专利名称：介质滤波器、介质双工器以及通讯装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种适用于高频电路的介质滤波器和介质双工器，以及一种采用介质滤波器或介质双工器的通讯装置。
背景技术：
以下三个出版物中披露了介质滤波器在一个介质块中具有多个谐振线。
日本未审查专利申请公告No.9-64616披露了一种介质滤波器，在这种介质滤波器中，在其中形成导电膜的凹槽(狭槽)设在介质块的开端面上，以便于电容性耦合相互的谐振线。
日本未审查专利申请公告No.5-335808披露了一种介质滤波器，在这种介质滤波器中，在其中形成导电膜的开槽设在介质块的端面上，从而在接近于谐振线开端的区域和开槽之间产生一个电容。
日本未审查专利申请公告No.10-256807披露一种介质滤波器，在这种介质滤波器中，各个谐振通孔具有一个台阶形式。一个大直径孔的中心轴与一个小直径孔的中心轴存在较大的偏差，以形成一个弯曲的谐振通孔。
通过通孔的相互耦合以及根据需要在通孔之间设置间距所产生的衰减峰值允许将衰减峰值的频率控制在所要求的频率。
图9A至9D显示了一例公知的介质双工器的结构；图9A是该双工器的俯视图；图9B是介质双工器的前视图，图9C是该介质双工器的仰视图，以及图9D是该介质双工器的右视图。介质双工器的基本矩形平行六面体的介质块1具有多个谐振通孔2a至2c，3，4a至4d，以及5，各自在内部形成一个导体。各个接地孔6设置在谐振通孔2a和3之间、谐振通孔2c和4a之间和谐振通孔4d和5之间，以便于能阻断它们之间的耦合。在整个接地孔6内部形成导电膜，以及将导电膜的另一端连接着外导体10。
介质块1也具有激励通孔7、8和9，各个通孔在其中形成导体。在该介质块1外表面上形成外导体10。各个激励通孔7、8和9的一段与介质块1的一端面上的外导体10相连接。一个传输端17、一个天线端18以及一个接收端19分别形成在激励通孔7、8和9的另一端，且向板的安装表面延伸。谐振通孔2至5是一个台阶孔，各自在它的开路端面有一个较大的内径(在图9B前面的另一边)以及在它的短路端面有一个较小的内径(在图9B的前面)。在图9A至9D所示的结构实例中，一个由通孔4a所形成的谐振器电容耦合(C耦合)至一个由通孔4b所形成的谐振器，一个由通孔4b所形成的谐振器电感耦合(L耦合)至一个由通孔4c所形成的谐振器，以及一个由通孔4c所形成的谐振器电容耦合(C耦合)至一个由通孔4d所形成的谐振器。
图10是显示在图9A至9D所示的介质双工器的天线端18和接收端19之间的传输特性的图形。将由通孔4a所形成的谐振器耦合至由通孔4b所形成的谐振器会产生衰减峰值Pab。将由通孔4b所形成的谐振器耦合至由通孔4c所形成的谐振器会产生衰减峰值Pbc。将由通孔4c所形成的谐振器耦合至由通孔4d所形成的谐振器会产生衰减峰值Pcd。将通孔4c和4d之间的间距设置成小于在通孔4a和4b之间的间距，从而在通带附近产生衰减峰值Pcd。
在以上出版物中所披露的任何介质滤波器中，谐振通孔是根据特性所设置的间距来排列的，以便于将谐振器相互耦合，使之具有预定的电容性或电感性的耦合。换句话说，由于衰减峰值的频率可根据在谐振通孔之间的间距而变化，与通带有关的衰减峰值的频率位置可以根据在谐振通孔之间的间距来控制。因此，在具有三个或多个谐振通孔的许多情况下，在谐振通孔之间的间距是可以变化的，正如以上所讨论的那样。
