专利名称：成形金属模清扫用片与使用该片的半导体装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术，特别是参于适提高对半导体装置成形金属模内进行清扫的清扫效果与制造性的有效技术。
这样的污物，对成形品质产生恶历影响，同时由于从成形金属模取出制品时的脱模性降低，故在进行一定注塑数量之后，操作者必须对成形金属模进行清扫。
但是，由操作者进行的成形金属模的清扫，由于是手工作业，要花费很多时间，因此提出了需要短时间内可清扫成形金属模的技术。
因此为了满足这样的要求，像日本专利特开平1-95010号合极中所记述的那样，实施这样的清扫方法将未搭载半导体晶片的引线框(以下称为模拟引线框)夹于成形金属模的主面(接合面)间，将由密胺树脂等形成的清扫用树脂注入成形金属模内，使其硬化，使污物附着于清扫用树脂表面，将污物连同清扫用树脂一同除去。
另外，也有不使用模拟引线框等，而直接将清扫用树脂以高压或常压流入模腔内的方法。
但是，如依这种技术，清扫中使用了高价的模拟引线框，不仅是很不经济的，而且由于在成形金属模中，由于要将适合于它的特定形状的模拟引线框定位于规定位置、并夹紧，必须保证成形金属模与模拟引线框的定位精度。另外，在成形的清扫用树脂中选择部与浇道部形成的树脂要从引线框取下并分离，为要从成形金属模除去这些分离的树脂，需要相当多时间，作业性变坏。另外，分离的选择部、浇道在模塑装置滑动部积聚，结果成了故障原因。
因此，作为解决这种问题的技术，考虑了以下所说明的技术。
像日本专利特开平6-254866号公报中所记述的那样，它由在开模的金属模间夹持由可含浸及透过清扫用树脂的绵布(无纺布)构成的片状构件、和向闭模的成形金属模的模腔中充填熔化状态的清扫用树脂工序构成。
像前述公知例中所记述的那样，有如下的优点，在将清扫用树脂与可含浸和透过药品的片夹于上下金属模主面(接合面)间的状态下，由注入液状清扫用树脂不仅可降低成形金属模与片间要求的定位精度，在片夹于上下金属模主面间的部分也浸透了清扫用树脂与药品，可进行金属模的清扫。
但在前述技术中，在使清扫用树脂充填入模腔时，片状构件在模腔内上下动(升浮)，由此，片状构件对清扫用树脂的流动形成阻力，产生了清扫用树脂不能到达模腔内各角落的现象。
结果是，在模腔角落里残存污物，有着模腔内得不到充分清扫的问题。
这里，在成形金属模的接合面上，在模腔外周部角部形成与其相连通的流通腔(在这里逸出空气与密封用树脂，以使得从浇道的空气卷入与模腔内密封用树脂的充填平衡良好)与通气口等凹部。
但是，在使用了成形金属模清扫用片的成形金属模清扫中，清扫用树脂难以进入模腔角部附近，其结果，在清扫时清扫用树脂不能进入流通腔与通气口，流通腔与通气口得不到清扫，从而，在清扫后进行制品模塑时，会产生密封用树脂向模腔充填不足的问题。
另外，若密封用树脂难以进入模腔角部附近，由于在成形金属模清扫用片的对应于模腔角部附近之处挂不上清扫用树脂，在清扫结束后，在从成形金属模接合面与成形金属模清扫用片一起脱开清扫用树脂时，残留了清扫用树脂，有着从接合面除去成形金属模清扫用片与清扫用树脂很费事的问题。
还有，在进行具有细长密封部SOP(Small outline Package)与使用模拟框架的QFN(Quadfeat Non-leadedpackagc)等的模塑的成形金属模接合面上，在模腔外侧端部与接合面缘部距离比较短的情况下(比如10mm以下)，在清扫成形金属模时，从模腔漏出的清扫用树脂与成形金属模清扫用片渗出，沿着从成形金属模接合面相连的侧面附着。
这种情况下，为要除去附着于成形金属模侧面的清扫用树脂是很费时间的，其结果是，产生了成形金属模清扫作业效率下降的问题。
本发明的目的在于，提供可提高成形金属模清扫效果、缩短清扫作业时间以提高制造性的成形金属模清扫用片和使用该片的半导体装置制造方法。
本发明的前述内容和其他目的以及新的特征，可从本说明书与附图中得到了解。
另外本发明的半导体装置制造方法包括准备覆盖由第一金属模与第二金属模构成的成形金属模的整个接合面、并形成对应于成形金属模模腔的贯穿孔的成金属模清扫用片的工序；使贯穿孔对应于模腔地将成形金属模清扫用片配置于成形金属模整个接合面，由第一金属模与第二金属模夹紧成形金属模清扫用片的夹紧工序；向模腔供给清扫用树脂，使清扫用树脂通过成形金属模清扫用片的贯穿孔而将清扫用树脂充填于模腔内的充填工序；以及使清扫用树旨固化后将清扫用树脂与成形金属模清扫用片从成形金属模脱出的脱模工序。
