图9，表格示出根据示例性实施例的用于散热器布置的热分析结果。个别设计变化列在行911-922中，同时行911中的布置表示与行912-922中的其它变型比较的现有基线。基线910布置使用Cr散热器，Cr散热器在面向介质的表面处和如上所示的第二散热器部分具有类似的轮廓，除了 Cr散热器包括写入极的尖端部分而没有任何高导热性的材料，例如在如上所述的第一散热器部分中的高导热性的材料。
[0042]行912-921中的配置采用类似几何形状的不同材料的两部分散热器，第一部分与面向介质的表面隔离开，并由高导热性的材料(在这些实例中是Au)形成。用于在面向介质的表面处暴露的第二散热器部分的材料是相对硬的金属，正如列902中所指示。为了比较，用于该实例的行922中的第二散热器部分也是Au。
[0043]列900指示是否使用ZrN籽晶，如果是的话，则是厚度。应当指出的是:Zr、ZrN、ZrAu和Cr等等可用作籽晶材料。列901指示是否第一散热器部分的Au的区域延伸到面向介质的表面，如果是的话，则是厚度。列903和904指示在NFT栓处超过环境温度的温度上升，作为开氏温度和作为超过基线的百分比改善。列905和906指示在写入极尖端部分处超过环境温度的温度上升，作为开氏温度和作为超过基线的百分比改善。
[0044]图9的表通常指示:使得在面向介质的表面处暴露的Au给出最佳的热效果。其原因之一是Au是高反射性的，这导致比如果光入射到第二散热器材料(例如Cr和/或Ta)上更少的加热。然而，正如前面所指出，存在使得显著量的Au在面向介质的表面处暴露的风险，对于长期可靠性也是这样，无暴露的Au的配置可能是理想的，即使温度稍微高。
[0045]现在参照图10，流程图示出根据示例性实施例的形成散热器的方法。该方法包括:形成近场换能器(1000)，其接近面向介质的表面。可任选地形成热扩散器(1001)，热扩散器接近近场换能器但与面向介质的表面隔离开。在面向介质的表面处接近近场换能器形成具有尖端部分的磁写入极(1002)。沿着背对近场换能器的尖端部分的第一侧形成第一散热器部分(1004)。第一散热器部分包括相对软的导热金属(例如Au、Ag、Cu和/或Al及它们的合金)，并且与面向介质的表面隔离开。可在第一散热器部分上任选地形成籽晶层(1006)。在面向介质的表面和第一散热器部分之间沿着尖端部分的第一侧形成第二散热器部分(1008)。第二散热器部分包括相对硬的金属，例如Cr和/或Ta。
[0046]除非另有指示，表示说明书和权利要求书中使用的特征尺寸、数量和物理特性的所有数值将被理解为在所有实例中通过术语“约”修改。因此，除非有相反的指示，在上述说明书和所附权利要求中阐述的数值参数是可根据想要的特性变化的近似，所述想要的特性寻求由本领域技术人员利用本文所公开的教导获得。通过端点的数值范围的使用包括该范围内的所有数字(例如，I至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5)以及该范围内的任何范围。
[0047]为了说明和描述，已经呈现了示例性实施例的前面的描述。其并非旨在穷举或将发明的概念限制到公开的精确形式。根据上面的教导，许多修改和变化是可能的。所公开实施例的任何或所有特征可被单独或以任何组合应用并不意味着是限制性的，而只是说明性的。该范围旨在不受本详细描述的限制，而是由此处所附的权利要求确定。
【主权项】
1.一种装置，包括: 具有接近面向介质的表面的尖端部分的磁写入极； 接近磁写入极的尖端部分的近场换能器； 沿着背对近场换能器的尖端部分的第一侧的第一散热器部分，第一散热器部分包括高反射性的导热金属并且与面向介质的表面隔离开；以及 在面向介质的表面和第一散热器部分之间的沿着尖端部分的第一侧的第二散热器部分，第二散热器部分包括相对硬的材料。
