专利名称：接触孔洞光学邻近效应修正和掩模及半导体装置制造方法
技术领域：
本发明涉及一种微影制程技术的曝光方法，且特别是接触孔洞(contacthole)光学邻近效应(opticalproximityeffect，OPE)和掩模及半导体装置制造方法。
背景技术：
微影制程是一种把光掩模上的图案转移到覆盖在芯片上的光阻的制程。目前，随着半导体集成电路的积体层次的快速增加，微影技术所要求的线幅宽度也越来越小，同样的，各半导体组件之间的距离也日益缩短，因此，光掩模上的透光区尺寸也随之相对缩小。然而，上述的组件间的距离在曝光制程中会因为受到光学特性的影响而有其物理上的限制。特别在形成多个接触孔洞的显影过程中，当光源经过光掩模上的多个孔洞后，其所产生的高阶绕射峰会相互干涉，而产生光学邻近效应。
接触孔洞的邻近效应在设计规定(design rule)越来越小的情况下，越显现出其重要性。虽然在光掩模(photo mask)上的接触孔洞的尺寸为单一尺寸，但因图案密度的不同，而有不同的效应，造成在晶圆上的接触孔洞的尺寸不一。
目前的接触孔洞的光学邻近效应修正的困难点在于未能有效的依据图案密度的不同而加以个别修正。即使能依间距(pitch)的不同而修正不同偏差，但因接触孔洞各边的个别修正，会造成该接触孔洞的中心偏移，产生重迭的问题；或者，相邻图案的空间因修正而造成太近，甚至发生接触孔洞合并的现象。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种接触孔洞的光学邻近效应的修正方法。
本发明的另一目的在于提供一种可依据图案密度的不同而加以个别修正的方法。
本发明的又一目的在于提供一种形成大小一致的接触孔洞的方法。
本发明所提供的接触孔洞的光学邻近效应的修正方法是由如下技术方案来实现的。
一种接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征包括提供一测试光掩模，其上设置至少一间距和至少一光掩模关键尺寸的组合的多个第一孔洞图案；以该测试光掩模对一测试光阻层进行曝光显影，以于该测试光阻层中形成对应于该些第一孔洞图案的多个第二孔洞图案；量测该测试光阻层中的该些第二孔洞图案的光阻关键尺寸；根据该些光掩模关键尺寸、该些光阻关键尺寸及该些间距的对应关系，在该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下，决定每一该些光掩模关键尺寸对应的修正量；根据该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下对应的该些光掩模关键尺寸的修正量，对一制程光掩模图案的至少一接触孔洞的至少一侧边进行第一次修正；以及对该制程光掩模图案上的一次修正后的该接触孔洞进行第二次修正，成为具有面积大致与第一次修正后的该接触孔洞接近的方形，且每一中心点维持与未修正前的该接触孔洞相同。
所述的接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征是该测试光掩模分为多个区域，每一区域对应每一该些第一孔洞图案，每一孔洞图案具有成多组排列的多个孔洞，且该些孔洞间具有一设定的间距，该些孔洞具有一设定的光掩模关键尺寸。
所述的接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征是更包括建立在一设定的光阻关键尺寸下对应的光掩模关键尺寸的面积区间与至少一实际光掩模关键尺寸的对应关系；以及根据该对应关系，对该制程光掩模图案上的第一次修正后的该接触孔洞进行第二次修正。