然而，由于在所成型介质块的尺寸上的变化与介质滤波器的电性能的变化有关，在谐振通孔之间的间距是较小的区域受成型介质块尺寸变化的影响较大，从而会引起制造中缺陷因素的增加。此外，在谐振通孔之间的间距较小区域中，流经该谐振通孔的电流密度会增加，从而就减小了谐振器的空载Q(Q0)。这成为在防止由于峰值的出现所引起的性能改善的因素。
发明概述为了能够解决上述问题，本发明的一个目的是提供一种介质滤波器和一种介质双工器，该双工器在没有大大减小谐振通孔之间的间距的情况下可以在其通带的较高频率一边和较低频率一边都具有衰减峰值，以及提供一种具有介质滤波器或介质双工器的通讯装置。
在本发明的第一方面提供了一种介质滤波器，该介质滤波器具有介质块且包括至少四个相互邻近和平行的谐振通孔，各个谐振通孔在其内部具有导体；在介质块的外部形成外导体；多路开槽，以及台阶。该多路开槽在内部具有内导体，该与外导体相分离，且设置在靠近至少四个谐振通孔中的3个相邻谐振通孔的附近，以便于在一个接近三个相邻谐振通孔的各个开路端面区域和在多路开槽内部的内导体之间形成一个电容。台阶在内部形成外导体，且形成在介质块的外部，以便于在一个接近两个谐振通孔的各自开路端面的区域，包括三个谐振通孔中的一个通孔和除了3个谐振通孔之外的1个谐振通孔，和台阶内部的外部导体之间形成一个电容。
在该介质滤波器中，在至少四个谐振通孔中，由三个相邻谐振通孔所形成的谐振器可以相互电容性耦合，以便于在通带的较低频率一边产生一个衰减峰值。台阶的存在增加了在接近两个谐振通孔个各自开路端面的区域和外导体之间的电容，以便于将由两个谐振通孔所形成的谐振器相互电感性耦合。采用这种结构，就能够在通带的较低频率一边和较高频率一边产生各个衰减峰值，以及在较低频率一边可以获得一个较大的衰减。
介质块较佳地还包括激励通孔，各个激励通孔都具有一个内部形成的导体，和谐振通孔，各个谐振通孔都具有一个内部形成的导体。激励通孔与至少四个谐振通孔中的任何一个通孔相耦合。该谐振通孔与相对应的激励谐振线相耦合。
采用这种结构，与激励通孔相耦合的谐振通孔具有陷波谐振器的功能，从而它有可能进一步衰减在通带中的较高频率一边和较低频率一边的预定频率带宽中的信号。
介质块较佳地还包括形成在介质块外面上的一个输入端和一个输出端，该介质块可安装在板上。多路开槽可排列在对着安装到板上的外表面的另一外表面的附近。
采用这种结构，很少有可能在邻近板的介质滤波器的其它部分和多路开槽内部的内导体之间或者在板上的电极和多路开槽内的内导体之间产生离散电容，从而可以抑制在介质块已经安装在板上之后的特性变换。
本发明的第二方面提供了一种介质双工器，它具有一个发送滤波器和一个接收滤波器。不论是发送滤波器或接收滤波器，具有较高的频率通带者是一个具有上述结构的介质滤波器。
采用该介质双工器，可以在通带的较低频率一边产生一个较大的衰减峰值。因此，很少有可能对发送滤波器或接收滤波器的频率带宽产生影响，应为它们只具有一个较低频率带宽，或者只受频率带宽的影响。
本发明的第三方面提供了一个通讯装置，它具有包括上述介质滤波器或者上述介质双工器的通讯信号处理电路。
采用这种结构，就有可能实现一个具有优良高频电路特性的小型通讯装置。
附图的简要描述图1A是根据本发明第一实施例的介质双工器的投影图，它显示了安装在板上的介质双工器。
