带有改善磁稳性提供均匀电流的导体几何形状的磁阻器件的制作方法

专利名称：：带有改善磁稳性提供均匀电流的导体几何形状的磁阻器件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及Y年M月D日发布的美国专利No.(申请序号08/392,3931995.2.22.归档)关于“磁阻器件和改进巴克好森(Barkhausen)干扰抑制的方法(MagnetoresistiveDeviceandMethodHavingImprovedBarkhausenNoiseSuppression)”和美国专利申请序号08/461.8741995.6.5.归档，关于“装有利用平面的永磁薄膜稳定性设计的固有磁通量闭路的软邻接层磁化磁阻器件(SoftAdjacentLayerBiasedMagnetoresistiveDeviceIncorporatingaNaturalFluxClosureDesignUtilizingCoplanarPermanentMagnetThinFilmStabilization)”和美国专利申请序号08/401.5531995.5.9.提交，关于“整形自旋阀型传感器和制作含磁畴稳定技术的SSV型传感器的方法(ShapedSpinValveTypeMagnetoresistiveTransducerandMethodforFabricatingtheIncorporatingDomainStabilizationTechnique)”的内容。先前的专利和专利申请授于昆腾外围设备科罗拉多股份有限公司(QuantumPeripheralsColoradoInc.，)，路易斯维尔市(Louisville)，科罗拉多州(Colorado)，因此本文参考资料详细地引用其公开内容。本发明总体上涉及磁阻(“MR”)传感器、巨型磁阻(“GMR”)传感器和自旋阀(spin-valve“SV”)传感器的领域。更具体的说，本发明涉及MR传感器的一种改进的电导体几何形状提高改善磁畴稳定性、减小巴克好森噪声和增加操作的可靠性。而无需在实施中增加额外的加工步骤。业已知道磁阻传感器在从磁性表面读取数据方面是非常有用的，其灵敏度超过感应式或其它薄膜头。在运行中，MR传感器是用于探测随被检测磁通量的方向和数量而变的磁场信号变化。大家也知道为了使MR传感器有效地运行，必须得到横向偏磁场以使响应线性化。实行这样的横向偏磁的各种技术大家已知道，包括电流分流、“红白旋转招牌”(barberpole)和软邻接薄膜附加偏置。把横向偏磁垂直施加到磁介质的平面而平行施加到MR传感器的表面。大家也知道MR传感器可以和平行于磁性介质和平行于MR传感器的主轴延伸的纵向偏磁场一起使用。为了抑制巴克好森干扰，通过纵向偏磁场稳定MR传感器对于MR传感器在高磁道密度磁盘驱动装置中的应用是必需的。巴克好森干扰起因于不稳定的磁学性质，例如在MR元件里的多磁畴状态(或畴壁)，例如接收来自有关联的写头或其他外部场源的磁性干扰时可以出现这种状态。关于这一点，为了阻止偏离磁道边界和为了遍及整个有源MR元件达到单畴状态，用反铁磁(“AF”)材料例如如铁锰(“FeMn”)或用由钴铂(“CoPt”)、钴铂钽(“CoPtTa”)或钴铂铬(“CoPtCr”)组成的永磁(“PM”)层通常使磁阻和自旋阀磁记录“读”元件稳定。然而，由于随着到边界的距离增加，磁通量很快从有源区漏出所以这样的边界偏磁方法在有源区的中心上减弱。这种不希望有的磁通量漏泄是多畴状态和在读回时有关联的巴克好森干扰的一个通常的原因，结果引起伴生不稳定性问题。这些先前方法的共同目的在于避免畴壁形成，迄今为止谁也没有提出在MR有源区中的电流图形也是形成多畴状态的一个值得注意的影响因素，特别在读回操作期间或在有漏磁场的情况下操作。通常设计的导体引起向内转90°的电流通过MR器件有源区，结果造成非均匀电流和增加引起畴壁形成或多畴状态形成的可能。在本发明中公布的导体几何形状通过改进MR结构的有源区中的电流图案，改进MR、GMR和SV磁头的磁稳定性。