所述的接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征是该制程光掩模图案的该些接触孔洞是一透光区，该些接触孔洞之外是一非透光区和一半透光区择一。
本发明提出一种接触孔洞的光学邻近效应的修正方法。首先，藉由测试光掩模和测试晶圆上的一测试光阻层，建立光掩模关键尺寸与光阻关键尺寸在各间距下的对应关系。接着，根据上述的对应关系，在光阻关键尺寸和间距的每一组合条件下，决定每一光掩模关键尺寸对应的修正量，以对制程光掩模图案的接触孔洞的侧边进行第一次修正。继续，对制程光掩模图案上的一次修正后的接触孔洞进行第二次修正，成为具有面积大致与第一次修正后的接触孔洞接近的方形，且每一中心点维持与未修正前的接触孔洞相同。
上述建立光掩模关键尺寸与光阻关键尺寸在各间距下的对应关系的方法，如下所述。首先，提供测试光掩模，其上设置间距和光掩模关键尺寸的组合的第一孔洞图案。接着，以测试光掩模对测试光阻层进行曝光显影，以于测试光阻层中形成对应于第一孔洞图案的第二孔洞图案。之后，量测测试光阻层中的第二孔洞图案的光阻关键尺寸。
上述的测试光掩模可分为多个区域，每一区域对应每一第一孔洞图案，每一孔洞图案具有成多组排列的多个孔洞，且孔洞间具有一设定的间距，而且孔洞具有一设定的光掩模关键尺寸。
上述对制程光掩模图案上的一次修正后的接触孔洞进行第二次修正的方法，如下所述。建立在一设定的光阻关键尺寸下对应的光掩模关键尺寸的面积区间与至少一实际光掩模关键尺寸的对应关系。接着，根据此对应关系，对此制程光掩模图案上的第一次修正后的接触孔洞进行第二次修正。
上述的制程光掩模图案的接触孔洞是一透光区，接触孔洞之外为一非透光区。
本发明还提供一种接触孔洞的制程光掩模的制造方法。
一种接触孔洞的制程光掩模的制造方法，其特征是包括提供一测试光掩模，其上设置至少一间距和至少一光掩模关键尺寸的组合的至少一第一孔洞图案；以该测试光掩模对一测试光阻层进行曝光显影，以于该测试光阻层中形成对应于该些第一孔洞图案的至少一第二孔洞图案；量测该测试光阻层中的该些第二孔洞图案的光阻关键尺寸；在该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下，决定每一该些光掩模关键尺寸对应的修正量；建立在一设定的光阻关键尺寸下对应的光掩模关键尺寸的面积区间与至少一实际光掩模关键尺寸的一第一对应关系；根据该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下对应的该些光掩模关键尺寸的修正量，对一制程光掩模图案的至少一接触孔洞的至少一侧边进行第一次修正；以及根据该第一对应关系，对第一次修正后的该制程光掩模图案的该接触孔洞进行第二次修正，以得到一制程光掩模包括该接触孔洞的对应实际光掩模关键尺寸的方形，且第二次修正后的该接触孔洞的中心点维持与未修正前的该接触孔洞相同。
所述的接触孔洞的制程光掩模的制造方法，其特征是该测试光掩模可分为多个区域，每一区域对应每一该些第一孔洞图案，每一孔洞图案具有成多组排列的多个孔洞，且该些孔洞间具有一设定的间距，该些孔洞具有一设定的光掩模关键尺寸。
所述的接触孔洞的制程光掩模的制造方法，其特征是该制程光掩模图案的该些接触孔洞是一透光区，该些接触孔洞之外是一非透光区和一半透光区择一。
本发明所提供的一种接触孔洞的制程光掩模的制造方法其方法如下所述。首先，提供一测试光掩模，其上设置间距和光掩模关键尺寸组合的第一孔洞图案。以此测试光掩模对一测试光阻层进行曝光显影，以于测试光阻层中形成对应于第一孔洞图案的第二孔洞图案，并量测测试光阻层中的第二孔洞图案的光阻关键尺寸。接着，在光阻关键尺寸和间距的每一组合条件下，决定每一光掩模关键尺寸对应的修正量，并建立在一设定的光阻关键尺寸下对应的光掩模关键尺寸的面积区间与至少一实际光掩模关键尺寸的第一对应关系。之后，根据上述所建立的光掩模关键尺寸修正量和第一对应关系分别对制程光掩模图案的接触孔洞进行第一次修正和第二次修正。经两次修正后，得到一制程光掩模包括接触孔洞的对应实际光掩模关键尺寸的方形，且第二次修正后的接触孔洞的中心点维持与未修正前的接触孔洞相同。
