用于基于存取的刷新操作的设备及方法与流程

本公开大体上涉及半导体装置，且更具体来说，涉及半导体存储器装置。

背景技术：

1、特定来说，本公开涉及易失性存储器，例如动态随机存取存储器(dram)。信息可作为物理信号(例如，电容元件上的电荷)存储在存储器的个别存储器单元上。当被存取时，存储器单元可耦合到数字线(或位线)，并且数字线上的电压可基于存储在经耦合的存储器单元中的信息而改变。

2、在易失性存储器装置中，信息可随着时间衰减。为了防止信息被刷新，可周期性地刷新信息(例如，通过将存储器单元上的电荷恢复到初始电平)。然而，刷新操作可能需要原本可用于存储器中的存取操作的时间。

技术实现思路

1、本公开的方面提供一种方法，其包括：存取存储体的第一子存储体中的字线；以及响应于存取所述第一子存储体中的所述字线而刷新所述存储体的第二子存储体中的字线。

2、本公开的另一方面提供一种设备，其包括：存储体，其包括第一子存储体及第二子存储体；以及刷新控制电路，其经配置以当存取所述第二子存储体中的字线时，刷新所述第一子存储体中的至少一个字线。

3、本公开的另一方面提供一种方法，其包括：存取存储体中的字线；确定刷新计数是否已达到阈值；如果所述刷新计数未达到所述阈值，那么确定所述字线是否在所述存储体的第一子存储体中；以及如果所述经存取字线被确定为不在所述第一子存储体中，那么刷新所述第一子存储体中的字线。

4、本公开的另一方面提供一种设备，其包括：存储体的第一子存储体；所述存储体的第二子存储体；第一刷新控制电路，其与所述第一子存储体相关联，所述第一刷新控制电路经配置以响应于对所述第一子存储体的刷新操作而产生第一刷新地址；以及第二刷新控制电路，其与所述第二子存储体相关联，所述第二刷新控制电路经配置以响应于对所述第二子存储体的刷新操作而产生第二刷新地址。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括对对所述第二子存储体执行刷新操作的次数进行计数。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括如果所述次数在刷新周期结束时小于阈值，那么提供刷新信号。

4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括如果所述次数满足或超过阈值，那么在刷新周期的剩余时间内跳过刷新所述第二子存储体。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括当已经在所述第二子存储体中执行阈值数量个刷新操作时，取消设置所述刷新旗标。

8.一种设备，其包括：

9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括：

10.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括刷新周期定时器电路，其经配置以在每一刷新周期开始时提供旗标复位信号，其中所述刷新控制电路包含响应于所述旗标复位信号而复位到置位状态的刷新旗标，并且其中所述刷新控制电路经配置以当存取所述第二子存储体中的字线并且所述刷新旗标处于所述置位状态时，刷新所述第一子存储体中的所述至少一个字线。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述刷新控制电路包括刷新计数器电路，所述刷新计数器电路经配置以当所述第二子存储体中的字线被存取时，对所述刷新控制电路刷新所述第一子存储体中的所述至少一个字线的次数进行计数，并且其中当所述计数达到阈值时，将所述刷新旗标改变为未置位状态。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述刷新控制电路经配置以在接收到所述旗标复位信号并且所述刷新旗标处于所述置位状态时提供刷新信号。

13.根据权利要求8所述的设备，其中所述刷新控制电路包括：

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述刷新地址逻辑电路进一步经配置以响应于刷新信号或刷新管理信号来提供所述刷新地址。

15.一种方法，其包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括响应于刷新所述字线而改变所述刷新计数。

17.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括在所述刷新计数在刷新周期结束时低于所述阈值时产生刷新信号。

18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括响应于所述刷新信号刷新所述第一子存储体的字线。

19.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括响应于从控制器接收的刷新管理信号刷新所述第一子存储体的字线。

20.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

21.一种设备，其包括：

22.根据权利要求21所述的设备，其中所述第一刷新控制电路经配置以响应于所述第二子存储体中的存取来提供所述第一刷新地址，并且其中所述第二刷新控制电路经配置以响应于所述第一子存储体中的存取来提供所述第二刷新地址。

23.根据权利要求21所述的设备，其中所述第一刷新控制电路经配置以独立于所述第二刷新控制电路产生第二刷新地址而产生所述第一刷新地址。

技术总结
本公开涉及用于基于存取的刷新操作的设备及方法。存储体可被分成多个子存储体，每一子存储体具有刷新控制电路。可响应于存取第二子存储体中的字线而刷新第一子存储体中的字线。一旦在所述子存储体中已经执行阈值数量个刷新，就可忽略对其它子存储体的进一步存取。如果在刷新周期结束时没有达到所述阈值，那么所述刷新控制电路可发出刷新信号。

技术研发人员：铃木尊雅
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15