专利名称：磁头及制造磁头的方法
技术领域：
本发明涉及一种应用在磁记录装置例如磁盘驱动器、磁带记录装置等中的磁头；以及制造该磁头的方法。
关于应用在磁记录装置例如磁盘驱动器、磁带记录装置等中的磁头，有一种感应型记录/重现磁头以及一种装备有感应型记录磁头和磁阻(磁致电阻)型重现磁头的组合磁头。
近些年来，由于磁盘驱动器等的密度增高需要更高性能的磁头。由于磁头要满足这种要求，可以将该不取决于磁记录介质的速度工作的MR磁头安装到小型磁盘驱动器中，并可以得到高的输出，已怀很大兴趣对此予以关注。
为了在这种磁头中实现高记录密度，必须改进磁记录介质的线记录密度和磁道密度。相应地，需要具有更窄芯体宽度的磁头可以高频记录，并且磁头具有较少的记录侧向边缘效应或者漏出现象。其中“记录的侧向边缘效应”意指一种现象，即在写入时对目标磁道相邻的磁道产生影响，使得记录磁场沿磁道宽度方向向外扩展。
在薄膜磁头例如其中安装MR(磁)头的磁头中已公知一种称之为组合磁头的磁头。通过将一由磁记录介质读出磁信息的多层重现(磁)头RE和一向磁记录介质以磁方式写入信息的多层记录(磁)头WR沿层叠方向进行层叠形成组合磁头。
在重现(磁)头RE和记录(磁)头WR之间的一个交界元件即位于在记录磁头侧的重现磁头RE的一对磁屏蔽层中的一层(称之为“上重现磁屏蔽层”或下文简称“上磁屏蔽层”)公用为位于在记录磁头侧的记录磁头中的一对磁极中的一层(称为“下记录磁极”或下文简称为“下磁极”)。因此，对该层的形状要加一定的限制，以及记录磁头WR的下磁极中面向磁记录介质的侧表面(ABS(空气支承表面)或浮动表面)其形成不可避免地要宽于磁记录介质的记录磁道宽度。由于这一原因，在写入操作中由下磁极产生的记录磁场沿记录介质的磁道方向向宽扩展。因此，难于通过使磁道宽度变窄来降低磁道间距从而改进记录密度。
下磁极和上磁极在螺旋记录线圈12的中心区域彼此连接。在下磁极的ABS和上磁极的ABS之间产生记录磁场。为了改善记录密度，要求上磁极的ABS必须整形时应尽可能少，因此必须降低记录的侧向边缘效应。
本发明要解决的问题。
在该记录磁头中，经适当分析，将施加到磁记录介质上的磁场强度设定约2倍于记录介质的矫顽力Hc。目前的记录介质的矫顽力Hc接近2500奥(奥斯特)。因此，本发明的发明人首先将具有约5000奥斯特的记录磁场的磁头作为目标。
其次，本发明的发明人将上记录磁极的芯体宽度(ABS的纵向尺寸)达到小于1微米作为另一目标。
然而，上记录磁极形成在该在下记录磁极上形成的层间绝缘层上。由于位于在下记录磁极上方的记录线圈置入在层间绝缘层中，这一层间绝缘层在其外侧具有大的阶状部分(高的阶状部分)。如在
图1A中所示，如果将液体抗蚀剂涂覆在具有高的阶状部分的层间绝缘层11上，由于抗蚀剂具有流动能力，抗蚀剂115具有这样一种趋势，即在高的阶状部分(平坦部分)层厚变得相对薄，而在下阶状部分(阶状部分底部)由于滞留抗蚀剂使层厚变得相对厚。
因此，在形成上磁极时，必须将上磁极置于具有高的阶状部分的层间绝缘层111之上，然后确定图形等。为了形成预定层厚的上磁极，在平坦部分上需要约6微米的抗蚀剂层厚。在这种情况下，在阶状部分底部上的抗蚀剂的层厚变得约10微米。
通过利用层厚大约10微米的抗蚀剂要实现在上磁极的ABS上1微米的目标芯体宽度是十分困难的。
作为克服该问题的防范措施，本申请的申请人先前已经提出一项技术，如1997.4.25申请的9-109845号日本专利申请(该申请在本日本申请的申请日期还未对公众公开)，通过利用聚焦的离子束(FIB)法对上记录磁极进行局部修整。
在这一序号为9-109845的日本专利申请文件中所公开的技术是，在制造组合磁头的步骤中，在最终阶段将基片分成浮动块之前或之后，通过利用聚焦的离子束法由ABS侧对上记录磁极进行局部修整和整形，以窄化芯体宽度。
图1B是表示利用聚焦的离子束法对上磁极进行修整的视图。如在图1B中示意表示的，在其中形成上磁极的磁头中，上磁极116局部覆盖螺旋记录线圈112。上磁极116具有一细长(即长而窄)的指向记录介质的磁极部分116a。
图1C是表示通过利用聚焦的离子束法对细长磁极部分116a进行修整的放大图。更具体地说，在已确定上磁极116的图形后，通过照射聚焦的离子束对与在上磁极16中的缝隙层相接触的细长磁极部分的两侧面和位置低于和围绕该细长磁极部分的下磁极进行修整。根据这一修整处理，将上磁极116中的细长磁极芯体宽度116a整形为预期的形状，同时在位置低于和在细长磁极部分的两侧的下磁极中的上部分上形成凹槽或凹部。
图2是表示聚焦的离子束设备的视图。这一设备包括一具有离子源、透镜系统、台等的图形绘制部分，以及控制和数据处理部分。由于离子束具有良好的直线传播特性，聚焦的离子束法的特点是能形成十分精确的图形。此外，可以形成具有高形状尺寸比的精确图形。
因此，如果采用聚焦的离子束法，通过修整处理可以将细长磁极部分116a整形为预期的精确图形。如果采用具有已整形为这种预期精确图形的细长磁极部分的上磁极，可以将在上磁极和下磁极之间产生的记录磁场沿磁道宽度的方向的扩展抑制到最低最小。因此，具有这种上磁极的磁头可以在具有高磁道密度的磁记录介质上记录信息。
但是，通过利用聚焦的离子束法来实行对磁极的修整处理在现有状态生产率是十分差的。利用图2中所示的FIB设备可以实行聚焦的离子束法。为了将经整形的细长磁极部分的芯体宽度修整到1微米范围内，将离子束聚焦到在每个磁头中的细长磁极部分两侧上的预定位置，然后确定图形绘制区域，以便进行修整操作。
由于多个磁头形成在该基片上，需要充分的时间按照磁头的数目重复各步骤。例如，如果对每一磁头的处理时间设定约10秒，要花一天或更长(27.7倍)来处理一张晶片，这是由于在一直径为5英寸晶片中包括约10000个磁头，它们尺寸是相当小的。
为了在实际生产中利用该磁头，处理时间必须大为缩短，此外必须安装大量的FIB设备，但这并不是实用的解决方案。因此，实际需要一种新的优良技术，其可替代采用聚焦的离子束的磁头制造方法。
