器240输出的行地址进行解码，并且可激活与行地址对应的字线。例如，激活的存储体行解码器可将字线驱动电压施加到与行地址对应的字线。
50.列地址锁存器250可从地址寄存器220接收列地址col_addr，并且可临时存储接收的列地址col_addr。列地址锁存器250可将临时存储的或接收的列地址col_addr发送到第一存储体列解码器270a至第四存储体列解码器270d。
51.第一存储体列解码器270a至第四存储体列解码器270d中的激活的存储体列解码器可对从列地址锁存器250输出的列地址col_addr进行解码，并且可控制i/o选通电路290输出与列地址col_addr对应的数据。
52.i/o选通电路290可包括用于对i/o数据进行选通的电路。例如，i/o选通电路290可包括输入数据掩模逻辑、用于存储从第一存储体阵列280a至第四存储体阵列280d输出的数据dq的读取数据锁存器、以及用于将数据dq写入第一存储体阵列280a至第四存储体阵列280d的写入驱动器。
53.将要从第一存储体阵列280a至第四存储体阵列280d之一读取的数据dq可由与相应的存储体阵列结合的感测放大器进行感测，并且可被存储在读取数据锁存器中。存储在读取数据锁存器中的数据dq可经由数据i/o缓冲器295提供给存储器控制器。将要写入第一存储体阵列280a至第四存储体阵列280d之一的数据dq可从存储器控制器(例如，从图1中的存储器控制器190)提供给数据i/o缓冲器295。提供给数据i/o缓冲器295的数据dq可经由i/o选通电路290中的写入驱动器被写入相应的存储体阵列。尽管图2示出数据i/o缓冲器295位于控制逻辑电路120内部的示例，但在其他实施例中，数据i/o缓冲器295可位于控制逻辑电路120外部。
54.控制逻辑电路120可控制半导体存储器装置200的操作。例如，控制逻辑电路120可生成用于半导体存储器装置200执行数据写入操作或数据读取操作的控制信号。控制逻辑电路120可包括对从存储器控制器接收的命令cmd进行解码的命令解码器211，并且还可包括设置半导体存储器装置200的操作模式的模式寄存器130。例如，命令解码器211可通过对写入使能信号、行地址选通信号、列地址选通信号、芯片选择信号等进行解码而生成与命令cmd对应的控制信号。控制逻辑电路120还可接收用于以同步方式操作半导体存储器装置200的时钟信号clk和时钟使能信号。
55.控制逻辑电路120还可包括剩余寿命计算装置140。将参照图3至图19描述剩余寿命计算装置140的详细配置和操作。
56.尽管基于dram装置描述根据实施例的半导体存储器装置200，但是根据实施例的半导体存储器装置200可被实现为任何易失性存储器装置和/或非易失性存储器装置(例如，静态随机存取存储器(sram)、闪存、相位随机存取存储器(pram)、电阻式随机存取存储器(rram)、纳米浮栅存储器(nfgm)、聚合物随机存取存储器(poram)、磁性随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、晶闸管随机存取存储器(tram)等)。
57.图3是示出根据实施例的剩余寿命计算装置的框图，图4a是示出存储剩余寿命码的模式寄存器的示例的示图，图4b是剩余寿命码的示例的示图。
58.参照图3，剩余寿命计算装置300可包括时钟监测器310、累加器370和剩余寿命码生成器390。剩余寿命计算装置300可通过对例如从存储器控制器接收的时钟信号clk进行计数来生成表示半导体存储器装置的剩余寿命的剩余寿命码rlc。
59.时钟监测器310可对从存储器控制器接收的时钟信号clk的时钟数量clkn进行计数。例如，时钟数量clkn可对应于时钟信号clk的脉冲的数量。在一些实施例中，时钟监测器310可检测或监测时钟信号clk的时钟速度或时钟速率(例如，每秒的时钟脉冲的数量)。
60.累加器370可通过对时钟数量clkn进行累加来计算累加时钟数量aclkn。例如，累加器370可从时钟监测器310接收时钟数量clkn，并且可通过将时钟数量clkn与先前的时钟数量相加来计算累加时钟数量aclkn。累加时钟数量aclkn可对应于自从半导体存储器装置被制造以来从存储器控制器接收的总时钟脉冲的数量。例如，累加时钟数量aclkn可对应于由半导体存储器装置生成的总时钟脉冲的数量。在一些实施例中，半导体存储器装置包括非易失性存储器，并且累加器370周期性地和/或当半导体存储器装置断电时将累加时钟数量aclkn存储在非易失性存储器中，使得存储在非易失性存储器中的累加时钟数量aclkn可在下一次计算用作先前的时钟数量。例如，即使在半导体存储器装置的开/关周期(on/off cycle)之后，累加时钟数量aclkn也可保持。
