专利名称：介质滤波器、介质双工器及通信装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在介质块地内部具有形成有内导体的内导体形成孔、在外表面具有外导体而构成的介质滤波器、介质双工器及使用它的通信装置。
背景技术：
参照图11说明现有的介质滤波器。
图11(a)所示为介质滤波器的外观立体图，图11(b)所示为开放端侧的正面图。
在图11中，1为介质块，2a-2c为内导体形成孔，3a-3c为内导体，4为外导体，5为外导体非形成部，6为输入输出电极，7a-7c为内导体非形成部。
在基本长方体形状的介质块1的内部，设有从一个面贯穿至另一个面的、内表面分别形成有内导体3a-3c的内导体形成孔2a-2c。另一方面，在介质块1的外表面，在几乎整个面上形成有外导体4。在内导体形成孔2a-2c的一个开口端附近处的内表面上设有内导体非形成部7a-7c，内导体3a-3c与外导体4隔离开，这样形成开放端。此外，将与外导体4短路的开口端作为短路端。这样，构成由内导体3a-3c、介质块1及外导体4构成的介质谐振器。
在介质块1的外表面，从内导体形成孔的排列方向两端面至相对安装基板的安装面，分别形成有通过外导体非形成部5而与外导体4隔离的输入输出电极6。
这样，由输入输出电极6和3个介质谐振器构成介质滤波器。
但如上所述的现有介质滤波器存在如下所述应解决的课题。
图12(a)所示为2级介质谐振器的等效电路图，图12(b)所示为分偶模、奇模示出的电力线状态图，图12(c)所示为考虑了跨接的耦合电容的2级介质谐振器的等效电路图。
在使用介质块由多个谐振器构成的一体型介质滤波器中，在谐振器的开放端与接地电极即外导体之间，产生如图12(a)所示的顶端电容Cs。
该顶端电容Cs产生时的电力线在偶模和奇模中分别产生如图12(b)所示的电力线。
在偶模中，电力线全部产生在谐振器与接地电极之间，而在奇模中，电力线的一部分发生在谐振器与谐振器之间。因此，在谐振器与接地电极之间产生的顶端电容Cs，奇模式的要比偶模式的小，在谐振器的开放端之间产生跨接的顶端电容dCs。在此，因为Cs是将偶模作为基准的，所以，该跨接的耦合电容dCs为负值。
这样，如果考虑谐振器的开放端之间产生的跨接的耦合电容dCs，则图12(a)所示的等效电路可以用图12(c)所示的等效电路表示。
下面参照图13，对介质谐振器为3级时的情况进行说明。
图13(a)所示为3级介质谐振器的等效电路图，图13(b)所示为具有3级介质谐振器的介质滤波器的衰减特性图。
如图13(a)所示，各谐振器在开放端与接地电极即外导体之间产生顶端电容Cs，并在各相邻谐振器的开放端之间产生跨接的耦合电容dCs1。此外，在不相邻的两端的谐振器的开放端之间，也产生比相邻谐振器开放端间产生的跨接耦合电容dCs1要小的跨接耦合电容dCs2。
此时，因为相邻谐振器间产生的跨接耦合电路dCs1是包含在谐振器间耦合电容中的，所以，对衰减特性无大的影响，但不相邻谐振器间产生的跨接耦合电容dCs2因为不同于谐振器间耦合，所以，如图13(b)所示，影响到衰减极点的位置。例如，在由3级谐振器构成、分别感应性耦合的介质滤波器的情况下，通频带的高频侧会产生两个衰减极点，如果该跨接耦合电容dCs2大，则衰减极点间隔较大，而如果跨接耦合电容dCs2小，则衰减极点间隔较窄。因此，由于该衰减极点产生位置的不同，在通频带之外得不到所希望的衰减特性。
为了解决该问题，可以考虑如图14所示的介质滤波器。
图14所示为介质滤波器的外观立体图。
