专利名称：光盘的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光盘，它在衬底上有一记录层，此记录层至少含有能在结晶态和非晶态之间变化的相变膜，因而可以用一束辐射来加热此记录层，使之产生相变以便记录及消除信息。更准确地说，本发明涉及形成在记录层上的构成光反射膜的材料的改进。
作为用激光束来记录和/或再现信息信号的光盘的例子，可以举出预先把信息信号用压印凹槽写入的光盘；利用记录层的结晶态和非晶态间的相变而写入信息信号的相变光盘；利用记录层的磁光效应而写入信息信号的磁光盘。这些光盘在透明的衬底上都有诸如记录层和光反射膜等功能膜，透明的衬底由诸如聚碳酸酯等塑料或玻璃制成。
对相变光盘，其记录、擦除及再现的运行如下所述。首先，此相变光盘被预先设定的激光束作初始化处理，使记录层均匀地转变成结晶态。要在此光盘上记录信息信号时，一束高功率(此后称之为记录功率)的激光束照射到记录层上，使记录层的温度升至等于或高于其熔点，然后使记录层骤然冷却，于是记录层被激光束照射部分转变成一个非晶态的记录标记。
又，要擦除已记录在记录层上的信息信号时，一束比记录功率较弱的激光束至少照射在记录标记上，于是此激光束照射部分被加热至等于或高于结晶温度，但低于熔点，然后，该部分被骤然冷却，使非晶态的记录标记结晶。
还有，在这种相变光盘中，组成记录层的材料，其结晶态与非结晶态的光反射系数是不同的。因此，当再现信息信号时，用最弱的激光束照射记录层，以便检测相应状态中反射系数的变化。
因此，相变光盘无需外磁场的产生装置，从而可以减小记录/再现装置的尺寸。又，相变光盘能够重写与再现。现在这种相变光盘引起极大关注。
这种相变光盘的记录层可以用诸如含有Ge，如Ge-Sb-Te(以下称之为Ge硫族复合物)的硫族复合物，以及含有Ag，如Ag-In-Sb-Te(以下称之为Ag硫族复合物)的硫族复合物等相变材料制成。特别是人们已知道，用Ge硫族复合物制成记录层的相变光盘，展示出优秀的重复记录特性和良好的重复使用寿命。
然而，即便是这种相变光盘，作为下一代记录介质，仍希望进一步改善其质量，从而提出下面的一些问题。
以Ge硫族复合物作记录层材料的相变光盘，表现出再现信号有高抖动值的倾向。虽然用Ge硫族复合物作记录层材料的相变光盘，其使用寿命优于Ag硫族复合物的相变光盘，但其记录层在重复记录数万次之后性能下降，抖动值会突然增大。因此在这种相变光盘中，在重复记录许多次之后，要把再现信号的抖动值抑制在再现限度以下，记录功率的裕度只能在十分狭窄的范围内。
就是说，对这种相变光盘，在重复记录许多次之后，要能得到较好的再现信号，记录功率的裕度变得十分狭窄。
结果，这种相变光盘在重复记录许多次之后，由于记录功率的起伏及环境温度的变化，很易引起记录/再现的失效。
因此本发明的目的是提供一种光盘，通过有效地减小再现信号的抖动值而能展示出良好的记录/再现特性，并且即使在重复记录许多次之后，在保证再现限度内的抖动值下给出较宽的记录功率裕度。
按照本发明的光盘，它包括至少有一层相变膜的记录层，相变膜的相在结晶态和非晶态之间转变从而记录信息信号；以及在记录层上有一层光反射膜，光反射膜由含Cu量在0.1至1.0原子百分比范围内的Al合金构成。
按照本发明的具有前述结构的光盘，其中光反射膜能有较高的热传导率，从而能获得记录层的最佳冷却作用，使受光束照射的相变膜能按信息信号准确并有效地转变它的相。这样，减小了再现信号的抖动值，并且即使在重复记录之后，仍能在确保再现限度内的抖动值下，获得一个宽的记录功率裕度，从而能获得稳定的记录/再现特性。
