专利名称：高密度引脚的组成结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种高密度引脚的组成结构，特别涉及一种应用在承载连接晶片而构成可对外导电的导线架引脚组成结构改良，使引脚可高密度交错并简易排列。
背景技术：
现今电子产品设计发展趋势，是以多功能、高容量(高记忆量)、高传输率及精巧化为主流，甚少单一产品仅具有单一功能的，相对的即要求内部功能性电晶体更为精小，而且电晶体必须有更为细密且多量的引脚与电路板连接，以高速而大量的输出或记录符合上述目的之资讯。请参阅图8、图9所示，因承载晶元30的导线架10的引脚20必须具有多量且高密度结构，容易因焊锡扩散而发生二引脚20相接触的瑕疵，因此坊间制造导线架10的接脚20结构时，常是冲压引脚20底部具有一凸块201，以该凸块201底端作为与电路板焊接的导接面202，且特别将相邻另一引脚20的凸块201设为错开于不同位置，藉此形成交错状排列以防止焊锡相互沾染。
但是，习见的导线架10各引脚20的凸块201结构是采用模具冲压制造成型，在被要求各凸块201必须构成交错状排列的情形下，不仅模具制造困难(尤其是冲压如针状的引脚20)、导线架10成本无法降低，而且容易发生冲压时的瑕疵情形，不仅导致质量管理成本增加，而且影响组成后电晶体的良品率。
发明内容
本发明的目的是要解决上述导线架的引脚因焊锡扩散而发生二引脚相接触的问题，而提供一种可克服上述缺点的高密度引脚的组成结构。
本发明具有供晶片载置以对外电性连通的导线架，其特征在于，该导线架具有复数块状并呈数排列置的引脚，该块状引脚具有下端面作为与外界电性连通的导接面，该引脚的导接面设有至少一阻绝体遮蔽导接面一部分，各引脚的阻绝体呈间隔交错位置排列状设置，使各阻绝体相邻的外露状导接面也形成间隔交错排列状态；藉此组成引脚具有交错外露状排列的导接面结构，可防止二引脚间因焊锡扩散导致的接触问题发生，因本发明使用阻绝体结构及排列状态的实施，不仅比习知引脚冲压交错排列的凸块实施制造方式更为方便、简易，而且可避免采用直接冲压交错排列凸块的困难技术，相对的即可使模具成本、冲压制造成本降低，容易精密的实施组成交错排列导接面，并易于进行质量管理控制，因此，可提高晶体良品率及稳定性。
所述的引脚可形成为矩形形状；所述的引脚底端形成至少一凹阶面，于该凹阶面相邻处形成一凸块及凸块底面的一导接面；所述的引脚的底端内边及靠近中间处分别形成有一凹阶面，以形成二个间隔分离的凸块及凸块底面的一导接面；所述的引脚其中一凸块的导接面设有遮蔽的阻绝体；所述的阻绝体可以用绝缘膜贴覆或点胶凝固或以封胶体构成；该阻绝体可以在晶片载置于导线架之前或之后实施构成。
图1为本发明矩形块状引脚实施阻绝体的剖视示意图。
图2为本发明矩形块状引脚实施阻绝体以形成外露导接面交错排列的底视示意图。
图3为本发明引脚设有凸块及阻绝体的剖视示意图。
图4为本发明引脚设有凸块及阻绝体的另一剖视示意图。
图5为本发明引脚设有二凸块及阻绝体的剖视示意图。
图6为本发明以封胶体构成阻绝体的示意图。
图7为本发明阻绝体实施于四排引脚的示意图。
图8为习知引脚呈交错排列的剖视示意图。
图9为习知引脚呈交错排列的底视示意图。
具体实施例方式
请参阅图1、图2、图3、图4、图5所示，本发明是针对提供晶片3载置而可以对外电性连通的导线架1之引脚11组成结构的改良，其具有导线架1，该导线架1依晶片3或外界电性设备(如电路板的排列状接点位置及数目)需求，构成有复数个矩形块状并且呈数排列置的金属材质引脚11结构，使块状引脚11具有上端至少一晶片3的载置面111，及下端面作为与外界电性连通的导接面112，其排列数目及排列状态如图2、图7所示，可为二排或四排或其它数目，并可呈平行或放射或其它规则或不规则形状排列；而且各引脚11排列构成导线架1的方式，可采用金属材料制成，而直接承载晶片3利用封胶体4封装并裁切后，构成引脚11独立固定而可对外电性连接的导线架1；或以金属材料制成引脚11后，先施以封胶固定并且裁切(即未载置晶片3前先封胶固定引脚11)，以构成独立一物品可供载置晶片3的导线架1。
本发明是于导线架1载置晶片3封装前或载置晶片3封装后，特别选定各引脚11下端的导接面112处设有至少一绝缘材质构成的阻绝体2，如图2所示，藉阻绝体2遮蔽引脚11的导接面112一部分(该阻绝体2形状为各式构形)，而且各引脚11的阻绝体2呈间隔交错位置排列状设置，如图2所示，以使各阻绝体2相邻的外露状导接面112也形成间隔交错排列状态，藉此即组成本发明之高密度引脚11具有交错外露状排列的导接面112结构，以使引脚11高密度设置并防止焊锡互相沾染。