此外，更重要的是，在序号为9-109845的日本专利申请文件的上述技术已公开对上磁极和下磁极的局部修整处理，但是关于修整的范围，即对于磁头的特性可以产生良好影响的修整形状没有提到。
因此本发明的一个目的是提供一种优异的磁头，其能克服上述问题。
本发明的另一个目的是提供一种适用于高密度记录的具有窄的芯体宽度的磁头。
本发明的再一目的是提供一种新型磁头的制造方法。
本发明的再一目的是提供一种适用于高密度记录具有窄的芯体宽度的磁头。
根据本发明，提供一种制造磁头的方法，包括步骤形成下记录磁极和上记录磁极；利用离子磨削法对邻近上记录磁极的浮动表面的细长磁极部分和位置低于并围绕细长磁极部分的下记录磁极的上部分进行局部修整；以此调节该细长磁极部分的芯体宽度。
通过利用离子磨削法，修整处理时间可以比FIB法大为缩短。通过不仅对上记录磁极而且对下记录磁极的上部分进行修整，可以使记录的侧向边缘效应或漏出现象降低很多。
在根据本发明的制造磁头的方法中，该离子磨削法将相对于上记录磁极的侧表面的离子入射角θi设定在65°到85°的范围内。因此，可以基本防止上磁极表面层厚的降低。
在根据本发明的制造磁头的方法中，利用离子磨削法对记录缝隙层和下记录磁极的上部分进行调节使它们基本上与细长磁极部分的芯体宽度一致。因此，可以将记录时的漏出现象降低得更多。
根据本发明，提供一种制造组合磁头的方法，该组合磁头包括重现磁头和记录磁头，该方法包括步骤形成下记录磁极；在下记录磁极上形成记录缝隙层(膜)；形成记录线圈，将其置入在记录缝隙层上的非磁性绝缘层中；在非磁性绝缘层上形成上记录磁极；以及利用离子磨削法对上记录磁极和下记录磁极进行局部修整；以此对上记录磁极的芯体宽度进行整形，使下记录磁极的上部分形成得与芯体宽度相一致。
根据本发明的制造组合磁头的方法，还包括步骤在形成上记录磁极的步骤之前在非磁性绝缘层上形成镀覆基层；以及在镀覆基层上形成防反射层。
根据本发明的制造组合磁头的方法，还包括步骤在形成记录缝隙层的步骤之后，在记录缝隙层上形成防反射层。由于防反射层，由反射光对光敏抗蚀剂的曝光可以消除，因此，可以按精确形状形成上磁极。
在根据本发明的制造组合磁头的方法中，在利用离子磨削法对上记录磁极和下记录磁极进行局部修整的步骤中，按在20°～40°的范围内的离子入射角实行第一修整，按在65°～85°的范围内的离子入射角实行第二修整。
根据本发明，提供一种组合磁头，包括一重现磁头；和一记录磁头；其中记录磁头包括下磁极、记录缝隙层、非磁性绝缘层，一记录线圈置入在其中，以及上磁极，通过修整处理对上磁极进行整形，以及上磁极具有一高度Dh小于5.0微米的阶状部分，阶状部分高度Dh是由通过修整处理形成的阶状部分底部位置到浮动表面的高度。
在根据本发明的组合磁头中，上磁极具有高度Dh为小于3.0微米的阶状部分，阶状部分高度Dh是由通过修整处理形成的阶状部分底部位置到浮动表面的高度。
例如，如图15中所示，通过限定阶状部分高度Dh可以得到高磁场强度。
根据本发明，提供一种组合磁头，包括一重现磁头；和一记录磁头；其中记录磁头包括下磁极、记录缝隙层、非磁性缝隙层，一记录线圈置入在其中，以及上磁极，通过修整处理对上磁极进行整形，和上磁极具有一细长磁极部分，磁极长度P1为通过修整处理形成的磁极层厚，大于2.5微米。
在根据本发明的组合磁头中，上磁极具有一细长磁极部分，磁极长度P1为通过修整处理形成的磁极层厚，大于3.0微米。
根据本发明，提供一种组合磁头，包括一重现磁头；和一记录磁头；其中记录磁头包括下磁极、记录缝隙层、非磁性绝缘层、一记录线圈置入在其中，以及上磁极，通过修整处理对上磁极进行整形，以及上磁极具有一邻近表面的细长磁极部分和与一与细长磁极部分连接的扇形部分，以及具有一高度Nh小于3.0微米的颈部，颈部高度Nh为由细长磁极部分的浮动表面到扇形部分的高度。
在根据本发明的组合磁头中，颈部高度Nh小于2.0微米。
例如，如图17中所示，通过限定颈部高度Nh可以得到对于预定磁极长度P1的高磁场强度。
图1A到1C是表示现有技术的磁头的视图，其中图1A是表示现有技术制造薄膜磁头时存在的问题的视图，图1B是表示上磁极中的修整部分的视图，图1C是表示利用聚焦的离子束法对上磁极进行修整的视图；图2是表示EIB设备的视图3是表示组合磁头中的相应部分的分解透视图；图4A是表示沿图3中的断面线A-A所取的组合磁头的断面图；图4B是表示沿图3中的断面线B-B所取的组合磁头的断面图；图5是表示步骤的流程图，解释制造图3中所示的组合磁头的方法；图6A到6F是表示按图5中所示各个步骤沿图3中的断面线A-A所取的组合磁头的断面形状的局部断面图；图7A到7F是表示按图5中所示各个步骤沿图3中的断面线B-B所取的组合磁头的断面形状的局部断面图；图8A是表示其中在记录缝隙层没有形成缝隙保护层时的磁头的视图；图8B是表示其中在记录缝隙层形成缝隙保护层时的磁头的视图；图9A是表示在一晶片上形成多个磁头时的情况的视图；图9B是表示由图9A中所示的晶片切下的棒状晶片的视图；图9C是表示由图9B所示的棒形晶片制造的浮动块的状况的视图；图10A是表示磁头的平面结构的视图，表示作为修整目标的上磁极和其相邻的各元件；图10B是表示磁头的叠层断面结构的视图，表示其图11A到11C是表示分别利用第一修整方法修整的上磁极和下磁极的视图；图12是表示在图11A到11C中经修整的磁头中的Hx(在记录介质20中的磁场强度中的纵向分量)相对于Dt(沿该层厚度方向的上磁极中的一凹部的阶状部分深度)的关系曲线；图13是表示在图11A到11C中经修整的磁头中的Hx(在记录介质20中的磁场强度纵向分量)相对于P1(上磁极的磁极长度)的关系曲线；图14是表示在图11A到11C中经修整的磁头中，利用Dh(沿该层厚度方向的上磁极中的凹部的阶状部分高度)作为一个参数的，Hx(在记录介质20中的磁场强度的纵向分量)相对于P1(上磁极的磁极长度)的关系曲线；图15是表示在图11A到11C中经修整的磁头中，利用Nh(上磁极的颈部高度)作为一个参数的，Hx(在