图1B是第一实施例的介质双工器的投影图，其上面显示安装在板上的表面；图2图示了对应于第一实施例的介质双工器的一行通孔；图3是第一实施例的介质双工器的等效电路图；图4图示了在第一实施例的介质双工器中的一个天线端和一个接收端之间的特性；图5A图示了当一个多路开槽的尺寸变化时在天线端和接收端之间的传输特性变化；图5B图示了当一个台阶变化时在天线端和接收端之间的传输特性变化；图6是说明在第一实施例的介质双工器中的一个接收滤波器和一个传输滤波器之间的传输特性；图7A至7C是根据本发明的第二实施例的介质双工器在其开路端面一边的前视图；图8是显示根据本发明第三实施例一个通讯装置的结构实例的方框图；图9A显示了一例公知的介质双工器的结构实例，是该介质双工器的俯视图；图9B是该例公知介质双工器的前视图；
图9C是该例公知介质双工器的底视图；图9D是该例公知介质双工器的右视图；图10图示了图9A至9D所示的公知介质双工器中的接收滤波器的传输特性。
较佳实施例的描述图1A和1B是根据本发明第一实施例的一个介质双工器的投影图；图1A是显示安装在板上的介质双工器的投影图；图1B是显示安装在板的表面的上表面的介质双工器的投影图。
介质双工器的基本矩形平行六面体的介质块1具有多个谐振通孔2a至2c、3、4a至4d和5，各个谐振通孔都在其内部具有一个导体。介质块1也具有激励通孔7、8和9，各个激励通孔都在其内部具有一个导体。除了在图1B的最接近左端面上的外表面以外，在介质块的整个外表面上还形成了一个外导体。各个激励通孔7、8和9的一端与介质块1的一个端面上的外导体10相连接。在各个激励通孔7、8和9的另一端分别形成一个传输端17、一个天线端18和一个接收端19，且向板的安装表面延伸。谐振通孔2a至2c、3、4a至4d和5较佳地是有台阶的通孔，各自在它的开路端面(在图1B所示的介质块1的最接近左边)具有一个较大内径以及在它的短路端面(在图1B所示的介质块1的末端右边)具有一个较小内径。
多路开槽11具有一个预定宽度，一个预定长度以及一个预定深度，它形成在接近谐振通孔4a、4b和4c的位置上。多路开槽11在其内部具有一个导电膜。在多路开槽11的内部导电膜和一个接近各个谐振通孔4a、4b和4c的开路端面的区域之间产生一个电容。由于在多路开槽11的内部导电膜和一个接近各个谐振通孔4a、4b和4c的开路端面的区域之间所产生的电容，故在通带的较低频率一边会产生衰减峰值。
在接近谐振通孔4c和4d的开路端面的附近形成台阶13。外导体10向台阶13的内部表面延伸。台阶13的存在增加了在接近谐振通孔4c和4d的开路端面和台阶13的外导体10之间的电容，从而增加了在由谐振通孔4c和4d所形成谐振器之间的电感耦合的程度。
为了增加在接近谐振通孔2a、2b和2c的开路端面区域和外导体10之间的电容，形成了台阶12a和12b。台阶12a和12b的存在增加了在接近谐振通孔2a、2b和2c的开路端面区域和各台阶12a和12b的外导体10之间的电容，从而增加了在由谐振通孔2a、2b和2c所形成谐振器之间的电感耦合的程度。
在图1B所示的介质块的部分开路端面上形成外导体10，用于将激励通孔7、8和9连接着外导体10。各个接地孔6设置在谐振通孔2a和3之间、谐振通孔2c和4a之间和谐振通孔4d和5之间，以便于能阻断它们之间的耦合。在接地孔6的内部形成了一个导电膜，以及将各个导电膜的另一端连接着一个外导体10。