这种情况通过把一部分一般导体图形的中间边缘移位在器件有源区的旁侧上，结果形成更合理而均匀的电流图案在最佳实施例中业已达到。这种改进的电流图案使在MR结构中畴壁形成减小到最低程度而产生更稳定的器件性能，特别在读回操作期间和在有漏磁场情况下。这里具体公开的内容是在含有磁阻层的一种磁阻器件，磁阻层有其有源区和至少一个具有其近侧端面与磁阻层的有源区电耦合而其远端面从有源区开始纵向延伸的导体。在特定的实施例中，在近侧端面上的导体宽度小于远侧端面上的导体宽度。这里进一步具体公开的内容是包含一种至少由一部分磁阻尼形成其有源区的磁阻结构的磁阻器件。在导体有其相对的中间边缘和旁侧边缘情况下，至少一个导体与磁阻结构电连接在那里至少一部分中间边缘被移位在有源区的旁侧。此外在这里还进一步公开的内容是磁阻器件包含具有一条有源的纵向延伸易磁化轴的磁阻层、埋在磁阻层下面并向该处提供横向偏磁的软邻接层和被介入在磁阻层和软邻接层之间的磁阻离层。把第一和第二电流导体装成与磁阻器件电连接并使第一和第二电流导体成形以相对于易磁化轴小于90°的角度把电流输入磁阻器件。通过参阅下面最佳实施例结合附图的描述，本发明上述的与其他的特点、本发明的目的以及实现方法将更显而易见，而且将使本发明本身非常易懂，其中图1是构成本发明的用作磁性“读”头的磁阻传感器一种应用的常规磁盘驱动装置的简化局剖俯视图；图2A是说明磁阻器件的常规的导体几何形状(在剖视图中)的部分顶面图在那里电流图形表示为必须在MR有源区的每一端横转大体上为90°的路径；图2B是图2A中磁阻器件MR层的放大顶面图，更详细地说明大体上不均匀的电流图形通过器件有源区，这增大了引起不希望有的畴壁形成和伴生的巴克好森噪声的可能；图2C是图2A-2B中磁阻器件的一般的导体几何形状(在剖视图中表示出)的等角图，进一步说明根据先前的美国专利的MR传感器的MRS结构；图3A是表示根据本发明的磁阻器件的一种改进的导体几何形状(在剖视图中)的一部分顶面图。在那里电流图形在MR有源区的每一端上表示为大体上是均匀的，并因此有效地排除不希望有的畴壁形成；图3B是图3A中磁阻器件的本发明的改进的导体几何形状(在剖视图中)的等角图，也说明其MRS结构；图4A是用图表示在有15奥斯特(“Oe”)漏磁场的情况下在图2A-2C中表示的一般的导体几何形状的MR响应转换曲线；和图4B是进一步用图表示在有同样强度的漏磁场的情况下使用本发明，例如在图3A-3B中说明的改进的导体几何形状的磁阻器件的响应转换曲线。最佳实施例的描述现在参阅图1，为了尽可能和本发明的MR传感器配合使用，图1表示磁盘驱动装置10的简化局剖俯视图。磁盘驱动装置10在适当的地方有许多绕中心轴旋转的磁盘12。可以含有根据本发明的用作“读”元件的MR传感器的读/写头14，通过定位装置16安装成与磁盘12表面上的许多同圆心的数据磁道相对，以使数据能从其磁性硬表面18写入或读出。先前的MR磁头中的磁不稳性上升主要是由于在有源MR元件中形成磁畴引起(也被看作巴克好森干扰)，而结果造成读回波形中波幅和基线的瞬畴跳跃。这样能够有害地影响定位装置16中的伺服定位反馈系统，而磁盘驱动装置10的读电路中的数据出错率更严重。换言之，严重地影响磁盘驱动装置的使读/写磁头14在磁盘12表示18上记录的数据上方准确定位和可靠地读记录数据的能力。因此，这能导致磁盘驱动装置10运行的完全失灵。现在参阅图2A，图2A表示使用在作示范的MR器件时的常规的导体几何形状。如所示的那样，通常的MR器件20有一个例如可以用作磁盘驱动装置中“读”磁头的MR传感器22。通常的MR器件20的MR传感器22如所示的那样不仅有一个MR层有源区24而且在这样的作示范的实施例中有一对配置成邻接MR层有源区24的相对的端面的纵向偏磁元件26、28。正如在先前的美国专利和专利申请中公开的那样，例如，纵向偏磁元件26、28可以由永磁元件组成。也正如在先前的美国专利和专利申请中公开的那样，隔离层30、32可以各自介入在纵向偏磁元件26、28和MR层有源区26之间。