随机存取存储器阵列710时,第一校正信号CALl的电位会被设为高电平，而第二控制信号RC2的电位会从“VDD”开始逐渐减低直到感测放大器闩锁电路730输出的逻辑信号RO的逻辑值转态。因此，第二控制信号RC2的电位的最佳电平大致上为“VDD”与使逻辑信号RO的逻辑值转态时的第二控制信号RC2的电位的平均值。
[0166]同样地，于校正第二补充式磁性随机存取存储器阵列720时,第二校正信号的电位CAL2会被设为高电平，而第一控制信号RCl的电位会从“VDD”开始逐渐减低直到感测放大器闩锁电路730输出的逻辑信号RO的逻辑值转态。因此，第一控制信号RCl的电位的最佳电平大致上为“VDD”与使逻辑信号RO的逻辑值转态时的第一控制信号RCl的电位的平均值。
[0167]因此，此二补充式磁性随机存取存储器阵列的运作方式为彼此先相互校正之后，再彼此相互参照。
[0168]值得注意的是，前述所提的穿隧式磁阻元件仅为一非易失性存储器装置的实施例，而本发明所揭示的原理可被应用于任何阻抗需视其状态而定的非易失性存储器装置。
[0169]本发明的技术内容已以较佳实施例揭示如上述，然其并非用以限定本发明，任何本领域的技术人员，在不脱离本创作的精神所做些许的更动与润饰，皆应涵盖于本发明的范畴内，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。
【主权项】
1.一种穿隧式磁阻的感测装置，包含: 一磁性随机存取存储器阵列，包含: 一校正单元；及 多个数据单元，用以储存使用者数据； 一参考单元，由一控制信号控制，其中该校正单元、该些数据单元以及该参考单元中的每一者为一磁性随机存取存储器单元，并且该控制信号是通过在一校正程序中比较该校正单元的阻抗与该参考单元的阻抗来建立；及 一感测放大器闩锁电路，用以比较于该磁性随机存取存储器阵列的该些磁性随机存取存储器单元中的一受选磁性随机存取存储器单元的阻抗与该参考单元的阻抗，并依据比较的结果输出一逻辑信号。
2.如权利要求1所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中各该磁性随机存取存储器单元包含串接的一穿隧式磁阻元件与一致能开关。
3.如权利要求1所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中该校正单元与所述多个数据单元以并联架构耦接在一位元线与一源极线之间。
4.如权利要求3所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中该参考单元耦接于一参考位元线与一参考源极线之间。
5.如权利要求4所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中于一读取操作期间，当该感测放大器闩锁电路在该位元线所感测的阻抗大于在该参考位元线所感测的阻抗时，该感测放大器闩锁电路输出对应一第一闩锁值的该逻辑信号；而当该感测放大器闩锁电路在该位元线所感测的阻抗小于在该参考位元线所感测的阻抗时，该感测放大器闩锁电路输出对应一第二闩锁值的该逻辑信号。
6.如权利要求5所述的穿隧式磁阻的感测装置，还包含: 一第一控制开关，耦接于该源极线；及 一第二控制开关，耦接于该参考源极线； 其中，于该读取操作期间，该第一控制开关与该第二控制开关用以接收具有一第一逻辑值的一第一致能信号。
7.如权利要求6所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中该感测放大器闩锁电路包含: 一感测放大器； 一闩锁器 '及 多个连通开关对，耦接在该感测放大器与该闩锁器之间，以接收与该第一致能信号逻辑相反的一第二致能信号，并根据该第二致能信号致使该感测放大器与该闩锁器去耦合。
8.如权利要求4所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中该感测放大器闩锁电路包含: 一感测放大器，包含一第一电流镜与一第二电流镜，以分别镜射对应该位兀线上的电流的一第一镜射电流与对应该参考位元线上的电流的一第二镜射电流；及 一 R锁器，用以接收该第一镜射电流与该第二镜射电流。
9.如权利要求8所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中该闩锁器包含二交互耦合反相器，以分别根据该第一镜射电流与该第二镜射电流来输出该逻辑信号及该逻辑信号的一逻辑补数。
10.如权利要求4所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中该控制信号包含一校正值、该校正值致使在该参考位元线所感测的阻抗位于一第一阻抗与一第二阻抗的中间、该第一阻抗为该受选磁性随机存取存储器单元的一穿隧式磁阻元件处于平行状态时在该位元线所感测到的阻抗、以及该第二阻抗为该受选磁性随机存取存储器单元的该穿隧式磁阻元件处于非平行状态时在该位元线所感测到的阻抗。