此外，按照本发明的光盘，其中光反射膜由含有前述含量的Cu的Al合金构成。这种膜能使光盘获得良好的抵御天气的能力。
因此，按照本发明的光盘，即使在重复记录之后，依然具有优异的记录/再现特性，以及良好的抵御天气能力。
图1是截面图，画出按照本发明的光盘的一个实例。
图2画出用在该实例中的光发射脉冲。
图3是截面图，画出按照本发明的光盘的另一个实例。
图4画出重复记录次数与再现信号抖动值之间的关系曲线，它是用本发明的光盘的一个实例测得的。
图5画出重复记录次数与再现信号抖动值之间的关系曲线，它是用光盘的一个比照实例测得的。
图6画出记录功率与再现信号抖动值之间的关系曲线，它是用本发明的光盘的一个实例测得的。
图7画出记录功率与再现信号抖动值之间的关系曲线，它是用光盘的一个比照实例测得的。
后面的描述是参照着附图针对本发明的实例来说明的。
图1是放大了的截面图，它画出按照本发明的相变光盘的实质部分。
如图1所示，按照本发明的相变光盘，它包括衬底2，第一介质膜3，相变记录膜4，第二介质膜5，反射膜6，以及保护膜7，这些膜相继地形成在衬底2上。
衬底2有顺着记录轨道形成的沟槽2b，记录轨道在衬底的一个表面2a上。衬底2的厚度例如是0.6mm。又，衬底2可以用诸如含聚碳酸酯(PC)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸酯树脂等塑料制成，或者用玻璃制成。衬底2用例如注射成型法或光敏聚合法(2P法)制作。
第一介质膜3形成在衬底2之上。制作此第一介质膜3，是为了利用其防止相变记录层4的氧化作用，以及利用激光束的多次干涉而产生的增强作用。
此第一介质膜的膜厚最好在70nm到130nm。这个厚度的确定如下。
例如，在一块衬底上相继地形成厚60nm的第一介质膜，厚25nm的相变记录膜，厚15nm的第二介质膜，厚150nm的光反射膜，制备一个相变光盘。此外，增加第一介质膜的厚度直至厚达140nm，制备多个光盘。
下一步，把这些相变光盘初始化，然后用画在图2的光发射图形把一个随机EFM信号记录在这些相变光盘上。在作此第一次记录之后，在沟槽内测量反射系数。进而，在这些相变光盘上重复地作记录。在作了10000次记录后，测出再现信号的抖动值。
注意，在图2中，记录功率用Ph表示，擦除功率用P1表示，以及冷却功率用Pc表示。在图2的光发射图形中，一个时标是1T，而一个光发射脉冲的脉冲长度是13ns。此外，重复记录/再现的条件设定如下线速度是4.8m/s；记录功率Ph，擦除功率P1和冷却功率Pc要设定得使第一次记录的再现信号抖动值成为最小。使用这样的一个光发射脉冲，能够形成例如大小为3T至14T的一个记录标记。此实验的结果如下。
在第一介质膜厚度小于70nm的情形下，返回的光的反射系数明显偏低，不可能得到足以再现的信号。又，在第一介质膜厚度大于130nm的情形下，经10000次记录后的再现信号抖动值等于或高于10％，表明其使用寿命不合格。因此可以说，第一介质膜厚度最好在70nm至130nm的范围。