61.剩余寿命码生成器390可确定与半导体存储器装置的最大寿命对应的最大时钟数量，可从累加器370接收累加时钟数量aclkn，并且可通过从最大时钟数量减去累加时钟数量aclkn来计算剩余时钟数量。在一些实施例中，半导体存储器装置的最大寿命被预先确定。例如，可通过对半导体存储器装置的代表性样本的实验或通过计算来预先确定最大寿命。此外，在一些实施例中，通过将最大寿命与时钟速度(例如，时钟速率或每秒的时钟脉冲的数量)相乘来确定最大时钟数量。例如，在半导体存储器装置的最大寿命在一个或多个特定条件下(例如，在约85度的温度、约6400mbps的数据速度和四倍数据速率(qdr)操作)约为五年或约为1.58
×
10^9秒并且时钟速度约为1600mhz的情况下，最大时钟数量可以是“(1.58
×
10^9)
×
(1.6
×
10^9)”或约为2.5
×
10^18。
62.剩余寿命码生成器390可生成与剩余时钟数量对应的剩余寿命码rlc。在一些实施例中，剩余寿命码生成器390包括存储分别与多个剩余时钟数量对应的多个剩余寿命码的映射表，并且通过使用映射表来生成与剩余时钟数量对应的剩余寿命码rlc。
63.剩余寿命计算装置300可将由剩余寿命码生成器390生成的剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中。例如，如图4a中所示，模式寄存器130a可存储八个位b1至b8，并且剩余寿命计算装置300可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130a的低四位b1至b4中。尽管图4a示出存储在模式寄存器130a的高四位b5至b8中的数据或信息为待定(或tbd)的示例，但是根据实施例的模式寄存器130不限于图4a的示例。此外，尽管图4a示出存储八个位b1至b8的模式寄存器130a的示例，但是根据实施例的模式寄存器130不限于图4a的示例。例如，图4a中示出的模式寄存器130a可以是根据实施例的模式寄存器130的一部分。例如，在一些实施例中，模式寄存器130a可以是模式寄存器130，并且在一些实施例中，模式寄存器130a可以是模式寄存器130的一部分。
64.存储在模式寄存器130中的剩余寿命码rlc可表示半导体存储器装置的剩余寿命。例如，如图4a和图4b中所示，存储在模式寄存器130a中的剩余寿命码rlc可具有表示剩余寿命是最大寿命或表示最大寿命的约100％的第一值(例如，“0000”)、表示不存在剩余寿命或表示最大寿命的约0％的第二值(例如，“1111”)、或第一值与第二值之间的表示剩余寿命与最大寿命的比率(例如，约5％至约90％)的值(例如，“0001”至“1110”)。
65.图5是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
66.参照图3和图5，剩余寿命计算装置300可确定与半导体存储器装置的最大寿命对应的最大时钟数量(步骤s410)。例如，可通过实验或通过计算来预先确定最大寿命，并且可通过将最大寿命与时钟信号clk的时钟速度相乘来确定最大时钟数量。
67.时钟监测器310可对从存储器控制器接收的时钟信号clk的时钟数量clkn进行计数(步骤s420)，并且累加器370可通过对时钟数量clkn进行累加来计算累加时钟数量aclkn(步骤s430)。例如，累加器370可使先前的时钟数量增加时钟数量clkn以计算累加时钟数量aclkn。
68.剩余寿命码生成器390可通过从最大时钟数量减去累加时钟数量aclkn来计算剩余时钟数量(步骤s440)，并且可生成与剩余时钟数量对应的剩余寿命码rlc(步骤s450)。
69.剩余寿命计算装置300可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中(步骤s460)。存储在模式寄存器130中的剩余寿命码rlc可通过模式寄存器读取操作mrr而被提供给存储器控制器，并且存储器控制器可基于剩余寿命码rlc检查半导体存储器装置的剩余寿命。在一些实施例中，包括半导体存储器装置和存储器控制器的存储器系统通过使用显示装置来显示半导体存储器装置的剩余寿命。
70.图6是示出根据实施例的剩余寿命计算装置的框图。
71.参照图6，剩余寿命计算装置500可包括数据计数器530、累加器570和剩余寿命码生成器590。与对时钟信号进行计数的图3的剩余寿命计算装置300不同，图6的剩余寿命计算装置500可通过对发送到存储器控制器或从存储器控制器接收的数据dq进行计数来生成表示半导体存储器装置的剩余寿命的剩余寿命码rlc。
72.数据计数器530可对发送到存储器控制器或从存储器控制器接收的数据dq的数据
数量dqn进行计数。例如，数据数量dqn可对应于通过半导体存储器装置与存储器控制器之间的至少一条数据线传送的数据dq的位的数量。
