半导体存储装置的制作方法

本实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术：

1、已知有在与衬底的表面交叉的方向上积层着多个存储单元的半导体存储装置。

技术实现思路

1、本发明要解决的课题在于提供一种恰当地动作的半导体存储装置。

2、一实施方式的半导体存储装置具备存储单元阵列及周边电路。存储单元阵列具备多个第1半导体层及多个第1通孔电极。多个第1半导体层在第1方向上延伸，且排列在与第1方向交叉的第2方向。多个第1通孔电极分别设置在第2方向上相邻的2个第1半导体层之间。周边电路具备多个第1节点、充电电路、放电电路、地址选择电路、多个第1晶体管、及多个放大电路。多个第1节点与多个第1通孔电极对应设置。充电电路对多个第1节点进行充电。放电电路将多个第1节点放电。地址选择电路设置在多个第1节点与充电电路之间的电流路径上，或者多个第1节点与放电电路之间的电流路径上，且根据所输入的地址信号，使多个第1节点中的一个节点与充电电路或者放电电路导通。多个第1晶体管分别设置在多个第1节点中的2个节点之间的电流路径上。多个放大电路与多个第1通孔电极对应设置，且具备连接于多个第1节点的任一个节点的输入端子、及连接于多个第1通孔电极的任一个通孔电极的输出端子。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备存储单元阵列及周边电路，

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

5.一种半导体存储装置，具备存储单元阵列及周边电路，

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

9.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中

11.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中

12.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中

13.一种半导体存储装置，具备存储单元阵列及周边电路，

14.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其中

15.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其中

16.根据权利要求15所述的半导体存储装置，其中

17.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其中

18.根据权利要求17所述的半导体存储装置，其中

技术总结
实施方式提供一种恰当地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备存储单元阵列及周边电路。存储单元阵列具备多个第1半导体层及多个第1通孔电极。周边电路具备：多个第1节点，与多个第1通孔电极对应设置；充电电路，对多个第1节点进行充电；放电电路，将多个第1节点放电；地址选择电路，根据所输入的地址信号使多个第1节点中的一个第1节点与充电电路或者放电电路导通；多个第1晶体管，分别设置在多个第1节点中的2个节点之间的电流路径上；以及多个放大电路，与多个第1通孔电极对应设置，且具备连接于多个第1节点的任一个第1节点的输入端子、及连接于多个第1通孔电极的任一个第1通孔电极的输出端子。

技术研发人员：细谷启司,荒井史隆,小迫宽明,挂川卓由,内藤慎哉,福冈谅,松尾浩司
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15