图14(a)所示的介质滤波器，其内导体形成孔2b的内径比其它内导体形成孔2a、2c要大，其它的构成与图11所示的介质滤波器是相同的。此外，图14(b)所示的介质滤波器，内导体形成孔2b的内径比其它内导体形成孔2a、2c要小，其它的构成与图11所示的介质滤波器相同。
图14(a)所示的介质滤波器，因为内导体形成孔2b的内径较大，所以，内导体3b与外导体4的间隔较窄，内导体3a与内导体3c之间产生的跨接耦合电容dCs2较小，但内导体形成孔2b并不是可获得最佳Qo的内径，所以，谐振器的Qo小，对插入损失特性有不良影响。
此外，图14(b)所示的介质滤波器，因为内导体形成孔2b的内径较小，所以，内导体3b与外导体4的间隔较宽，内导体3a与内导体3c之间产生的跨接耦合电容dCs2较大，但内导体形成孔2b并不是可获得最佳Qo的内径，所以，此时谐振器的Qo也小，对插入损失有不良影响。
发明内容
本发明的目的在于，提供这样一种介质滤波器、介质双工器及具有它们的通信装置，它们能抑制谐振器的Qo变差，同时控制不相邻谐振器间产生的跨接耦合电容，据此将衰减极点设定在所希望的位置，改善通频带外的衰减特性。
本发明使多个内导体形成孔之中的至少一个内导体形成孔的横截面形状为，与内导体形成孔排列方向垂直方向的宽度比与内导体形成孔排列方向平行方向的宽度要大，这样来构成介质滤波器，减小位于该内导体形成孔两相邻位置的2个内导体形成孔的内导体间产生的电容，使衰减极点频率向不相邻2个内导体形成孔的谐振器间因跨接耦合引起的2个衰减极点的间隔变窄的方向移动。
此外，本发明使至少位于夹着1个内导体形成孔位置的2个内导体形成孔的横截面形状为，与内导体形成孔排列方向垂直方向的宽度比与内导体形成孔排列方向平行方向的宽度要大，构成介质滤波器，增大2个内导体形成孔的内导体间产生的电容，使衰减极点频率向不相邻2个内导体形成孔的谐振器间因跨接耦合引起的2个衰减极点的间隔变宽的方向移动。
此外，本发明的所有内导体形成孔，其横截面形状为，与内导体形成孔排列方向垂直方向的宽度比与内导体形成孔排列方向平行方向的宽度要大，这样来构成介质滤波器。
另外，本发明使内导体形成孔为开放端侧与短路端侧的内径不同的台阶状孔，并仅使内导体形成孔开放端侧的形状为，与内导体形成孔排列方向垂直方向的宽度比与内导体形成孔排列方向平行方向的宽度要大，这样来构成介质滤波器。
此外，本发明使内导体形成孔的开放端侧轴位置与短路端侧轴位置不相同，这样来构成介质滤波器。
此外，本发明具有所述介质滤波器而构成介质双工器。
此外，本发明具有所述介质滤波器或所述介质双工器而构成通信装置。
所述“横截面”是指相对内导体形成孔的延伸方向为垂直方向的截面。下面将内导体的横截面形状简单称为内导体的截面形状。
图1所示为第1实施形态的介质滤波器的外观立体图及正面图。
图2所示为第1实施形态的介质滤波器及传统介质滤波器的正面图。
图3所示为第1实施形态的介质滤波器及传统介质滤波器的衰减特性图。
图4所示为第2实施形态的介质滤波器的外观立体图及正面图。
图5所示为第3实施形态的介质滤波器的外观立体图及正面图。
图6所示为第3实施形态的介质滤波器及传统介质滤波器的衰减特性图。
图7所示为第4实施形态的介质滤波器的外观立体图及正面图。
图8所示为第5实施形态的介质双工器的外观立体图。
图9所示为第6实施形态的介质双工器的外观立体图。
图10所示为第7实施形态的通信装置的方框图。
图11所示为传统介质滤波器的外观立体图及正面图。
图12所示为2级介质谐振器的等效电路图及由此产生的电力线状态图。