再有，本发明的半导体装置制造方法包括(a)准备分别具有接合面与在该接合面上形成的凹部的第一金属模与第二金属模的工序；(b)准备具有贯穿孔、且可含浸与透过清扫用树脂的片的工序；(c)使前述片的贯穿孔位置对应于前述第一与第二金属模凹部，将前述片夹于前述第一与第二金属模的接合面间的夹紧工序；(d)在前述(c)工序后向前述第一与第二金属模凹部内注入清扫用树脂的工序；(e)在前述(d)工序后从前述第一与第二金属模除去前述片与清扫用树脂的工序；(f)准备在主面上有多个电极的半导体晶片、导体构件、将前述半导体晶片多个电极与前述导体构件电气连接起来的多根导线的工序；(g)在前述(e)工序之后，使前述半导体晶片与多根导线对应于前述第一与第二金属模的凹部，将前述导体构件夹于前述第一与第二金属模的接合面间的夹持工序；(h)在前述(g)工序后，向前述第一与第二金属模的凹部内注入密封用树脂来密封前述半导体晶片、多根导线与导体构件一部分的工序。
图2是表示
图1所示连续自动模塑装置的树脂成形部构造的局部剖面图。
图3是表示本发明第一实施例的成形金属模清扫用片构造之一例的图，(a)是其俯视图，(b)是(a)的A-A剖面图。
图4是表示设于图2所示树脂成形部的成形金属模第二金属模接合面上配置了成形金属模清扫用片状态之一例的俯视图。
图5是表示使用了图3所示成形金属模清扫用片的成形金属模内进行清扫时的状态之一例的局部剖面图。
图6是表示由本发明半导体装置制造方法制造的半导体装置构造之一例的局部剖视立体图。
图7是表示本发明第二实施例的成形金属模清扫用片构造这一例的俯视图。
图8是表示将图7所示成形金属模清扫用片配置于成形金属模接合面上的状态之一例的放大部分俯视图。
图9是表示对图7所示成形金属模清扫用片的变形例的成形金属模清扫用片的构造的俯视图。
图10是表示本发明第三实施例的成形金属模清扫用片构造之一例的图，(a)是其俯视图，(b)是(a)的B-B剖面图。
图11是表示将图10所示成形金属模清扫用片配置于成形金属模合面上的状态之一例的俯视图。
图12是图11的C-C放大局部剖面图。
具体实施例方式
在下述的实施例中，除非有特别需要，对相同或同样部分的说明原则上不重复。
另外，在下边的实施例中，为了方便，可分割为多部分或实施例进行说明；但除特别说明的部分之外，它们不是相互没有关系，一方处于另一方的一部分或全部的变形例、详述、补充说明等的关系。
还有，在以下的实施例中，在说到要素数等(包括个数、数值、量、范围等)的情况下，除了特别说明的情况与原理上很明白地限于特定数的情况等之外，不限定于特定数，在特定数以上、以下都可以。
下边借附图详细说明本发明的实施例。在用于说明实施例的所有图中，对具有相同功能的构件给予相同符号，而省略其重复说明。
首先来说明本发明的第一实施例，图1所示的连续自动模塑装置是多锅型的，例如图6所示的以树脂密封半导体晶片24和与半导体晶片24电气连接的内部引线20等用的装置。
该连续自动模塑装置具有作为上金属模的第一金属模3，作为与其成一对的下金属模的第二金属模4，具有第一金属模3与第二金属模4的树脂成形部5，将工件(在这里比如结束管芯焊接与线接合的引线框)送入树脂成形部5的加装料载器1，以及将前述工件从树脂成形部5取出的卸料器2；在前述连续自动模塑装置中，半导体晶片24(参照图6)被接合的引线框，从图1所示的装料器1送入树脂成形部5，在该树脂成形部5将半导体晶片24等用树脂密封。而且，作为完成树脂成形的树脂密封形的半导体装置QFP(guadflatpackage)19，由卸料器2搬出并收容于此。
在图2所示的树脂成形部5中，设有对应于图6所示的QFP19的密封部22的形状的模腔6、选择部(cull)、浇道8、锅(pot)9、柱塞10、推顶板11、15、推杆12、16、浇口13、通气口14。
另外，如图4所示，在成形金属模28(参照图2)的第二金属模4的接合面26上，在多处形成配置有半导体晶片24的规定形状的模腔6(在第一金属模3的接合面26上也和第二金属模4同样形成了模腔6)。
还有，在第二金属模4的规定位置，贯穿形成多个用于设置小块等状密封用树脂的圆筒状锅9，在对应于锅9的第一金属模3的各部分设有图2所示那样的选择部7。
