专利名称：发光二极体的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种发光装置，尤指一种发光二极体。
然而，上述发光二极体存在如下缺陷1、散热性能不好一般晶片在发光时，会产生大量的热，而晶片被紧密包覆于环氧树脂保护层内，环氧树脂又属于绝热材质，晶片所产生的热仅能通过与晶片相连的两引脚导出，几乎不具散热功能，从而造成晶片的加剧衰减；而高温还会使环氧树脂变黄，影响发光二极体的品质。
2、发光二极体的波长易改变由于环氧树脂是紧紧包覆于晶片表面，晶片所产生的热量会使环氧树脂及晶片热胀冷缩，而环氧树脂及晶片的膨胀系数不同，会引起环氧树脂与晶片的相对变形，甚至产生气泡，从而改变其折射率，进而改变发光二极体的波长；另外，变形冷却后，由于其变形量的不同，还易使晶片损坏。
为实现上述目的，本实用新型的技术解决方案是一种发光二极体，包括金属导热板、绝缘外壳、晶片及保护层；金属导热板上方设有绝缘外壳，绝缘外壳上设有通孔；晶片固设于金属导热板上方，位于绝缘外壳内，绝缘外壳的通孔上盖设有保护层；金属导热板、绝缘外壳与保护层包围成一容置空间，晶片位于该容置空间之内，且晶片的两极从该容置空间内引出。
该金属导热板一侧设有两引脚，其中一引脚与金属导热板底板相连，另一引脚固定于绝缘外壳上；晶片的两引线分别与金属导热板的两脚相连。
该容置空间内可抽成真空，也可充入惰性气体。
该保护层为抗紫外环氧树脂或玻璃。
该晶片的一极朝下与金属导热板直接接触，另一极由引线与金属导热板的其中一引脚相连。
采用上述方案后，由于本实用新型的晶片下方直接与导热性能好的金属导热板接触，因此晶片发光时产生的大部分热量都可由金属导热板散发出去，这可大大增加本实用新型的散热性能；另外，晶片上方的容置空间，使晶片不会与保护层直接接触，这不仅有利于晶片上方的散热，更可避免高温直接与保护层接触，而引起保护层老化变形；从而可增加发光二极体的使用寿命及保证发光二极体的发光效果。
此外，本实用新型可在容置空间内充入惰性气体或直接抽成真空，这样可防止晶片氧化，以减少其衰减。
晶片3固设于金属导热板1上方，位于绝缘外壳2内，其两引线31、32分别与金属导热板1的两引脚11、12相连；晶片3上方的绝缘外壳2的通孔子21上盖设有保护层4；该保护层4为抗紫外环氧树脂或玻璃。
金属导热板1、绝缘外壳2与保护层4包围成一容置空间5，晶片3位于该容置空间5之内。
该容置空间5内可抽真空，也可充入惰性气体，如氮气等。
通过上述结构，由于晶片3下方直接与导热性能好的金属导热板1接触，因此晶片3发光时产生的大部分热量都可由金属导热板1散发出去，这可大大增加本实用新型的散热性能；另外，晶片3上方的容置空间5，使晶片3不会与保护层4直接接触，这不仅有利于晶片3上方的散热，更可避免高温直接与保护层4接触，而引起保护层4老化变形；从而可增加发光二极体的使用寿命及保证二极体的发光效果。
上述容置空间5内如充满空气，则空气内的氧气极易使晶片3氧化。为解决这一问题，本实用新型将容置空间5抽成真空或充入惰性气体，则可防止晶片3氧化，增加其使用寿命。
另外，本实用新型晶片3的封装方式还采用如图5所示的方式，即晶片3的N极朝下，直接与金属导热板1接触，并由引脚11引出容置空间5；而晶片3的P极朝上，再由一引线32′与金属导热板1的引脚12相连。此方式同样能达到预定的效果。
权利要求1.一种发光二极体，其特征在于包括金属导热板、绝缘外壳、晶片及保护层；金属导热板上方设有绝缘外壳，绝缘外壳上设有通孔；晶片固设于金属导热板上方，位于绝缘外壳内，绝缘外壳的通孔上盖设有保护层；金属导热板、绝缘外壳与保护层包围成一容置空间，晶片位于该容置空间之内，且晶片的两极从该容置空间内引出。
2.如权利要求1所述的发光二极体，其特征在于该金属导热板一侧设有两引脚，其中一引脚与金属导热板底板相连，另一引脚固定于绝缘外壳上；晶片的两引线分别与金属导热板的两脚相连。
3.如权利要求1所述的发光二极体，其特征在于该容置空间内可抽成真空，也可充入惰性气体。
4.如权利要求1所述的发光二极体，其特征在于该保护层为抗紫外环氧树脂或玻璃。
5.如权利要求1或2所述的发光二极体，其特征在于该晶片的一极朝下与金属导热板直接接触，另一极由引线与金属导热板的其中一引脚相连。
专利摘要一种发光二极体，包括金属导热板、绝缘外壳、晶片及保护层；金属导热板上方设有绝缘外壳，绝缘外壳上设有通孔；晶片固设于金属导热板上方，位于绝缘外壳内，绝缘外壳的通孔上盖设有保护层；金属导热板、绝缘外壳与保护层包围成一容置空间，晶片位于该容置空间之内，且晶片的两极从该容置空间内引出。由于晶片下方直接与导热性能好的金属导热板接触，因此可大大增加本实用新型的散热性能；另外，晶片上方的容置空间，使晶片不会与保护层直接接触，这不仅有利于晶片上方的散热，更可避免高温直接与保护层接触，而引起保护层老化变形。
文档编号H01L33/00GK2588538SQ0225849
公开日2003年11月26日 申请日期2002年11月12日 优先权日2002年11月12日
发明者欧阳伟 申请人:欧阳伟