图13所示为3级介质谐振器的等效电路图及具有该电路的介质滤波器的衰减特性图。
图14所示为传统介质滤波器的外观立体图。
具体实施例方式
参照图1-3，对第1实施形态的介质滤波器进行说明。
图1(a)所示为介质滤波器的外观立体图，(b)为其开放端的正面图。(c)为外导体未设有输入输出电极的介质滤波器的局部外观立体图。
在图1中，1为介质块，2a-2c为内导体形成孔，3a-3c为内导体，4为外导体，5为外导体非形成部，6为输入输出电极，7a-7c为内导体非形成部，11a、11b为输入输出引脚。
在基本长方体形状的介质块1的内部，设有从一个面贯穿至与其相对的面的、内表面分别形成有内导体3a-3c的内导体形成孔2a-2c。另一方面，在介质块1外表面的几乎整个面上形成有外导体4。在内导体形成孔2a-2c的内表面并在一个开口端附近，设有内导体非形成部7a-7c，由这些部分使内导体3a-3c与外导体4隔离。将该内导体非形成部7a-7c作为开放端，将与外导体4短路的开口端作为短路端。这样就分别构成由内导体3a-3c、介质块1及外导体4构成的介质谐振器。
在此，内导体形成孔2a、2c形成为剖面圆形，内导体形成孔2b形成为与内导体形成孔的排列方向垂直方向的直径比内导体形成孔的排列方向直径要长的长圆形的剖面形状。
此外，在介质块1的外表面，从内导体形成孔2a-2c的排列方向两端面至与安装基板相对的安装面，分别形成有通过外导体非形成部5与外导体4隔离的输入输出电极6。
这样，由2个输入输出电极6和3个介质谐振器构成介质滤波器。
由于做成这样的结构，故内导体形成孔2b的开口端与安装面及与此相对的上表面的距离变窄。因此，内导体3a和3c之间经介质块产生的跨接耦合电容变小。
图2所示为现有物与本发明物品的开放端侧的正面图，(a)所示为中央的内导体形成孔的剖面为圆形且直径全部相等的图，(b)所示为中央的内导体形成孔的剖面为圆形且直径较大时的图，(c)为本发明的、中央内导体形成孔的剖面为长圆形时的图。又，图2所示的尺寸单位为“mm”。
此外，图3所示为图2(a)、(b)、(c)所示各结构的介质滤波器的频率特性图。
表1示出图2(a)、(b)、(c)所示各结构介质滤波器的跨接耦合电容及Qo。
又，偶模和奇模分别有Qo，一般情况下奇模的Qo较差，对插入损失的影响大。因此，奇模的Qo良好的，作为滤波器是高特性的。
表1
如表1所示，传统的内导体形成孔的剖面为大圆形的介质滤波器及本发明的内导体形成孔的剖面为长圆形的介质滤波器与传统的内导体形成孔的剖面为圆形的介质滤波器相比，跨接的耦合电容减少。此外，Qo(odd)与圆形型的相比，大圆形型及长圆形型的均下降。
但是，内导体形成孔的剖面为长圆形的介质滤波器与内导体形成孔的剖面为大圆形的介质滤波器相比，虽然跨接的耦合电容是相同的程度，但Qo(odd模式)的劣化较少。
如图3所示，内导体形成孔的剖面为长圆形的介质滤波器(图2的(c))和内导体形成孔的剖面为大圆形的介质滤波器(图2的(b))与内导体形成孔的剖面为圆形的传统介质滤波器(图2的(a))相比，其衰减频率向跨接耦合电容引起的2个衰减极点的间隔变窄的方向移动，两介质滤波器具有基本相同的频率特性。
但是，内导体形成孔的剖面为长圆形的本发明的介质滤波器因为如表1所示，Qo(odd)较高，所以，能减少插入损失。例如，在图3所示的特性图中，在1910MHz点(虚线所示频率)处的插入损失，内导体形成孔为剖面大圆形的介质滤波器为2.33dB，而内导体形成孔为剖面长圆形的介质滤波器为2.20dB。