记录介质20中的磁场强度纵向分量)相对于P1(上磁极的磁极高度)的关系曲线；图16是表示离子磨削(milling)(离子蚀刻)设备的示意图；图17是表示在利用图16中所示的离子磨削设备的离子磨削步骤中上磁极的磁芯宽度相对于加工时间的关系曲线；图18是表示对上磁极和下磁极进行修整操作的流程图；图19A到19C是表示在图18所示的修整操作中的上磁极和下磁极的视图；图20A到20C是表示利用第二修整方法修整的上磁极和下磁极的视图；图21A是表示其中设置封顶层的情况下的断面图；图21B是表示其中在加热之后形成封顶层的情况下的断面图；图22A到22D是表示反射光照射光敏抗蚀剂的有害影响；图23是表示形成防反射层的操作的流程图；图24A到24F是分别表示在形成图23中的防反射层时的各步骤中的磁头的断面图；以及图25是表示当将DLC作为防反射层时的该层厚度-反射率特性的曲线图。
下文将参阅附图详细解释本发明的各实施例。
〔组合磁头〕(组合磁头的结构)图3是表示组合磁头中的相应部分的分解透视图。在这一分解透视图中，为了使磁头的内侧看清楚，将用作保护层的最上层除去，还由图3中删去记录头WR中的左半部分。
该组合磁头包括基片1、形成在该基片上的基片保护层2、形成在基片保护层上的重现磁头RE、形成在重现磁头上的记录磁头WR以及形成在记录磁头上的保护层(未表示)。
重现磁头RE包括下重现磁屏蔽层3、形成在下重现磁屏蔽层上的第一非磁性绝缘层(下重现缝隙层)4、形成在第一非磁性绝缘层上的磁传感器5、形成在磁传感器两端上的一对连接端(图中仅表示一个连接端)，形成在磁传感器和该对连接端上的第二非磁性绝缘层(上重现缝隙层)7、形成在第二非磁性绝缘层上重现磁屏蔽层8。更具体地说，重现磁头RE具有这样的结构，即沿Z方向的磁传感器5的二表面和一对连接端6a、6b由第一和第二非磁性绝缘层4、7覆盖，第一和第二非磁性绝缘层4、7的两侧又由下上重现磁屏蔽层3、8覆盖。
上重现磁屏蔽层8是归并型层，其通常用作下文要介绍的记录磁头WR中的下磁极，即用作上重现磁屏蔽层和下记录磁极。因此，在本次公开中，上重现磁屏蔽层/下记录磁极8可以或者按上(重现)磁屏蔽层或者按下(记录)磁极来表达。
记录磁头WR包括下记录磁极8、记录缝隙层9、配置在记录缝隙层中的螺旋记录线圈12、形成用以覆盖记录线圈的第三和第四非磁性绝缘层10、11，以及形成在第三和第四非磁性绝缘层上的上记录磁极16。换句话说，记录磁头WR是这样构成的，即其中置入记录线圈12的记录缝隙层9的两个表面和第三及第四非磁性绝缘层10、11都由下记录磁极8和上记录磁极16覆盖。
记录线圈12在它的螺旋中心区13是空置的。上记录磁极16在中心区13是凹入的，其要连接到下记录磁极8。此外，上记录磁极16朝向磁记录介质20带有锥度，这一部分特别称为细长磁极部分16a。
按照这种方式，图3中所示的组合磁头具有一种背负结构，其中的记录磁头附着到重现磁头RE的背部。为了使磁头中的各个元件的位置关系了解得更清楚，如图3中所示，上记录磁极16的ABS(空气支承表面)按X方向设定，如果由ABS方面观看磁头的深度方向按Y方向设定，磁头的叠层方向按Z方向设定。
下面将解释构成该组合磁头的各元件。
基片1是一基本上呈盘形的晶片、其制作材料为例如(Al2O3·TiC)、铁氧体、钛酸钙等。
基片保护层2、第一非磁性绝缘层4、第二非磁性绝缘层7和记录缝隙层9例如Al2O3构成。记录缝隙层9厚度约为0.2至0.6微米。在分别形成在记录缝隙层9的两侧上的上记录磁极16中的细长磁极部分16a和第二非磁性绝缘层7的ABS之间产生记录磁场，以便向磁记录介质20中写入信息。
下重现磁屏蔽层3、上重现磁屏蔽层/下记录磁极8以及上记录磁极16例如都是由NiFe合金构成的。另外，可以采用Co合金例如CoNiFe、CoZr等及Fe合金例如FeN、FeNZr等。上记录磁极16的厚度约几微米。
关于磁传感器5，例如可以采用异向性的磁阻器件(MR器件)、一般为巨磁阻器(GMR器件)，例如旋阀式磁阻器件。一对连接端6a、6b分别连接到磁传感器5的两端。在读出操作时，恒定电流(传感电流)经过连接端流向磁传感器5。
组合磁头是这样定位的，其面向记录介质20例如磁盘，与其分开微小距离(浮动量)。在沿记录介质20的磁道纵向方向相对运动时，组合磁头利用重现磁头RE读出按磁方式记录在磁记录介质20上的信息，还可利用记录磁头WR向记录介质20通过磁方式写入信息。面向磁记录介质20的磁头表面称为ABS(空气支承表面)或浮动表面。
图4A是表示当由记录介质20侧观看时的组合磁头的ABS的断面图。图4B是表示通过记录线圈12的中心的组合磁头的Y-Z表面的断面图。在这种情况下，图4A是对应于沿图4B中的断面线所取的断面图。
由图4A和4B可以看出，磁头RE由底部起依序包括基片1、形成在基片上的保护层2、形成在保护层上的下磁屏蔽层3、第一非磁性绝缘层4、磁传感器5以及一对形成在第一非磁性层上的连接端6a、6b，形成在第一非磁性绝缘层4上用以覆盖磁传感器和一对连接端的第二非磁性绝缘层7、形成在第二非磁性绝缘层上的上磁屏蔽层/下磁极8、形成在下磁极上的缝隙层9、形成在缝隙层上的第三非磁性绝缘层10、形成在第三非磁性绝缘层上的螺旋记录线圈12、用于覆盖记录线圈的第四非磁性绝缘层11、形成在第四非磁性绝缘层上的基层14、形成在镀覆基层上的上磁极16，以及形成在上磁极上的保护层17。
如联系图4A以局部放大视图所表示的，磁传感器5置于在第一非磁性绝缘层4和第二非磁性绝缘层7之间。一对连接端6a、6b分别连接到磁传感器5的两端。
如图4B中所示，在磁头中，上磁极16朝向ABS形成为细长的或带锥度形状的磁极16a部分。下文将详细介绍，在面向上磁极16的下磁极8的表面上直接位于细长磁极部分16a的两侧，形成一对凹槽或凹部8a、8b。