正如图1A和图1B所示，当形成传输端17、天线端18和接收端19的介质块1的一边端面安装在板上时，多路开槽11是与安装板相分离的。因此，就减小了在多路开槽11内部导电膜和板上的电极或其它部分之间所产生的离散电容，从而有可能抑制由于离散电容对特性所产生的变化。由于台阶13的电极是外导体10，它是接地的，所以该电极不受其它周围部分的影响。
图3是图1A和图1B所示的介质双工器的等效电路图。图2显示了对应于图3中谐振通孔2a至2c、3、4a至4d和5以及激励通孔7至9的谐振线图形。参考图3，附加在Z之后的字母，例如，Z1和Z2，对应于图2所示的谐振线序列号。具有一个一位数字后缀字母，例如，Z1，表示谐振通孔或激励通孔的自身阻抗；而具有两位数字后缀字母，例如，Z12和Z23，则表示在谐振通孔相互耦合或者谐振通孔和激励通孔之间所产生的耦合阻抗。
Z12表示在线L1和线L2之间的耦合阻抗，以及Zbc被测表示在线Lb和Lc之间的耦合阻抗。Z23是在线L2和线L3之间的耦合阻抗，Z67表示在线L6和线L7之间的耦合阻抗，Z78表示在线L7和L8之间的耦合阻抗，以及Zab表示在线La和线Lb之间的耦合阻抗。
参考图3，由于Z12和Zbc起着一个具有/2相位电路的功能，Z1与Z12组合具有陷波谐振器的功能。类似，Zc与Zbc组合具有陷波谐振器的功能。
Z34表示在谐振线L3和L4之间电感耦合的阻抗，Z45表示在谐振线L4和L5之间电容耦合的阻抗，以及Z56表示在谐振线L5和L6之间电容耦合的阻抗。Z89表示在谐振线L8和L9之间电感耦合的阻抗以及Z9a表示在谐振线L9和La之间电感耦合的阻抗。
根据第一实施例，介质块1较佳测量值为20mm宽×5.2mm深×4.5mm高。在谐振通孔之间的间距在短路端面一边设置为，例如，1.9mm。台阶13较佳的测量值为0.3mm深×0.8mm宽×3.0mm长，以便于产生大约2，050Mhz的衰减峰值。多路开槽11较佳的测量值为0.3mm深×0.4mm宽×3.0mm长，以便于在传输通带中能够获得48dB或大于48dB的衰减。
正如以上所讨论的，多路开槽11增加了在由第一实施例的谐振通孔4a、4b和4c所形成的三个谐振器之间的电容耦合。此外，构成了谐振通孔4a、4b和4c，从而进一步增加了在三个谐振器之间的电容耦合。换句话说，谐振通孔4a、4b和4c各自在其短路端面上具有一个小于开路端面的内径。在开路端面上的谐振通孔4a、4b和4c的各个内径的中心轴是偏离其在短路端面上的各个内径的中心轴，从而在开路端面上的间距小于在短路端面上的间距。多路开槽11的存在以及谐振通孔4a、4b和4c的形状允许由谐振通孔4a、4b和4c所形成的三个谐振器在其相互之间具有更强的电容耦合。
正如以上所讨论的，台阶12a和12b增加了在由第一实施例的谐振通孔2a、2b和2c所形成的三个谐振器之间的电感耦合。此外，构成了谐振通孔2a、2b和2c，从而进一步增加了在三个谐振器之间的电感耦合。换句话说，谐振通孔2a、2b和2c各自在其短路端面上具有一个小于开路端面的内径。在开路端面上的谐振通孔2a、2b和2c的各个内径的中心轴是偏离其在短路端面上的各个内径的中心轴，从而在开路端面上的间距小于在短路端面上的间距。台阶12a和12b的存在以及谐振通孔2a、2b和2c的形状允许由谐振通孔2a、2b和2c所形成的三个谐振器在其相互之间具有更强的电感耦合。