从该选择部7分支形成连通前述多个模腔6的多个浇道8，在第一金属模3与第二金属模4密接状态下，由选择部7封住锅9的上边，同时通过选择部7与浇道8使锅9连通于多个模腔6。且在模腔6的外侧，形成通气口14，它用于使模腔6中的空气排到外部而使树脂完全充填。
下边，来说明图3所示的本实施例1的成形金属模清扫用片(以下简单称作清扫用片)17。
清扫用片17，在不进行半导体晶片24的模塑时，配置于成形金属模28的第一金属模3与第二金属模4间，用来清扫成形金属模28内部；在其配置于第一金属模3与第二金属模4之间时，覆盖了成形金属模28整个接合面(模腔的外的分模面)26，同时形成对应于成形金属模28的模腔6的贯穿孔17a。
而且，在本实施例1的清扫用片17上形成的贯穿孔17a形成为与模腔6的开口部6a(参照图2)大致相同的形状。
即，贯穿孔17a，具有与第一金属模3与第二金属模4的模腔6的开口部6a大致相同的形状和大小，形成只是稍稍比其小一点的方形。
由此，在清扫时，由第一金属模3与第二金属模4只夹着该清扫用片17，在这种状态下，像图5所示那样的清扫用树脂25供入模腔6，在模腔6内，清扫用树脂25穿过清扫用片17的贯穿孔17a，其结果，在模腔6内，清扫用树脂25成为阻力，使得清扫用片17不能升浮起来，从而充填了模腔6内各个角落。
从而，模腔6内可以完全被清扫。
另外，本实施例一的清扫用片17，如图4所示，具有覆盖第二金属模4(第一金属模3也一样)的整个接合面26的形状与大小。
即，形成为由设在第二金属模4的接合面26的外周各边上的上下金属模定位用的定位楔18导向程度之大小，由此，当在第二金属模4的接合面26上载置清扫用片17时，只要与各边定位楔18相对准地载置清扫用片17即可，在与成形金属模28之间可以不需高精度定位。
本实施例1的清扫用片17，可以由具有耐热性与柔软性的比如100％的纸、布或无纺布等形成，但其中最好是由无纺布形成。
再者，清扫用片17的厚度，例如在夹持于第一金属模3与第二金属模4间时，比如约为0.6mm左右。
另外，图6所示的QFP19，是由图1所示连续自动模塑装置进行模塑并组装起来的半导体装置之一例，它由连接线21、密封部22、和多个外引线23构成。其中，连接线21用于电气连接半导体晶片24的电极和与其对应的内引线20；密封部22以树脂密封半导体晶片24、内引线20与连接线21而形成；外引线23是与内引线20连接、且是从上述密封部22向外部实出的外部端子，各个外引线23形成为海鸥展翅形状。
下边来说明关于本实施例1的半导体装置的制造方法。
前述半导体装置的制造方法包括有使用图1所示连续自动模塑装置的半导体晶片24的模塑(树脂密封)工序、和用图3所示清扫用片17的上述连续自动模塑装置的成形金属模28的内部清扫工序。
首先，在线连接工序中，由连接线21对半导体晶片24与作为工件的引线框的内引线20进行电气连接。
而后，在模塑工序中，使用图1所示的连续自动模塑装置、由密封用树脂对半导体晶片24和与该半导体晶片24电气连接的内引线20以及连接线21进行树脂密封。
这里对本实施例1的模塑工序的前述树脂密封(模塑)工序进行说明。
首先，在图2所示的柱塞10上设置由预加热器加热的固体状的密封用树脂(片块)，而后，从图1所示的装料器1将线连接了半导体晶片24与内部引线20的引线框输送到树脂成形部分。
在该状态下，通过使第二金属模4向第一金属模了移动接近，在形成成形金属模28的第一金属模3与第二金属模4之间形成包括模腔6在内的空间。而后，由枉塞10将成熔化状态的前述密封用树脂推出到选择部7，前述密封用树脂通过浇道8与浇口13流入模腔6中。
充填入模腔6中的前述密封用树脂由热与固化而热固化，而后使第二金属模4下降移动进行开模。
接下来，使推顶板15下降移动，同时使推顶板11上升移动。由此，使推杆12、16突出，完成开模，再取出由树脂密封了的树脂密封形QFP(半导体装置)19。在这种树脂密封中，由于一天要反复进行数百次注塑，在充填了前述密封用树脂的成形金属模28内部，即在成形金属模28的第一金属模3与第二金属模4的接合面(包括通气口14与模腔6以及浇道8与选择部7周边)26上蓄积起树脂溢料与油分和尘埃等的污物(附着物)。从而，必须进行用于去除前述污物的、前述模塑工序中的成形金属模28的清扫工序。
对于QFP19，其后在切断工序中进行引线框的切断，由此结束图6所示的QFP19的组装。
