快闪存储器装置及快闪存储器的写入方法
【技术领域】
[0001] 本发明是有关于一种快闪存储器，且特别是有关于一种快闪存储器装置及快闪存 储器的写入方法。
【背景技术】
[0002] 关于快闪存储器的抹除及写入循环巧rase/program巧cle,简称E/化ycle)中， 在进行写入的过程中，会逐次的提升写入电压来对快闪存储器进行写入的动作，直至对应 的写入验证动作的结果是正确的为止。并且，为加强快闪存储器的数据的可靠度，在当写入 验证动作的结果是正确的之后，还会针对快闪存储器进行最终写入动作（last program)。
[0003] 在现有技术的领域中，进行最终写入动作所依据的最终写入电压是固定的。因此， 请参照图IA W及图IB分别示出的快闪存储器未进行W及已进行最终写入动作的存储单元 数量与临界电压的关系图。由图IA W及图IB的差异可W得知，在现有技术中，进行过最终 写入动作后，快闪存储器会有多数个存储单元的临界电压偏移至过高的区域Zl中，并造成 快闪存储器的存储单元的临界电压分布异常的现象。
【发明内容】
[0004] 本发明提供一种快闪存储器装置及快闪存储器的写入方法，有效防止快闪存储单 元因最终写入动作而产生临界电压过高的现象。
[0005] 本发明的快闪存储器的写入方法包括；设定初始写入电压，依据初始写入电压产 生写入电压W针对快闪存储器进行至少一写入动作，并进行分别对应至少一写入动作的至 少一写入验证动作，当第N次的写入验证动作的验证结果为正确时，依据N产生电压调整参 数，其中N为正整数，再依据电压调整参数W及初始写入电压来产生最终写入电压，并依据 最终写入电压快闪存储器进行最终写入动作。
[0006] 本发明的快闪存储器装置包括多数个存储单元W及控制器。存储单元形成存储器 阵列。控制器设定初始写入电压，依据初始写入电压产生写入电压W针对快闪存储器进行 至少一写入动作，并进行分别对应该至少一写入动作的至少一写入验证动作。当第N次的 写入验证动作的验证结果为正确时，控制器依据N产生电压调整参数，其中N为正整数，并 且，控制器依据电压调整参数W及该初始写入电压来产生最终写入电压，并依据最终写入 电压该快闪存储器进行最终写入动作。
[0007] 基于上述，本发明依据快闪存储器所需的写入动作的次数来动态调整进行最终写 入动作的最终写入电压。也就是说，本发明中，进行最终写入动作所依据最终写入电压的电 压值的是动态的依据快闪存储器的存储单元的临界电压的移动速度来调整的。如此一来， 最终写入动作可是硬性的针对具有不同特性的快闪存储器来进行，使写入动作的效益可W 有效的提升。
[0008] 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下。
【附图说明】
[0009] 图IA为快闪存储器未进行最终写入动作的存储单元数量与临界电压的关系图；
[0010] 图IB为快闪存储器已进行最终写入动作的存储单元数量与临界电压的关系图；
[0011] 图2为本发明实施例的快闪存储器的写入的流程图；
[0012] 图3为本发明一实施例的快闪存储器装置的示意图；
[0013] 图4为本发明实施例的控制器的方块图。
[0014] 附图标记说明：
[001引 Zl;区域；
[001引 S210~S230 ;写入的步骤；
[0017] 300;快闪存储器装置；
[001 引 310、400;控制器；
[001引 321~32M;存储单元；
[0020] 320 ;快闪存储器；
[00引]VPG ;与入电压；
[002引 410;写入电压产生器；
[002引 420;偏移电压产生器；
[0024] 430 ;写入验证电路；
[002引 440 ;递增脉冲电压产生器；
[002引 450 ;计数器；
[0027] 460;判断电路；
[002引 470 ;最终写入电压产生器；
[0029] PCMD ;写入命令；
[0030] 411;升压电路；
[00引]412;电压调整器；
[0032] PS、化；信息。
【具体实施方式】
[0033] 请参见图2,图2为本发明实施例的快闪存储器的写入的流程图。在步骤S210中， 设定初始写入电压，并依据初始写入电压产生写入电压。其中，写入电压是基于初始写入电 压来依据快闪存储器进行的被写入动作的次数来进行设定的。具体来说，W通过控制器来 执行写入动作为范例，当进行第一次的写入动作时，控制器可W利用初始写入电压来对快 闪存储器进行写入动作，或写入验证动作的结果是错误时，控制器可W设定使写入电压高 于初始写入电压，并据W进行第二次写入动作。当然，若接下来的写入验证动作的结果仍是 错误时，控制器则可W再提高写入电压来对快闪存储器进行下一次的写入动作。
[0034] 上述的写入动作可W持续的被执行，直至写入验证动作的结果是正确为止。
[0035] 承上述，在步骤S220中，则依据写入验证动作的结果，来获知写入动作所需要的 次数，并且，在第N次的写入验证动作的结果为正确时，则依据正整数N来产生电压调整参 数。在此，写入验证动作的次数与快闪存储器的被写入次数是相同的。
[0036] 另外，关于电压调整参数的产生方式，在本发明实施例中，电压调整参数可W设定 为等于N。当然，在其他实施例中，电压调整参数可W设定为与N相关联的数字，例如N的整 数倍或非整数倍。
[0037] 在步骤S230中，控制器则可依据设定的电压调整参数W及初始写入电压来产生 最终写入电压，并依据最终写入电压来对快闪存储器进行最终写入动作。请注意，最终写入 电压可依据电压调整参数递增，也就是说，最终写入电压可W与上述的N成正比。
[0038] 仔细一点来说明，当电压调整参数被设定为等于N时，最终写入电压可W等于初 始写入电压Vlst+ (N-2) *递增脉冲电压VISPP+偏移电压Vshift。也就是说，当对快闪存储 器进行第一次写入后的第一次写入验证检查的结果就是正确的时（N= 1)，最终写入电压 =Vlst-VISPP+Vshift。若当对快闪存储器进行第二次写入后的第二次写入验证检查的结 果是正确的时化=2)，最终写入电压=￥13*+￥3111巧。依据上述的说明，最终写入电压与 写入动作所进行的次数N的关系可W如表1所表示：
[0040] 由上述的表格可W得知，在需要较多写入次数的情况下，针对快闪存储器进行最 终写入动作的最终写入电压的电压值需要越高。相对的，在需要较少写入次数的情况下，针 对快闪存储器进行最终写入动作的最终写入电压的电压值需要越低。
[0041] 也就是说，本发明实施例中，快闪存储器的存储单元的临界电压随写入电压的偏 移速度越慢，需要进行的最终写入电压值可W越高。而快闪存储器的存储单元的临界电压 随写入电压的偏移速度越快者，需要进行的最终写入电压值可W较低。
[0042] 另外，关于递增脉冲电压VISPP W及偏移电压Vshift的电压值可W依据快闪存储 器的电气特性来加 W设置，递增脉冲电压VISPP W及偏移电压Vshift的电压值都可W是由 设计者预先设计的电压值。较值得一提的是，递增脉冲电压VISPP是由一个脉冲信号所提