再者，第一介质膜3可以由，例如ZnS,SiOx,Al2O3,ZrO3,Ta2O5,Si3N4,SiNx,AlNx,MoO3,WO3,ZrO2,BN,TiN,ZrN,PbF2,MgF2等等构成。这些材料中的每一个可以单独使用，也可与其他材料结合使用。其中，特别可取的是至少含ZnS的材料，更为可取的是含ZnS-SiO2。应该指出，此第一介质膜3的制作方法可以用例如，淀积法，离子束溅射法，DC溅射法，RF溅射法和其他常规方法。
相变记录膜4在第一介质膜上形成。此相变膜4用能在结晶态和非晶态间作可逆相变的相变材料制成。把一束辐射照射到该相变材料上，在此光记录层上便可写入或擦除信息信号。
作为此相变记录层4的相变材料，可以举出诸如Te及Se等单质。又，也可以用硫族复合物作相变记录膜4的相变材料，诸如Ge-Sb-Te，Ge-Te,Ge-Te-Sn,Ge-Te-Sn-Au,Sb-Te,Sb-Se-Te,In-T,In-Sb-Te,In-Se-Te-Ag,In-Se,In-Se,Tl,In-Se-Tl-Co,In-Se-Tei,In-Sb,In-Sb-Se,Bi2Te3,BiSe,Sb2Se3,Sb2Te3及其他类似的材料。其中，用于本发明的相变材料特别可取的是Ge硫族复合物，因为它对重复记录有优良的使用寿命，同时它能显示出对减小再现信号的抖动值有明显的作用。
此外，相变记录膜4的厚度最好在18nm至30nm范围。此范围是根据下述实验结果得到的。
例如，一个相变光盘是这样制备的，在衬底上相继地形成厚90nm的第一介质膜，厚15nm的相变记录膜，厚15nm的第二介质膜，和厚150nm的光反射膜。而且，增加相变记录膜的厚度直至40nm，制备多个相变光盘。
下一步，把这些相变光盘初始化，并用画在图2的光发射图形把一个随机EFM信号记录在这些相变光盘上。在作此第一次记录之后，在沟槽内测量反射系数。进而，在这些相变光盘上重复地作记录。在作了10000次记录后，测出再现信号的抖动值。此一实验的结果如下。
在相变记录膜的厚度小于18nm的情形下，相变记录膜不能显示出足够的膜强度，在高功率激光例如记录功率Ph等于或高于15mW时，相变记录膜不能完成重复记录。此外，在相变记录膜的厚度大于30nm的情形下，经10000次记录后的再现信号抖动值等于或大于10％，表明一种不可取的记录/再现特性，就是说，重复记录后的使用寿命不合格。因此，相变记录膜的厚度最好在18nm至30nm的范围内。
又，相变记录膜的制作可以用例如淀积法，离子束溅射法，DC溅射法，RF溅射法或其他常规方法。
在相变记录膜4之上，用与第一介质膜3相同的材料及方法，制作第二介质膜5。用与第一介质膜相同的方法形成的第二介质膜5，目的是获得防止相变记录膜4氧化的作用以及获得由激光束多次干涉而产生的增强作用。
此第二介质膜5的厚度最好在10nm至30nm范围内。第二介质膜的厚度如果小于10nm，激光束产生的热容易传输到光反射膜，其防止外界水分侵入的能力会下降。再说，如果第二介质膜的厚度大于30nm，激光束加热相变记录膜的热量不能传输给光反射膜，相变记录膜的重复记录/再现能力会明显恶化。
在第二介质膜5上形成光反射膜6。此光反射膜6用作反射层，以反射穿过衬底2来的入射光，同时作为散热层以防止相变记录膜4持续的热量积累。
按照本发明的相变光盘中的光反射膜6用含Cu量在0.1至1.0原子百分比的Al合金制成。
这样，在按本发明的相变光盘1中，可使光反射膜6自射保持适当的热传导能力，从而相变记录膜4能被此光反射膜6有效地冷却。就是说，按照本发明的相变光盘1，通过光反射膜6能够使相变记录膜4得到最佳的冷却作用，因而当相变记录膜4受激光束照射时，能准确地且有效地转变它的相。结果，在按照本发明的相变光盘1中，能够减小再现信号的抖动值，并且在重复记录之后，还能在确保再现限度内的抖动值下，提供足够的记录功率裕度，能在重复记录之后展示出稳定的记录/再现特性，从而能获得优良的记录/再现特性。
