存储器和存储系统及存储器和存储系统的操作方法与流程

本发明的各种实施方式涉及一种存储系统。

背景技术：

1、随着存储器集成度的增加，存储器中包括的多个字线之间的间距减小。随着字线之间的间距减小，相邻字线之间的耦合效应增加。

2、此外，每当数据输入到存储单元或从存储单元输出时，字线在激活状态和非激活状态之间切换。随着相邻字线之间的耦合效应增加，耦合到与频繁激活的字线相邻设置的字线的存储单元中的数据可能被损坏。这种现象被称为行锤击。由于存储单元的数据在存储单元被刷新之前因字线干扰而损坏，因此数据可能存在问题。

3、图1是示出行锤击的图。图1示出了存储器中包括的单元阵列的一部分。

4、在图1中，“wll”可以对应于具有大量激活的字线，“wll-1”和“wll+1”可以是与“wll”相邻设置的字线，即与具有大量激活的字线“wll”相邻设置的字线。此外，“cl”可以表示耦接到“wll”的存储单元，“cl-1”可以表示耦接到“wll-1”的存储单元，而“cl+1”可以表示耦接到“wll+1”的存储单元。每个存储单元可以包括单元晶体管tl、tl-1和tl+1以及单元电容器capl、capl-1和capl+1。

5、当在图1中“wll”被激活或被去激活时，“wll-1”和“wll+1”的电压可能会因“wll”与“wll-1”和“wll+1”之间发生的耦合效应而上升或下降，这也可能影响单元电容器capl-1和capl+1中的电荷量。因此，当“wll”频繁激活并且“wll”在激活状态和去激活状态之间切换时，“cl-1”和“cl+1”中包括的单元电容器capl-1和capl+1中存储的电荷量的变化可能增加并且存储单元中的数据可能劣化。

6、此外，当字线在激活状态和去激活状态之间切换时生成的电磁波可能通过将电子引入耦接到相邻字线的存储单元的单元电容器中或者从该单元电容器泄漏电子而损坏数据。

7、作为用于解决行锤击问题的方法，主要使用检测多次激活的行(字线)并且刷新与多次激活的行相邻的行的方法。

技术实现思路

1、本发明的实施方式涉及一种用于提高存储器对行锤攻击的防御能力的技术。

2、根据本发明的一个实施方式，一种用于操作存储系统的方法包括：通过存储器控制器收集关于通过存储器控制器确定为存储器中的被行锤攻击的行的信息；通过存储器收集关于通过存储器确定为被行锤攻击的行的信息；通过存储器确认通过存储器控制器收集的行与通过存储器收集的行相同；以及响应于确认，通过存储器重置关于与通过存储器控制器收集的行相同的、通过存储器收集的行的信息。

3、根据本发明的另一实施方式，一种存储系统包括：存储器控制器，包括第一行锤攻击检测电路，第一行锤攻击检测电路适用于收集关于被行锤攻击的行的信息，存储器控制器适用于命令对通过第一行锤攻击检测电路收集的行中的一个行执行刷新管理操作；以及存储器，包括：第二行锤攻击检测电路，第二行锤攻击检测电路适用于收集关于被行锤攻击的行的信息；以及比较电路，适用于将被命令执行刷新管理操作的行与通过第二行锤攻击检测电路收集的行进行比较，以及适用于根据比较的结果，重置与通过第二行锤攻击检测电路收集的行中的、被命令执行刷新管理操作的行相同的行。

4、根据本发明的又一实施方式，一种存储器包括：存储器核心；行锤攻击检测电路，适用于收集关于存储器核心中的被行锤攻击的行的信息；以及比较电路，适用于：将被命令执行刷新管理操作的行与通过行锤攻击检测电路收集的行进行比较，以及根据比较的结果，重置通过行锤攻击检测电路收集的行中的、与被命令执行刷新管理操作的行相同的行。

5、根据本发明的再一实施方式，一种用于操作存储系统的方法包括：通过存储器控制器收集关于通过存储器控制器确定为存储器中的被行锤攻击的行的信息；通过存储器收集关于通过存储器确定为被行锤攻击的行的信息；通过存储器确认通过存储器控制器收集的行与通过存储器收集的行相同；以及响应于确认，通过存储器向存储器控制器通知通过存储器控制器收集的行与存储器收集的行相同。