图4图示了在介质双工器中的天线端18和接收端19之间的特性。垂直轴表示从天线端18至接收端19的传输特性S21中的衰减，以及从天线端18至接收端19的反射特性中的衰减。在S11中的一个刻度表示5dB，在S21中的一个刻度表示10dB，并且实线表示0dB。水平轴表示一个线性的刻度，它的起始频率为1,730MHz且终端频率为2,130MHz。在传输特性S21中的通带高频一边的衰减Pa是通过提供台阶13来产生的，该台阶13提供了由谐振通孔4c和4d所形成的两个谐振器相互之间的电感耦合。衰减Pb产生于通带的较低频率一边，且接近于通带；而衰减Pc产生于Pb更低的频率一边，这些都是通过提供多路开槽11来产生的，该多路开槽11提供了由谐振通孔4a、4b和4c所形成的三个谐振器相互之间的电容耦合。
采用根据第一实施例介质双工器的接收滤波器的结构，由于多路开槽11会在通带的较低频率一边产生两个衰减峰值，以及由以上所讨论的陷波谐振器会产生另一衰减峰值。然而，由于陷波谐振器的衰减峰值与衰减峰值Pb相一致或者相接近，所以在图4所示的通带较低频率一边只会出现两个衰减峰值Pb和Pc。
电容耦合两个谐振器在通带较低频率一边会产生一个衰减峰值。电容耦合在三个谐振器中的相邻两个谐振器(CC耦合)在通带较低频率一边会产生两个衰减峰值。然而，从结构上来看，在第一级谐振器和第三级谐振器之间会产生一个负的电容(电容跳跃)。该负的电容使得在较低频率一边的两个衰减峰值逐步相互接近，以致两个衰减峰值相互重叠和消失，从而减小了在所对应通带中的衰减。然而，一般来说，为了避免由于电容跳跃而使得衰减峰值相互重叠，在四个谐振器中，第一级谐振器已经与第二级谐振器电容耦合，第二级谐振器已经与第三级谐振器电感耦合，第三级谐振器已经与第四级谐振器电容耦合(CLC耦合)，正如图9所示，这就会出现特性较差的问题，这是由于在谐振通孔之间间距的变化所引起的，以及由于较窄间距存在引起空载Q(Q0)降低，正如以上所讨论的。相反，在本发明的介质双工器中具有图1A、1B和2所示的多路开槽11。多路开槽11所增加的电容跳跃再次将衰减峰值相互分离开。控制多路电容就能控制在通带较低频率一边的衰减特性。
在三个谐振器中，各个相邻谐振器的电感耦合(LL耦合)也会产生一个在谐振器之间负电容。然而，与CC耦合所不同的是，在LL耦合中，一个衰减峰值以不同于另一衰减峰值的方式进行操作。因此，该衰减峰值并不会消失，该衰减峰值也不会减小。参考图1A、1B和2，在传输滤波器中的三个谐振器相互间是LL耦合的。在构成三个谐振器的谐振通孔2a、2b和2c中，增加在开路端面上(特别是，垂直于排列谐振通孔2a、2b和2c方向的主轴)的中心谐振通孔2b的内径就会减小在由谐振通孔2a、2b和2c所形成的两个谐振器之间的电容跳跃，从而可以控制在通带较高频率一边所产生的衰减峰值。
在三个谐振器之间，第一级谐振器和第二级谐振器的电容耦合以及第二级谐振器和第三级谐振器的电感耦合会在通带较高频率一边产生衰减峰值以及在通带较低频率一边产生衰减峰值。为了能在较低频率一边获得足够的衰减，正如图1A、1B和2所示，就必须构成介质双工器，使之具有由谐振通孔4a、4b、4c和4d所形成的四个谐振器，且使得三个相邻的谐振器相互CC耦合而所剩余的谐振器与相邻的谐振器电感耦合(CCL耦合)。
图5A图示了当多路开槽11的尺寸变化时在天线端18和接收端19之间的传输特性中的变化。参考图5A，A0表示当多路开槽11的尺寸设置在预定的数值时的特性，且等于图4所示的传输特性S21。A1表示当谐振通孔4a、4b和4c与外导体10之间所产生的电容随着多路开槽11而增加时的特性，A2表示表示当谐振通孔4a、4b和4c与外导体10之间所产生的电容随着多路开槽11而减小时的特性。
