专利名称：罩幕式只读记忆体的光罩检验方法
技术领域：
本发明属于记忆体检验方法，特别是一种罩幕式只读记忆体的光罩检验方法。
背景技术：
传统的光罩只读记忆体(mask read only memory；MROM)的光罩验证方法系在每一记忆体晶片制成后的记忆胞上随意的植入“0”或“1”的双态随意码。
如图1所示，记忆体晶片10具有多个植入“0”或“1”码的记忆胞、埋藏扩散(buried diffusion；BD)层12及多晶矽(poly)层14。其中由虚线圈起来的部分为有缺陷的记忆胞16，如图1所示有缺陷记忆胞16的随意码为“1”，此实施例中仅在胞元中植入码为“1”时才能测出其是否异常，亦即仅在胞元植入码为“1”时，记忆胞16的缺陷可被测试出，进而得知用以制程的光罩有缺陷。然而，若此实施例中，仅在胞元植入码为“0”时才能测出记忆胞是否异常，则无法测出有缺陷记忆胞16的缺陷，亦无法得知用以制作晶片10的光罩具有缺陷。
由于传统的测试方法无法完整测试每一记忆胞是异常，所以不能准确地验证制程使用的光罩是否有缺陷。
发明内容
本发明的目的是提供一种能完整验证罩幕式只读记忆体光罩的罩幕式只读记忆体的光罩检验方法。
本发明包括选取晶片步骤、植入随意码步骤及测试晶片步骤；选取晶片步骤系选取数个相同光罩制程的数个晶片；植入随意码步骤系在数个晶片上分别植入彼此互斥的数态随意码；测试晶片步骤系分别测试数个晶片以产生验证光罩是否有缺陷的数个测试结果。
其中选取的第一、二晶片由不同的晶圆上选取。
选取的第一、二晶片由单一晶圆中同一制程的两个区块中选取。
一种罩幕式只读记忆体的光罩检验方法，它包括选取晶片步骤、植入随意码步骤及测试晶片步骤；选取晶片步骤系选取数个相同光罩制程的数个晶片；植入随意码步骤系在数个晶片上分别植入彼此互斥的数态随意码；测试晶片步骤系分别测试数个晶片以产生验证光罩是否有缺陷的数个测试结果。
选取的数个晶片由不同的晶圆上选取。
选取的数个晶片由单一晶圆中同一制程的数个区块中选取。
由于本发明包括选取晶片步骤、植入随意码步骤及测试晶片步骤；选取晶片步骤系选取数个相同光罩制程的数个晶片；植入随意码步骤系在数个晶片上分别植入彼此互斥的数态随意码；测试晶片步骤系分别测试数个晶片以产生验证光罩是否有缺陷的数个测试结果。由于数个晶片为同一制程的四个晶片，而数态随意码为彼此互斥的随意码，故可以根据数测试结果验证用以制作数个晶片的光罩是否有缺陷。能完整验证罩幕式只读记忆体光罩，从而达到本发明的目的。
图1、为植入随意码的记忆体晶片的记忆胞阵列结构示意俯视图。
图2、为本发明实施例一植入双态随意码的记忆体晶片结构示意俯视图。
图3、为本发明实施例一植入双态反调性码的记忆体晶片结构示意俯视图。
图4、为本发明实施例二植入四态随意码的记忆体晶片结构示意俯视图。
具体实施例方式
实施例一本发明包括如下步骤
步骤一选取晶片如图2、图3所示，选取两个以同一光罩制程的第一、二晶片20、30；由于第一、二晶片20、30系同一制程，故其结构相同，其包括埋藏扩散层22及多晶矽层24，而每一记忆胞位于相邻两个埋藏扩散层22之间的多晶矽层24上，其中由虚线圈起来的部分为具有缺陷的记忆胞26、28。
选取的第一、二晶片20、30可以分别由两个以相同光罩制程的晶圆中选取或者由单一晶圆中两个以相同光罩制程的区块中选取。
步骤二植入随意码第一、二晶片20、30上分别植入双态随意码，如图2所示，在第一晶片20上植入第一双态随意码；如图3所示，在第二晶片30上植入第二双态随意码；第二双态随意码为与第一双态随意码具有相反的调性的反转调性码(reverse tone code)。
此外，并不一定在植入随意码及反转调性码为“1”时才可侦测出异常，而在植入随意码及反转调性码为“0”时侦测不出异常；亦可设定为植入随意码及反转调性码为“0”时才可侦测出异常，而在植入随意码及反转调性码为“1”时侦测不出异常。