接下来说明本实施例1的前述清扫工序(成形金属模的清扫方法)。
首先，准备由无纺布形成的、且覆盖成形金属模28的整个接合面26、并形成对应于成形金属模28的模腔6的贯穿孔17a的图3所示清扫用片17。
接着，将成形金属模28的金属模温度设定为例如170℃～180℃。
再后，如图4所示，使贯穿孔17a对应模腔6地将清扫用片17配置于整个接合面26上；在这状态下，使第二金属模4向第一金属模3接近移动。
由于这种接近移动，由第一金属模3与第二金属模4夹住清扫用用片17，然后将清扫用树脂25供给于模腔6。
这时，如图5所示，在模腔6内，通过清扫用片17的贯穿孔17a将清扫用树脂25充填于模腔6内的各个角部。
接下来，使清扫用树脂25固化，而后使第二金属模4下降移动，使第一金属模3与第二金属模4分离，进行开模。
而后，使推顶板15下降移动，同时使推顶板11上升移动。由此，推杆12、16突出，完成开模。
再后，使清扫用树脂25与清扫用片17从成形金属模28脱模。
即，取出清扫用片17和在该片上树脂成形的清扫用树脂25。
这样，即进行了成形金属模28内的清扫。
而且，在用图3所示的清扫用片17清扫成形金属模28内之后，再施工(模塑)时，在成形金属模28的模腔6中配置半导体晶片24，而后，以与前述模塑同样的方法，向模腔6中供给密封用树脂，对半导体晶片24进行树脂密封。
如采用本实施例1的成形金属模清扫用片和使用该片的半导体装置的制作方法，可取得如下的作用效果。
即，在清扫用片17上由于形成了对应于模腔6的贯穿孔17a，在向模腔6供给充填清扫用树脂25时，由于清扫用树脂25可通过清扫用片17的贯穿孔17a，与清扫用树脂25中所含填充剂和树脂注入压力无关，可对清扫用树脂25的流动无纺碍地将清扫用树脂25遍及到模腔6的各个角落。
其结果，可由到达模腔6的各个角落的清扫用树脂25去除模腔6角落里的污物。
由此，可充分进行对成形金属模28的模腔6的清扫，从而可望提高清扫效果。
另外，由于清扫时清扫用片17覆盖了成形金属模28的整个接合面26，由模腔6、接合面26(分模面)、选择部7与浇口13形成的清扫用树脂25成为由清扫用片17联系起来的状态；当清扫用树脂25固化后、取出清扫用片17时，可以整体状态(不会零零散散)的取出清扫用片17。
从而，可以很容易地进行清扫用片17对成形金属模28的接离，由此，也可以很容易地进行清扫后的清扫用片17的处理。
其结果，可望缩短使用清扫用片17的清扫作业时间。
另外，由于清扫用片17覆盖了成形金属模28的整个接合面26，成形金属模28的锅9入口与选择部7周边、以及通气口14等处也由清扫用片17将清扫用树脂25连系起来而可除去废物，其结果，可除去树脂溢料，可望大幅度减少作业时间。
再者，由于由清扫用片17覆盖了成形金属模整个接合面26，在成形金属模28中，不接触清扫用树脂25部位也可得到清扫。
还有，置于成形金属模28内的引线框等数量没有限制，由于由一张清扫用片17覆盖了成形金属模整个接合面26，故不需清扫用片17对成形金属模28的高精度定位。
这时，像本实施例1这样，由于使用了由无纺布形成的清扫用片17，不需像现有技术中使用模拟引线框的情况那标进行对成形金属模28的定位销的加工、与定位孔的加工。
从而可降低成形金属模28的成本。
另外，由于不使用模拟引线框，故不会产生由模拟引线框的错动引起的偏移成形。
还有，由于以1张清扫用片17可覆盖成形金属模28整个接合面26，模塑时置于成形金属模28内的前述引线框个数不限，只要设置1张清扫用片17就可以了，共结果可望降低清扫作业成本。
再者，由于使用本实施例1的清扫用片17、不需使用清扫用的高价模拟引线框即可完成作业，故可望降低成形金属模28清扫作业成本。
由于清扫用片17具有对应于模腔6的开口部6a的贯穿孔17a，而且在清扫时覆盖了整个成形金属28的接合面26，不会降低清扫作业性，而且可提高清扫效果。
而且，在本实施例1的QFP19等的半导体装置的制造工序中，由于可望大幅度缩短成形金属模28的清扫作业时间，可提高成形金属模28的清扫效果，故可提高前述半导体装置的制造工作效率。
下边来说明本发明第2实施例。
在本实施例2中，对实施例1中说明了的半导体装置制造工序中的图2所示成形金属模28的清扫工序所使用的成形金属模清扫用片的变形例加以说明。