为了增加在多路开槽11内部导电膜的电容，例如，通过提供在图1A所示的谐振通孔4a、4b和4c附近的多路开槽，增加多路开槽11的深度，或者增加介质块1的长度，使得在较低频率一边的衰减峰值Pc移至更低的频率，正如Pc1所示。相反，为了减小在多路开槽11内部导电膜的电容，例如，通过提供离谐振通孔4a、4b和4c较远的多路开槽，减小多路开槽11的深度，或者减小介质块1的长度，使得在较低频率一边的衰减峰值Pc移至更高的频率，正如Pc2所示。在通带较高频率一边的衰减峰值就难以移动。
衰减峰值Pb的衰减产生于通带较低频率一边且接近于通带，它随着在衰减Pb的较低频率一边的衰减峰值Pc的频率移至更低频率而减小。因此，确定多路开槽11的位置和尺寸，从而可以获得在通带较低频率一边所需的频率带宽和衰减。
图5B图示当台阶13变化时在天线端18和接收端19之间传输特性中的变化。B0表示当台阶13的尺寸设置在预定数值时的特性，该数值也是获得图4所示特性时的数值。B1表示当表示当谐振通孔4a、4b和4c与外导体10之间所产生的电容随着台阶13尺寸而增加时的特性，B2表示表示当谐振通孔4a、4b和4c与外导体10之间所产生的电容随着台阶13尺寸而减小时的特性。正如图5B所示，随着在台阶13中所产生的电容增加，在谐振器之间电感耦合的程度也会增加，从而将通带较高频率一边的衰减峰值Pa移至更低的频率，正如Pa1所示。相反，随着在台阶13中所产生电容的减小，衰减峰值Pa就会移至更高的频率，由Pa2所示。随着在较高频率一边的衰减峰值Pa的频率移至更低频率，就会减小在较低频率一边的衰减峰值Pb的衰减。因此，可根据在通带的较高频率一边和较低频率一边的预定频率带宽中所需要的衰减特性，来确定台阶13的尺寸。
正如以上所讨论的，可以在不改变谐振器之间的间距的情况下，来设置衰减峰值的频率。由于采用成型技术来形成介质块可以稳定地设置多路开槽11的尺寸，在特性中的变化是小的，且可以在没有增加成本因素的情况下来改善质量，例如，特性控制，从而一般降低了其成本。
图6图示了根据本发明第一实施例的介质双工器中的接收滤波器和传输滤波器的传输特性。Rx表示接收滤波器的传输特性，而Tx表示传输滤波器的传输特性。正如图6所示，较低频率一边可作为传输频率带宽，而较高频率一边可作为接收频率带宽。在较低频率一边衰减的衰减峰值Pb和Pc产生在传输频率带宽中的预定频率带宽中的信号。在较高频率一边衰减的衰减峰值Pa产生在接收频率带宽中的预定频率带宽中的信号。在通带较高频率一边的传输滤波器的衰减峰值Pd是由于台阶12a和12b的电感耦合所产生，其衰减信号是在接受频率带宽中预定频率带宽中。
现在参考图7A至7C来讨论根据本发明第二实施例的介质双工器的三种结构实例。
图7A至7C是第二实施例的介质双工器以其开路端面一边的前视图。在图7A所示的介质双工器中，多路开槽11的左边和右边两端是向下折叠的，从而更加接近于谐振通孔4a和4c。采用这样的结构，在谐振通孔4a和4c之间的电容耦合可以大于在谐振通孔4a和4b之间的电容耦合以及可以大于在谐振通孔4b和4c之间的电容耦合，以便于确定在通带的较低频率一边所产生的衰减峰值的频率和衰减。