本发明另提供一种半导体装置的制造方法。
一种半导体装置的制造方法，其特征是包括提供一半导体基底；覆盖一光阻层于该半导体基底表面；提供具有多个接触孔洞的一制程光掩模，其中该制程光掩模的制造方法包括提供一测试光掩模，其上设置至少一间距和至少一光掩模关键尺寸的组合的至少一第一孔洞图案；以该测试光掩模对一测试光阻层进行曝光显影，以于该测试光阻层中形成对应于该些第一孔洞图案的至少一第二孔洞图案；量测该测试光阻层中的该些第二孔洞图案的光阻关键尺寸；在该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下，决定每一该些光掩模关键尺寸对应的修正量；根据该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下对应的该些光掩模关键尺寸的修正量，对一制程光掩模图案的至少一接触孔洞的至少一侧边进行第一次修正；以及对该制程光掩模图案上的一次修正后的该接触孔洞进行第二次修正，以得到该制程光掩模，其中该制程光掩模包括该接触孔洞的对应实际光掩模关键尺寸的方形，且第二次修正后的该接触孔洞的中心点维持与未修正前的该接触孔洞相同；以及将该制程光掩模上的该些接触孔洞转移至该光阻层中。
所述的半导体装置的制造方法，其特征是该测试光掩模分为多个区域，每一区域对应每一该些第一孔洞图案，每一孔洞图案具有成多组排列的多个孔洞，且该些孔洞间具有一设定的间距，该些孔洞具有一设定的光掩模关键尺寸。
所述的半导体装置的制造方法，其特征是更包括建立在一设定的光阻关键尺寸下对应的光掩模关键尺寸的面积区间与至少一实际光掩模关键尺寸的对应关系；以及根据该对应关系，对该制程光掩模图案上的第一次修正后的该接触孔洞进行第二次修正。
所述的半导体装置的制造方法，其特征是该制程光掩模图案的该些接触孔洞是一透光区，该些接触孔洞之外是一非透光区和一半透光区择一。
所述的半导体装置的制造方法，其特征是该半导体基底上的该光阻层与该测试光阻层的材质、厚度和处理条件相同。
本发明所提供的一种半导体装置的制造方法是利用上述的制程光掩模，进行曝光显影制程，以将制程光掩模上的接触孔洞转移至光阻层中。
其中，半导体基底上的光阻层与建立光掩模关键尺寸的修正量的测试光阻层的材质、厚度和处理条件相同。
本发明的优点在于本发明所提供的接触孔洞光学邻近效应修正方法，在光阻关键尺寸和间距的每一组合条件下，决定每一光掩模关键尺寸对应的修正量。并依此进行制程光掩模图案上的接触孔洞的第一次修正，再对修正后的接触孔洞进行第二次修正，以修正成面积接近第一次修正后的接触孔洞，且中心点维持与未修正前的接触孔洞相同的方形。因而能有效的依据图案密度的不同而加以修正，且不会造成接触孔洞的中心偏移，产生重迭的问题。
为对本发明的特征及其功效有进一步了解，下面列举具体实施例并结合附图详细说明。
图1是绘示光掩模上的孔洞图案的示意图。
图2是绘示图1的x-x线的剖面图。
图3是绘示光阻关键尺寸(pCD)对光掩模关键尺寸(mCD)的关系图。
图4是绘示修正前的孔洞B和第一次修正后的孔洞B’与相邻的孔洞的相对位置的示意图。
图5是绘示修正前的孔洞B、第一次修正后的孔洞B’和第二次修正后的孔洞B”的示意图。
图6是绘示光掩模上未修正前孔洞、第一次修正后的孔洞和第二次修正后的孔洞的相对位置的示意图。
图7是绘示利用6图的光掩模对光阻层进行曝光显影后的光阻层的上视图。