即，图7所示的清扫用片(成形金属模清扫用片)29，和前述实施例一说明的清扫用片17同样，在对应于成形金属模28的模腔6处形成贯穿孔29a，同时另外在贯穿孔29a外周部的角部形成狭缝29b和流通腔用切口部29c等的切口部。
而且，贯穿孔29a与成形金属横28的模腔6大致同样大小，或比其稍小些。
另外，狭缝29b与流通腔用切口部29c，如图8所示，形成于与连通第二金属模4的模腔6的流通腔27(凹部)对应的处，其中，流通腔用切口部29c是形成为与流通腔27的形状大致相同形状的切口部。
这里，流通腔27，是使树脂注入时的模腔6内的空气与密封用树脂逸出到这里，使得从浇口13空气卷入和模腔6内密封用树脂的充填平衡变好。
从而，缝29b与流通腔用切口部29c是用于在清扫成形金属模28时，对作为连通于模腔6的凹部的流通腔27或通气口14如图5所示地充分地充填以清扫用树脂25。
即，在将清扫用树脂25注入模腔6时，清扫用树脂25通过清扫用片29的贯穿孔29a充填于模腔6，再在模腔6的角部，清扫用树脂25穿过清扫用片29的流通腔用切口部29c与狭缝29b流入流通腔27与通气口14。
由此，通过流通腔用切口部29c与缝29b，可使清扫用树脂25绕上清扫用片29，在这种状态，可使清扫用树脂25充填到流通腔27与通气口14。
其结果，对清扫用树脂25固化后将清扫用树脂25的除去可以与从成形金属模28取下清扫用片29同时进行。
而且，对于作为切口部形成缝29b、或形成流通腔用切口部29c，由于清扫用树脂25比较难以流入配置在远离第二金属模4的浇口13处的流通腔27，故最好是不形成狭缝29b而是形成流通腔用切口部29c。
另外，由于清扫用树脂25比较容易流入浇口13侧的流通腔27，故可在这里形成缝29b。
从而，在图7、图8所示的变形例(图6所示QFP19用清扫用片29)中，仅在配置在远离浇口13最远的流通腔27做成流通腔用切口部29c，其他三个角处做成缝29b。
图9所示的变形例[BGA(Ball Grid Array)用的清扫用片29]，示出在四角形成缝29b的情况，对于将流通腔用切口部29c(参照图7)或狭缝29b形成于模腔6的哪一角没有什么特别限定，另外，对于缝29b的宽度与长度或流通腔用切口部29c形状也没有什么特别限定。
本实施例2清扫用片29的原材料与厚度，与实施例1的清扫用片17一样。
再有，关于本实施例2清扫用片29的其他构造及采用了清扫用片29的半导体装置的制造方法，由于与使用了实施例1上说明的清扫用片17的半导体装置制造方法相同，故省略对其重复说明。
如采用本实施例2的清扫用片29与使用该片的半导体装置的制造方法，在清扫图2所示成形金属模28时在，模腔6中注入清扫用树脂25时，可使得在清扫用片29的缝29b与流通腔用切口部29c等的切口部通过清扫用树脂25。
由此，在清扫时，可将清扫用树脂25充填于流通腔27与通气口14等的凹部中，同时通过前述切入口使清扫用树脂25卷绕附着于清扫用片29。
从而，通过在清扫用树脂25硬化后、从第二金属模4制离清扫用片29，即可除去充填于第二金属模4的接合面26的前述凹部(流通腔27与通气口14)的清扫用树脂25，由此可提高对前述凹部的清扫效果，同时可确实将清扫用树脂25连同清扫用片29一起除去；从而可以很容易地将前述清扫用树脂25从前述凹部除去。
其结果，可望缩短使用清扫片29的成形金属模28的清扫时间。
而且，由于将与和第二金属模4相对的浇口13处(比较离开浇口13的部位)的前述凹部对应的流通腔用切口部29c与狭缝29b等的前述切口部做成对应于该凹部的形状，可进一步提高前述凹部的清扫效果。
下边来说明本发明第三实施例。
在本实施例三中，与第二实施例一样，对第一实施例中说明了的半导体装置制造工序中的在图2所示成形金属模28的清扫工序中使用的成形金属模清扫用片的变形例进行说明。
即，图10所示的带框清扫用片(成形金属模清扫用片)30，和前述第一实施例中说明的清扫用片17一样，由覆盖了成形金属模28整个接合面26，同时在对应于模腔6处形成贯穿孔30b的清扫用片30a、和可沿接合面26周缘部26a配置于成形金属模28接合面26多个模腔6外侧的框状加强片30c所构成。
而且，在清扫用片30a上形成的贯穿孔30b具有与成形金属模28的模腔6大体相同的大小，或者比其稍小一些。
