芯片测试方法和装置与流程

本公开涉及半导体，尤其涉及一种芯片测试方法和装置。

背景技术：

1、同步动态随机存取内存(synchronous dynamic random-access memory，简称sdram)是有一个同步接口的dram，已被广泛地应用到各种电子设备中。sdram从发展到现在已经经历了五代，从最初的sdram发展到了现在的ddr4sdram(以下简称ddr4)，ddr(双倍速率，double data rate)ddr内存可以在与sdram相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

2、在ddr4等芯片制造过程中，对芯片的老化(burn-in)测试是必不可少的。老化板(burn-in board，简称dib)是一种用来测试芯片性能的集成电路板，广泛应用于芯片制造测试中。随着测试成本不断的增加，需要从降低测试时间和增大产品并行测试数量来降低测试成本。尤其是在存储芯片老化测试等时间周期很难降低的过程中，增大并行测试数量显得尤为重要。随着并行测试数量的增加，dib在设计过程中会将很多待测芯片的控制信号(control signal，简称cs)进行串行走线，多个待测芯片可以共享一个cs信号。

3、但是，芯片在出厂时，内部电路会存在一定差异，当同一cs控制的多个待测芯片同时接受相同指令时，会导致该多个待测芯片的测试条件差异较大。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种芯片测试方法和装置，可以使得老化板上各待测芯片的测试条件保持一致。

2、第一方面，本公开实施例提供一种芯片测试方法，包括：

3、获取老化板上的各待测芯片的测试电压的默认值，所述老化板上的各待测芯片排列形成m行n列，其中，每列待测芯片共享一个控制信号；

4、确定各待测芯片按照预设的电压调整步长，从所述默认值调整到目标值需要的调整步数，其中，所述老化板上的各待测芯片的测试电压的目标值相同；

5、为各待测芯片配置使能参数，所述使能参数包括待测芯片的调整步数和dq0的状态；

6、使能各待测芯片的单片可寻址模式，设定各待测芯片的模式寄存器命令，所述模式寄存器命令中包括待测芯片的电压调整信息，所述电压调整信息用于将待测芯片的测试电压调整到所述目标值；