73.累加器570可通过对数据数量dqn进行累加来计算累加数据数量adqn。例如，累加器570可从数据计数器530接收数据数量dqn，并且可通过将数据数量dqn与先前的数据数量相加来计算累加数据数量adqn。累加数据数量adqn可对应于自从半导体存储器装置被制造以来发送到存储器控制器或从存储器控制器接收的数据dq的总位的数量。在一些实施例中，半导体存储器装置包括非易失性存储器，并且累加器570周期性地和/或当半导体存储器装置断电时将累加数据数量adqn存储在非易失性存储器中，使得存储在非易失性存储器中的累加数据数量adqn可在下一次计算用作先前的数据数量。
74.剩余寿命码生成器590可确定与半导体存储器装置的最大寿命对应的最大数据数量，可从累加器570接收累加数据数量adqn，并且可通过从最大数据数量减去累加数据数量adqn来计算剩余数据数量。在一些实施例中，最大数据数量是通过将最大寿命与数据效率相乘，并且进一步与数据速度(例如，数据比特率或每秒的数据比特数)相乘。在一些实施例中，数据效率对应于数据dq的总线占用率，用于确定最大数据数量的数据效率可由存储器控制器通过使用模式寄存器130来设置。例如，在半导体存储器装置的最大寿命在特定条件下(例如，在约85度的温度和约6400mbps的数据速度)约为五年或约为1.58
×
10^9秒并且数据效率约为80％的情况下，最大数据数量可以是“(1.58
×
10^9)
×
(0.8)
×
(6.4
×
10^9)”或约为8.1
×
10^18。
75.剩余寿命码生成器590可生成与剩余数据数量对应的剩余寿命码rlc。在一些实施例中，剩余寿命码生成器590包括存储分别与多个剩余数据数量对应的多个剩余寿命码的映射表，并且可通过使用映射表来生成与剩余数据数量对应的剩余寿命码rlc。剩余寿命计算装置500可将由剩余寿命码生成器590生成的剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中。存储在模式寄存器130中的剩余寿命码rlc可表示半导体存储器装置的剩余寿命。
76.图7是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
77.参照图6和图7，剩余寿命计算装置500可确定与半导体存储器装置的最大寿命对应的最大数据数量(步骤s610)。例如，可通过将最大寿命与数据效率相乘再与数据速度相乘来确定最大数据数量。
78.数据计数器530可对发送到存储器控制器或从存储器控制器接收的数据dq的数据数量dqn进行计数(步骤s620)，并且累加器570可通过对数据数量dqn进行累加来计算累加数据数量adqn(步骤s630)。例如，累加器570可使先前的数据数量增加数据数量dqn以计算累加数据数量adqn。
79.剩余寿命码生成器590可通过从最大数据数量减去累加数据数量adqn来计算剩余数据数量(步骤s640)，并且可生成与剩余数据数量对应的剩余寿命码rlc(步骤s650)。
80.剩余寿命计算装置500可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中(步骤s660)。存储在模式寄存器130中的剩余寿命码rlc可通过模式寄存器读取操作mrr而被提供给存储器控制器，并且存储器控制器可基于剩余寿命码rlc检查半导体存储器装置的剩余寿命。
81.图8是示出根据实施例的剩余寿命计算装置的框图。
82.参照图8，剩余寿命计算装置700可包括命令计数器750、累加器770和剩余寿命码生成器790。与对时钟信号进行计数的图3的剩余寿命计算装置300不同并且与对数据进行
计数的图6的剩余寿命计算装置500不同，图8的剩余寿命计算装置700可通过对从存储器控制器接收的命令cmd进行计数来生成表示半导体存储器装置的剩余寿命的剩余寿命码rlc。
83.命令计数器750可对从存储器控制器接收的命令cmd的命令数量cmdn进行计数。在一些实施例中，命令计数器750对请求半导体存储器装置的数据读取操作的读取命令和请求半导体存储器装置的数据写入操作的写入命令进行计数，并且由命令计数器750生成的命令数量cmdn对应于读取命令和写入命令的数量。在一些实施例中，命令计数器750对请求半导体存储器装置的刷新操作的刷新命令进行计数，并且由命令计数器750生成的命令数量cmdn对应于刷新命令的数量。在其他实施例中，命令计数器750可将读取命令和写入命令的数量与刷新命令的数量的组合计数为命令数量cmdn。