这里，本实施例的带框清扫片30，如图12所示，在清扫成形金属模28注入清扫用树脂25(参照图5)时，加大了由作为下金属模的第二金属模4与作为上金属模的第一金属模3形成的成形金属模28夹紧时对模腔6外侧的夹紧力，可防止清扫用树脂25从成形金属模28的接合面26的漏出。
即，如图10所示，带框清扫用片30由图11所示的相应于模腔6形成贯穿孔30b的清扫用片30a，和可沿接合面26周缘部26a配置于第二金属模4的接合面26的多个模腔6外侧的框形加强片30c叠合而构成。
由此，在进行成形金属模28的清扫时，如图11所示，使清扫用片30a的贯穿孔30b对应模腔6，将清扫用片30a配置于整个接合面26上，而且，使框形加强片30c在多个模腔6的外侧沿接合面26的周缘部26a配置于接合面26上。
而且，在实施例三的带框清扫用片30，是像图10所示那样将清扫用片30a与加强片30c预光贴上的，从而，在进行清扫时，将带框清扫用片30配置于第二金属模4的接合面26上。
而后，如图12所示，由第一金属模3与第二金属模4将清扫用片30a与加强片30c夹紧，再像图5所示的那样，将清扫用树脂25注入该夹紧状态的模腔6中，将清扫用树脂25充填于模腔6；在使清扫用树脂25固化后连同清扫用片30a一起从成型模具28的接合面26去除清扫用树脂25对成形金属模28进行清扫。
而且，图10所示的清扫用片30，例如在半导体装置中，对使用具有比较细长的密封部电22(参照图6，但图6中示出的QFP19其密封部22大体是正方形)的SOP或模拟框的QFM等半导体装置的模塑时，在该成形金属模28的接合面26上，在模腔6外侧端部与接合面26的周缘部26a的距离(图11与图12中的L)比较短的情况下(比如L为10mm以下的情况下)，在清扫成形金属模28时从模腔漏出的清扫用树脂25从成形金属模清扫用片渗出，由于往往是沿从成形金属模28的接合面26连出的侧面附着，对于前述述在L为10mm以下的SOP或QFN用成形金属模28的清扫，更为有效。
这里，框形加强片30c，比如厚为0.1～0.2mm左右，最好是由无纺布、纸、铜或氟树脂等形成。
再者，像本实施例三的带框清扫用片30那样，也可以预贴上清扫片30a与加强片30c；或者也可以不贴上两者、而分别准备作，在清扫时，依次配置于成形金属模28的接合面26进行清扫模塑。
另外，本实施例三的带框清扫用片30，对要用SOP或QFN以外的模框的半导体装置、或使用带基板的BGA等也有效。
本实施例三的带框清扫用片30的清扫用片30a的材料与厚度与第一实施例的清扫用片17一样，因此省春重复说明。
关于使用了本实施例三的带框清扫用片30的半导体装置的制造方法，由于与使用第一实施例中说明的清扫用片17的半导体装置制造方法相同，故省略其重复说明。
如采本实施例三的带框清扫用片30和使用该片的半导体装置制造方法，在清扫成形金属模28时，由于使带框清扫用片30的清扫用片30a的贯穿孔对应模腔6地配置于整个接合面26，同时，在多个模腔6的外侧沿接合面26周缘部26a将加强片30c配置于接合面26，由成形金属模28的第一金属模3与第二金属模4夹紧带框清扫用片30进行清扫，可提高成形金属模28的夹紧力，其结果，可防止清扫时清扫用树脂25从成形金属模28的接合面26漏出。
从而，由于可防止在成形金属模28的侧面附着清扫用树脂25，故省去了将其清除的麻烦；其结果可提高成形金属模28的清扫作业效率。
另外，由于使用贴上3加强片30c的带框清扫用片30，可以防止清扫时清扫用树脂25从成形金属模28的接合面26漏出，故可将清扫用树脂25充分充填于模腔6及流通腔用切口部29c(参照图8)等凹部；其结果是，可提高模腔6与流通腔用切口部29c等凹部的清扫效果。
而且，特别是在成形金属模28的模腔6的外侧端部与接合面26的周缘部26a的距离比较短时(例如，图11所示距离L为10mm以下的情况下)，带有加强片30c的带框清扫用片30特别有效。
由于使用了具有加强片30c的带框清扫用片30，清扫时可防止清扫用树脂25从成形金属模28的接合面26漏出，故带框清扫用片30对成形金属模28的接合面26的安装与取下可很容易地进行。
另外，在清扫用片30a为无纺布的情况下，由于使用加强片30c，可防止清扫用片30a的伸缩，其结果，可进一步提高成形金属模28的清扫作业效率。
以上，根据发明实施例对本发明者所完成的发明进行了具体说明，但本发明并不局限于前述发明实施例，当然在不脱不脱离发明要点的范围内可做种种变更。