还有，按照本发明的相变光盘1中，由于光反射膜6有最佳的冷却作用，相变记录膜在重复记录时温度分布平缓，使相变记录膜4的相变材料组分不易变化。就是说，在相变光盘1内，因重复记录导至相变记录膜4温度分布不均匀，引起相变材料离析的问题，能够得到遏制。结果，重复记录的使用寿命能够得到改进。
注意，制成光反射膜的Al合金含Cu量低于0.1原子百分比或高于1.0原子百分比时，相变光盘不能具备较好的抵御天气的能力。因此，按照本发明的相变光盘1，其光反射膜6是用含Cu量在0.1到1.0原子百分比范围内的Al合金制成，能够获得优良的抵御天气能力。
这里，光反射膜6厚度较好取在50nm至300nm范围，更为可取的是在150nm至200nm范围。如果光反射膜的厚度小于50nm，光反射膜6难于把热量散逸，同时重复的记录/再现会导至相变记录膜4迅速劣化。又，如果光反射膜6的厚度大于300nm，热量散逸太快，在开始写入时就要求更大的记录功率，会导致开始写入时出现困难。同时也要求更长的再现时间，降低了信号产生率。
此外，光反射膜6的制作方法可以用例如离子束溅射法，DC溅射法，RF溅射法，以及其他常规方法。在制作本发明的光反射膜6时，例如可以同时使用一个AlxCuy靶和一个Al靶，在Ar气氛下溅射，以制作含Cu量为所要求百分比的Al合金光反射膜6。这里，通过改变各靶的成膜速度，便能控制Cu的含量。应该指出，本发明不限定在使用两个靶或同时使用两个靶。这两个靶也可以相继地使用。
在光反射膜6之上形成保护膜7。此保护膜7的作用是阻止相变记录膜4的氧化以及防止在相变记录膜4上产生裂痕。又，保持膜7的制作可以把树脂，例如紫外线硬化树脂旋转涂敷在光反射膜6上，或者用粘合剂把树脂板、玻璃板、或金属板粘在光反射膜6上。
此外，这个相变光盘1还能与一个全同的相变光盘或一个普通光盘联合使用。就是说，两个光盘用粘合层8互相粘合起来，使它们的反射膜在内侧，这样制备的双侧相变光盘10能在两侧记录/再现，如图3所示。应该指出，在图3，衬底上预制的沟槽没有画出来。
作为一种相变光盘，例如，已有人提出一种双侧相变光盘，它有两个直径为120±0.3mm，厚0.6±0.03mm，轨距0.8±0.01μm的衬底组成，所用的光学系统是线速度4.8m/s，物镜的数值孔径NA与激光束波长间的关系规定为λ/NA=(1.083-0.086)μm至(1.083+0.167)μm，因此能确保其记录容量为3.0GB/侧。本发明可优先用作这种相变光盘。
具有前述结构的相变光盘1，信息信号的记录、擦除与再现叙述于下。
首先，在相变光盘1中，正如前面所述，在衬底上相继地制成了第一介质膜3，相变记录膜4，第二介质膜5，光反射膜6，以及保护膜7之后，进行初始化处理以便把相变记录膜4初始化。
进行初始化处理是使相变记录膜4在记录信息信号之前转变为均匀的结晶态。更准确地说，用一预先设定的激光束均匀地照射相变光盘1的整个表面。于是，相变记录膜4逐渐升至组成相变记录膜4的相变材料的熔点以下的温度但高于其结晶温度。相变光盘1的相变记录膜4被冷却，转变为要初始化的均匀结晶态。
下一步，这样初始化了的相变光盘1被安放在记录/再现装置上，并按预定的线速度旋转以便执行记录/再现操作。