(制造组合磁头的方法)图5是用于解释制造图3中所示的组合磁头的方法的说明步骤的流程图。图6A到6E是表示在图5中所示的各制造步骤中的组合磁头的ABS的局部断面图。图7A到7E是表示在图5中所示的各制造步骤中的通过记录线圈12的中心的组合磁头的Y-Z平面的局部断面图。下面顺照图5的流程图，同时适当参照图6A到7F所示的断面图解释制造图3中所示的组合磁头的制造方法。
在步骤S10，形成下重现磁屏蔽层3。更具体地说，如图6A和7A中所示，准备基片1，然后在基片上形基片保护层2，其后在基片保护层上形成下重现磁屏蔽层3。
在步骤S20，在下重现磁屏蔽层3上形成第一非磁性绝缘层(下重现缝隙层4)。
在步骤30，形成磁传感器5和一对连接端6a、6b。更具体地说，在第一非磁性绝缘层4上形成MR层、GMR层，然后通过使各层构成图形来形成磁传感器5。然后再在磁传感器5的两侧分别形成一对连接端6a、6b。
在步骤S40，在第一非磁性绝缘层4上形成第二非磁性绝缘层(上重现缝隙层7)，以覆盖磁传感器5和一对连接端6a、6b。
在步骤S50，在第二非磁性绝缘层上形成上重现磁屏蔽层/下记录磁头8。通过镀覆法或溅射法形成下记录磁极8。如果通过镀覆法形成下记录磁极8，可以采用Co合金，例如NiFe合金或CoNiFe等，以及通过溅射或蒸镀预先形成第一镀覆基层14，然后通过电镀法形成下记录磁极8，使层厚约几微米。如果下记录磁极8是通过溅射法形成的，可以或者采用Fe合金例如FeN、FeNZr等，或者采用Co合金例如CoZr等。在这种情况下，无需镀覆基层。
在步骤S60，在下记录磁极8上形成记录缝隙层9。例如，记录缝隙层9可以由Al2O3、SiO2构成。
然而，如果例如仅采用具有高蚀刻速率的SiO2层，有时记录缝隙层9的厚层的降低可能是在后来步骤的第三非磁性绝缘层(抗蚀剂的热固性(即硬固化)层)、记录线圈以及第四非磁性绝缘层(抗蚀剂的热固性(即硬固化)层)的形成过程中引起的。为了避免记录缝隙层9的层厚的降低，如果需要可以在记录缝隙层9上形成缝隙保护层9a。
图8A是表示在记录缝隙层9上没有形成缝隙保护层的状况的视图。图8B是表示在记录缝隙层9上形成缝隙保护层9a的状况的视图。如图8B中所示，首先形成SiO2层作为记录缝隙层9以及然后在SiO2层上形成缝隙保护层9a例如Al2O3、SiN、AIN等，它们具有相对低的蚀刻速率。缝隙保护层9a在后来步骤中的第三非磁性绝缘层、记录线圈以及第四非磁性绝缘层的构成过程中可以实现补偿记录缝隙层9层厚降低的功能。倘若采用缝隙保护层9a，其在后来的步骤中在形成镀覆基层(步骤S100)之前要除去。通过化学蚀刻可除去缝隙保护层9a。
在步骤S70，在记录缝隙层9(或缝隙保护层9a)上形成第三非磁性绝缘层10。通过利用自旋涂覆方式涂覆光敏液体的光敏抗蚀剂，然后使光敏抗蚀剂形成图形以便除去与螺旋线圈12的中心区域相对应的光敏抗蚀剂部分，再后通过加热使光敏抗蚀剂硬化(硬固化)，可以形成第三非磁性绝缘层。
在步骤S80，形成记录线圈12。
在步骤S90，在第三非磁性绝缘层10上形成第四非磁性绝缘层11。图6A和7A分别表示在这一阶段的组合磁头的形状。与第三非磁性绝缘层10相似，通过利用自旋涂覆方式涂覆光敏液体的光敏抗蚀剂，然后使该光敏抗蚀剂形成图形以便除去与螺旋线圈12的中心区域相对应的光敏抗蚀剂部分，再后通过加热(硬固化)使光敏抗蚀剂硬化，可以形成第四非磁性绝缘层11。按照这种方式，在螺旋线圈12的中心区域形成一直达下记录磁极8的洞或开孔13。在这种情况下，这一洞13可以在第三非磁性绝缘层10和第四非磁性绝缘层11已经在形成之后一次形成。
在步骤S100，形成如在图6B和7B中所示的镀覆基层14。更具体地说，通过溅射法、蒸镀法之类在第四非磁性绝缘层11和包括有孔13的内表面的记录缝隙层9上形成由NiFe构成薄的镀覆基层14。
在步骤S110，形成上磁极16。更具体地说，通过在镀覆基层14上涂覆光敏抗蚀剂15，然后对光敏抗蚀剂曝光/显影在形成光敏抗蚀剂15的区域的上磁极中形成窗口15a。
在涂覆这种光敏抗蚀剂之前，如果需要，可以在镀覆基层14上形成防反射层。在本说明书的另一部分后面详细解释防反射层。
然后如图6C和7C中所示，通过电镀法在窗口15a中形成由NiFe构成的上磁极16，其厚度为几微米。在临近磁记录介质20的上磁极16朝向磁记录介质20形成锥度，这样在一面向磁记录介质20的区域中形成细长(即长而窄)的磁级部分16a。上磁极16的形状使之适于经过位于在螺旋线圈12的洞13连接到下记录磁极8。
在步骤S120，如图6D和7D中所示，利用离子磨削法对上磁极16的细长磁极部分16a和下记录磁极8的上部分进行局部，使之整形为预定的形状。更具体地说，在切割基片1之前，利用离子磨削法对在上磁极16上与记录缝隙层9相接触的细长磁极部分16a的两个侧面进行修整使之整形成为预定的形状。同时，对位于在细长磁极部分16a下方的下记录磁极8进行局部修整，以形成在下记录磁极8的上部中的预定凹槽或凹部8a。
如在图6E和6F中所示，在这一修整操作已经完成之后利用离子磨削法由不同于上磁极16的其它区域除去已曝光的镀覆基层14。这时，上磁级16也降低一与镀覆基层14相对应的厚度。然而，由于镀覆基层14和上磁极16是由同样材料构成的，上磁极6基本上恢复到它的原来的厚度。在此之后，形成分别连接到传感器的两个连接端的电极焊点(未表示)以及形成分别连接到记录线圈的两个连接端的电极焊点(未表示)等。
这种修理处理可以在上磁极16构成之后的某一时间进行但应在缝隙保护层9a形成之前。细长磁极部分16a和下记录磁极8的局部修整处理的操作时间可以比在现有技术中照射聚焦的离子束要明显地减少。因此，磁头的制造时间可以缩短，磁头制造成本也可以降低。这是因为在现有技术中的聚焦的离子磨削法需要离子束的聚焦操作，还需要陆续以磁头为单位制造磁头，而在本实施例中采用的离子磨削法不需要聚焦操作以及还可以同时对在一个基片上设置的约10000个磁头进行修整处理。
下面对上磁极16中的细长磁极部分16a和下记录磁极8中的预定凹槽或凹部8a的预定形状一起进行解释。