84.累加器770可通过对命令数量cmdn进行累加来计算累加命令数量acmdn。例如，累加器770可从命令计数器750接收命令数量cmdn，并且可通过将命令数量cmdn与先前的命令数量相加来计算累加命令数量acmdn。累加命令数量acmdn可对应于自从半导体存储器装置被制造以来从存储器控制器接收的总命令cmd的数量。在一些实施例中，半导体存储器装置包括非易失性存储器，并且累加器770周期性地和/或当半导体存储器装置断电时将累加命令数量acmdn存储在非易失性存储器中，使得存储在非易失性存储器中的累加命令数量acmdn可在下一次计算用作先前的命令数量。
85.剩余寿命码生成器790可确定与半导体存储器装置的最大寿命对应的最大命令数量，可从累加器770接收累加命令数量acmdn，并且可通过从最大命令数量减去累加命令数量acmdn来计算剩余命令数量。在一些实施例中，命令计数器750将读取命令和写入命令的数量计数为命令数量cmdn，并且最大命令数量通过将最大寿命、数据效率和数据速度的乘积除以突发长度来确定。例如，在半导体存储器装置的最大寿命在特定条件下(例如，在约85度的温度和约6400mbps的数据速度)约为五年或约为1.58
×
10^9秒、数据效率约为80％并且突发长度约为16的情况下，最大命令数量可以是“(1.58
×
10^9)
×
(0.8)
×
(6.4
×
10^9)/16”或约为0.5
×
10^18。在其他示例实施例中，命令计数器750将刷新命令的数量计数为命令数量cmdn，并且最大命令数量通过将最大寿命除以刷新时间间隔(例如，“trefi”)来确定。例如，在半导体存储器装置的最大寿命在特定条件下(例如，在约85度的温度)约为五年或约为1.58
×
10^9秒并且刷新时间间隔约为3.9us的情况下，最大命令数量可以是“(1.58
×
10^9)/(3.9
×
10^-6)”或约为0.4
×
10^15。
86.剩余寿命码生成器790可生成与剩余命令数量对应的剩余寿命码rlc。在一些实施例中，剩余寿命码生成器790包括存储分别与多个剩余命令数量对应的多个剩余寿命码的映射表，并且可通过使用映射表来生成与剩余命令数量对应的剩余寿命码rlc。剩余寿命计算装置700可将由剩余寿命码生成器790生成的剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中。存储在模式寄存器130中的剩余寿命码rlc可表示半导体存储器装置的剩余寿命。
87.将理解，参照图5至图8描述的以及来自在此描述的前述实施例的特征、组件和步骤可被组合为根据本发明构思的新的实施例。
88.图9是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
89.参照图8和图9，剩余寿命计算装置700可确定与半导体存储器装置的最大寿命对应的最大读写命令数量(步骤s810)。例如，可通过将最大寿命、数据效率和数据速度的乘积除以突发长度来确定最大读写命令数量。
90.命令计数器750可对从存储器控制器接收的读写命令cmd的读写命令数量cmdn进行计数(步骤s820)，并且累加器770可通过对读写命令数量cmdn进行累加来计算累加读写命令数量acmdn(步骤s830)。在一个实施例中，读写命令数量cmdn可以是读取命令的数量、写入命令的数量或者读取命令的数量和写入命令的数量之和。例如，累加器770可使先前的读写命令数量增加读写命令数量cmdn，以计算累加读写命令数量acmdn。
91.剩余寿命码生成器790可通过从最大读写命令数量减去累加读写命令数量acmdn来计算剩余读写命令数量(步骤s840)，并且可生成与剩余读写命令数量对应的剩余寿命码rlc(步骤s850)。
92.剩余寿命计算装置700可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中(步骤s860)。存储在模式寄存器130中的剩余寿命码rlc可通过模式寄存器读取操作mrr而被提供给存储器控制器，并且存储器控制器可基于剩余寿命码rlc检查半导体存储器装置的剩余寿命。
93.图10是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
94.参照图8和图10，剩余寿命计算装置700可确定与半导体存储器装置的最大寿命对应的最大刷新命令数量(步骤s910)。例如，可通过将最大寿命除以刷新时间间隔来确定最大刷新命令数量。
95.命令计数器750可对从存储器控制器接收的刷新命令cmd的刷新命令数量cmdn进行计数(步骤s920)，并且累加器770可通过对刷新命令数量cmdn进行累加来计算累加刷新命令数量acmdn(步骤s930)。例如，累加器770可使先前的刷新命令数量增加刷新命令数量cmdn，以计算累加刷新命令数量acmdn。
96.剩余寿命码生成器790可通过从最大刷新命令数量减去累加刷新命令数量acmdn来计算剩余刷新命令数量(步骤s940)，并且可生成与剩余刷新命令数量对应的剩余寿命码rlc(步骤s950)。