图8是图7的y-y线剖面图。
具体实施例方式
根据制程中预定的光阻制程(例如烘烤温度/时间、显影时间等)和曝光光源等因素下，建立一光掩模上孔洞的关键尺寸(以下简称光掩模关键尺寸)与光阻上孔洞的关键尺寸(以下简称光阻关键尺寸)在不同的间距下的对应关系。并根据此对应关系，在预定的光阻关键尺寸下，建立光掩模上的孔洞间距(d)和孔洞的单边修正量的对应关系。并依此对制程光掩模上的接触孔洞进行第一次修正，再将第一次修正后的接触孔洞进一步修正成面积接近第一次修正后的接触孔洞，且中心点与未修正前的接触孔洞维持不变的方形。以下将以步骤1至步骤3，并配合附图，对本发明做详细地说明。
步骤1光阻关键尺寸(pCD)对光掩模关键尺寸(mCD)的关系的建立首先，在选定光阻和光源等因素下，建立光掩模关键尺寸与光阻关键尺寸的关系。其建立方法如下所述。
就图1的测试光掩模10方面而言，先将光掩模10分成数区，每一区域均为多组排列的方形孔洞图案，改变参数为间距(d)和关键尺寸(CD)，即(d，CD)。如图1所示，孔洞图案R11的参数为(d1，CD1)，孔洞图案R12为(d1，CD2)，孔洞图案R13为(d1，CD3)，孔洞图案R21为(d2，CD1)，孔洞图案R22为(d2，CD2)，孔洞图案R23为(d2，CD3)，孔洞图案R31为(d3，CD1)，孔洞图案R32为(d3，CD2)，孔洞图案R33为(d3，CD3)。其中，每一孔洞图案内的孔洞为透光区，孔洞外为不透光区或半透光区。
此测试光掩模10的结构如图2所示，其为图1的x-x线的剖面图，其具一透光基板20和一不透光层、半透光层、或相位移层(phase shifter layer)22。透光基板20的材质例如是石英(quartz)。膜层22若为不透光层，则其材质例如是铬(Cr)。
之后，提供一测试晶圆，其上方已涂布特定厚度的特定光阻材质，在特定的曝光光源(例如为深紫外光、极短紫外光及X光的其中之一)下，利用上述的测试光掩模进行曝光显影制程，以将测试光掩模上的孔洞图案转移至测试光阻中。
接着，量测光阻层中对应于图1中斜线部分的孔洞的关键尺寸的大小，并找出在光掩模上具有同一间距的孔洞的关键尺寸(mCD)和光阻层中孔洞的关键尺寸(pCD)的关系，如图3所示。
值得注意的是，斜线部分的孔洞的四边均配置有间距相同的孔洞，因此光阻层中对应于图1中斜线部分的孔洞的关键尺寸的大小相同。
此外，光掩模上的孔洞为方形，斜线部分的孔洞对应于光阻层中的孔洞大致为圆形。
步骤2在固定光阻层中的孔洞的关键尺寸下，孔洞的间距对光掩模上孔洞的关键尺寸的关系的建立假设欲于光阻层中形成关键尺寸为pCD*的孔洞，则根据步骤1所建立出的图3的关系，以一理想的光掩模关键尺寸(mCD*)为基准，找出在固定pCD*的情况下，不同的间距对mCD*的偏移量，其相对关系如表1所示。其中，理想的光掩模关键尺寸(mCD*)是指在不受相邻的孔洞的影响下，对应于光阻层中关键尺寸为pCD*的孔洞的光掩模关键尺寸。
表1光掩模上孔洞图案间距(pitch) mCD*的单边修正量d1-Δ1-Δ1/2d2+Δ2+Δ2/2d3+Δ3+Δ3/2因此，在预定光阻关键尺寸为pCD*的前提下，根据表1，将光掩模上对应的孔洞依间距的不同进行修正。假设以mCD*为修正的基准点，若相邻孔洞的间距为d1，则光掩模上的孔洞的关键尺寸修正为mCD*+(-Δ1)；若相邻孔洞的间距为d2，则光掩模上的孔洞的关键尺寸修正为mCD*+(Δ2)；若相邻孔洞的间距为d3，则光掩模上的孔洞的关键尺寸修正为mCD*+(Δ3)。