如上所述，通过这样设置内导体形成孔，使得当看内导体形成孔的剖面时，与内导体形成孔的排列方向垂直的宽度比与排列方向平行的宽度大，就能在抑制插入损失的劣化的情况下，使衰减极点频率向着跨接耦合引起的2个衰减极点的间隔变窄的方向移动。
另外，采用如图1的(c)所示结构的介质滤波器也能获得相同的效果，该介质滤波器在外导体4上未设置输入输出电极电极，而是通过在内导体形成孔2a、2c的开放端侧插入输入输出引脚11a、11b而与外部电路连接。
下面参照图4对第2实施形态的介质滤波器的构成予以说明。
图4(a)为介质滤波器的外观立体图，(b)为开放端侧的正面图。
图4所示的介质滤波器其内导体形成孔2a、2b、2c的剖面形状为与内导体形成孔排列方向垂直方向的长度比沿排列方向的长度要长的长圆形，内导体形成孔2a、2c的长径比内导体形成孔2b的长径要短。其它的结构与图1所示的介质滤波器相同。
通过做成这样的结构，可以使产生跨接耦合电容的内导体形成孔的形状发生变化，能在更大的范围内调整衰减极点的频率位置。
例如，若使中央的内导体形成孔2b的长径为一定，越加长两端的内导体形成孔2a、2c的长径长度，则两端谐振器间产生的跨接耦合电容就越增大，就能使衰减极点频率向加大两个衰减极点间隔的方向移动。
下面参照图5、图6，对第3实施形态涉及的介质滤波器的构成进行说明。
图5的(a)所示为介质滤波器的外观立体图，(b)所示为开放端侧的正面图。
6所示为图5所示结构的介质滤波器和图2(a)所示的传统结构的介质滤波器的频率特性图。
在图5所示介质滤波器中，内导体形成孔2a和2c的剖面形状是内导体形成孔排列方向的垂直方向长度比排列方向的长度要长的长圆形，而内导体形成孔2b的剖面形状为圆形。其它的构成与图1的介质滤波器相同。
通过做成这样的构成，由两端内导体形成孔2a、2c构成的谐振器间产生的跨接耦合电容变大，与第1实施形态所示的例子相反，可以加大跨接的耦合电容引起的两个衰减极点的间隔。
又，在本实施形态中，将中央的内导体形成孔2b设置成剖面圆形，但也可以设置为具有两端的内导体形成孔2a、2c的长径短的长径的内导体形成孔。做成这样的结构，可以调整衰减极点频率的位置。
下面参照图7，对第4实施形态涉及的介质滤波器的构成进行说明。
图7(a)所示为介质滤波器的外观立体图，(b)所示为开放端侧的正面图。
图7(c)所示为具有另外的内导体形成孔结构的介质滤波器的正面图。
图7(a)、(b)所示的介质滤波器中，各内导体形成孔是开放端侧的内径比短路端侧的内径要大的阶梯孔。此外内导体形成孔2a、2c在短路端侧与开放端侧其轴位置不相同，短路端侧的轴位置分别向靠近内导体形成孔2b的一侧偏移。其它的构成与图1所示的介质滤波器相同。
在图7(c)所示的介质滤波器中，短路端侧和开放端侧的内导体形成孔都做成长圆形的剖面形状。并且做成开放端侧的内径比短路端侧的内径要大的阶梯孔。此外，内导体形成孔2a、2c的短路端侧孔的轴位置从开放端侧孔的轴位置向内导体形成孔的排列方向端面侧的安装面侧偏移，内导体形成孔2b的短路端侧孔的轴位置向与安装面相对的上表面侧偏移。其它的构成与图4所示的介质滤波器相同。
由于做成这样的构成，改变阶梯孔的内径、形状、长度及短路端侧与开放端侧的轴位置的关系，就能提高跨接耦合电容调节的自由度。此外，谐振器间的耦合及谐振器与接地电极之间的分布常数的自由度提高。
又，上述实施形态中的介质滤波器的输入输出端从内导体形成孔的排列端面设置至安装面。除了该形态，也可以在与内导体形成孔的轴向一致的方向，设置内表面有电极的激振孔，并从内导体形成孔的开口面至安装面形成与其导通的输入输出电极。