也用图说明常规的导体34、36平行地覆盖在MR层有源区24上面并与MR层有源区24连接。关于这一点，能够看到常规的导体34、36在MR层有源区24的范围内各自有成直角的拐角38、40。此外，能够看到常规的导体34、36有各自从拐角38、40开始延伸并且通常分别与旁侧边缘48、48平行和相对的很直的中间边缘42、44。现在另外参阅图2B，表示在图2A所示的一般MR器件20中的那部分的放大顶面图，进一步说明通过常规的导体34、36使电流大体上成直角转向送入MR传感器22必须横向通过笔直的中间边缘42、44而结果产生直角的拐角38、40。由于使电流大体上转90°一定是在常规的导体34、36相对应的中间边缘42、44上，由于这种不均匀电流，遇到发生畴壁形成的可能较大。现在另外参阅图2C，表示在前面的图2A-2B中所说明的常规MR器件20的等角图。在该图中，能够看到为了向MR层有源24提供横向偏磁，磁隔离层(“MSL”)50不但上盖MR层有源区24而且下埋软邻接层(“SAL”)52。正如所说明的那样，由常规的MR器件20的大体上纵向延伸的线54表示MR传感器22的易磁化轴。由相对的常规的导体34、36间的距离以及MR层有源区24的长度设定MR传感器22的磁道宽度(“TW”)。现在另外参阅图3A，表示按照本发明的MR器件60。MR器件60包含一个具有MR层有源区64的MR传感器62。在所说明的实施例中，MR层有源区64可以由大体上在200-500A之间的NiFe或其他适合的铁磁性材料组成。根据前述的美国专利和专利申请的技术，为了形成纵向偏磁，可以把一对纵向偏磁元件66、68配置成邻接MR有源区64的端面。在所说明的实施例中，纵向偏磁元件66、68可以由含有CoPt、CoPtCr或CoPtTa的永磁层组成。应该指出，虽然说明纵向偏磁元件66、68为永磁层但是可以使其他常规的纵向偏磁技术包括应用反铁磁体的本发明结合使用。再根据前面所述的美国专利和专利申请技术，可以使一对隔离层70、72分别介于纵向偏磁元件66、68和MR层有源区64的末端部分之间。隔离层70、72可以由非磁性金属例如Cr组成，要不由绝缘材料例如氧化铝组成。也用图说明MR器件60的改进的几何形状导体74、76。虽然改进的几何形状导体74、76覆盖在MR层有源区64上面并连接MR层有源区64，但是应该指出，在其他一些申请中在这样形成PM元件时，改进的几何形状导体74、76可以通过直接连接纵向偏磁元件66、68形成对MR器件60的电连接。改进的几何形状导体74、76含有邻接MR层有源区64一个边缘的拐角78、80而如所表示的那样，出现具有一个高度(“h”)的第一中间边缘82、84。改进的几何形状导体74、76各自的第一中间边缘82、84的高度“h”可以精确地等于MR层有源区64中的带条高度(MR层有源区的宽度垂直于易磁化轴)或者如所表示的那样，稍微大一些。在具体的实施例中“h”可以近似等于5μ。改进的几何形状导体74、76还含有各自使第一中间边缘82、84与相应的第二中间边缘90、92连接的移位边缘86、88。关于这一点，虽然大体上表示成直线，但是移位边缘86、88从第一中间边缘82、84到相应的第二中间边缘90、92可以成曲形而仍旧保持在下文中描述的益处。第二中间边缘82、84各自从第一中间边缘82、84位移一个距离(“d”)。在所说明的实施例中，d在长度上大体可以在10μ和20μ之间。现在另外参阅图3B，为了更好地说明MR传感器62的结构，把前面图3A中的MR器件60表示成其等角图。由近似在100-250A之间的Ta制成的磁隔离层94可以埋在MR层有源区64的下面。此外，由近似在200-500A之间的NiFeMo组成的软邻接层96可以用形成对MR层有源区64的一个横向偏磁。如所说明的那样，MR传感器62的易磁化轴98大体上处在MR器件的纵向。正如由参阅图3A-3B能看到的那样，借助于改进的几何形状导体74、76通过MR器60的电流大体上是线性和均匀地通过MR层有源区64。