假设欲对图4中的孔洞B(边长为b×b的方形)进行修正，其每一孔洞理想的边长为b。首先分析孔洞B与其侧边相对应的其它孔洞(CL，CR，CU，CL)的间距，分别为(d1，d3，d1，d2)。之后，以表1中的修正量为依据，分别对孔洞B的每一边进行修正。其左侧边、右侧边、上侧边和下侧边分别修正(-Δ1/2)、(+Δ3/2)、(-Δ1/2)和(+Δ2/2)。修正后的孔洞B’为(b-Δ1/2+Δ3/2)×(b-Δ1/2+Δ2/2)的矩形。
步骤3依光掩模上一次修正后的孔洞的面积，再进一步修正成同面积的方形，并维持中心点与未修正前的孔洞相同为了使光掩模上修正后的孔洞B’转移至晶圆上的光阻层中时，光阻层中的孔洞不会变形，并且中心位置不产生偏移，因此，对步骤2中修正后的孔洞B’再做进一步修正。
为了使二次修正前后的孔洞的曝光量(exposure)相近，因此，必须维持相同的面积。如图5所示，一次修正后孔洞B’和二次修正后孔洞B”(边长为b’×b’的方形)的面积相近，其中b’≌[(b-Δ1/2+Δ3/2)×(b-Δ1/2+Δ2/2)]1/2，而且，未修正前孔洞B和二次修正后孔洞B”的中心点M相同。
因此，设置于光掩模上的孔洞为B”，为边长b’×b’的方形。
固定参数如下光阻材质为JSRM92Y(型号)(日本合成橡胶公司制)，厚度为480nm，烘烤温度为130℃，烘烤时间为90秒，显影时间为60秒，预定的关键尺寸(pCD*)为160nm；曝光光源为248nm，数值孔径(NA)为0.68。
经上述的步骤1和步骤2后，建立了可对光掩模图案进行初步修正的孔洞图案的间距对孔洞图案的单边修正量的关系，如下表2所示。
表2间距(pitch)光掩模上孔洞图案的单边修正(单位nm) 量(以mCD*＝215(nm)为基准)350 +5(nm)
400 +5(nm)450 0500 -5(nm)550 -5(nm)600 -2.5(nm)650 -2.5(nm)700 0800 0以图6设于制程光掩模50上的孔洞图案为例，未修正前接触孔洞E、F和G的大小为215nm×215nm的方形，接触孔洞E和F的间距为400nm，接触孔洞F和G的间距为400nm。
接着，根据表2对图6的孔洞图案进行初步修正。间距为400nm的接触孔洞E和F的相邻的两侧边分别修正+5nm，间距为400nm的接触孔洞F和G的相邻的两侧边分别修正+5nm。经一次修正的接触孔洞E’、F’和G’的大小分别为215nm×220nm的矩形、215nm×225nm的矩形和215nm×220nm的矩形。
继续，为了使制程光掩模50上修正后的接触孔洞转移至晶圆70上的光阻层60中时，光阻层60中的接触孔洞不会变形，并且中心位置不产生偏移，因此，对一次修正后的接触孔洞E’、F’和G’再做进一步修正。将一次修正后的接触孔洞E’、F’和G’进一步修正成同面积的方形，且中心点与未修正前的相同，因此经二次修正后的接触孔洞E”、F”和G”其理想的大小分别约为217.5nm×217.5nm、219.9nm×219.9nm和217.5nm×217.5nm。
然而，为了单纯化光掩模的接触孔洞的制备，因此，将二次修正后的接触孔洞的边长(即关键尺寸mCD)定义为210nm、215nm、220nm和225四种，并以一次修正后的孔洞图案面积大小做区分，例如以下表3的规则做区分
表3一次修正后-45,00045,000-46,700-48,000-的孔洞图案面46,700 48,000积二次修正后的孔洞图案大 210×210 215×215 220×220 225×225小因此，将设置于制程光掩模50上的二次修正后的接触孔洞E”、F”和G”的大小分别单纯化为边长分别为220nm、225nm和220nm的方形。
请同时参阅图7和图8，其中图8为图7的y-y线的剖面图，利用此二次修正后的制程光掩模50进行微影蚀刻，使晶圆70上的光阻层60中具有接触孔洞e、f和g，其关键尺寸(pCD)大致为预定的160nm。
