一种分析NAND读出错误数高的方法与流程

本发明涉及存储器，具体涉及一种分析nand读出错误数高的方法。

背景技术：

1、nand flash是非易失性存储器，掉电数据不丢失，体积小，可以实现廉价高效的大容量存储，因此受到广泛应用。

2、一般而言，一片nand flash是有多个片选信号(ce)，每个片选信号(ce)下由许多块(block)组成，每个块(block)包含许多字线(word line)，每个字线(word line)包含若干页(page)。用户可以对nand flash进行擦除(erase)、写入(write)和读取(read)操作，其中，块(block)一般是擦除操作的最小寻址单元，字线(word line)一般是写入操作的最小寻址单元，页(page)一般是读取操作的最小寻址单元。

3、nand flash在读出数据时，会出现与写入数据相差很大的情况。一方面是由于内部原理和制作工艺限制，在使用过程中会出现位(bit)反转的情况，即写入的数据在读出时有些位由1变0，有些位由0变1。另一方面也有可能是其他原因导致的。

技术实现思路

1、本发明为了克服以上技术的不足，提供了一种便于排查nand存储器读出错误的方法。

2、本发明克服其技术问题所采用的技术方案是：

3、一种分析nand读出错误数高的方法，其特征在于，包括如下步骤：

4、a)在低频环境下对nand通路进行测试，如果低频环境下nand通路测试不正常，则判断是否为硬件故障，如果低频环境下nand通路测试正常则执行步骤b)；

5、b)在高频环境下对nand通路进行测试，如果高频环境下nand通路测试不正常，则判断硬件电路是否支持高频或高频下nand是否配置好，如果高频环境下nand通路测试正常，则执行步骤c)；

6、c)分析nand是否擦写读流程出现问题，如果nand擦写读流程没有问题，则执行步骤d)；

7、d)分析是否为nand特性引起的电压轴偏移。

8、进一步的，步骤a)中在200mbps频率以下对nand每个片选信号ce的任意一个块block进行读写register或读写array或写array、读register操作，完成通路测试。

9、进一步的，步骤a)中硬件故障为焊接故障和/或硬件电路故障和/或硬件工程故障。

10、进一步的，步骤a)中使用50mbps频率对nand每个片选信号ce的任意一个块block进行读写register或读写array或写array、读register操作，完成通路测试。

11、进一步的，步骤b)中在实际出现nand读出错误数无法满足ldpc纠错要求的频率，nand每个片选信号ce的任意一个块block进行读写register或读写array或写array、读register操作。

12、进一步的，步骤b)中nand配置为高频下nand的zq calibration和/或dcctraining和/或write/read dq training。

13、进一步的，步骤c)中分析nand是否擦写读流程出现问题的步骤为：c-1)判断erase是否擦干净，包括是否忘记退出slc模式、是否进行了slc擦除、是否供电电压不足；

14、c-2)通过在程序上打印每次写入的wl和page号查看program乱序；

15、c-3)使用逻辑分析仪抓取波形后查看擦除、写入、读取或状态检查操作的序列，将序列与nand手册进行对比判断序列是否正确；

16、c-4)在每次执行正常擦写读命令时增加打印查看，判断是否在正常操作流程之外加入其他命令；

17、c-5)通过打印状态值判断擦写读操作后是否正确进行了状态检查。

18、进一步的，步骤d)中通过nand获取最优读取电压轴的命令得到最优读取电压轴，分析电压轴的相对左偏或相对右偏。

19、进一步的，步骤d)中通过shift read命令，寻找最优读取电压轴，分析电压轴的相对左偏或相对右偏。

20、进一步的，通过shift read命令，寻找最优读取电压轴的方法为：将其他电压轴偏移设置为0，当前页电压轴从负偏移32到正偏移32，按步长为2，使用shift read命令读取，错误数最低的为当前页最优读取电压轴。

21、本发明的有益效果是：先从低频下分析是否为nand通路问题，这样可以先排除其他因素干扰，首先确定是否为焊接、硬件电路、硬件工程等硬件方面原因。再分析是否为高频、软件代码或nand特性的问题，提高分析排查问题的效率。

技术特征：

1.一种分析nand读出错误数高的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的分析nand读出错误数高的方法，其特征在于：步骤a)中在200mbps频率以下对nand每个片选信号ce的任意一个块block进行读写register或读写array或写array、读register操作，完成通路测试。

3.根据权利要求1所述的分析nand读出错误数高的方法，其特征在于：步骤a)中硬件故障为焊接故障和/或硬件电路故障和/或硬件工程故障。

4.根据权利要求1所述的分析nand读出错误数高的方法，其特征在于：步骤a)中使用50mbps频率对nand每个片选信号ce的任意一个块block进行读写register或读写array或写array、读register操作，完成通路测试。

5.根据权利要求2所述的分析nand读出错误数高的方法，其特征在于：步骤b)中在实际出现nand读出错误数无法满足ldpc纠错要求的频率，nand每个片选信号ce的任意一个块block进行读写register或读写array或写array、读register操作。

6.根据权利要求1所述的分析nand读出错误数高的方法，其特征在于：步骤b)中nand配置为高频下nand的zq calibration和/或dcc training和/或write/read dq training。

7.根据权利要求1所述的分析nand读出错误数高的方法，其特征在于，步骤c)中分析nand是否擦写读流程出现问题的步骤为：

8.根据权利要求1所述的分析nand读出错误数高的方法，其特征在于：步骤d)中通过nand获取最优读取电压轴的命令得到最优读取电压轴，分析电压轴的相对左偏或相对右偏。

9.根据权利要求1所述的分析nand读出错误数高的方法，其特征在于：步骤d)中通过shift read命令，寻找最优读取电压轴，分析电压轴的相对左偏或相对右偏。

10.根据权利要求9所述的分析nand读出错误数高的方法，其特征在于，通过shiftread命令，寻找最优读取电压轴的方法为：将其他电压轴偏移设置为0，当前页电压轴从负偏移32到正偏移32，按步长为2，使用shift read命令读取，错误数最低的为当前页最优读取电压轴。

技术总结
一种分析NAND读出错误数高的方法，先从低频下分析是否为NAND通路问题，这样可以先排除其他因素干扰，首先确定是否为焊接、硬件电路、硬件工程等硬件方面原因。再分析是否为高频、软件代码或NAND特性的问题，提高分析排查问题的效率。

技术研发人员：蒋书斌,曹成,李瑞东
受保护的技术使用者：山东华芯半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13