专利名称：半导体三极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电子器件半导体三极管，尤其是具有过热自我保护功能的半导体三极管。
目前，公知的半导体三极管由三块半导体结合起来(两边是P型半导体，中间是N型半导体组成的叫做PNP型半导体三极管；两边是N型半导体，中间是P型半导体组成的叫做NPN型半导体三极管)，形成两个PN结组成的一个管芯，分别引出发射极、基极、集电极三个电极及外包封构成。工作时有发射极电流Ie、基极电流Ib、集电极电流Ic流过半导体三极管，其中基极电流Ib非常小，但控制着较大的发射极电流Ie和集电极电流Ic的大小，特别是发射极电流IE和集电极电流Ic有时因外电路出现短路或其它异常状态类的故障，导致其大于正常值，使工作中的半导体三极管产生过热而烧毁。
本实用新型的目的在于提供一种半导体三极管，它在工作中当外电路发生短路或其它异常状态而导致三极管的发射极电流Ie、集电极电流Ic过大，管子温升过高接近半导体三极管的极限结温(150℃)时，它的基极电流Ib迅速减小趋于0，控制该管的发射电流Ie、集电极电流Ic迅速减小，直至电路停止工作，等待管子温度降下来后又可重新开始工作，从而避免管温过高而烧毁半导体三极管。
本实用新型的目的是这样实现的在公知的半导体三极管生产工艺中，不将基极引线直接与基区连接，而是串接一个热敏电阻芯片(2)，然后将半导体三极管之管芯(4)与该热敏电阻芯片(2)包封在一起。
由于采用了上述方案制造的半导体三极管，当管子发射极电流Ie、集电极电流Ic因外电路短路或其它异常状态而增大，导致管子发热时，半导体三极管内包封的串联在基极电路中的热敏电阻芯片(2)阻值迅速增大，基极电流Ib就会迅速减小，从而控制该管发射极电流Ie、集电极电流Ic迅速减小，使管子温升得以控制而降低，从而避免了烧毁半导体三极管乃至整个电子器具或设备。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的局剖立体构造图。
图2是本实用新型的一个简易实施例。
图中1．散热片，2．热敏电阻芯片(图2中是成品热敏电阻)，3．半导三极管包封，4．半导体三极管管芯，5．半导体三极管电极(发射极E、集电极C、基极B)。
在图1中，热敏电阻芯片(2)串接在半导体三极管的基极电路中，即热敏电阻芯片(2)的一端与半导体三极管芯片(4)的基区连接，另一端与半导体三极管的基极引出线连接，其它的技术工艺不变，然后将半导三极管管芯(4)连同热敏电阻芯片(2)一起由包封(3)包封起来，就制成了一只具有过热自我保护的半导体三极管。
在图2中，不用热敏电阻芯片，而是把热敏电阻(2)的一端与半导体三极管的基极相连接，另一端去接电路，并用耐高温胶合剂将热敏电阻(2)紧贴粘牢在半导体三极管的包封(3)上，这就是一个简易的具有过热自我保护的半导体三极管。
在本实用新型实施中，不管是使用热敏电阻芯片还是热敏电阻，均可以串接在半导体三极管的发射极或者集电极电路中，亦能制造出具有过热自我保护功能的半导体三极管。
权利要求1．一种半导体三极管，由散热片(1)、包封(3)、半导体管芯(4)三个引出电极(5)组成，其特征在于不将基极引线直接与基区连接，而是串接一个热敏电阻芯片(2)，然后将半导体三极管之管芯(4)与该热敏电阻芯片(2)包封在一起。
2．按照权利要求1所述的半导体三极管，其特征在于热敏电阻芯片(2)也可以用一个成品的热敏电阻，用耐高温的胶合剂将该热敏电阻紧贴粘牢在半导体三极管上，仍可达到本实用新型的目的。
3．按照权利要求1所述的半导体三极管，其特征在于热敏电阻芯片也可以串接在半导体三极管的发射极或集电极电路中，亦可达到本实用新型的目的。
专利摘要一种能够当外电路发生短路或异常状态故障,使电路中的半导体三极管发热烧毁时会过热自我保护的半导体三极管,它是在公知的三极管内包封一个热敏电阻芯片,这个热敏电阻芯片与半导体三极管管芯的基极电路相串联,亦可以与发射极电路或者集电极电路相串联。这种具有过热保护的半导体三极管广泛适用电子电器中,更适合用来制造电子节能灯和电子镇流器以及各种开关电源、稳压器之类的电子产品。
文档编号H01L23/00GK2461146SQ0023808
公开日2001年11月21日 申请日期2000年8月28日 优先权日2000年8月28日
发明者惠定国 申请人:惠定国