7、遍历所述老化板上的各列待测芯片，根据所述使能参数将共享同一个控制信号的一列待测芯片的模式寄存器命令逐一使能。

8、在一种可行的实施方式中，根据所述使能参数将共享同一个控制信号的一列待测芯片的模式寄存器命令逐一使能，包括：

9、将调整步数的最小值设置为当前调整步数的初始值；

10、从当前列的各待测芯片中确定所述当前调整步数对应的目标待测芯片，所述目标待测芯片为所述当前列中调整步数与所述当前调整步数相同的待测芯片；

11、通过控制dq0的状态使能所述目标待测芯片，并将所述目标待测芯片的模式寄存器命令发送给所述目标待测芯片；

12、当所述当前调整步数不是调整步数的最大值时，将所述当前调整步数增大一个调整步数，返回执行从当前列的各待测芯片中确定当前调整步数对应的目标待测芯片；

13、当所述当前调整步数是调整步数的最大值时，切换到下一列待测芯片。

14、在一种可行的实施方式中，根据所述使能参数将共享同一个控制信号的一列待测芯片的模式寄存器命令逐一使能，包括：

15、将调整步数的最大值设置为当前调整步数的初始值；

16、从当前列的各待测芯片中确定所述当前调整步数对应的目标待测芯片，所述目标待测芯片为所述当前列中调整步数与所述当前调整步数相同的待测芯片；

17、通过控制dq0的状态使能所述目标待测芯片，并将所述目标待测芯片的模式寄存器命令发送给所述目标待测芯片；

18、当所述当前调整步数不是调整步数的最小值时，将所述当前调整步数减小一个调整步数，返回执行从当前列的各待测芯片中确定当前调整步数对应的目标待测芯片；

19、当所述当前调整步数是调整步数的最小值时，切换到下一列待测芯片。

20、在一种可行的实施方式中，所述老化板上的待测芯片包括多个控制信号，所述多个控制信号循环切换，所述遍历所述老化板上的各列待测芯片，包括：

21、根据所述多个控制信号的循环顺序，依次切换至各列待测芯片。

22、在一种可行的实施方式中，n为控制信号数量l的整数倍或者非整数倍。

23、在一种可行的实施方式中，遍历所述老化板上的各列待测芯片，包括：

24、按照预设的切换顺序，依次切换至各列待测芯片。

25、在一种可行的实施方式中，所述为各待测芯片配置使能参数，包括：

26、在通用缓冲存储器中为各待测芯片配置所述使能参数；

27、所述使能单片可寻址模式，并设定各待测芯片对应的模式寄存器命令，包括：

28、所述通用缓冲存储器根据各待测芯片的测试参数，在测试向量中设定各待测芯片对应的模式寄存器命令。

29、在一种可行的实施方式中，所述确定各待测芯片按照预设的电压调整步长，从所述默认值调整到目标值需要的调整步数，包括：

30、计算各待测芯片的测试电压的默认值和目标值之间的差值；

31、根据各待测芯片的差值和电压调整步长，确定各待测芯片从测试电压的默认值调整到目标值需要的调整步数。

32、在一种可行的实施方式中，所述根据各待测芯片的差值和电压调整步长，确定各待测芯片从测试电压的默认值调整到目标值需要的调整步数，包括：

33、计算所述待测芯片的差值和电压调整步长的比值；

34、当所述比值是整数时，确定所述比值为所述待测芯片的调整步数；

35、当所述比值不是整数时，对所述比值向上取整或者向下取整，取整得到的数值为所述待测芯片的调整步数。

36、在一种可行的实施方式中，所述电压调整信息为待测芯片的测试电压的默认值和目标值之间的差值。

37、在一种可行的实施方式中，所述电压调整信息为待测芯片的调整步数。

38、第二方面，本公开实施例提供了一种芯片测试装置，包括：

39、获取模块，用于获取老化板上的各待测芯片的测试电压的默认值，所述老化板上的各待测芯片排列形成m行n列，其中，每列待测芯片共享一个控制信号；

40、确定模块，用于确定各待测芯片按照预设的电压调整步长，从所述默认值调整到目标值需要的调整步数，其中，所述老化板上的各待测芯片的测试电压的目标值相同；

41、配置模块，用于为各待测芯片配置使能参数，所述使能参数包括待测芯片的调整步数和dq0的状态；

42、所述配置模块，还用于使能各待测芯片的单片可寻址模式，设定各待测芯片的模式寄存器命令，所述模式寄存器命令中包括待测芯片的电压调整信息，所述电压调整信息用于将待测芯片的测试电压调整到所述目标值；

43、使能模块，用于遍历所述老化板上的各列待测芯片，根据所述使能参数将共享同一个控制信号的一列待测芯片的模式寄存器命令逐一使能。

44、在一种可行的实施方式中，所述使能模块具体用于：

45、将调整步数的最小值设置为当前调整步数的初始值；

46、从当前列的各待测芯片中确定所述当前调整步数对应的目标待测芯片，所述目标待测芯片为所述当前列中调整步数与所述当前调整步数相同的待测芯片；

47、通过控制dq0的状态使能所述目标待测芯片，并将所述目标待测芯片的模式寄存器命令发送给所述目标待测芯片；

48、当所述当前调整步数不是调整步数的最大值时，将所述当前调整步数增大一个调整步数，返回执行从当前列的各待测芯片中确定当前调整步数对应的目标待测芯片；

49、当所述当前调整步数是调整步数的最大值时，切换到下一列待测芯片。

50、在一种可行的实施方式中，所述使能模块具体用于：

51、将调整步数的最大值设置为当前调整步数的初始值；

52、从当前列的各待测芯片中确定所述当前调整步数对应的目标待测芯片，所述目标待测芯片为所述当前列中调整步数与所述当前调整步数相同的待测芯片；

53、通过控制dq0的状态使能所述目标待测芯片，并将所述目标待测芯片的模式寄存器命令发送给所述目标待测芯片；

54、当所述当前调整步数不是调整步数的最小值时，将所述当前调整步数减小一个调整步数，返回执行从当前列的各待测芯片中确定当前调整步数对应的目标待测芯片；

55、当所述当前调整步数是调整步数的最小值时，切换到下一列待测芯片。

56、在一种可行的实施方式中，所述老化板上的待测芯片包括多个控制信号，所述多个控制信号循环切换，所述使能模块具体用于：

57、根据所述多个控制信号的循环顺序，依次切换至各列待测芯片。

58、第三方面，本公开实施例提供了一种电子设备，包括：至少一个处理器和存储器；

59、所述存储器存储计算机执行指令；

60、所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述至少一个处理器执行如第一方面提供所述的芯片测试方法。

61、第四方面，本公开实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，所述计算机执行指令被处理器执行时用于实现如第一方面提供所述的芯片测试方法。

62、本公开实施例提供的芯片测试方法，根据dib上各dut的测试电压的默认值和目标值，各dut的测试电压的目标值相同，为各dut分别设置不同的电压调整信息，该电压调整信息用于将dut的测试电压调整到目标值，该电压调整信息包括在mrs命令下，在pda模式，将各dut逐一使能，从而能够保证dib上的各个dut的测试条件一致。