如上所述，该引脚11底面设置阻绝体2以形成交错外露状排列的导接面112，其中，引脚11结构并不以矩形块状为限，如图3、图4所示，可为块状引脚11内及外端或内端形成一凹阶面113a、113b，以该凹阶面113a、113b供晶片3延伸的金属导线5连接，且恰于凹阶面113a、113b相邻处形成一凸块114a、114b及其底面的一导接面112，藉此并于导接面112设有构成交错排列的阻绝体2，以形成交错外露状排列的导接面112；或如图5所示，该块状引脚11可于内端及靠近中间处分别形成一凹阶面113c，以形成二个间隔开的凸块114c及其底面的导接面112，藉此分别选定其中一凸块114的导接面112设有遮蔽而构成交错排列的阻绝体2，使另一凸块114的导接面112外露呈交错排列状，也可达成上述防止引脚11间焊锡互相沾染的功能；因此，本发明之引脚11结构不必拘于特定，凡是采用以引脚11底端作为对外导接点的任何结构形状，均可依上述特征据以实施阻绝体2遮蔽的一部分。
另外，本发明于导线架1的藉此引脚11导接面112构成与至少一阻绝体2的方式，是可于导线架1载置晶片3前或载置晶片3并封装后采用一种绝缘膜黏贴构成，或以点胶凝固方式构成阻绝体2，或如图6所示，利用针对晶片3或导线架1构成封装的封胶体4，使封胶体4延伸于引脚11的导接面112，藉此构成阻绝体2遮蔽导接面112一部分的结构，并形成其余导接面112外露呈交错排列状态；因此，凡是足以成形或黏贴固定于引脚11的底面导接面112而绝缘遮蔽一部分的实施例，均被本发明所述阻绝体2结构及交错排置特征所含盖及可实施的状态。
利用本发明之绝缘质阻绝体2遮蔽导线架1引脚11的导接面112一部分结构，是使其余导接面112外露呈交错排列状，以预防组装时的焊锡等导电物质相互沾染，故可令导线架1设有更密集且多数的引脚11，以供晶片3连接使用，以达成符合现今电子产品多功能、高容量(高记忆量)、高传输率及精巧化的需求。尤其因本发明的绝缘质阻绝体2结构及排列状态的实施，不仅比习知引脚20冲压交错排列的凸块201实施制造方式更为方便、简易，而且可避免采用直接冲压交错排列凸块201的困难技术，相对的即可使模具成本、冲压制造成本降低，容易精密的实施组成交错排列导接面112，并易于进行质量管理控制，因此，可提高晶体良品率及稳定性。另外，也可将导接面112面积设计略大，再依电路板接点尺寸及位置随时控制阻绝体2所遮蔽的大小范围，故可使外露而交错排列状的导接面112更具规格弹性变化效益，藉此，可充分的与电路板等外界设备配合使用。
权利要求
1.一种高密度引脚的组成结构，其是具有供晶片载置以对外电性连通的导线架，其特征在于该导线架具有复数块状并呈数排列置的引脚，该块状引脚具有下端面作为与外界电性连通的导接面，该引脚的导接面设有至少一阻绝体遮蔽导接面一部分，各引脚的阻绝体呈间隔交错位置排列状设置，使各阻绝体相邻的外露状导接面也形成间隔交错排列状态；藉此组成引脚具有交错外露状排列的导接面结构。
2.根据权利要求1所述的一种高密度引脚的组成结构，其特征在于所述的引脚可形成为矩形形状。
3.根据权利要求1所述的一种高密度引脚的组成结构，其特征在于所述的引脚底端形成至少一凹阶面，于该凹阶面相邻处形成一凸块及凸块底面的一导接面。
4.根据权利要求1所述的一种高密度引脚的组成结构，其特征在于所述的引脚的底端内边及靠近中间处分别形成有一凹阶面，以形成二个间隔分离的凸块及凸块底面的一导接面。
5.根据权利要求1所述的一种高密度引脚的组成结构，其特征在于所述的引脚其中一凸块的导接面设有遮蔽的阻绝体。
6.根据权利要求1所述一种高密度引脚的组成结构，其特征在于所述的阻绝体可以用绝缘膜贴覆或点胶凝固或以封胶体构成。
7.根据权利要求1所述一种高密度引脚的组成结构，其特征在于所述的阻绝体可以在晶片载置于导线架之前或之后实施构成。
全文摘要
本发明公开了一种高密度引脚的组成结构，其是针对习见导线架交错状引脚的改良，其导线架具有复数排列的块状引脚，于引脚底端形成有至少一导接面，特别选定各引脚的导接面设有至少一阻绝体，各引脚的阻绝体呈间隔交错设置，使各阻绝体所相邻的外露状导接面形成间隔交错排列状，藉此达成引脚可高密度排列并简易实施制造，而可克服习知导线架的引脚因焊锡扩散而发生二引脚相接触的问题。
文档编号H01L23/48GK1697173SQ20041004420
公开日2005年11月16日 申请日期2004年5月12日 优先权日2004年5月12日
发明者连世雄 申请人:宏连国际科技股份有限公司