2.如权利要求1所述的装置，其中第一散热器部分和第二散热器部分在跨磁道方向上从尖端部分向外延伸，其中第一散热器部分在跨磁道方向上比第二散热器部分向外延伸得更远。
3.如权利要求1所述的装置，其中第一散热器部分和第二散热器部分围绕尖端部分的三侧，其中近场换能器面向不同的第四侧。
4.如权利要求1所述的装置，其中高反射性的导热金属包括Au、Ag、Cu和Al中的至少—个°
5.如权利要求1所述的装置，其中相对硬的材料包括电介质。
6.如权利要求1所述的装置，其中相对硬的材料包括Cr和Ta中的至少一个。
7.如权利要求1所述的装置，其中相对硬的金属耐磨光、腐蚀和损耗中的至少一个。
8.如权利要求1所述的装置，其中第一散热器部分和第二散热器部分之间的界面位于近场换能器上方。
9.如权利要求1所述的装置，进一步包括耦合到磁写入极的磁轭，所述磁轭远离面向介质的表面延伸，其中第一散热器部分至少部分地沿着远离面向介质的表面的磁轭延伸。
10.如权利要求1所述的装置，其中第二散热器部分被配置为:响应于近场换能器的等离激元的激发，比近场换能器从面向介质的表面热突出得更远。
11.如权利要求1所述的装置，进一步包括接近面向近场换能器的磁写入极的第二侧的热扩散器，所述扩散器与面向介质的表面隔离开。
12.—种装置，包括: 具有接近面向介质的表面的尖端部分的磁写入极； 接近磁写入极的尖端部分的第一边缘的近场换能器； 围绕尖端部分的至少一个第二边缘的盖，盖在面向介质的表面处暴露并且包括耐损耗的相对硬的材料； 接近盖并与面向介质的表面隔离开的散热器；以及 沿着尖端部分的第四侧并远离面向介质的表面延伸的热扩散器。
13.如权利要求12所述的装置，其中盖和散热器在跨磁道方向上从尖端部分向外延伸，其中散热器在跨磁道方向上比盖向外延伸得更远。
14.如权利要求12所述的装置，其中散热器和盖围绕尖端部分的三侧，其中近场换能器和热扩散器面向尖端部分的不同的第四侧。
15.如权利要求12所述的装置，其中相对硬的材料包括Cr和Ta中的至少一个。
16.如权利要求12所述的装置，其中热扩散器与近场换能器的金散热器接口连接。
17.如权利要求12所述的装置，进一步包括耦合到磁写入极的磁轭，所述磁轭远离面向介质的表面延伸，其中散热器沿着远离面向介质的表面的磁轭延伸。
18.如权利要求12所述的装置，其中盖被配置为:响应于近场换能器的等离激元的激发，比近场换能器从面向介质的表面热突出得更远。
19.一种方法，包括: 接近滑块体的面向介质的表面形成近场换能器； 形成具有尖端部分的磁写入极，其中尖端部分在面向介质的表面处接近近场换能器；沿着背对近场换能器的尖端部分的第一侧形成第一散热器部分，第一散热器部分包括高反射性的导热金属；以及 在面向介质的表面和第一散热器部分之间沿着尖端部分的第一侧形成第二散热器部分，第二散热器部分包括相对硬的材料。
20.如权利要求19所述的方法，进一步包括:在形成第二散热器部分之前，在第一散热器部分上形成籽晶层。
【专利摘要】本申请公开用于与写入极和近场换能器一起使用的多部分散热器。一种装置(例如热辅助的磁记录写入热量)包括具有接近面向介质的表面的尖端部分的磁写入极。近场换能器接近磁写入极的尖端部分。沿着背对近场换能器的尖端部分的第一侧提供第一散热器部分。第一散热器部分包括高反射性的导热金属，并且与面向介质的表面隔离开。在面向介质的表面和第一散热器部分之间沿着尖端部分的第一侧提供第二散热器部分。第二散热器部分包括相对硬的材料。
【IPC分类】G11B5-40, G11B5-127
【公开号】CN104599683
【申请号】CN201410784435
【发明人】J·G·韦塞尔, Z·詹德瑞克, C·科特
【申请人】希捷科技有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年9月11日
【公告号】US8923100