在图7A所示的介质双工器中，台阶13的左边和右边的两端也是向上折叠的，从而更加接近于谐振通孔4c和4d。采用这样的结构，就有可能在台阶13区域较小时有效地产生在两个谐振器之间的电容耦合。
在图7B所示的介质双工器中，多路开槽11和台阶13分别具有不同于图7A所示的性状。可以根据需要来确定多路开槽11和台阶13的性状和尺寸。
在图7C所示的介质双工器中，形成了台阶13a和13b，以便于在台阶13a和13b与接近于谐振通孔4c和4d的开路端面的区域之间产生一个电容。采用该结构，可以增加在上述谐振通孔和外导体10之间的电容，从而增加在谐振通孔之间的电感耦合。
尽管谐振通孔2a至2c、3、4a至4d和5是以台阶孔来显示的，各个孔都具有一个纵向剖面形状。在该形状中，内径从开路端面向短路端面逐渐变化，但是在第一实施例和第二实施例中，它们都是一个直孔，各自从开路端面到短路端面都具有一个恒定的内径。即使台阶孔，谐振通孔2a至2c、3、4a至4d和5在开路端面上的各自内径的中心轴与在其短路端面上的各自内径的中心轴相一致，而不同于谐振通孔2a至2c、3、4a至4d和5在开路端面上的各自内径的中心轴与在其短路端面上的各自内径的中心轴相偏离的情况。在其它情况下，采用多路开槽11和台阶13可以获得相同的效果。
尽管在第一和第二实施例中的所有介质双工器都具有在一个单一介质块中的传输滤波器和接收滤波器，但是本发明也可以应用于一个简单的带通滤波器，该带通滤波器在其通带的较高频率一边和其通带的较低频率一边具有各自的衰减峰值。
图8是显示根据本发明第三实施例的通讯装置的结构实例的方框图。参考图8，通讯装置包括一个传输-接收天线ANT，一个双工器DPX，带同滤波器BPFa和BPFb，放大器AMPa和AMPb，混频器MIXa和MIXb，一个振荡器OSC，以及一个频率合成器SYN。
混频器MIXa将发送的中频信号IF与由频率合成器SYN所提供的信号相混合。带通滤波器BPFa只传输由混频器MIXa所提供的混频信号中的传输频率带宽中的信号。放大器AMPa放大由带通滤波器BPFa所传输的信号。该放大信号通过双工器DPX并且通过传输-接收天线ANT来发送。放大器AMPb接受由双工器DPX所提供的接受信号。带通滤波器BPFb只传输由放大器AMPb所提供的接收信号中在接收频率带宽中的信号。混频器MIXb将由频率合成器SYN所提供的基带信号与接收信号混频并输出接收到的中频信号IF。
任何根据第一和第二实施例的介质双工器都可以应用于图8所示的双工器DPX。在第一和第二实施例的介质双工器中，具有传输滤波器结构的介质滤波器可以应用于带通滤波器BPFa，而具有接收滤波器结构的介质滤波器可以应用于带通BPFb。
尽管已经采用特殊实施例讨论了本发明，但是对本领域的熟练人士来说，许多其它变化和改进以及使用都将显而易见。因此，较佳的是，本发明并不限于本文所披露的特定实施例，而只受附加权利要求的限制。
权利要求
1.一种介质滤波器，其特征在于，它包括一个介质块；至少四个谐振通孔，这些谐振通孔在所述介质块中相互相邻且平行，各个谐振通孔在其内部表面具有各自形成的导体；一个外导体，它形成在所述介质块的至少一个外部表面上；一个多路开槽，它形成在所述介质块中且具有一个形成在其内部表面上的内导体，所述内导体与所述外导体相分离，所述多路开槽排列在接近于至少四个谐振通孔中的三个相邻的谐振通孔，从而在所述三个相邻谐振通孔的各自开路端面附近的一个第一区域和所述多路开槽的内导体之间产生一个电容；和，一个台阶，它形成在所述介质块上，所述外导体在所述台阶中延伸，从而在近于至少四个谐振通孔中的两个谐振通孔的各自开路端面的一个第二区域和在所述台阶中的外导体之间产生一个第二电容，所述两个谐振通孔包括三个相邻谐振通孔中的一个谐振通孔，并且一个谐振通孔不是三个相邻的谐振通孔。