在步骤S130，如图6E和7E中所示，例如由Al2O3构成的保护层17形成在上磁极16的整个表面上。这时，下记录磁极8中位于细长磁极部分16a两侧的凹槽8a由保护层17掩盖。
在步骤S140，通过分割基片1形成浮动块。在进入这一过程之前，基片1没有被分割，并且在各个步骤中作为一个整体被加工处理的。因此，如图9A中所示，多个组合磁头18在晶片1上以阵列形式多方对齐(例如在5英寸的晶片上约有10000个)。然后如图9B中所示，将基片1分成多成多个棒形晶片Ia。如图9C中所示，在被分割的棒形晶片Ia上形成轨道表面1b、1c。然后通过分割棒形晶片1a可以最终形成浮动块19的形状。
〔上磁极等的修整〕图10A是表示磁头的平面结构的视图，表示作为修整对象的上磁极16和其相邻的元件。图10B是表示磁头的叠层断面结构，表示作为修整对象的上磁极16和它相邻的元件。根据下面要解释的第一修整法，对位于在上磁极16中的最左侧的细长磁极部分16a和位置围绕并在细长磁极部分16a下方的下记录磁极8中的上部分进行修理处理。按第二修整法，仅对上磁极16中的细长磁极部分16a进行修整处理，而对下记录磁极8的上部分不进行修整处理。
(第一修整法)图11A到11C是表示分别利用第一修整法对上磁极16和下磁极8进行修整的视图。图11A是表示上磁极16和下磁极8的平面图。图11B是表示各磁极的ABS的正视图。图11C是表示上磁极16和下磁极8的侧视图。在图11A到11C中的影线部分表示分别利用离子磨削法进行修整消除的部分。
如图11A中所示，对上磁极16进行整形，以便形成由面向磁记录介质(未表示)的末端部分起具有的宽度(磁极部分16a)在几微米范围内的细长棒形部分。为了在对上磁极16的这种修整处理完成之后确定上磁极16的形状，在本说明书中如图11A和11B所示，将磁极部分16a的ABS纵向尺寸和层厚尺寸分别定义为“芯体宽Cw”和“磁极长度P1”，然后如图11C中所示，由上磁极16中的阶状部分到ABS的长度(即修整处理的Y方向尺寸)定义为“阶状部分高度Dh”，沿上磁极16的层厚计量的阶状部分深度定义为“阶状部分深度Dt”。
本发明的发明人已经就经修整处理的上磁极16的形状对于在磁记录介质20表面上的磁场强度产生多大影响进行了实验。这种实验是根据三维磁场分析软件利用计算机模拟进行的。该三维磁场分析软件是由市场上可购得的，例如由位于日本大阪的Elf公司可购得。
图12是表示在图11A到11C中解释的已进行修整处理的磁头中Hx(在记录介质20中的磁场强度纵向分量)相对于Dt(阶状部分深度)的关系曲线。关于实验采样的状态参数是Gd(记录缝隙长度)＝2.0微米，Nh(颈部长度)＝4.0微米，P1(磁极长度)＝2.5微米，以及Dh(阶状部分高度)＝1.0微米。由图12明显看出，能够理解，如果将本发明的磁头与设有凹槽(阶状深度Dt＝0)的常规磁头相比，当阶状部分深度Dt变深时，磁场强度Hx增高得远为更多。如果阶状部分深度Dt大于0.25微米，磁场强度Hx增加超过4％。特别是，如果阶状部分深度Dt大于1.0微米，磁场强度Hx增加超过10％。因此，如果磁场强度Hx增加得越来越多，就可以能将产品允差设定与设计规定一样大。
按照图12中的实验结果，阶状部分深度Dt≥0.25微米，在形成在上磁极16中的凹槽中最好Dt≥1.0微米。
图13是表示在按照图11A到11C中解释进行修整的磁头中的Hx(在记录介质20中的磁场强度纵向分量)相对于P1(磁极长度)的关系曲线。关于实验采样的状态参数Gd(记录缝隙长度)＝1.0微米，Nh(颈部高度)＝5.0微米，PI(磁极长度)＝2.0微米，根据图11C确定的阶状部分高度Dh＝2.0微米。由图13明显看出，可以理解，如果将本发明的磁头和没有凹槽(阶状部分高度Dh＝∞)的常规磁头相比，当阶部高度Dh变低时，磁场强度Hx增加得更多。如果阶状部分高度Dh至少小于5微米，则磁场强度Hx增加超过8％。特别是，如果阶状部分高度Dh至少小于3微米，磁场强度增加超过14％。因此，如果磁场强度Hx增加得越来越多，就可以将产品允差设定与设计规定值一样大。
按照图13所示的实验结果，阶状部分高度Dh≤5.0微米，最好在上磁极16中形成的凹槽中Dh≤3.0微米。
图14是表示在受到按图11A到11C中所解释的修整处理的磁头中，利用Dh(阶状部分高度)作为一个参数，Hx(在记录介质20中的磁场强度纵向分量)相对于P1(磁极长度)的关系曲线。关于实验采样的状态参数Tb(除去末端部分的上磁极16的层厚)＝4.5微米，G1(缝隙长度)＝0.35微米，Gd(记录缝隙长度)＝1.0微米，Nh(颈部高度)＝5.0微米，Cw(磁心宽度)＝1.4微米，mmf(磁动势)＝0.4安匝，d(记录介质20和磁头之间的间隔)＝60纳米。
在常规的设有凹槽(阶状部分高度Dh＝0)的磁头中，随着磁极长度的降低，磁场强度Hx急剧地衰减。按照举例方式，假设磁极长度的尺寸中心值和产品允差分别被设定为3.0微米和±0.5微米，在P1＝3.0微米时Hx＝4700奥斯特，在P1＝2.5微米时Hx＝4250奥斯特，在P1＝3.5微米时Hx＝5150奥斯特。因此在产品允差的上限和下限之间，磁场强度Hx变化范围几乎1000奥斯特。如果磁场强度Hx不够大记录性能例如重写特性就极为恶化，而沿磁心宽度Cw方向记录的侧向边缘效应增强，因此如果磁场强度Hx过分强就会使高密度的磁记录介质20产生问题。因此，需要使相对于制造过程的尺寸允差，磁砀强度Hx的变化应很小。特别是，存在的最大问题是，当磁极长度变小时，磁场强度Hx降低，重写特性恶化。因此，在磁极长度的中心值时P1＝3微米，为了将磁场强度的变化抑制在±300奥斯特范围内，磁极长度的产品允差应规定小于±0.3微米。
由图14明显看出，可以理解，在本实施例中，通过在上磁极上形成凹槽，可以使磁场强度Hx与磁极长度的相关性变得相对小。更具体地说，如果阶状部分高度超过Dh＝3微米，磁极长度的产品允差达到±0.5微米都是许可的，能实现磁场强度变化小于±300奥斯特。
