一种快闪存储器及用于快闪存储器的电压反馈方法和电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于存储技术领域，尤其涉及一种快闪存储器及用于快闪存储器的电压反馈方法和电路。
【背景技术】
[0002]目前，快闪存储器已经逐渐应用于各种电子、数码、智能产品中，诸如便携式多媒体播放器、手机或笔记本计算机等，人们对快闪存储器的要求也越来越高，擦写质量好、擦写效率高的快闪存储器越来越抢手。快闪存储器的存储单元由双字线场效应管组成，即在在字线与硅衬底之间增加了一个浮置字线，写入数据的过程就是对浮置字线施加高压进行充电的过程。
[0003]现有技术中提供了一种快闪存储器，图1为现有技术中快闪存储器的框图。如图1所示，该快闪存储器包括:擦除/编程控制器10、电压调制器11和存储阵列12，在擦除/编写过程中，擦除/编程控制器10选取相应的目标存储单元，擦除/编程控制器10给电压调制器11发送一个高压使能信号，使电压调制器11产生高压并施加在存储阵列12的目标存储单元上；存储阵列12由擦除/编程控制器10进行编程控制。
[0004]在快闪存储器的擦写过程中，由于不同的芯片产生高压的时间不同，以及芯片的衰退导致产生高压的时间增大，因此传统的快闪存储器在擦写/编程过程中会把产生高压的时间设计成最差情况下的时间，擦写/编程控制器10的内部设置有自定时电路，在设定的高压产生时间过后，在进行下一步操作。不论快闪存储器的性能如何，都按照最差情况下的时间来产生高压，导致产生高压过程的时间较长，因此降低了快闪存储器的擦除/编程的效率。
【发明内容】
[0005]本发明是为了解决现有技术中的上述不足而完成的，本发明的目的在于提出一种快闪存储器及用于快闪存储器的电压反馈方法和电路，以提高快闪存储器擦除/编程的效率。
[0006]为达此目的，本发明采用以下技术方案:
[0007]本发明提供一种用于快闪存储器的电压反馈方法，包括以下步骤:
[0008]检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值；
[0009]判断所述电压调制器产生的施加于所述目标存储单元的电压值是否达到预设阈值；
[0010]在施加于所述目标存储单元的电压值达到预设阈值时，向擦除/编程控制器发送反馈信号。
[0011]进一步的，所述检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值之前还包括:
[0012]擦除/编程控制器向所述电压调制器发送高压使能信号，所述高压使能信号用于指示电压调制器产生高电压并施加给所述目标存储单元。
[0013]进一步的，所述检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值具体为:擦除/编程控制器启动电压检测电路或由电压调制器接收到擦除/编程控制器发来的高压使能信号后启动电压检测电路，以检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值。
[0014]进一步的，还包括以下步骤:在所述电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值低于预设阈值时，继续检测所述电压调制器产生的施加于所述目标存储单元的电压值。
[0015]进一步的，所述检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值之前还包括:
[0016]擦除/编程控制器根据地址信号从存储阵列中选取该地址信号对应的目标存储单元。
[0017]进一步的，所述向擦除/编程控制器发送反馈信号之后还包括:
[0018]电压调制器对所述目标存储单元施加高电压。
[0019]本发明实施例还提供一种用于快闪存储器的电压反馈电路，包括:
[0020]检测子电路，用于实时检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值；
[0021]判断子电路，用于判断所述电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值是否达到预设阈值；
[0022]反馈子电路，用于将所述电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值达到预设阈值的反馈信号发送给擦除/编程控制器。
[0023]进一步的，所述反馈子电路还用于当所述电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值低于预设阈值时，继续检测所述电压调制器产生的施加于所述目标存储单元的电压值。
[0024]本发明实施例还提供一种快闪存储器，包括存储阵列、擦除/编程控制器、电压调制器，以及上述的用于快闪存储器的电压反馈电路。
[0025]进一步的，所述用于快闪存储器的电压反馈电路设置在电压调制器中，或者是单独设置。
[0026]本发明所述的一种快闪存储器及用于快闪存储器电压反馈方法和电路，在存储器中设置电压反馈电路，用于在产生高压的过程中实时检测高压值，当高压值达到预设阈值时立刻发送反馈信号给擦除/编程控制器，告知擦除/编程控制器高电压已经准备好，使擦除/编程控制器进行下一步操作，提高了快闪存储器的效率。
【附图说明】
[0027]为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。
[0028]图1是现有技术中提供的快闪存储器的结构框图；
[0029]图2是本发明实施例一提供的用于快闪存储器的电压反馈方法的流程图；
[0030]图3是本发明实施例一提供的电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压的波形图；
[0031]图4是本发明实施例二提供的用于快闪存储器的电压反馈方法的优选流程图；
[0032]图5是本发明实施例三提供的用于快闪存储器的电压反馈电路的结构框图；
[0033]图6是本发明实施例四提供的快闪存储器的结构框图。
【具体实施方式】
[0034]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过【具体实施方式】，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。
[0035]实施例一:
[0036]图2给出了本发明实施例一提供的用于快闪存储器的电压反馈方法的流程图。如图2所示，本实施例一提供的用于快闪存储器的电压反馈方法包括以下步骤:
[0037]步骤S20，检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值。
[0038]该步骤中，检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值有两种方式，一种是由擦除/编程控制器直接启动电压检测电路来检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值，另一种是由擦除/编程控制器向电压调制器发送高压使能信号，当电压调制器接收到擦除/编程控制器发来的高压使能信号后启动电压检测电路，以检测电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值。
[0039]步骤S21，判断电压调制器产生的施加于目标存储单元的电压值是否达到预设阈值。
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