97.剩余寿命计算装置700可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中(步骤s960)。存储在模式寄存器130中的剩余寿命码rlc可通过模式寄存器读取操作mrr而被提供给存储器控制器，并且存储器控制器可基于剩余寿命码rlc检查半导体存储器装置的剩余寿命。
98.图11是示出根据实施例的剩余寿命计算装置的框图，图12a是示出存储参数设置信息和剩余寿命码的模式寄存器的示例的示图，图12b是参数设置信息的示例的示图。
99.参照图11，剩余寿命计算装置1000可包括时钟监测器1010、数据计数器1030、命令计数器1050、累加器1070和剩余寿命码生成器1090。剩余寿命计算装置1000可通过对时钟信号clk、数据dq和/或命令cmd进行计数来生成表示半导体存储器装置的剩余寿命的剩余寿命码rlc。
100.时钟监测器1010可对从存储器控制器接收的时钟信号clk的时钟数量clkn进行计数。数据计数器1030可对发送到存储器控制器或从存储器控制器接收的数据dq的数据数量dqn进行计数。命令计数器1050可对从存储器控制器接收的命令cmd的命令数量cmdn进行计数。在一些实施例中，命令计数器1050可对从存储器控制器接收的读写命令的读写命令数量进行计数，并且对从存储器控制器接收的刷新命令的刷新命令数量进行计数。
101.累加器1070可通过对时钟数量clkn进行累加来计算累加时钟数量aclkn，可通过对数据数量dqn进行累加来计算累加数据数量adqn，并且可通过对命令数量cmdn进行累加来计算累加命令数量acmdn。例如，累加器1070可通过使先前的数量增加新的计数数量来对
这些数量进行累加。在一些实施例中，累加器1070通过对读写命令数量进行累加来计算累加读写命令数量并且通过对刷新命令数量进行累加来计算累加刷新命令数量，作为累加命令数量acmdn。
102.剩余寿命码生成器1090可通过从与半导体存储器装置的最大寿命对应的最大时钟数量减去累加时钟数量aclkn来计算剩余时钟数量，可通过从与最大寿命对应的最大数据数量减去累加数据数量adqn来计算剩余数据数量，可通过从与最大寿命对应的最大读写命令数量减去累加读写命令数量来计算剩余读写命令数量，并且可通过从与最大寿命对应的最大刷新命令数量减去累加刷新命令数量来计算剩余刷新命令数量。
103.剩余寿命码生成器1090可基于剩余时钟数量、剩余数据数量、剩余读写命令数量和/或剩余刷新命令数量来生成剩余寿命码rlc。在一些实施例中，剩余寿命码生成器1090基于以下各项中的每一项来生成剩余寿命码rlc：剩余时钟数量、剩余数据数量、剩余读写命令数量以及剩余刷新命令数量。例如，剩余寿命码生成器1090可确定与剩余时钟数量对应的第一剩余寿命值、与剩余数据数量对应的第二剩余寿命值、与剩余读写命令数量对应的第三剩余寿命值以及与剩余刷新命令数量对应的第四剩余寿命值，并且可生成与第一剩余寿命值至第四剩余寿命值的最大值、最小值或平均值对应的剩余寿命码rlc。
104.在一些实施例中，存储器控制器可将“表示用于确定半导体存储器装置的剩余寿命的参数的参数设置信息psi”存储在模式寄存器130中。剩余寿命码生成器1090可基于存储在模式寄存器130中的参数设置信息psi来选择剩余时钟数量、剩余数据数量、剩余读写命令数量和/或剩余刷新命令数量，并且可基于至少一个选择的数量来生成剩余寿命码rlc。
105.例如，如图12a中所示，模式寄存器130b可存储八个位b1至b8，并且存储器控制器可通过执行模式寄存器写入操作mrw将参数设置信息psi写入模式寄存器130b的高四位b5至b8。此外，模式寄存器130b的低四位b1至b4可用于存储剩余寿命码rlc。尽管图12a示出存储八个位b1至b8的模式寄存器130b的示例，但是根据实施例的模式寄存器130不限于图12a的示例。例如，图12a中所示的模式寄存器130b可以是根据实施例的模式寄存器130的一部分。
106.存储在模式寄存器130中的参数设置信息psi可指示时钟信号clk、数据dq、读写命令以及刷新命令的哪种组合用于计算半导体存储器装置的剩余寿命。例如，如图12a和图12b中所示，模式寄存器130b的第五位b5可指示时钟信号clk是否用于计算剩余寿命，模式寄存器130b的第六位b6可指示数据dq是否用于计算剩余寿命，模式寄存器130b的第七位b7可指示读写命令是否用于计算剩余寿命，并且模式寄存器130b的第八位b8可指示刷新命令是否用于计算剩余寿命。例如，在存储在模式寄存器130中的参数设置信息psi具有值“0001”的情况下，剩余寿命计算装置1000可在计算剩余寿命时使用时钟信号clk。例如，剩余寿命码生成器1090可基于剩余时钟数量生成剩余寿命码rlc。在另一示例中，在存储在模式寄存器130中的参数设置信息psi具有值“1111”的情况下，剩余寿命计算装置1000可在计算剩余寿命时使用时钟信号clk、数据dq、读写命令rw_cmd以及刷新命令ref_cmd中的全部。例如，剩余寿命码生成器1090可基于剩余时钟数量、剩余数据数量、剩余读写命令数量以及剩余刷新命令数量来生成剩余寿命码rlc。