首先，当要把信息信号记录在相变光盘1上时，一束高功率的激光束照射到相变记录膜4上。被激光束照射的部分迅速被加热至熔点以上，之后，该部分被突然冷却而转变成非晶态。这样，在相变光盘1中；一个信息信号以非晶态相变材料的形成，作为记录标记，被记录在结晶态的相变记录膜4上面。这里所用的激光功率便是前面所说的记录功率。
又，当要把记录在相变光盘1上的一个信息信号擦除时，一束比记录功率弱的激光束照射在记录标记上，于是相变记录膜4上被激光束照射的部分被加热至结晶温度以上但低于熔点，之后，该部分逐渐冷却而转变成结晶态，且与其先前的状态无关。因此，在此相变记录膜4上，作为信息信号的非晶态记录标记现在转变成结晶态，从而擦除了信息信号。这里所用的激光功率便是前述擦除功率。
还有，要再现这样写入在相变光盘1上的信息信号时，用一束不会引起相变记录膜4发生相变的小功率激光照射，接收返回的激光束。
在相变光盘1中，处于结晶态的相变记录膜4的反射系数大于处于非晶态的相变记录膜4的反射系数。因此，记录/再现装置接收来自相变记录膜4的返回光束，并检测相变记录膜4上结晶态与非晶态间反射系数间的差异，从而再现信息信号。这里所用的激光功率便是冷却功率。
再者，具有前述结构的相变光盘1，其制备过程例如像下面所述。
首先，用注射成型法用聚碳酸酯制备带有预定沟槽的衬底2。在此衬底2上用RF溅射法用ZnS-SiO2制成第一介质膜3。
然后，在第一介质膜3上用GeSbTe通过DC溅射法制成相变记录膜4。在此相变记录膜4上，用ZnS-SiO2通过RF溅射法制成第二介质膜5。
然后，在第二介质膜5上制作光反射膜6，为了制成含Cu量为所需百分比的Al合金的光反射膜6，用一个AlxCuy靶和一个Al靶同时在Ar气氛下溅射。注意，通过改变各个靶的成膜速度，Cu的含量得到控制。
然后，用旋转涂敷法把紫外线硬化树脂覆盖此光反射膜，制备了相变光盘1。
为了制备一个双侧相变光盘10，例如把两个相变光盘1令其反射膜6在内侧互相粘合起来。应该指出，相变光盘10也可以用相变光盘1与常用的普通光盘结合而制备。例子以下的阐述是根据本发明的实际例子的实验结果给出的。
为了评估本发明的相变光盘在重复记录中的记录功率裕度，实际制备了下述几个相变光盘。例1首先，制备一直径120mm，厚0.6mm，轨道距0.8μm的一个衬底。
其次，在此衬底上用溅射法制成厚90nm的ZnS-SiO2的第一介质膜。
然后，在此第一介质膜上用溅射法，用Ge2Sb2Te5靶，在Ar气氛下制成相变记录膜。
然后，在此相变记录膜上用溅射法制成厚15nm的ZnS-SiO2的第二介质膜。
然后，在此第二介质膜上，在Ar气氛下同时溅射一个Al98Cu2靶和一个Al靶，制成光反射膜，用这种溅射法是为了获得厚15nm，含Cu量为0.5原子百分比的Al95.5Cu0.5的合金膜。这里，Cu含量的控制是通过改变Al98Cu2靶及Al靶的成膜速度来实现的。
然后，此光反射膜用紫外线硬化树脂通过旋转涂敷法覆盖，于是便得到一张单侧相变光盘。
两张上述单侧相变光盘制成后，令其反射膜都在内侧，用粘合剂把它们互相粘合起来。于是，便制备了一张直径120mm，厚度1.2mm的双侧相变光盘。比照例1用与例1相同的方法制备一双侧相变光盘，但其反射膜是用不含Cu的AlTi合金制成，厚度是15nm。＜评估其重复记录后的抖动值和重复记录的使用寿命＞利用例1和比照例1两个相变光盘，记录和再现的实验如下。