下面参照图8，对第5实施形态涉及的介质滤波器的构成进行说明。
图8所示为介质双工器的外观立体图。
在图8中，1为介质块，2a-2f为内导体形成孔，3a-3f为内导体，4为外导体，5为外导体非形成部，6为输入输出电极，9为天线端子，10为天线激振孔。
在基本长方体形状的介质块1的内部，设有从一个面贯穿至与其相对的面的、内表面分别形成有内导体3a-3f的内导体形成孔2a-2f。另一方面，在介质块1外表面的几乎整个面上形成有外导体4。在内导体形成孔2a-2f的内表面设有内导体非形成部7a-7f，内导体3a-3f与外导体4隔离。将这些内导体非形成部7a-7f作为开放端，将与外导体4短路的开口端作为短路端。这样就分别构成由内导体3a-3f、介质块1及外导体4构成的介质谐振器。
在此，内导体形成孔2a、2c、2d、2f的剖面形状为圆形，内导体形成孔2b、2e的剖面形状为与内导体形成孔2a-2f的排列方向垂直方向的长度比内导体形成孔的排列方向长度要长的长圆形。
另一方面，在介质块1的外表面，从内导体形成孔2a-2f的排列方向两端面至与安装基板相对的安装面，分别形成有通过外导体非形成部5与外导体4隔离的输入输出电极6。另外在内导体形成孔2c与2d之间，从安装面至短路面形成有通过外导体非形成部5与外导体4隔离的天线端子9。天线激振孔10沿与内导体形成孔 2a-2f的轴向相同的方向设置。天线激振孔10的内表面形成有电极，该电极与天线端子9导通。
这样，由内导体形成孔2a-2c构成的3个介质谐振器、输入输出电极6及天线端子9构成一个介质滤波器，由内导体形成孔2d-2f构成的3个介质谐振器和输入输出电极6、天线端子9构成另一个介质滤波器。将这两个介质滤波器中的一个用作发送侧滤波器，另一个用作接收侧滤波器，这样就作为介质双工器使用。
通过做成这样的构成，能对发送侧滤波器和接收侧滤波器分别进行衰减极点的调整，能做成调整并改善了通频带之外的衰减特性的介质双工器。
下面参照图9，对第6实施形态涉及的介质双工器的构成进行说明。
在图9中，1为介质块，2a-2h为内导体形成孔，3a-3h为内导体，4为外导体，5为外导体非形成部，6a、6b为输入输出电极，7a-7h为内导体非形成部，9为天线端子，10a、10b、10c为天线激振孔。
在基本长方体形状的介质块1的内部，设有从一个面贯穿至与其相对的面的、内表面分别形成有内导体3a-3h的内导体形成孔2a-2h。另一方面，在介质块1外表面的几乎整个面上形成有外导体4。在内导体形成孔2a-2h的内表面设有内导体非形成部7a-7h，内导体3a-3h与外导体4隔离。将这些内导体非形成部7a-7h作为开放端，将与外导体4短路的开口端作为短路端。这样就分别构成由内导体3a-3h、介质块1及外导体4构成的介质谐振器。
在此，内导体形成孔2b、2d、2f、2g、2h的剖面形状为圆形，内导体形成孔2a、2c、2e的剖面形状为与内导体形成孔的排列方向垂直方向的长度比内导体形成孔的排列方向长度要长的长圆形。
另一方面，在介质块1的外表面，从安装面至短路面，分别形成有通过外导体非形成部5与外导体4隔离的输入输出电极6a、6b和天线端子9。输入输出端子6a形成在内导体形成孔2a与2g之间，输入输出端子6b形成在内导体形成孔2f与2h之间，天线端子9形成在内导体形成孔2c与2d之间。
天线激振孔10a-10c沿与内导体形成孔2a-2h的轴向相同的轴向设置。这些激振孔10a-10c的内表面形成有电极，分别与输入输出端子6a、6b及天线端子9导通。
