半导体存储器装置及其刷新方法、和半导体装置与流程

本文所描述的本公开的实施例涉及半导体存储器装置，更具体地，涉及一种执行能够增加命令带宽的剩余存储体(bank)刷新操作的半导体存储器装置及其刷新方法。

背景技术：

1、作为半导体存储器装置的示例，作为易失性存储器的动态随机存取存储器(dram)装置通过存储在电容器中的电荷来存储数据。由于存储在电容器中的电荷可能随时间通过各种路径泄漏，所以dram具有有限数据保持特性。dram需要刷新操作来周期性地重写存储在电容器中的数据以解决有限数据保持。

2、通常，dram在用于刷新所有存储器存储体的全存储体刷新操作期间不接收写命令或读命令以防止数据冲突。然而，在用于刷新一些存储体的每存储体刷新pbr操作期间，可访问不是刷新目标的存储体。

3、dram刷新操作由诸如存储器控制器的主机管理。

4、随着存储器模块和存储器装置趋向于具有更高容量和更高集成度，由主机来控制dram刷新操作变得越来越复杂。例如，对于每存储体刷新pbr操作，存储器控制器针对每个存储体调度命令。然而，随着存储体的数量增加，频繁地发出每存储体刷新pbr命令的负担上升。另外，当刷新命令的数量增加时，dram可能不接收针对基于刷新命令正在被刷新的行的写命令或读命令，因此命令通道的带宽减小并且性能可能劣化。因此，迫切需要一种即使当存储体的数量增加时也能够通过确保命令带宽来减小dram性能劣化的技术。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种能够通过减少刷新命令的数量来增加命令带宽的半导体存储器装置及其刷新方法。

2、根据实施例，一种半导体存储器装置包括：单元阵列，其包括多个存储器存储体；命令解码器，其被配置为对从外部源接收的每存储体刷新命令和剩余存储体刷新命令进行解码；以及刷新控制器，其被配置为控制单元阵列执行每存储体刷新操作以用于刷新多个存储器存储体当中基于命令解码器的每存储体刷新命令的解码结果选择的一个存储器存储体，其中，刷新控制器被配置为在一个刷新循环期间响应于剩余存储体刷新命令执行剩余存储体刷新操作以用于刷新多个存储器存储体当中一个存储器存储体以外的在每存储体刷新操作之后剩余的所有存储器存储体。

3、根据实施例，一种包括多个存储器存储体的半导体存储器装置的刷新方法，响应于每存储体刷新命令刷新多个存储器存储体中的所选一个存储器存储体，并且响应于剩余存储体刷新命令并行刷新多个存储器存储体当中除了包括所选一个存储器存储体的刷新的存储器存储体以外的剩余存储器存储体。

4、根据实施例，一种半导体装置包括：多个存储器存储体；命令解码器，其被配置为对全存储体刷新命令、每存储体刷新命令和剩余存储体刷新命令进行解码；地址解码器，其被配置为接收输入地址；刷新控制器，其被配置为在一个刷新循环期间响应于每存储体刷新命令执行每存储体刷新操作以用于刷新多个存储器存储体当中的一个所选存储器存储体，以及响应于剩余存储体刷新命令执行剩余存储体刷新操作以用于并行刷新多个存储器存储体当中在每存储体刷新操作之后剩余的剩余存储器存储体；以及刷新状态寄存器，其被配置为在一个刷新循环期间更新多个存储器存储体中的每一个的刷新状态。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在所述每存储体刷新操作期间，对所述多个存储器存储体中的除了所述一个存储器存储体以外的存储器存储体执行读操作或写操作，并且

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在所述剩余存储体刷新操作期间，执行所述多个存储器存储体中的通过所述每存储体刷新操作刷新的所述一个存储器存储体的读取或写入。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述刷新控制器被配置为在所述剩余存储体刷新操作被执行之后，重置所述刷新状态寄存器。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述刷新控制器包括刷新计数器，所述刷新计数器被配置为根据所述刷新状态寄存器的重置将用于刷新的行地址向上计数。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括：

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述刷新控制器被配置为响应于在执行所述每存储体刷新命令之后存在所述剩余存储器存储体时接收的全存储体刷新命令来执行所述剩余存储体刷新操作。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括：

10.一种半导体存储器装置的刷新方法，所述半导体存储器装置包括多个存储器存储体，所述方法包括：

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

12.根据权利要求10所述的方法，其中，刷新所述多个存储器存储体中的所述一个存储器存储体包括：

13.根据权利要求10所述的方法，其中，并行刷新所述剩余存储器存储体包括：

14.根据权利要求10所述的方法，还包括：

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：

16.一种半导体装置，包括：

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，在所述剩余存储体刷新操作期间执行通过所述每存储体刷新操作刷新的所述一个存储器存储体的读取或写入。

18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，当所述剩余存储体刷新操作完成时，所述刷新状态寄存器被重置。

19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，所述刷新控制器包括刷新计数器，所述刷新计数器被配置为与所述刷新状态寄存器的重置同步将刷新行地址向上计数。

20.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，所述刷新控制器被配置为响应于在执行所述每存储体刷新命令之后接收的所述全存储体刷新命令执行所述剩余存储体刷新操作。

技术总结
公开了一种半导体存储器装置及其刷新方法和半导体装置。该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器存储体；命令解码器，其被配置为对从外部源接收的每存储体刷新命令和剩余存储体刷新命令进行解码；以及刷新控制器，其被配置为控制所述存储器单元阵列执行每存储体刷新操作以用于刷新多个存储器存储体中的基于命令解码器的每存储体刷新命令的解码结果的一个存储器存储体，其中，刷新控制器被配置为在一个刷新循环期间响应于剩余存储体刷新命令执行剩余存储体刷新操作以用于刷新多个存储器存储体中的一个存储器存储体以外的剩余的存储器存储体。

技术研发人员：孙钟弼
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29