11.如权利要求1所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中于一读取操作期间，当该受选磁性随机存取存储器单元的阻抗大于该参考单元的阻抗时，该感测放大器闩锁电路输出对应一第一闩锁值的该逻辑信号；而当该受选磁性随机存取存储器单元的阻抗小于该参考单元的阻抗时，该感测放大器闩锁电路输出对应一第二闩锁值的该逻辑信号。
12.如权利要求1所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中该控制信号为在该校正程序中逐步地调整的一模拟信号。
13.一种穿隧式磁阻的感测装置，包含: 一第一磁性随机存取存储器阵列，包含: 一第一参考单元，由一第一控制信号控制； 一第一校正单元；及 一第一组数据单元； 一第二磁性随机存取存储器阵列，包含: 一第二参考单元，由一第二控制信号控制； 一第二校正单元 '及 一第二组数据单元 '及 一感测放大器闩锁电路，用以在一第一校正程序中检测该第一参考单元与该第二校正单元之间的差异来产生该第一控制信号，以及在一第二校正程序中检测该第二参考单元与该第一校正单元之间的差异来产生该第二控制信号； 其中，于该第一组数据单元中的一受选数据单元的一读取操作期间，该感测放大器闩锁电路感测该受选数据单元与该第二参考单元之间的差异来检测该受选数据单元的状态，以及于该第二组数据单元中的一受选数据单元的一读取操作期间，该感测放大器闩锁电路感测该受选数据单元与该第一参考单元之间的差异来检测该受选数据单元的状态。
14.如权利要求13所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中该第一参考单元、该第一校正单元、该第一组数据单元、该第二参考单元、该第二校正单元与该第二组数据单元的每一单元皆包含串接的一穿隧式磁阻元件与一致能开关。
15.如权利要求13所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中该第一参考单元、该第一校正单元与该第一组数据单元以并联架构耦接在一第一位元线与一第一源极线之间，且该第二参考单元、该第二校正单元与该第二组数据单元以并联架构耦接在一第二位元线与一第二源极线之间。
16.如权利要求15所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中该感测放大器闩锁电路比较在该第一位元线的阻抗与在该第二位元线的阻抗，并依据比较的结果输出一逻辑信号。
17.如权利要求13所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中该第一控制信号与该第二控制信号分别在该第一校正程序中与该第二校正程序中逐步地调整，且该第一控制信号的校正值与该第二控制信号的校正值是根据从一第一值到一第二值的转态来决定。
18.如权利要求17所述的穿隧式磁阻的感测装置，其中各该校正值包含在该第一值与该第二值之间的一中间值。
19.如权利要求13所述的穿隧式磁阻的感测装置，还包含: 一第一控制开关，耦接于该第一源极线 '及 一第二控制开关，耦接于该第二源极线； 其中，于该读取操作期间，该第一控制开关与该第二控制开关接收具有一第一逻辑值的一第一致能信号。
20.一种穿隧式磁阻的感测方法，包含: 预设一磁性随机存取存储器阵列的一校正单元于一第一状态； 预设该磁性随机存取存储器阵列的一参考单元于一第二状态； 预设该参考单元所接收的一控制信号于一第一值，以致使该参考单元的阻抗等于该校正单元的阻抗； 逐步调整该控制信号到一第二值，以致使该参考单元的阻抗等于该校正单元预设在第一状态时的阻抗； 选择该控制信号的一校正值，其中该校正值为该第一值与该第二值的一中间值；及 于一读取操作时，以该校正值为该控制信号的该参考单元作为参考检测从该磁性随机存取存储器阵列的多个数据单元中的一受选数据单元的状态。
21.如权利要求20所述的穿隧式磁阻的感测方法，其中所述多个数据单元、该校正单元与该参考单元中的每一单元皆包含串接的一穿隧式磁阻元件与一控制开关。
22.如权利要求21所述的穿隧式磁阻的感测方法，其中当该校正单元于该第一状态时，该校正单元的穿隧式磁阻元件处于一非平行状态，以及当该参考单元于该第二状态时，该参考单元的穿隧式磁阻元件处于一平行状态。
23.如权利要求22所述的穿隧式磁阻的感测方法，其中还包含: 依据该受选数据单元的状态，输出一逻辑信号。
【专利摘要】本发明公开了一种穿隧式磁阻的感测装置包含磁性随机存取存储器阵列、参考单元及感测放大器闩锁电路。磁性随机存取存储器阵列包含校正单元与多个数据单元。多个数据单元则用以储存使用者数据。参考单元由控制信号控制。感测放大器闩锁电路比较于磁性随机存取存储器阵列的一受选磁性随机存取存储器单元的阻抗与参考单元的阻抗，并依据比较的结果输出逻辑信号。其中，校正单元、多个数据单元与参考单元中的每一者为一磁性存取存储器单元，并且控制信号是通过在校正程序中比较校正单元的阻抗与参考单元的阻抗来建立。
【IPC分类】G11C11-16
【公开号】CN104681078
【申请号】CN201410468587
【发明人】林嘉亮
【申请人】瑞昱半导体股份有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年9月15日
【公告号】US9025367, US20150146481