在这种方法中，形成较均匀的电流图形从而使MR器件60内畴壁形成的可能性和伴生的巴克好森干扰大大下降。如所说明的那样，经由对MR器件60改变其导体的形状，在MR层有源区64中的电流图形变得更合理化并且由于改进了其所有的磁稳定性，因此产生更稳定的器件性能。这是通过使第一中间边缘82、84与第二中间边缘90、92不共线并且通过使后者从MR层有源区60移动一段距离后达到的。在这种方法中，电流能以小于90°的角度送入MR层有源区64，这样使其与常规的MR器件20(图2A-2C)有区别。由于使电流转向拐角离开MR层有源区64，因此在有源区域近旁的最大电流密度明显地下降。所以这就降低了在有源区中畴壁形成的概率。现在另外参阅图4A和4B，表示了常规MR器件20(图2A-2C)的常规的转换曲线100以及MR器件60(图3A-3B)的改进的转换曲线102。常规的转换曲线100以及改进的转换曲线102是相对于-150到+150奥斯特(“Oe”)之间的磁场作出，并表明其响应在-600到+600微伏之间。在实验上，为了使器件处于超过他们从任何起励磁场6作用的伴生磁性介质可以遇到的状态，使用100Oe以上的磁场。在这种方法中，器件将很快地显示出常规的MR器件20和本发明的MR器件60之间的内在差异，虽然为了模拟由介质场引起的幅度的仅需要近似为50到60Oe的磁场。正如能够看到的那样，MR器件60的改进的转换曲线102比常规MR器件20的常规的转换曲线100显示出更少的巴克好森噪声并普遍地显示出更稳定的性能。有重大意义的是，甚至在有与纵向偏磁元件66、68(图3A-3B)方向相反的15Oe漏磁场的情况下改进的转换曲线102没有显示巴克好森干扰。在同样的条件下，常规MR器件20在常规的转换曲线100上显示出可观的磁滞现象，磁滞现象是磁不稳定性的征兆。MR器件60的特征除了在所有磁稳定性上的重大改进外，改进的转换曲线102也显示出这种设计对高至15奥斯特的易磁化轴漏磁场很不灵敏，这就意味着较好的交叉跟踪性能。在下列的表1中表示出对应于转换曲线100、102的汉普斯脱(HAMPster)(4A-4B中的转换曲线100、102的数据分析软件)数据。表1比较了MR器件60(图3A-3B)以及常规MR器件20(图2A-2B)的磁滞百分比和偏差范围百分比，并说明了在不但有零漏磁场而且有15奥斯特漏磁场情况下重要性能的增强。磁滞百分比可以由此给出[(转换曲线包围的面积)/(施加磁场范围×总幅度)]×100％。偏差范围百分比可以由此给出([(斜率)最大-(斜率)最小/总幅度)×100％，此处(斜率)是转换曲线对施加磁场的导数。偏差范围是在转换曲线中瞬时跳动的征兆，因此是巴克好森干扰的一种测量。表1磁带％偏差范围％无漏磁场15奥斯特漏磁场无漏磁场15奥斯特漏磁场MR器件60平均值1.741.61.0251.1标准偏差0.400.3750.10.126一般的MR器件20平均值2.863.681.231.64标准偏差0.801.530.4210.71</table>也应该指出，在实验上MR器件60的电阻没有因为改进的几何形状导体74、76在外形上的变化而明显地增高。这是由于在用金(“Au”)作改进的几何形状导体74、76中，这样的电导体占MR器件60中的整个MR电阻的相当小的部分，因此该导体的结构变形对整个MR电阻的影响是可忽略的。然而，装有改进的几何形状导体74、76的MR器件60在读回过程期间对重写能力也没有显著的影响。从实验数据来看，重写可以认为与设计无关，而按平均计算近似为38dB(分贝)，完全在设计允许范围以内。结合PM纵向偏磁的磁阻器件的具体实施例描述本发明的上述方法时应该清楚地懂得，仅仅通过举例的方法作以上的阐述而不作为对本发明范围的限定。特别是，在本发明中公开的导体几何形状可以用来配合GMR和SV器件以及具有用反铁磁体和这些使用的传送偏磁技术提供不同于SAL偏磁的纵向偏磁的MR器件，例如本发明可以有利地使用于磁盘驱动头、磁带驱动头、螺旋扫描磁头(例如使用于VCRs)和包括双缝磁头的其他计算机大容量存储器应用，这些应用含有检测磁场的磁阻薄膜。