与之相似，如果阶状部分高度Hh＝5微米，为了实现磁场强度变化小于±300奥斯特，磁极长度的产品允差扩展到小于±0.8微米亦可。同时，如果磁极长度被设定相对长例如P1≥2.5微米，可以达到大于约4600奥斯物的磁场强度。磁场强度Hx的这一数值是记录介质中的磁场强度的两倍，这已得到证实。如果同样将磁极长度设定得P1≥3.0微米，则可以达到约5000奥斯特以上的磁场强度Hx。
图15是表示在按照图11A到11C中所解释的修整处理的磁头中，利用Nh(颈部高度)作为一个参数的Hx(记录介质20中的磁场强度纵向分量)相对于P1(磁极长度)的关系曲线。关于实验采样的状态参数是Tb(除了末端部分的上磁极16的层厚)＝4.5微米，G1(缝隙长度)＝0.35微米，Gd(记录缝隙长度)＝1.0微米，Dh(阶部高度)＝5.0微米，Cw(磁心宽度)＝1.4微米，mmf(磁动势)＝0.4安匝，d(记录介质20和磁头之间的间隔)＝60纳米。由图15明显看出，可以发现，随着颈部高度Nh变小，磁场强度Hx与磁极长度P1的相关性下降。
更具体地说，如果颈部高度设定为Nh＝5.0微米，磁场强度Hx对于磁极长度的相关性是很大的。如果将颈部高度设定为Nh≤3.0微米，磁场强度Hx对于磁极长度的相关性可以相对降低，使得当在磁极长度的很宽的范围变化例如P1≥2.5微米，磁场强度的变化可以抑制到小于±500奥斯特的范围内。此外，如果颈部高度设定为Nh≤2.0微米，当在磁极长度的很宽的范围内例如P1≥2.0微米时，可以将磁场强度变化抑制在小于±200奥斯特的范围内。
此外，如果当将颈部高度设定为Nh≤3.0微米时限定磁极长度P1≥2.5微米，可以实现大于约5000奥斯特的磁场强度Hx。这一磁场强度Hx几乎是记录介质中的磁场强度的两倍，这一点最近已证实。此外，如果将磁极长度设定为P1≥3.0微米，磁场强度Hx超过约5500奥斯特。即使在将来研究开发需要更高磁场强度的存储介质的情况下，也可以实现完全满足要求的磁场强度。
(修整操作)图16是表示离子磨削(离子蚀刻)设备的示意图。离子磨削法的原理在于通过利用离子粒子的物理反应来实现蚀刻。更具体地说，将例如为Ar的重惰性气体引入到利用灯丝22加热的等离子室21，同时利用磁铁23将AC磁场施加到惰性气体，使得惰性气体被电离。然后被电离的Ar粒子由于栅极24形成的电场而被加速朝向在试样台25上的基片(磁头1)。于是，当它们通过中性化的灯丝26时，经加速的这些电离的Ar粒子被中和。然后，这种经中和的Ar粒子与因抗蚀剂而暴露的磁头中的上下磁极相碰撞，以此以物理方式将它们蚀刻。
在蚀刻操作中，试样台25像一旋转台围绕其中心轴线可以旋转，因此可以实现均匀蚀刻的加工处理。此外，由于试样台25可以相对于Ar粒子的飞行方向设定任何所需角度，Ar粒子相对于试样(蚀刻对象)1的入射角θi是可以控制的。
图17是表示通过利用图16中所示的离子磨削设备实施离子磨削操作加工时，上磁极16中的芯体宽度Cw的变化相对加工时间的关系曲线。这里，“Wcw-top”代表在磁头中的上磁极16的断面形状的上底计量的芯体宽度，“Wcw-bot”代表在上磁极16的断面形状的下底处计量的芯体宽度。这两个数据彼此基本上一致。根据该数据的变化率可以理解，按照每分约0.031微米的速率蚀刻芯体宽度使之降低。按照这种方式，由于在离子磨削过程中芯体宽度的蚀刻速率足够小，芯体宽度的降低速率可根据加工处理时间易于控制。
图18是表示对上磁极16和下磁极8进行修整操作的流程图。在图18中所示的修整操作是具体表示图5中的步骤S120的操作内容。参阅图18下面进行解释。
在步骤S121，除去镀覆基层14。更具体地说，在上磁极16形成之后，利用离子磨削法除去镀覆基层14。在这种除去过程中，除去牢固地附着到上磁极16的侧壁边沿的镀覆基层14。
在步骤S122，除去在下磁极8中的修整目标区上的记录缝隙9。最好，利用上磁极16作为掩模利用反应离子蚀刻(RIE)法除去记录缝隙9。这是因为，如果利用离子磨削法除去记录缝隙9，有时上磁极16的层厚的降低量的增加会因此使记录能力降低。因为通过反应气体的操作和溅射操作，反应离子蚀刻法可以控制选择的比率以及实现异向性蚀刻。因此，这种反应离子蚀刻法作为一种精细图形蚀刻技术是优异的。
即使采用反应离子蚀刻法，也最好使用其选择性与各抗蚀剂层之间的绝缘层相配合的处理气体。这里，当记录缝隙9是由Al2O3形成时，最好采用氯系处理气体例如CCl4、Cl2、BCl3等作为反应气体。相反，当记录缝隙9是由SiO2构成时，则最好采用氟系处理气体例如CF4、CHF3、C3F8、C2F6等作为反应气体。
在步骤S123中，如图19A到19C中所示，除去修整处理的目标区域以外涂敷抗蚀剂26。更具体地说，通过利用抗蚀刻层保护上磁极16中的末端部分以外的整个表面以及下磁极8中的一部分(它们都是修整处理的目标)，可以使除去修整目标区域以外的上下磁极在反应离子蚀刻和作为后来步骤的离子磨削中受到的损害降低。在图19C中，线B-B是一最终分割线。
如果需要，可以将一封顶层32沉积在上磁极16的表面上，可以进一步避免上磁极16的层厚降低，在下磁极8的修整处理(步骤S124)和后面步骤中的上磁极16的修整处理(步骤S125)中不会受到损害。
更具体地说，如图21A中所示，在已涂敷抗蚀剂26之后，利用溅射法在抗蚀剂26和形成封顶层32的上磁极16上，形成约0.2到0.4微米厚的非磁性层例如Al2O3、Ti等。由于存在封顶层32，在反应离子蚀刻和作为后来步骤的离子磨削中可以避免上磁极16的层厚降低。
此外，在形成封顶层32之前，可能存在这种情况，由于在110℃的温度下对所形成的结构加热可能引起抗蚀剂26的收缩，因此使抗蚀剂开口26a扩大。如果在扩大的开口26a中在上磁极16上形成封顶层32，封顶层32可以均匀地形成在上磁极16的整个表面上，特别是在该表面的边沿部分(由图23A中的虚线圆可看出)。
在步骤S124，实现对下磁极8的修补处理。这一修补处理是利用离子磨削法实现的。最好将离子粒子的入射角应控制在θi＝20°～40°的范围内。这时，还可以除去上磁极16等上的粘接材料。