这样，由内导体形成孔2a-2c构成的3个介质谐振器、输入输出电极6a、天线端子9、以及起陷波谐振器作用的、由内导体形成孔2g构成的介质谐振器构成一个介质滤波器。另外，由内导体形成孔2d-2f构成的3个介质谐振器、输入输出电极6b、天线端子9、以及起陷波谐振器作用并由内导体形成孔2h构成的介质谐振器构成另一个介质滤波器。将这些介质滤波器中的一个作为发送侧滤波器，另一个作为接收侧滤波器，这样作为介质双工器使用。
通过做成这样的结构，能制成这样的介质双工器，该介质双工器对发送侧滤波器和接收侧滤波器分别进行衰减极点的调整，调整并改善通频带之外的衰减特性。由此，能抑制发送侧滤波器的通频带与接收侧滤波器的通频带之间在频率区的相互信号间干扰。此外，通过设置陷波谐振器以使所述频率区产生衰减极点，能进一步提高抑制效果。
又，在上述第1、第2、第3实施形态中所示的介质滤波器和第5、第6实施形态所示的介质双工器将内导体形成孔做成直线结构，但也可以做成开放端侧与短路端侧内径不相同的有多个内导体形成孔的阶梯孔结构。
下面参照图10，对第7实施形态涉及的通信装置进行说明。
图10所示为通信装置的方框图。
在图10中，ANT为收发信天线，DPX 双工器，BPFa、BPFb、BPFc分别为带通滤波器，AMPa、AMPb分别为放大电路，MIXa、MIXb分别为混频器，OSC为振荡器，DIV为分频器(频率合成器)。MIXa用IF信号对DIV输出的频率信号进行调制BPFa仅使发送频率的频带通过，AMPa将它进行电力放大，并通过DPX从ANT进行发送。AMPb对DPX输出的信号进行放大，BPFb仅使从AMPb输出的信号之中的接收频带通过，MIXb将从BPFc输出的频率信号与接收信号进行混频，输出中间频率信号IF。
图10所示的滤波器可以使用图1、图4、图5、图7所示结构的介质滤波器，而双工器可以使用图8、图9所示结构的介质双工器。这样就能做成整体结构简单、有出色通信特性的通信装置。
根据本发明，将至少一个内导体形成孔的剖面形状做成与内导体形成孔排列方向垂直方向的宽度大于与内导体形成孔排列方向平行方向的宽度的形状，这样构成介质滤波器，就能减小相邻内导体形成孔的2个内导体形成孔的内导体间产生的电容，减小跨接耦合导致的两个衰减极点的间隔能抑制插入损失的劣化，并获得所希望的通频带外衰减特性。
此外，根据本发明，至少使2个位于夹着一个内导体形成孔位置的内导体形成孔的剖面形状为，与内导体形成孔的排列方向垂直方向的宽度大于与内导体形成孔的排列方向平行方向的宽度的形状，这样来构成介质滤波器，从而增大2个内导体形成孔的内导体间产生的电容，扩大因跨接耦合引起的2个衰减极点的间隔，从而能抑制插入损失的劣化，并能获得所希望的通频带外衰减特性。
此外根据本发明，通过将所有内导体形成孔的剖面形状做成与内导体形成孔排列方向垂直方向的宽度比与内导体形成孔排列方向平行方向的宽度大的形状，就能做成跨接耦合电容的设计自由度提高、在宽的频率范围内调整衰减极点频率的位置、能改善衰减特性的介质滤波器。
此外根据本发明，将内导体形成孔做成开放端侧与短路端侧的内径不相同的阶梯孔，内导体形成孔的开放端侧的形状为与内导体形成孔排列方向垂直方向的宽度比与内导体形成孔排列方向平行方向的宽度要大的形状，这样就能利用阶梯孔的形状设定耦合电容。由此，一种外形尺寸能设定多种耦合电容，能提高耦合电容的设计自由度。
此外，根据本发明，通过使内导体形成孔的开放端侧轴位置与短路端侧轴位置不相同，能设计多个耦合电容。由此，能做成设计自由度高的介质滤波器。