步骤三测试晶片如图2、图3所示，测试第一、二晶片20、30；如图2所示，测试第一晶片20，由于在记忆胞28的随意码为“1”可侦测出异常，而在记忆胞26的随意码为“0”无法测出记忆胞的异常，因此，可得到随意码为“1”的记忆胞28异常的第一个测试结果；如图3所示，测试第二晶片30，由于在记忆胞26的为反转调性码的随意码为“1”可侦测出异常，而在记忆胞28的为反转调性码的随意码为“0”无法测出记忆胞异常，因此，可得到为反转调性码的随意码为“1”的记忆胞26异常的第二个测试结果。最后根据对第一、二晶片20、30的测试结果可得知用以制作第一、二晶片20、30的光罩具有两个缺陷。
实施例二本发明包括如下步骤步骤一选取晶片如图4所示，选取四个以同一光罩制程的第一、二、三、四晶片40、42、44、46；由于第一、二、三、四晶片40、42、44、46系同一制程，故其结构相同，其包括埋藏扩散层及多晶矽层，而每一记忆胞位于相邻两个埋藏扩散层之间的多晶矽层上。
选取第一、二、三、四晶片40、42、44、46可以分别由四个以相同光罩制程的晶圆中选取或者由单一晶圆中四个以相同光罩制程的区块中选取。
步骤二植入随意码如图3所示，亦可在第一、二、三、四晶片40、42、44、46上分别植入四态随意码，其系将四个彼此互斥的四态随意码分别植入四个具有胞元阵列的第一、二、三、四晶片40、42、44、46，即将第一随意码植入第一晶片40、将第一随意码变化调性而成的第二随意码植入第二晶片42、将第二随意码变化调性而成的第三随意码植入第三晶片44及将第三随意码变化调性而成的第四随意码植入第四晶片46。
步骤三测试晶片如图4所示，分别测试第一、二、三、四晶片40、42、44、46，以分别得到第一、二、三及四个测试结果。
由于第一、二、三、四晶片40、42、44、46为同一制程的四个晶片，而第一、二、三、四随意码为彼此互斥的随意码，故可以根据第一、二、三、四测试结果验证用以制作第一、二、三、四晶片40、42、44、46的光罩是否有缺陷。
权利要求
1.一种罩幕式只读记忆体的光罩检验方法，它包括选取晶片步骤、植入随意码步骤及测试晶片步骤；其特征在于所述的选取晶片步骤系选取两个相同光罩制程的第一、二晶片；植入随意码步骤系分别在第一晶片上植入第一双态随意码及在第二晶片上植入为与第一双态随意码具有相反的调性的反转调性码的第二双态随意码；测试晶片步骤系分别测试第一、二晶片以产生验证光罩是否有缺陷的第一、二测试结果。
2.根据权利要求1所述的罩幕式只读记忆体的光罩检验方法，其特征在于所述的选取的第一、二晶片由不同的晶圆上选取。
3.根据权利要求1所述的罩幕式只读记忆体的光罩检验方法，其特征在于所述的选取的第一、二晶片由单一晶圆中同一制程的两个区块中选取。
4.一种罩幕式只读记忆体的光罩检验方法，它包括选取晶片步骤、植入随意码步骤及测试晶片步骤；其特征在于所述的选取晶片步骤系选取数个相同光罩制程的数个晶片；植入随意码步骤系在数个晶片上分别植入彼此互斥的数态随意码；测试晶片步骤系分别测试数个晶片以产生验证光罩是否有缺陷的数个测试结果。
5.根据权利要求1所述的罩幕式只读记忆体的光罩检验方法，其特征在于所述的选取的数个晶片由不同的晶圆上选取。
6.根据权利要求1所述的罩幕式只读记忆体的光罩检验方法，其特征在于所述的选取的数个晶片由单一晶圆中同一制程的数个区块中选取。
全文摘要
一种罩幕式只读记忆体的光罩检验方法。为提供一种能完整验证罩幕式只读记忆体光罩的记忆体检验方法，提出本发明，它包括选取晶片步骤、植入随意码步骤及测试晶片步骤；选取晶片步骤系选取数个相同光罩制程的数个晶片；植入随意码步骤系在数个晶片上分别植入彼此互斥的数态随意码；测试晶片步骤系分别测试数个晶片以产生验证光罩是否有缺陷的数个测试结果。
文档编号H01L21/66GK1571134SQ0314646
公开日2005年1月26日 申请日期2003年7月15日 优先权日2003年7月15日
发明者何濂泽, 林明裕, 钟久华 申请人:旺宏电子股份有限公司