首先，各个相变光盘要初始化，并把图2所示光发射图形，即一个随机EFM信号通过一个记录/再现装置记录在各个相变光盘上，记录条件如下激光束波长650nm，线速度4.8m/s，记录功率Ph 14.0mW,擦除功率Pl 5.6mW，以及冷却功率1.5mW。
在此条件下，重复记录许多次。在这样重复记录之后，测定再现信号的抖动值。图4画出例1的测定结果，图5画出比照例1的测定结果。
这里，抖动值是指标记边缘对时标的标准偏差，偏差用窗口宽度归一化。如果其抖动值等于或低于10％，可以认为差错能被有效地改正。这个10％的抖动值在下面即被作为可取的媒体特性的判据。
从图4的结果可清楚看到，在例1，使用含Cu量为0.5原子百分比的Al合金作光反射膜，其抖动值稳定在8％附近。即使记录重复了100,000次之后，其抖动值仍等于或低于10％，确保有可取的重复记录使用寿命。
另一方面，从图5的结果可清楚看到，在比照例1，其中的光反射膜用不合Cu的AlTi合金，其抖动值的起伏比画在图4的例1的抖动值利害。在重复100,000次后，抖动值等于或大于10％。
因此发现，用含Cu的Al合金作光反射膜，能减小抖动值和改进其重复使用寿命。＜功率裕度的评估＞还有，在前述记录条件中，在擦除功率Pl与记录功率Ph的比值Pl/Ph固定为0.4的同时，改变记录功率Ph的值，同时对例1和比照例1两个相变光盘重复记录10次，以便测定作一次记录与10次记录后的抖动值。图6画出例1的测定结果，图7画出比照例1的测定结果。
比较图6和图7，可以说，用含Cu的Al合金作光反射膜的例1，其抖动值小于用通常不含Cu的光反射膜的比照例1，并且有较宽的记录功率范围，在此范围内抖动值等于或低于10％。就是说，例1较比照例1有更宽的记录功率裕度。
更准确地说，例如，如图6所示，在例1中，记录功率为15mW时，第一次记录后的抖动值是6.8％，而10次记录后的抖动值是8％。另一方面，如图7所示，对于比照例1，例如在记录功率为15mW时，第一次记录后的抖动值是7.5％，而10次记录后的抖动值是10.8％。因此，与比照例1比较，例1的抖动值减小了。
还有，如图6所示，在例1中，对10次记录后有最小抖动值的最佳记录功率14mW来说，抖动值等于或低于10％的记录功率裕度是±15％。换言之，在例1中，10次记录后抖动值等于或低于10％的记录功率宽度约4mW，即从12mW至16mW。
另一方面，在比照例1中，如图7所示，对抖动值最小时的最佳记录功率12.5mW来说，抖动值等于或低于10％的记录功率裕度约为±11％。换言之，在比照例1中，10次记录后抖动值等于或低于10％的记录功率宽度是3mW，即从11.5mW至15.5mW。因此，例1较比照例1有更大的记录功率裕度。
因此，可以发现，用含Cu的Al合金做光反射膜，能在保证抖动值在再现限度内增加记录功率的范围，就是说，能获得更宽的记录功率裕度。
下一步，为评估光反射膜中含Cu量与抵御天气能力间的关系，制备下面的一些光盘。例2除了改变Al98Cu2靶及Al靶的成膜速度制作光反射膜这一点外，用制作例1一样的方法制备一个双侧相变光盘，从而得到的光反射膜厚度是15nm，成分是含Cu量为0.75原子百分比的Al99.25Cu0.75合金。比照例2除了改变Al98Cu2靶及Al靶的成膜速度制作光反射膜这一点外，用制作例1一样的方法制备一个双侧相变光盘，从而得到的光反射膜厚度是15nm，成分是含Cu量为0.1原子百分比的Al99.9Cu0.1合金。