6、根据本发明的再一实施方式，一种存储系统包括：存储器控制器，包括第一行锤攻击检测电路，第一行锤攻击检测电路适用于收集关于被行锤攻击的行的信息，存储器控制器适用于命令对通过第一行锤攻击检测电路收集的行中的一个行执行刷新管理操作；以及存储器，包括：第二行锤攻击检测电路，第二行锤攻击检测电路适用于收集关于被行锤攻击的行的信息，以及比较电路，适用于将被命令执行刷新管理操作的行与通过第二行锤攻击检测电路收集的行进行比较，以及适用于根据比较的结果，向存储器控制器通知在通过第二行锤攻击检测电路收集的行中存在与被命令执行刷新管理操作的行相同的行。

7、根据本发明的再一实施方式，一种存储器包括：存储器核心；行锤攻击检测电路，适用于收集关于存储器核心中的被行锤攻击的行的信息；以及比较电路，适用于：将被命令执行刷新管理操作的行与通过行锤攻击检测电路收集的行进行比较，以及根据比较的结果，向存储器控制器通知通过行锤攻击检测电路收集的行中的一个行与被命令执行刷新管理操作的行相同。

8、根据本发明的再一实施方式，一种用于操作存储系统的方法包括：通过存储器控制器收集关于通过存储器控制器确定为存储器中的被行锤攻击的行的信息；通过存储器收集关于通过存储器确定为被行锤攻击的行的信息；通过存储器确认通过存储器控制器收集的行与通过存储器收集的行的相似度等于或大于阈值；以及响应于确认，通过存储器改变与通过存储器收集相关的参数。

9、根据本发明的再一实施方式，一种存储系统包括：存储器控制器，包括第一行锤攻击检测电路，第一行锤攻击检测电路适用于收集关于被行锤攻击的行的信息，存储器控制器适用于命令对通过第一行锤攻击检测电路收集的行中的一个行执行刷新管理操作；以及存储器，包括：第二行锤攻击检测电路，适用于收集关于被行锤攻击的行的信息；以及比较电路，适用于检测被命令执行刷新管理操作的行与通过第二行锤攻击检测电路收集的行之间的相似度，以及适用于当相似度等于或大于阈值，改变第二行锤攻击检测电路的操作参数。

10、根据本发明的再一实施方式，一种存储器包括：存储器核心；行锤攻击检测电路，适用于收集关于存储器核心中的被行锤攻击的行的信息；以及比较电路，适用于检测被命令执行刷新管理操作的行与通过行锤攻击检测电路收集的行之间的相似度，以及适用于当相似度等于或大于阈值时，改变行锤攻击检测电路的操作参数。

11、根据本发明的再一实施方式，一种包括多个行的存储器的操作方法，该操作方法包括：采集根据对行执行激活操作的结果而检测到的候选行的内部信息；刷新与从内部信息中选择的作为被锤击行的行相邻的行；以及当选择的候选行的信息片段与外部检测到的被锤击行的外部提供的信息片段相同时，从内部信息中去除选择的候选行的信息片段。

技术特征：

1.一种用于操作存储系统的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述确认包括：

3.一种存储系统，包括：

4.根据权利要求3所述的存储系统，

5.根据权利要求3所述的存储系统，

6.一种存储器，包括：

7.根据权利要求6所述的存储器，

8.根据权利要求6所述的存储器，其中，所述存储器适用于刷新所述存储器核心中的与被命令执行所述刷新管理操作的所述行相邻的行。

9.一种用于操作存储系统的方法，包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述确认包括：

11.一种存储系统，包括：

12.根据权利要求11所述的存储系统，

13.一种存储器，包括：

14.根据权利要求13所述的存储器，其中，所述存储器适用于刷新所述存储器核心中的与被命令执行所述刷新管理操作的所述行相邻的行。

15.一种用于操作存储系统的方法，包括：

16.根据权利要求15所述的方法，

17.根据权利要求15所述的方法，

18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述确认包括：

19.一种存储系统，包括：

20.根据权利要求19所述的存储系统，

21.根据权利要求19所述的存储系统，

22.根据权利要求19所述的存储系统，

23.一种存储器，包括：

24.根据权利要求23所述的存储器，其中，所述存储器适用于刷新所述存储器核心中的与被命令执行所述刷新管理操作的所述行相邻的行。

25.根据权利要求23所述的存储器，

26.根据权利要求23所述的存储器，

27.一种包括多个行的存储器的操作方法，所述操作方法包括：

技术总结
本公开涉及存储器和存储系统及其操作方法。一种用于操作存储系统的方法，包括：通过存储器控制器收集关于通过存储器控制器确定为存储器中的被行锤攻击的行的信息；通过存储器收集关于通过存储器确定为被行锤攻击的行的信息；通过存储器确认通过存储器控制器收集的行与通过存储器收集的行相同；以及响应于确认，通过存储器重置关于与通过存储器控制器收集的行相同的通过存储器收集的行的信息。

技术研发人员：郑喆文,金雄来
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12