此外，根据本发明，具备上述介质滤波器，就能做成发送侧和接收侧的各通频带外衰减特性改善了的介质双工器。
此外，根据本发明，具备上述介质滤波器或上述介质双工器，就能制成有出色通信特性的通信装置。
权利要求
1.一种介质滤波器，在基本长方体形状的介质块内部，从该介质块的一个面至与其相对的另一个面，设置在各内表面形成有内导体的多个内导体形成孔，在所述介质块的外表面形成有外导体，在所述内导体形成孔的一个开口端附近设置将所述内导体与所述外导体隔离的内导体非形成部，将该内导体非形成部作为开放端，将另一开口端作为与外导体导通的短路端，其特征在于，
所述多个内导体形成孔之中的至少一个内导体形成孔的横截面形状为，与内导体形成孔排列方向垂直方向的宽度比与内导体形成孔排列方向平行方向的宽度要大，从而减小位于该内导体形成孔两相邻位置的2个内导体形成孔的内导体间产生的电容，使该2个内导体形成孔形成的谐振器间的跨接耦合引起的衰减极点频率发生移动。
2.一种介质滤波器，在基本长方体形状的介质块内部，从该介质块的一个面至与其相对的另一个面，设置在各内表面形成有内导体的多个内导体形成孔，在所述介质块的外表面形成有外导体，在所述内导体形成孔的一个开口端附近设置将所述内导体与所述外导体隔离的内导体非形成部，将该内导体非形成部作为开放端，将另一开口端作为与外导体导通的短路端，其特征在于，
所述多个内导体形成孔之中，使至少位于夹着一个内导体形成孔位置的2个内导体形成孔的横截面形状为，与内导体形成孔排列方向垂直方向的宽度比与内导体形成孔排列方向平行方向的宽度要大，从而加大该2个内导体形成孔的内导体间产生的电容，使该2个内导体形成孔导致的谐振器间的跨接耦合引起的衰减极点频率发生移动。
3.根据权利要求1或2所述的介质滤波器，其特征在于，所述内导体形成孔的所有横截面形状为，与所述内导体形成孔排列方向垂直方向的宽度比与所述内导体形成孔排列方向平行方向的宽度要大。
4.根据权利要求1或2所述的介质滤波器，其特征在于，所述内导体形成孔为在所述开放端侧与所述短路端侧其内径不同的台阶状孔，所述内导体形成孔开放端侧的形状为，与内导体形成孔排列方向垂直方向的宽度比与内导体形成孔排列方向平行方向的宽度要大。
5.根据权利要求4所述的介质滤波器，其特征在于，所述内导体形成孔的所述开放端侧轴位置与所述短路端侧轴位置不相同。
6.一种具有权利要求1或2所述的介质滤波器的介质双工器。
7.一种具有权利要求1或2所述的介质滤波器的通信装置。
全文摘要
一种介质滤波器,通过控制跨接耦合电容将衰减极点设定在希望的位置,改善通频带外的衰减特性。在基本长方体形状的介质块(1)内部,设有从一个面贯穿至与此相对的面的、内表面分别形成有内导体(3a－3c)的内导体形成孔(2a－2c),在其一个开口部附近设置内导体非形成部(7a－7c)。在介质块(1)的外表面的整个面上形成外导体(4),内导体形成孔2a、2c形成为圆形的剖面形状,内导体形成孔2b形成为与内导体形成孔排列方向垂直方向的长度比排列方向的长度要长的长圆形的剖面形状。这样,通过将位于中间的内导体形成孔2b的剖面形状设计成规定的形状,就能控制不相邻的内导体形成孔2a、2c所形成的内导体3a、3c间产生的跨接的耦合电容。
文档编号H01P1/213GK1388610SQ0212204
公开日2003年1月1日 申请日期2002年5月29日 优先权日2001年5月30日
发明者多田齐, 北市幸裕 申请人:株式会社村田制作所