在步骤S125，接着对上磁极16进行修整处理。这种修整处理也是利用离子磨削法来实现的。如图19B中所示，最好离子粒子的入射角应控制在θi＝65°～85°的范围内。利用这一铣削处理可以调节芯体宽度Cw。
图19A到19C是表示在图18中所示的步骤S125的修整操作中的上磁极16和下磁极8的视图。如果Ar粒子的入射角保持在θi＝65°～85°的范围内，则磁极的层厚不会那样降低。
如果沿芯体宽度方向的抗蚀剂26的开口26a的尺寸太小，开口26a就会妨碍在角度范围θi＝65°～85°之内照射的Ar粒子，因此产生这样一种现象，即Ar粒子不能达到磁极部分16a。为了避免这种现象，如图19A和19B中所示，抗蚀剂26的开口26a沿芯体宽度方向的尺寸必须保证距磁极16a部分的边沿部分计在20到30微米的范围内。
此外，在步骤S124中的下磁极8的修补处理和在步骤S125中的上磁极16的修整处理可以按相反的步骤顺序进行。即首先实施步骤S125，然后实施步骤S124。
(第二修整法)图20A到20C是表示利用第二修整法修整上磁极16和下磁极8的视图。图20A是表示上磁极16和下磁极8的平面图，图20B是表示它们的ABS的正视图；图20C是表示上磁极16和下磁极8的侧视图。带影线的部分表示要利用离子磨削法进行修整处理消除的部分。与参照图11A到11C以及图19A到19C已经解释的第一修整法相比，该修整处理不适用于下磁极8而是仅适用于上磁极16。经修整的上磁极16的形状与结合图11A到11C解释的第一修整法修整的形状相同。
倘若仅利用第二修整法将上磁极16整形，磁场比第一修整法扩展得要宽，在第一修整法中，经修整的上磁极16和下磁极8都要受到修整处理。然而，如果磁盘驱动器具有几乎现有的记录密度，即使通过第二修整法制造的磁头也可以充分地投入实际使用。
(防反射层)结合如图5中的步骤S110中所解释的形成上磁极16的步骤，在如下部分指出各种问题。
(1)在为形成上磁极16使该光敏抗蚀剂15产生图形的步骤中，如图22A中所示，在曝光时，由带锥度部分或镀覆基层的底层部分产生反射光27a。因此，如图22B中所示，引起这种现象不仅是由于来自光源的曝光用光27对掩模图形部分28曝光，而且还由于掩模图形部分28的周边区域受反射光的曝光。由于这种现象，实际产生的磁极形状16d比掩膜图形部分28要轻微扩展，使得其与按照设计规定确定的不同。
(2)如图22C中所示，由于磁传感器5和一对连接端6a、6b形成在上磁极的末端部分下方，未按完全平的表面形成上磁屏蔽层8。因此，如果从ABS侧观看，有时上磁屏蔽层8是起伏的(似波纹形)。因此，如图22C中所示，由于来自镀覆基层14的反射光27a照射到上磁屏蔽层8中的波纹形部分，有时不能达到预定的芯体宽度Cw(见图22D)。
(操作流程)图23是表示形成可解决上述问题的防反射层的操作的流程图。参照图23解释防反射层31的形成。
在步骤S101，如图24A所示，形成镀覆基层14。通过溅射法、蒸镀法等形成由NiFe构成的镀覆基层14。在步骤S102，如图24B中所示，在镀覆基层14上形成防反射层31。根据结合图5解释的制造方法，在无防反射层31的部分涂覆光敏抗蚀剂，以便形成上磁极16。然而，在本实施例中，如果需要，形成防反射层31，以避免上述问题。
关于防反射层31，可以采用通过自旋涂覆形成的湿型，或者通过干法形成的干型。然而，干型的优点在于，其可以在阶状部分的底部上形成得薄，并可易于实现除去防反射层31。可以利用一种碳膜例如类金刚石碳(DLC)作为干型防反射层。
在步骤S103，如图24C中所示，利用自旋涂覆法涂覆光敏液体抗蚀剂15。然后，对要形成图形的光敏抗蚀剂15进行曝光/显影形成上磁极16的形状。这时，由于存在防反射层31，设有由镀覆基层14中的带锥度部分，该底层部分或波纹形部分产生反射光。因此，如图24D中所示，可以得到与掩模形状精确对应的抗蚀剂开口15a。
在步骤S104，将在经曝光的开口15a中形成的防反射层31除去。更具体地说，利用氧作为蚀刻用气体利用反应离子蚀刻(RIE)法除去防反射层31。如果在可以保证异向性蚀刻的蚀刻条件下实施反应离子蚀刻，可以将光敏抗蚀剂15的陷入抑制到最低。最少，以及在该位置形成图形以便确定上磁极16的芯体宽度的光敏抗蚀剂15的开口15a的扩展可以抑制到最低最少。
在步骤S110(对应于在图5中的制造方法中的步骤S110)，按类似方式形成上磁极16。换句话说，如图24E中所示，在光敏抗蚀剂15中的开口15a内部形成上磁极16。在此之后除去光敏抗蚀剂。
在步骤S111，如图12F中所示，除去该位置在非其上形成上磁极16的区域的其它区域上的防反射层31和镀覆基层14。
(防反射层的厚度和反射率之间的相互关系)图25是表示当将DLC采用作为防反射层31时的反射层31的层厚和反射率之间相互关系的曲线图。采用3种类型的i-曲线(波入λ＝365纳米)、h-曲线(波长λ＝405纳米)和g-曲线(波长λ＝436纳米)作为曝光用光。利用镀覆基层(NiFe层)(即未设有防反射层)的反射率对沿纵坐标的反射率进行归一化R/RDLC＝0。同时根据测量状态参数，光敏抗蚀剂15的层厚为5微米，曝光用光的入射角θ1为0度。
根据制造半导体的经验，可理解，如果反射率降低到50％以下，反射光27a绝不会使光敏抗蚀剂15曝光。对于防反射效果这就足够了。此外，如果防反射层31的层厚大于200埃，防反射层31可以充分实现其功能，而不会在制造步骤实施时产生损伤。
由图25可以看出，随着防反射层31的层厚增加，反射率逐渐向上和向下变化。这种变化是由于曝光用光随层厚变化的相互影响。因此，有时根据对光源和对防反射层的层厚选择时，围绕层厚-反射率特性中的最大值选择层厚。因此，经常发生这种情况，不能充分地实现防反射效果。
在本实施例中，在反射层31的材料和曝光光源的类型已经确定之后，然后测量防反射层31的层厚和反射率之间的相互关系，如图25中所示。如果已经产生层厚-反射率特性，则最好应选择围绕反射率特性的最小值的层厚。倘若反射层31的层厚是按照上述选择的，就可以得到充分的防反射效果。