综上所述，根据制程中预定的光阻和光源等因素下，建立一个与光掩模关键尺寸与光阻关键尺寸相关的对应关系。并根据此对应关系，以一理想的光掩模关键尺寸(mCD*)为基准，找出在固定光阻上的关键尺寸为pCD*的情况下，建立光掩模上的孔洞间距(d)和孔洞单边修正量(Δ/2)的对应关系。并依此进行孔洞图案的修正，再将修正后的孔洞二次修正成面积接近且中心点维持与未修正前的孔洞相同的方形。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定为准。
权利要求
1.一种接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征包括提供一测试光掩模，其上设置至少一间距和至少一光掩模关键尺寸的组合的多个第一孔洞图案；以该测试光掩模对一测试光阻层进行曝光显影，以于该测试光阻层中形成对应于该些第一孔洞图案的多个第二孔洞图案；量测该测试光阻层中的该些第二孔洞图案的光阻关键尺寸；根据该些光掩模关键尺寸、该些光阻关键尺寸及该些间距的对应关系，在该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下，决定每一该些光掩模关键尺寸对应的修正量；根据该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下对应的该些光掩模关键尺寸的修正量，对一制程光掩模图案的至少一接触孔洞的至少一侧边进行第一次修正；以及对该制程光掩模图案上的一次修正后的该接触孔洞进行第二次修正，成为具有面积大致与第一次修正后的该接触孔洞接近的方形，且每一中心点维持与未修正前的该接触孔洞相同。
2.根据权利要求1所述的接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征是该测试光掩模分为多个区域，每一区域对应每一该些第一孔洞图案，每一孔洞图案具有成多组排列的多个孔洞，且该些孔洞间具有一设定的间距，该些孔洞具有一设定的光掩模关键尺寸。
3.根据权利要求1所述的接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征是更包括建立在一设定的光阻关键尺寸下对应的光掩模关键尺寸的面积区间与至少一实际光掩模关键尺寸的对应关系；以及根据该对应关系，对该制程光掩模图案上的第一次修正后的该接触孔洞进行第二次修正。
4.根据权利要求1所述的接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，其特征是该制程光掩模图案的该些接触孔洞是一透光区，该些接触孔洞之外是一非透光区和一半透光区择一。
5.一种接触孔洞的制程光掩模的制造方法，其特征是包括提供一测试光掩模，其上设置至少一间距和至少一光掩模关键尺寸的组合的至少一第一孔洞图案；以该测试光掩模对一测试光阻层进行曝光显影，以于该测试光阻层中形成对应于该些第一孔洞图案的至少一第二孔洞图案；量测该测试光阻层中的该些第二孔洞图案的光阻关键尺寸；在该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下，决定每一该些光掩模关键尺寸对应的修正量；建立在一设定的光阻关键尺寸下对应的光掩模关键尺寸的面积区间与至少一实际光掩模关键尺寸的一第一对应关系；根据该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下对应的该些光掩模关键尺寸的修正量，对一制程光掩模图案的至少一接触孔洞的至少一侧边进行第一次修正；以及根据该第一对应关系，对第一次修正后的该制程光掩模图案的该接触孔洞进行第二次修正，以得到一制程光掩模包括该接触孔洞的对应实际光掩模关键尺寸的方形，且第二次修正后的该接触孔洞的中心点维持与未修正前的该接触孔洞相同。