权利要求1.一种磁阻器件包括磁阻层，在其有源区有纵向延伸的易磁化轴；在所述的磁阻层下面为向该处提供横向偏磁的软邻接层；介于在所述的磁阻层和所述的软邻接层之间的磁性间隔层；和第一和第二电流导体与所述的磁阻器件成电连接，上述的第一和第二电流导体被构成为，把电流以相对于所述的易磁化轴小于90°的角度提供给所述的磁阻器件。2.如权利要求1的磁阻器件进一步包括配置在所述的磁阻层的侧旁用于向其提供纵向偏磁的第一和第二纵向偏磁元件。3.如权利要求2的磁阻器件进一步包括介于在所述的第一及第二纵向偏磁元件和所述的磁阻层的相对端面部分之间的第一和第二分隔层。4.如权利要求3的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔层包括介质材料。5.如权利要求4的磁阻器件其中所述的介质材料是氧化铝。6.如权利要求3的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔层包括非磁性金属。7.如权利要求6的磁阻器件其中所述的非磁性金属是Cr。8.如权利要求1的磁阻器件其中所述的磁阻层包括NiFe。9.如权利要求1的磁阻器件其中所述的软邻接层包括NiFeMo。10.如权利要求3的磁阻器件其中所述的磁性隔离层包括Ta。11.如权利要求2的磁阻器件其中所述的第一和第二纵向偏磁元件包括CoPt、CoPtCr或CoPtTa。12.如权利要求1的磁阻器件其中所述的第一和第二导体分别包括覆盖在上述的磁阻层上面的第一中间边缘部分和位移在所述的第一中间边缘部分旁侧的第二中间边缘部分。13.如权利要求12的磁阻器件其中所述的第一和第二导体的所述的第一和第二中间边缘部分是非共线的。14.如权利要求12的磁阻器件其中所述的第一中间边缘部分在长度上大体上等于所述的磁阻器件的带条高度。15.如权利要求12的磁阻器件其中所述的第一中间边缘部分在长度上大体上为5μ。16.如权利要求12的磁阻器件其中所述的第一中间边缘部分在长度上大体上大于所述的带条高度的距离位移在所述的第一中间边缘部分的旁侧上。17.如权利要求16的磁阻器件其中所述的距离大体上是在10-20μ之间。18.如权利要求11的磁阻器件进一步包括磁头磁盘装置；至少一种磁性存储介质，可旋转地装在所述的磁头磁盘装置中在其上具有可编码的数据；和至少一种定位器机械装置，可动地装在所述的磁头磁盘装置中用于将所述的磁阻器件相对于所述的存储介质定位以使选择部分的所述的数据能够读出。19.一种磁阻器件包括具有由至少一部分磁阻层形成其有源区的磁阻结构；和至少一个与所述的磁阻结构电连接的导体，所述的导体有其相对的中间边缘和旁侧边缘在那里至少一部分所述的中间边缘被移位在所述的有源区旁侧上。20.如权利要求19的磁阻器件进一步包括被配置在所述的磁阻层的旁侧上以向其提供纵向偏磁的第一和第二纵向偏磁元件。21.如权利要求20的磁阻器件进一步包括介于在所述的第一及第二纵向偏磁元件和所述的磁阻层的相对的端面部分之间的第一和第二分隔层。22.如权利要求21的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔离层包括介质材料。23.如权利要求22的磁阻器件其中所述的介质材料包括氧化铝。24.如权利要求21的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔层包括非磁性金属。25.如权利要求24的磁阻器件其中所述的非磁性金属包括Cr。26.如权利要求19的磁阻器件其中所述的磁阻层包括NiF。27.如权利要求19的磁阻器件其中所述的磁阻结构包括软邻接层。28.如权利要求27的磁阻器件其中所述的软邻接层包括NiFeMo。29.如权利要求27的磁阻器件其中所述的磁阻结构进一步包括磁性隔离层。30.如权利要求21的磁阻器件其中所述的磁性隔离层包括Ta。31.