2.根据权利要求1所述介质滤波器，其特征在于，还包括一个激励通孔，它形成在所述介质块上，所述激励通孔具有一个形成在其内部表面的导体，所述激励通孔与在至少四个谐振通孔中的任何一个谐振通孔相耦合。
3.根据权利要求1所述介质滤波器，其特征在于，还包括一块安装板，在所述板上安装所述介质块；和，一个输入端和一个输出端，形成在安装在所述安装板上的所述介质块的一个外表面上，其中，所述多路开槽排列所述介质块的一个外表面上，该表面是安装在所述安装板上的所述介质块外表面的另一表面。
4.根据权利要求2所述介质滤波器，其特征在于，还包括一个安装板，在所述板上安装所述介质块；和，一个输入端和一个输出端，形成在安装在所述安装板上的所述介质块的一个外表面上，其中，所述多路开槽排列所述介质块的一个外表面，该表面是安装在所述安装板上的所述介质块外表面的另一表面。
5.一种介质双工器，其特征在于，它包括一个传输滤波器；和，一个接收滤波器，其中，所述传输滤波器和所述接收滤波器中至少有一个是根据权利要求1所述介质滤波器。
6.一种介质双工器，其特征在于，它包括一个传输滤波器；和，一个接收滤波器，其中，所述传输滤波器和所述接收滤波器中至少有一个是根据权利要求2所述介质滤波器。
7.一种介质双工器，其特征在于，它包括一个传输滤波器；和，一个接收滤波器，其中，所述传输滤波器和所述接收滤波器中至少有一个是根据权利要求3所述介质滤波器。
8.一种包括一个通讯信号处理电路的通讯装置，所述通讯信号处理电路包括根据权利要求1所述的介质滤波器。
9.一种包括一个通讯信号处理电路的通讯装置，所述通讯信号处理电路包括根据权利要求2所述的介质滤波器。
10.一种包括一个通讯信号处理电路的通讯装置，所述通讯信号处理电路包括根据权利要求3所述的介质滤波器。
11.一种包括一个通讯信号处理电路的通讯装置，所述通讯信号处理电路包括根据权利要求5所述的介质双工器。
12.一种包括一个通讯信号处理电路的通讯装置，所述通讯信号处理电路包括根据权利要求6所述的介质双工器。
13.一种包括一个通讯信号处理电路的通讯装置，所述通讯信号处理电路包括根据权利要求7所述的介质双工器。
全文摘要
一种介质滤波器具有一个介质块且该介质块包括至少四个相互相邻的谐振通孔。多路开槽排列在至少四个谐振通孔的三个相邻通孔附近。多路开槽具有一个形成在其内部表面上的内导体，以便于在三个相邻通孔的各自开路端面附近的一个第一区域和多路开槽的内导体之间产生一个第一电容。形成一个台阶，从而在至少四个谐振通孔的两个通孔的各自开路端面附近的一个第二区域和处在该台阶内的一个外导体之间产生一个第二电容。采用该多路开槽和三个相邻通孔，可以在通带的较低频率一边产生一个衰减峰值，以及采用两个通孔和在台阶内的外导体，可以在通带的较高频率一边产生一个衰减峰值。
文档编号H01P1/213GK1551405SQ20041004345
公开日2004年12月1日 申请日期2004年4月30日 优先权日2003年5月9日
发明者後川祐之, 多田齐, 加藤英幸, 幸, 後川 之 申请人:株式会社村田制作所