例如，如果将DLC采用作为防反射层31，当光源为i-曲线时，根据图25将DLC的层厚选择近于300埃和1100埃。当光源为h-曲线时，DLC的层厚选择近于350埃或1200埃。当光源为g-曲线时，DLC的层厚选择近于400埃或1300埃。按照这种方式，如果根据光源采用层厚，可以得到充分的防反射效果。
在图23的步骤S104中，必须除去防反射层31。虽然是利用氧通过反应离子蚀刻除去防反射层，但也可以同时对光敏抗蚀剂15轻微蚀刻。如果蚀刻光敏抗蚀剂15，上磁极16的形状产生变形。特别是，这样一种现象有时使芯体宽度Cw加宽。为了避免该现象，最好对于i-曲线将DLC的层厚范围选择为200到600埃，对于g-曲线将DLC的层厚范围选择为200到800埃。最终分别在根据i-曲线或g-曲线的范围内选择如图25中所示的特性曲线的最小值，可以得到充分的防反射效果，以及在除去防反射层31时可以避免由于蚀刻使光敏抗蚀剂15陷入。
通常防反射层31的光学常数需要折射系数n＝1.8～2.5，消光系数K＝0.05～0.4，虽然，根据层形成状态可以是不同的。一种对应于复数介电常数的复数折射系数n+iK＝n(1+iK)适应于伴随吸收光的介质。其中n代表折射系数，K代表消光系数，当光在介质中传播时产生衰减。
除了上述干型以外，可以采用湿型的涂覆式防反射层作防反射层31。对于涂覆式，例如可以采用环己酮作为主要成分。
此外，关于防反射层31，可以用多层防反射层来取代上述单层防反射层。例如采用TiO2/MgF2/Zns叠层作为该多层防反射层。
此外，通过使层间绝缘层11的表面粗糙不用防反射层可以达到防反射效果。在这种情况下，利用离子磨削、FIB等实现用作该层间绝缘层的硬化的抗蚀剂表面的粗糙加工处理。特别是，最好使在带锥度部分的反射率降低。
〔本发明的优点或效果〕如上所述，根据本发明，可以提供优异的磁头。
此外，根据本发明，可以提供适合于高密度记录的窄芯体宽度的磁头。
再者，根据本发明，可以提供一种制造优异磁头的方法。
此外，根据本发明可以提供一种制造适合于高密度记录的窄芯体宽度磁头的方法。
权利要求
1.一种制造磁头的方法，包括步骤形成下记录磁极和上记录磁极；以及对所述上记录磁极的浮动表面附近的细长磁极部分和位于低于并围绕所述细长磁极部分的所述下记录磁极的上部分利用离子磨削法进行局部修整，以此调节所述细长磁极部分的芯体宽度。
2.根据权利要求1所述的制造磁头的方法，其中的离子磨削法将相对于所述上记录磁极的侧表面的离子入射角θi设定在65°～85°的范围内。
3.根据权利要求1所述的制造磁头的方法，其中利用离子磨削法将下记录磁极的记录缝隙层和上部调节得基本上与所述细长磁极部分的芯体宽度相同。
4.一种制造组合磁头的方法，该组合磁头其中包括重现磁头和记录磁头，该方法包括步骤形成下记录磁极；在所述下记录磁极上形成记录缝隙薄层；形成记录线圈，置入在所述记录缝隙薄层上的非磁性绝缘薄层中；在所述非磁性绝缘薄层上形成上记录磁极；以及利用离子磨削法对所述上记录磁极和所述下记录磁极进行局部修整；以此使所述上记录磁极的芯体宽度成形，并使下记录磁极的上部分被形成与所述芯体宽度相一致。
5.根据权利要求4所述的制造组合磁头的方法，还包括步骤在形成上记录磁极的步骤之前在所述非磁性绝缘薄层上镀覆基层；以及在所述镀覆基层上形成防反射层。
6.根据权利要求4所述的制造组合磁头的方法，还包括步骤在形成记录缝隙层的步骤之后在所述记录缝隙薄层上形成缝隙保护层。
7.根据权利要求4所述的制造组合磁头的方法，其中在利用离子磨削法对所述上记录磁极和所述下记录磁极进行局部修整的步骤中，按照在20°～40°的范围内的离子入射角实行第一修整，按照在65°～85°的范围内的离子入射角实行第二修整。
8.一种组合磁头，包括一重现磁头；和一记录磁头；其中所述记录磁头包括下磁极、记录缝隙层；非磁性绝缘层，一记录线圈置入在其中；以及上磁极；通过修整处理使所述上磁极成形，及所述上磁极具有一阶状部分，其高度Dh小于5.0微米，所述阶状部分高度Dh是由通过修整处理形成的阶状部分的底部位置到浮动表面的高度。
9.根据权利要求8所述的组合磁头，其中上磁极具有阶状部分的高度Dh小于3.0微米，该阶部高度Dh是由通过修整处理形成的阶部的底部位置到浮动表面的高度。
10.一种组合磁头，包括一重现磁头；和一记录磁头；其中所述记录磁头包括下磁极、记录缝隙层、非磁性绝缘层、一记录线圈置入在其中，以及上磁极；所述上磁级通过修整处理而成形，以及上磁极具有一细长磁极部分，该磁极长度P1为通过修整处理形成的磁极薄层厚度，大于2.5微米。
11.根据权利要求10所述的组合磁头，其中的上磁极具有磁极长度P1的所述细长磁极部分，该磁极长度为通过修整处理形成的磁极薄层厚度，大于3.0微米。
12.一种组合磁头，包括一重现磁头；以及一记录磁头；其中记录磁头包括下磁极、记录缝隙层、非磁性绝缘层、一记录线圈置入在其中，以及上磁极，所述上磁极通过修整处理而成形，以及所述上磁极具有一邻近浮动表面的细长磁极部分以及连接到所述细长磁极部分的扇形部分，以及具有一颈部，其高度Nh小于3.0微米，该颈部高度Nh是由所述细长磁极部分的浮动表面到所述扇形部分的高度。
13.根据权利要求12所述的组合磁头，其中该颈部高度Nh小于2.0微米。
全文摘要
提供一种磁头和制造该磁头的方法,能够通过对磁极整形提高所产生的磁场强度。该制造磁头的方法包括的步骤有:形成下记录磁极和上记录磁极,对邻近上记录磁极的浮动表面的细长磁级部分和位置低于和围绕该细长磁极部分的下记录磁极的上部分利用离子磨削法进行局部修整,其中细长磁级部分的芯体宽度可以调节。
文档编号G11B5/31GK1240979SQ98126099
公开日2000年1月12日 申请日期1998年12月28日 优先权日1998年6月30日
发明者大冢善德, 田河育也, 池川幸德, 沓泽智子, 上原祐二, 长谷川实 申请人:富士通株式会社