107.剩余寿命计算装置1000可将由剩余寿命码生成器1090生成的剩余寿命码rlc存储
在模式寄存器130中。存储在模式寄存器130中的剩余寿命码rlc可表示半导体存储器装置的剩余寿命。
108.图13是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
109.参照图11和图13，剩余寿命计算装置1000可确定与半导体存储器装置的最大寿命对应的最大时钟数量、最大数据数量、最大读写命令数量和最大刷新命令数量(步骤s1110)。
110.时钟监测器1010可对时钟信号clk的时钟数量clkn进行计数(步骤s1120)，数据计数器1030可对数据dq的数据数量dqn进行计数(步骤s1130)，命令计数器1050可对读写命令的读写命令数量以及刷新命令的刷新命令数量进行计数(步骤s1140和步骤s1150)。累加器1070可通过对时钟数量clkn进行累加来计算累加时钟数量aclkn(步骤s1122)，可通过对数据数量dqn进行累加来计算累加数据数量adqn(步骤s1132)，可通过对读写命令数量进行累加来计算累加读写命令数量(步骤s1142)，并且可通过对刷新命令数量进行累加来计算累加刷新命令数量(步骤s1152)。如先前所讨论的，累加操作可包括使先前的数量增加新计数的数量。
111.剩余寿命码生成器1090可通过从最大时钟数量减去累加时钟数量aclkn来计算剩余时钟数量(步骤s1124)，可通过从最大数据数量减去累加数据数量adqn来计算剩余数据数量(步骤s1134)，可通过从最大读写命令数量减去累加读写命令数量来计算剩余读写命令数量(步骤s1144)，并且可通过从最大刷新命令数量减去累加刷新命令数量来计算剩余刷新命令数量(步骤s1154)。剩余寿命码生成器1090可基于剩余时钟数量、剩余数据数量、剩余读写命令数量和/或剩余刷新命令数量来生成剩余寿命码rlc(步骤s1160)。例如，剩余寿命码生成器1090可生成表示“包括与剩余时钟数量对应的第一剩余寿命值、与剩余数据数量对应的第二剩余寿命值、与剩余读写命令数量对应的第三剩余寿命值以及与剩余刷新命令数量对应的第四剩余寿命值的集合的最大值、最小值或平均值”的剩余寿命码rlc。
112.剩余寿命计算装置1000可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中(步骤s1170)。
113.图14是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
114.除了可基于参数设置信息psi来确定用于确定半导体存储器装置的剩余寿命的参数之外，图14中示出的方法可与图13中示出的方法基本相同。
115.参照图11和图14，剩余寿命码生成器1090可基于存储在模式寄存器130中的参数设置信息psi来选择剩余时钟数量、剩余数据数量、剩余读写命令数量以及剩余刷新命令数量中的至少一个参数(步骤s1165)，并且可基于选择的参数生成剩余寿命码rlc(步骤s1175)。剩余寿命计算装置1000可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中(步骤s1185)。
116.图15是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
117.参照图11和图15，剩余寿命计算装置1000可对时钟信号clk、数据dq和/或命令cmd的数量进行计数(步骤s1210)，并且可基于计数的一个或多个数量(例如，使用度量)来计算半导体存储器装置的剩余寿命(步骤s1220)。
118.时钟监测器1010可监测时钟信号clk的时钟速度。在时钟信号clk的时钟速度未改变的情况下(步骤s1230：否)，剩余寿命计算装置1000可(在步骤s1250)生成与来自步骤s1220的计算的剩余寿命对应的剩余寿命码rlc，并且可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存
器130中(步骤s1260)。
119.在时钟信号clk的时钟速度改变的情况下(步骤s1230：是)，剩余寿命计算装置1000可基于改变后的时钟速度来重新计算半导体存储器装置的剩余寿命(步骤s1240)。例如，随着时钟速度降低，重新计算的剩余寿命可增大。在一个示例中，在计算的剩余寿命是最大寿命的约50％并且时钟速度从约1600mhz改变为约800mhz的情况下，剩余寿命计算装置1000可将剩余寿命重新计算为最大寿命的约67％。剩余寿命计算装置1000可生成与重新计算的剩余寿命对应的剩余寿命码rlc(步骤s1250)，并且可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中(步骤s1260)。