6.根据权利要求5所述的接触孔洞的制程光掩模的制造方法，其特征是该测试光掩模可分为多个区域，每一区域对应每一该些第一孔洞图案，每一孔洞图案具有成多组排列的多个孔洞，且该些孔洞间具有一设定的间距，该些孔洞具有一设定的光掩模关键尺寸。
7.根据权利要求5所述的接触孔洞的制程光掩模的制造方法，其特征是该制程光掩模图案的该些接触孔洞是一透光区，该些接触孔洞之外是一非透光区和一半透光区择一。
8.一种半导体装置的制造方法，其特征是包括提供一半导体基底；覆盖一光阻层于该半导体基底表面；提供具有多个接触孔洞的一制程光掩模，其中该制程光掩模的制造方法包括提供一测试光掩模，其上设置至少一间距和至少一光掩模关键尺寸的组合的至少一第一孔洞图案；以该测试光掩模对一测试光阻层进行曝光显影，以于该测试光阻层中形成对应于该些第一孔洞图案的至少一第二孔洞图案；量测该测试光阻层中的该些第二孔洞图案的光阻关键尺寸；在该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下，决定每一该些光掩模关键尺寸对应的修正量；根据该些光阻关键尺寸和该些间距的每一组合条件下对应的该些光掩模关键尺寸的修正量，对一制程光掩模图案的至少一接触孔洞的至少一侧边进行第一次修正；以及对该制程光掩模图案上的一次修正后的该接触孔洞进行第二次修正，以得到该制程光掩模，其中该制程光掩模包括该接触孔洞的对应实际光掩模关键尺寸的方形，且第二次修正后的该接触孔洞的中心点维持与未修正前的该接触孔洞相同；以及将该制程光掩模上的该些接触孔洞转移至该光阻层中。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征是该测试光掩模分为多个区域，每一区域对应每一该些第一孔洞图案，每一孔洞图案具有成多组排列的多个孔洞，且该些孔洞间具有一设定的间距，该些孔洞具有一设定的光掩模关键尺寸。
10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征是更包括建立在一设定的光阻关键尺寸下对应的光掩模关键尺寸的面积区间与至少一实际光掩模关键尺寸的对应关系；以及根据该对应关系，对该制程光掩模图案上的第一次修正后的该接触孔洞进行第二次修正。
11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征是该制程光掩模图案的该些接触孔洞是一透光区，该些接触孔洞之外是一非透光区和一半透光区择一。
12.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征是该半导体基底上的该光阻层与该测试光阻层的材质、厚度和处理条件相同。
全文摘要
本发明提出一种接触孔洞的光学邻近效应的修正方法，首先固定在制程中预定的光阻和光源等因素下，建立光掩模关键尺寸(mCD)与光阻关键尺寸(pCD)在各间距(d)下的对应关系。并根据此对应关系，在光阻关键尺寸和间距的每一组合条件下，决定每一光掩模关键尺寸对应的修正量。并依此进行制程光掩模图案上的接触孔洞的第一次修正，再对修正后的接触孔洞进行第二次修正，以修正成面积接近第一次修正后的接触孔洞，且中心点维持与未修正前的接触孔洞相同的方形。
文档编号H01L21/02GK1570760SQ0314645
公开日2005年1月26日 申请日期2003年7月15日 优先权日2003年7月15日
发明者吕灿, 吴文彬, 洪永隆, 吕承恭 申请人:南亚科技股份有限公司