如权利要求21的磁阻器件其中所述的第一和第二纵向偏磁元件包括CoPt、CoPtCr或CoPtTa。32.如权利要求21的磁阻器件其中所述的至少一个导体包括叠在所述的磁阻层上面的第一中间边缘部分和移位在所述的第一中间边缘部分旁侧上的第二中间边缘部分。33.如权利要求32的磁阻器件其中所述的至少一个导体的所述的第一和第二中间边缘部分是非共线的。34.如权利要求32的磁阻器件其中所述的第一中间边缘部分在长度上大体等于所述的磁阻器件的带条高度。35.如权利要求32的磁阻器件其中所述的第一中间边缘部分在长度上大体上为5μ。36.如权利要求32的磁阻器件其中所述的第二中间边缘部分以大体上大于所述的带条高度的距离，位移在所述的第一中间边缘部分的旁侧上。37.如权利要求36的磁阻器件其中所述的距离大体上是在10-20μ之间。38.权利要求19的磁阻器件进一步包括磁头磁盘装置；至少一种磁性存储介质，可旋转地装在所述的磁头磁盘装置中在其上有可编码的数据；和至少一种定位器机械装置，可动地装在所述的磁性存储介质定位以能读出所选择部分的所述的数据。39.一种磁传感器包括具有有源区的磁阻层；和至少一个导体，其近侧端面与所述的磁阻层的所述的有源区电耦合而其远侧端面从所述的有源区开始纵向延伸。40.如权利要求39的磁传感器其中在所述的近侧端面上的所述的导体宽度小于所述的远侧端面上的所述的导体宽度。41.如权利要求39的磁传感器进一步包括配置在所述的磁阻层旁侧上并向其提供纵向偏磁的第一和第二纵向偏磁元件。42.如权利要求41的磁传感器进一步包括介于在所述的第一及第二纵向偏磁元件和所述的磁阻层的相对端面部分之间的第一和第二分隔层。43.如权利要求42的磁传感器其中所述的第一和第二分隔层由介质材料组成。44.如权利要求43的磁传感器其中所述的介质材料包括氧化铝。45.如权利要求42的磁传感器其中所述的第一和第二分隔层包括非磁性金属。46.如权利要求45的磁传感器其中所述的非磁性金属包括Cr。47.如权利要求39的磁传感器其中所述的磁阻层包括NiFe。48.如权利要求39的磁传感器其中所述的磁阻层形成包括软邻接层的磁阻结构的一部分。49.如权利要求48的磁传感器其中所述的软邻接层包括NiFeMo。50.如权利要求48的磁传感器其中所述的磁阻结构进一步包括磁性隔离层。51.如权利要求50的磁传感器其中所述的磁性隔离层包括Ta。52.如权利要求41的磁传感器其中所述的第一和第二纵向偏磁元件包括CoPt、CoPtCr或CoPtTa。53.如权利要求39的磁阻器件其中所述的至少一个导体包括叠在所述的磁阻层上面的第一中间边缘部分和移位在所述的第一中间边缘部分旁侧上的第二中间边缘部分。54.如权利要求53的磁阻器件其中所述的至少一个导体的所述的第一和第二中间边缘部分是不共线的。55.如权利要求53的磁阻器件其中所述的第一中间边缘部分在长度上大体等于所述的磁阻器件的带条高度。56.如权利要求53的磁传感器其中所述的第一中间边缘部分在长度上大体上为5μ。57.如权利要求53的磁阻器件其中所述的第二中间边缘部分以大体上大于所述的带条高度的距离，位移在所述的第一中间边缘部分的旁侧上。58.如权利要求57的磁阻器件其中所述的距离大体上是在10-20μ之间。59.权利要求39的磁阻器件进一步包括磁头磁盘装置；至少一种磁性存储介质，可旋转地装在所述的磁头磁盘装置中在其上有可编码的数据；和至少一种定位器机械装置，可动地装在所述的磁性存储介质定位以能读出所选择部分的所述的数据。全文摘要特别是在读回操作期间为了有效地消除不希望有的畴壁形成，提供一种磁阻(“MR”)器件装有的改进的导体几何形状，由于提供基本上均匀的电流通过器件有源区增强了磁稳定性。使一对电流导体形成与磁阻器件电连接并且使一对电流导体成型以对顺轴小于90°的角度把电流输入磁阻器件。文档编号G11B5/39GK1165302SQ9611728公开日1997年11月19日申请日期1996年12月6日优先权日1995年12月8日发明者史里德哈·巴叔瓦尔申请人:昆腾外围设备科罗拉多公司