120.图16是示出根据实施例的包括温度传感器的半导体存储器装置的框图。
121.参照图16，半导体存储器装置1300可包括存储器单元阵列110、控制逻辑电路120和检测半导体存储器装置1300的温度的温度传感器1350。除了半导体存储器装置1300还可包括温度传感器1350并且剩余寿命计算装置1340可在由温度传感器1350检测的温度改变时重新计算半导体存储器装置1300的剩余寿命之外，图16的半导体存储器装置1300可与图1的半导体存储器装置100具有类似的配置和类似的操作。
122.图17是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
123.参照图16和图17，剩余寿命计算装置1340可对时钟信号clk、数据dq和/或命令cmd的数量进行计数(步骤s1410)，并且可基于计数的一个或多个数量(例如，使用度量)来计算半导体存储器装置1300的剩余寿命(步骤s1420)。
124.温度传感器1350可检测半导体存储器装置1300的温度。在半导体存储器装置1300的温度未改变的情况下(步骤s1430：否)，剩余寿命计算装置1340可生成与从步骤s1420计算的剩余寿命对应的剩余寿命码rlc(步骤s1450)，并且可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中(步骤s1460)。
125.在半导体存储器装置1300的温度改变的情况下(步骤s1430：是)，剩余寿命计算装置1340可基于改变后的温度重新计算半导体存储器装置1300的剩余寿命(步骤s1440)。例如，随着半导体存储器装置1300的温度降低，重新计算的剩余寿命可增大。剩余寿命计算装置1340可生成与重新计算的剩余寿命对应的剩余寿命码rlc(步骤s1450)，并且可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中(步骤s1460)。
126.图18是示出根据实施例的包括刷新间隔检测器的半导体存储器装置的框图。
127.参照图18，半导体存储器装置1500可包括存储器单元阵列110和控制逻辑电路120。剩余寿命计算装置1540可包括检测从存储器控制器190接收的刷新命令之间的间隔的刷新间隔检测器1550。除了剩余寿命计算装置1540可包括刷新间隔检测器1550并且可在刷新命令之间的间隔(例如，由刷新间隔检测器1550检测的刷新命令之间的间隔)改变时重新计算半导体存储器装置1500的剩余寿命之外，图18的半导体存储器装置1500可与图1的半导体存储器装置100具有类似的配置和类似的操作。
128.图19是示出根据实施例的计算半导体存储器装置的剩余寿命的方法的流程图。
129.参照图18和图19，剩余寿命计算装置1540可对时钟信号clk、数据dq和/或命令cmd的数量进行计数(步骤s1610)，并且可基于计数的一个或多个数量(例如，使用度量)来计算半导体存储器装置1500的剩余寿命(步骤s1620)。
130.刷新间隔检测器1550可检测从存储器控制器190接收的刷新命令之间的间隔(被
称为刷新间隔)。在刷新间隔未改变的情况下(步骤s1630：否)，剩余寿命计算装置1540可生成与从步骤s1620计算的剩余寿命对应的剩余寿命码rlc(步骤s1650)，并且可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中(步骤s1660)。
131.在刷新间隔改变的情况下(步骤s1630：是)，剩余寿命计算装置1540可基于改变后的刷新间隔来重新计算半导体存储器装置1500的剩余寿命(步骤s1640)。例如，随着半导体存储器装置1500的刷新间隔减小，重新计算的剩余寿命可增大。剩余寿命计算装置1540可生成与重新计算的剩余寿命对应的剩余寿命码rlc(步骤s1650)，并且可将剩余寿命码rlc存储在模式寄存器130中(步骤s1660)。
132.图20是示出根据实施例的包括半导体存储器装置的存储器系统的框图，图21是示出根据实施例的在存储器系统中显示半导体存储器装置的剩余寿命的示例的示图。