例如，在前述实施例一、二、三中，对由无纺布形成清扫用片17、29、30a的情况进行了说明，但清扫用片17、29、30a的材质并不限于不织布，也可以是纸或其他布料等的其他材质。
还有，对于清扫用片17、29、30a的厚度也不限于前述前施例一、二、三中说明的厚度，可采用各种厚度。
再者，关于清扫用片17、29、30a的大小，只要是大致沿整个成形金属模28接合面26进行覆盖的大小，比接合面26小些也可以。
在清扫用片17、29、30a上形成的贯穿孔17a、29a、30b，其形状与形成数量也不限于前述实施例一、二、三情况，也可有各种各样的形状和形成数量；再有，关于其大小，只要是与模腔6开口部6a大体相同，或只要是可通过清扫用树脂25大小，可以比模腔6的开口部6a大些，也可以比其小些。
前述实施例一、二、三的成形金属模28，其引线框可以是多联的一列形的也可以是模拟框形，不管哪种情况，均可望降低清扫作业成本。
在前述实施例一、二中，由图1所示的连续自动模塑装置模塑的半导体装置，对图6所示的QFP19的情况进行了说明，但前述半导体装置并不限定于QFP19，只要是由前述连续自动模塑装置进行模塑组装起来的半导体装置，也可以是SOP等的其他半导体装置。
在前述实施例一、二、三的成形金属模28中，对将第一金属模3设为上模、第二金属模4设为下模进行了说明，但也可以与此相反，将第一金属模3设为下模，而将第二金属模4设为上模。
如上所述，本发明的成形金属模清扫用片和使用该片的半导体装置的制造方法，对提高成形金属模的清扫效果和提高半导体装置的制造效率的技术上是很合适的。
权利要求
1.一种成形金属模清扫用片，这种清扫用片是配置于由第一金属模与第二金属模一对金属模构成的成形金属模的前述第一金属模与第二金属模之间并清扫前述成形金属模内部的成形全属模清扫用片，其特征在于，在其配置于前述第一金属模与第二金属模间时，覆盖了前述成形金属模的整个接合面，并形成对应于前述成形金属模模腔的贯穿孔。
2.一种半导体装置制造方法，它是一种使用了成形金属模清扫用片的半导体装置的制造方法，其特征在于，它包括有准备工序、夹紧工序、充填工序及脱模工序，其中在上述准备工序中，准备前述成形金属模清扫用片，该清扫用片覆盖了由第一金属模与第二金属模一对金属模构成的成形金属模整个接合面，并形成对应于前述成形金属模的模腔的贯空孔；在上述夹紧工序中，使前述贯穿孔对应于前述模腔地将前述成形金属模用清扫用片配置于前述成形金属模的整个前述接合面上，由前述第一金属模与第二金属模夹紧前述成形金属清扫用片；在上述充填工序中，将清扫用树脂供给前述模腔，使上述清扫用树脂通过前述成形金属模清扫用片的前述贯空孔而将前述清扫用树脂充填于前述模腔内；在上述脱模工序中，使前述清扫用树脂固化后，使前述清扫用树脂与前述成形金属模清扫用片从前述成形金属模脱模。
3.一种半导体装置制造方法，它是一种使用了成形金属模清扫用片的半导体装置制造方法，其特征在于，它具有准备工序、夹紧工序、充填工序、脱模工序和树脂密封工序，其中在准备工序中，准备前述成形金属模清扫用片，该清扫用片覆盖了由第一金属模与第二金属模一对金属模构成的成形金属模的整个接合面，并形成对应于前述成形金属模的模腔的贯穿孔；在夹紧工序中，使前述贯穿孔对应于前述模腔，将前述成形金属模清扫用片配置于整个前述接合面上，由前述第一金属与前述第二金属模夹紧前述成形金属模清扫用片；在上述充填工序中，向前述模腔供给清扫用树脂，使前述清扫用树脂通过前述成形金属模清扫用片的前述贯穿孔而将前述清扫用树脂充填于前述模腔内；在上述脱模工序中，在使前述清扫用树脂固化后，使前述清扫用树脂与前述成形金属模清扫用片从前述成形金属模脱模；在上述树脂密封工序中，在使用前述成形金属模清扫用片清扫前述成形金属模内之后，将半导体晶片配置于前述成形金属模的前述模腔，然后对前述模腔供给密封用树脂，用树脂密封前述半导体晶片。