比照例3除了改变Al98Cu2靶及Al靶的成膜速度制作光反射膜这一点外，用制作例1一样的方法制备一个双侧相变光盘，从而得到的光反射膜厚度是15nm，成分是含Cu量为1.0原子百分比的Al99.0Cu1.0合金。＜对光反射膜中含Cu量与抵御天气能力间关系的评估＞令相变光盘例1，例2与比照例2和3处于80℃与湿度85％的环境下1000小时。之后，用100倍的显微镜观察每个相变光盘，以评估其天气抵御能力。评价结果示于表1，其中圆圈(○)表示在相变光盘表面未观察到劣化，并用叉号(×)表示在相变光盘表面观察到劣化。须要指出，“针孔”表示相变光盘上的膜中出现了孔眼，“腐蚀”表于相变光盘材料之间形成了化学电池，使组成相变光盘的膜质劣化。[表1]
正如从表1清楚看到的，在用含Cu0.1原子百分比的Al合金作光反射膜的比照例2中，产生了一个针孔，表明较差的抵御天气能力。此外，在用含Cu1.0原子百分比的Al合金作光反射膜的比照例3中，观察到腐蚀，表明较差的抵御天气能力。
因此可以说，当光反射膜用含Cu在0.1至1.0原子百分比范围的Al合金制作时，能获得优良的抵御天气能力。
正如至此已阐明的，按照本发明的光盘包括至少有一层相变膜的记录层，相变膜的相在结晶态与非晶态间转变，使能记录信息信号；还包括在记录层上形成的光反射膜，由含Cu在0.1至1.0原子百分比范围的Al合金制成。
按照本发明具有前述结构的光盘，其光反射膜能保持较佳的热传导能力，从而能使记录层获得最佳的冷却效果，于是在相变膜被光束照射时能准确地且有效地按信息信号转变它的相。结果，它在重复记录后，能确保在再现抖动值限度内获得宽的记录功率裕度范围。因此，即使在重复记录之后，仍能获得较好的记录/再现特性。
此外，按照本发明的光盘，它的光反射膜由含Cu量在前述范围内的Al合金制成，能表现出优异的抵御天气能力。
因此，按照本发明的光盘，即使在重复记录之后，仍显示出较佳的记录/再现特性，同时还显示出优异的抵御天气能力，使之能有高的可靠性。
权利要求
1．一种光盘，它包括含有至少一层相变膜的一个记录层，相变膜的相在结晶态和非晶态之间转变，从而记录信息信号；和在所述记录层上形成的一层光反射膜，光反射膜由含Cu量在0.1至1.0原子百分比范围的Al合金构成。
2．权利要求1所述的光盘，其中所述相变膜是由含Ge的硫族复合物制成。
3．权利要求1所述的光盘，其中所述光反射膜的厚度在50nm至300nm范围内。
4．权利要求1所述的光盘，其中所述记录膜和所述光反射膜是在一衬底上形成的，衬底直径在120±0.3mm范围内，厚度在0.6±0.03mm范围内，轨道距在0.8±0.01μm范围内。
全文摘要
本发明提出一种光盘，它能有效地减小再现信号的抖动值，并在确保再现抖动值限度内获得较宽的记录功率裕度，从而即使在多次重复记录之后，仍能有较佳的记录/再现特性。此光盘包括相继地在衬底2上形成的下述一些膜；第一介质膜3；相变记录膜4，其相可在结晶态与非晶态之间转变，以记录信息信号；第二介质膜5；以及在相变记录膜4上形成并由含Cu量在0.1至1.0原子百分比范围内的Al合金构成的光反射膜。
文档编号G11B7/0045GK1227381SQ9910243
公开日1999年9月1日 申请日期1999年2月26日 优先权日1998年2月26日
发明者斋藤喜浩, 菊池稔, 秋原义浩, 高濑史则 申请人:索尼株式会社