133.参照图20，存储器系统1700可包括片上系统1710、半导体存储器装置1730和显示装置1760。存储器系统1700可以是任何计算系统。例如，存储器系统1700可以是但不限于个人计算机(pc)、服务器计算机、数据中心、工作站、移动电话、智能电话、平板计算机、膝上型计算机、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式游戏机、音乐播放器、摄像机、视频播放器、用于导航的计算系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物联网(ioe)装置、电子书阅读器、虚拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置、机器人装置、无人机、自主驾驶辅助计算系统等。
134.片上系统1710可控制存储器系统1700的整体操作。片上系统1710可包括输出时钟信号clk和命令cmd并且输入或输出数据dq的存储器控制器1720。
135.半导体存储器装置1730可从存储器控制器1720接收时钟信号clk和命令cmd，可将数据dq发送到存储器控制器1720或从存储器控制器1720接收数据dq，可对时钟信号clk、数据dq和/或命令cmd的数量进行计数，可基于计数的一个或多个数量(例如，使用度量)生成表示半导体存储器装置1730的剩余寿命的剩余寿命码，并且可将剩余寿命码存储在模式寄存器1750中。半导体存储器装置1730可包括生成表示半导体存储器装置1730的剩余寿命的剩余寿命码的剩余寿命计算装置1740。例如，剩余寿命计算装置1740可以是图3的剩余寿命计算装置300、图6的剩余寿命计算装置500、图8的剩余寿命计算装置700、图11的剩余寿命计算装置1000、或实现上述剩余寿命计算装置的部分的剩余寿命计算装置。在一些实施例中，存储器控制器1720通过执行模式寄存器写入操作mrw将表示用于确定半导体存储器装置的剩余寿命的参数的参数设置信息存储在模式寄存器1750中，并且剩余寿命计算装置1740可基于存储在模式寄存器1750中的参数设置信息选择时钟信号clk的时钟数量、数据dq的数据数量和/或命令cmd的命令数量，并且可基于选择的时钟数量、数据数量和命令数量中的一个或多个来生成剩余寿命码。
136.显示装置1760可显示包括与剩余寿命码对应的半导体存储器装置1730的剩余寿命的图像1770。在一些实施例中，存储器控制器1720通过执行模式寄存器读取操作mrr从半导体存储器装置1730接收存储在模式寄存器1750中的剩余寿命码，并且片上系统1710可将针对与剩余寿命码对应的半导体存储器装置1730的剩余寿命的图像数据idat传送到显示装置1760。显示装置1760可基于图像数据idat显示包括半导体存储器装置1730的剩余寿命的图像1770。
137.在一些实施例中，当通过剩余寿命码表示的剩余寿命变得低于或等于参考剩余寿
命时，片上系统1710通过使用显示装置1760和/或另一装置以图像和/或声音输出警报。例如，如图21中所示，在通过剩余寿命码表示的剩余寿命是半导体存储器装置1730的最大寿命的约100％的情况下，显示装置1760a可显示表示约100％的剩余寿命的图像1770a。在通过剩余寿命码表示的剩余寿命是最大寿命的约80％的情况下，显示装置1760b可显示表示约80％的剩余寿命的图像1770b。如果通过剩余寿命码表示的剩余寿命变得低于或等于参考剩余寿命(例如，如果剩余寿命是最大寿命的约20％)，则除了表示约20％的剩余寿命的图像1770c之外，显示装置1760c还可显示警报图像1780。因此，系统管理器可实时检查半导体存储器装置1730的剩余寿命，并且管理器可在半导体存储器装置1730的寿命耗尽之前更换半导体存储器装置1730。因此，可防止由半导体存储器装置1730的寿命耗尽引起的系统错误。
138.发明构思可被应用于包括半导体存储器装置的各种电子装置和系统。例如，发明构思可被应用于诸如以下的系统：pc、服务器计算机、数据中心、工作站、移动电话、智能电话、平板计算机、膝上型计算机、pda、pmp、数码相机、便携式游戏机、音乐播放器、摄像机、视频播放器、导航装置、可穿戴装置、iot装置、ioe装置、电子书阅读器、vr装置、ar装置、机器人装置、无人机、驾驶员辅助计算系统、自主车辆计算系统等。
139.前述是对实施例的说明，而不应被解释为对实施例进行限制。尽管已经描述了一些示例性实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离实施例的新颖性教导和优点的情况下，可对实施例进行许多修改。例如，除了在此提供的计数的数量、测量的温度、刷新率和其他度量之外，一种修改可实现另一使用度量来预测或计算半导体装置的剩余寿命，并显示剩余寿命以允许用户防止系统错误。
140.因此，所有这样的修改意在被包括在如权利要求中限定的实施例的范围内。因此，应当理解，前述是对各种实施例的说明，而不应被解释为限于公开的具体实施例，并且对公开的实施例的修改以及其他实施例意在被包括在所附权利要求的范围内。