4.一种半导体装置制造方法，它是一种使用成形金属模清扫用片的半导体装置制造方法，其特征在于，它具有准备工序、夹紧工序、充填工序及脱模工序；其中；在准备工序中，准备前述成形金属模清扫用片，该清扫用片覆盖了由第一金属模与第二金属模一对金属模构成的成形金属模的整个接合面，并形成对应于前述成形金属模的模腔的贯穿孔和与前述模腔连通地设在其外周部的凹部对应的切口部；在夹紧工序中，使前述贯穿孔对应于前述模腔、同时使前述切部对应于前述凹部地将前述成形金属模清扫用片配置于前述成形金属模的整个前述接合面，由前述第一金属模与前述第二金属模夹紧前述成形金属模清扫用片；在充填工序中，将清扫用树脂供给于前述模腔，使前述清扫用树脂通过前述成形金属模清扫用片的前述贯穿孔与前述切口部来将前述清扫用树脂充填进前述模腔与前述凹部；在脱模工序中，在使前述清扫用树脂硬化后，使前述清扫用树脂与前述成形金属模清扫用片从前述成形金属模脱模。
5.一种半导体装置制造方法，它是一种使用了成形金属模清扫用片的半导体装置制造方法，其特征在于，它具有准备工序、夹紧工序、充填工序及脱模工序，其中在准备工序中，准备前述成形金属模清扫用片和加强片的工序，其中成形金属模清扫用片覆盖了由第一金属模与第二金属模一对金属模构成的成形金属模的整个接合面、同时形成有对应于前述成形金属模模腔的贯空孔，该加强片可沿前述接合面的周缘部配置于前述成形金属模的前述接合面多个前述模腔的外侧；在夹紧工序中，使前述成形金属模清扫用片的前述贯穿孔对应于前述模腔地将前述成形金属模清扫用片配置于整个前述接合面上，同时将前述加强片沿前述接合面周缘部配置于多个前述模腔的外侧，由前述第一金属模与第二金属模夹紧前述成形金属模清扫用片与前述加强片；在充填工序中，将清扫用树脂供给前述模腔，使前述清扫用树脂通过前述成形金属模清扫用片的前述贯穿孔而将前述清扫用树脂充填于前述模腔；脱模工序是，使前述清扫用树脂硬化后，使前述清扫用树脂与前述成形金属模清扫用片从前述成形金属模脱模。
6.一种半导体装置制造方法，其特征在于，它包括如下(a)～(h)的制造工序(a)是准备分别具有接合面与形成于前述接合面的凹部的第一与第二金属模的工序；(b)是准备具有贯穿孔、且可含浸及透过清扫用树脂的片的工序；(c)是使前述片的贯穿孔位置对应于前述第一与第二金属模凹部，将前述片夹于前述第一与第二金属模的接合面间的工序；(d)是在前述(c)工序后，向前述第一与第二金属模凹部内注入清扫用树脂的工序；(e)是在前述(d)工序后，从前述第一与第二金属模除去前述片与清扫用树脂的工序；(f)是准备主面上具有多个电极的半导体晶片、导体构件、用于将前述半导体晶片的多个电极与前述导体构件电气连接起来的多根导线的工序；(g)是在前述(e)工序之后，使前述半导体晶片与多根导线对应于前述第一与第二金属模凹部，将前述导体构件夹于前述第一与第二金属模的接合面间的工序；(h)是在前述(g)工序之后，向前述第一与第二金属模凹部内注入密封用树脂，密封前述半导体晶片、多根导线及导体构件的一部分的工序。
7.如权利要求6所记述的半导体装置制造方法，其特征在于，在前述(h)工序之后再有(I)准备主面上有多个电极的半导体晶片、导体构件、用于电气连接前述半导体晶片的多个电极与前述导体构件的多根导线的工序；(j)在前述(I)工序之后，使前述半导体晶片与多根导线对应于前述第一与第二金属模凹部，将前述导体构件夹于前述第一与第二金属模的接合面之间的工序；(h)在前述(j)工序之后，向前述第一与第二金属模凹部内注入密封用树脂，密封前述半导体晶片、多根导线与导体构件的一部分的工序。
8.如权利要求6所记述的半导体装置制造方法，其特征在于，前述片为无纺布。
9.如权利要求6所记述的半导体装置制造方法，其特征在于，前述清扫用树脂含有密胺树脂。
10.如权利要求6所记述的半导体装置制造方法，其特征在于，前述贯穿孔比前述第一与第二金属模凹部的宽度小。
11.按权利要求6所记述的半导体装置制造方法，其特征在于，前述第一金属模具有相邻接合面凹部且比前述凹部小的第二凹部；前述片与前述贯穿孔相邻地具有第二贯穿孔或切口部；在前述(c)工序中在夹持前述片时，使前述第二贯穿孔或切口部对应于前述第二凹部。
全文摘要
清扫用片(29)，在对应于成形金属模模腔处形成贯穿孔(29a)，且在贯穿孔(29a)处周部的角部形成狭缝(29b)与流通腔用切口部(29c)，清扫用片配置于前述成形金属模的第一金属模与第二金属模间，用于清扫前述成形金属模内部；可望提高前述成形金属模清扫效果。
文档编号H01L21/56GK1444518SQ01813503
公开日2003年9月24日 申请日期2001年6月28日 优先权日2000年8月4日
发明者土田清 申请人:株式会社日立制作所, 日立米沢电子株式会社