专利名称：具有位置对照用标记的半导体器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件，尤其涉及主表面上具有位置对照用标记的半导体器件。
背景技术：
在半导体器件的制造工序中，存在通过识别位置对照用标记，来特定位置的工序。例如，在包括存储单元的半导体器件的制造工序中，有特定切换电路用的熔丝位置的工序。包括存储单元的半导体器件因制造工序中混入异物等而存在单元的一部分不良的情况，而多设置了预先预备的单元。当发现单元不良的情况下，通过切换电路而将不良单元置换为预备的单元。该置换中，多采用通过切断电路中形成的预定熔丝，而指定特定的单元地址的方法。对于熔丝切断，广泛采用通过照射激光线而熔断的激光微调方式。为了特定熔丝的位置，而在半导体器件中形成位置对照用标记。使用与进行熔断的激光相同的激光，通过扫描在半导体器件上形成的位置对照用标记，检测来自位置对照标记上形成的高反射率部和其周围部分的低反射率部的反射光的反差来识别位置对照用标记的位置。
作为包括位置对照用标记的半导体器件，在特开2001-168194号公报中公开了形成在与熔丝元件相同的薄膜上形成的低光反射率区域的半导体器件。该半导体器件在低光反射率区域中将作为与熔丝元件为相同薄膜的多结晶硅薄膜多数形成为点状。或者，在硅基板上形成由氧化硅膜等形成的第一绝缘膜，在第一绝缘膜上部分形成点状的多结晶硅薄膜。位于形成点状多结晶硅薄膜的区域上方的铝膜表面为凹凸状，而漫反射照射到该部分的光。可以将该区域作为低光反射率区域。另一方面，没有形成多结晶硅薄膜区域上的铝膜表面平坦，而可以作为高光反射率区域。这样，公开了形成了低光反射率区域和高光反射率区域的位置决定用图案。
另外，在特开平7-335721号公报中公开了具有增大反射光强度差的校准标记的半导体器件。作为该校准标记，在表面设置了使激光向垂直向上方向反射的平坦部和使激光漫反射的凹凸部。在垂直上方，虽然从校准标记中的平坦部得到强反射光，但是仅可从凹凸部得到弱反射光。这是因为凹凸部中，因表面的凹凸而漫反射了大部分激光。这样，反射光的差变大，而可进行校准标记的正确识别。
随着近年来半导体器件的细微化或高速化，各种各样新材料开始用于半导体器件的制造。例如，高速化中，为降低布线的电阻值而使用铜来作为布线材料，为了实现防止该布线层的铜扩散的目的，而在布线层上面形成氮化硅膜等。另外，作为布线层间的材料，使用与现有的层间材料相比相对介电常数低的材料。为实现半导体器件的性能而开始使用这些新材料。因此，在通过激光线扫描位置对照用标记的情况下，这些材料的反射特性和折射特性等光学特性并不必然限于最佳。
因此，在半导体器件的制造工序中，在使用激光等光源来光学识别预定的位置对照用标记的情况下，而产生除了本来标记的反射光之外，来自周围的噪声很多标记识别困难的问题。若大致划分，位置对照用标记由高反射率部和低反射率部构成。若由激光来扫描该标记，则可得到主要由高反射率部反射的光强度强的部分和主要由低反射率部及低反射率部正下面的层积边界反射的光强度弱的部分的反射波形。若半导体器件内部层积的各绝缘膜全部由氧化硅膜形成，则各层积膜间的折射率差很小。因此，入射到低反射率部的激光透过了由氧化硅膜构成的各绝缘膜。从低反射率部反射的激光强度变小，而可得到可明确识别强光部分和弱光部分的良好反射波形。但是，如上所述，作为绝缘膜，除形成氧化硅膜之外，还形成氮化硅膜和碳化硅膜这样的绝缘膜的情况下，各绝缘膜间折射率不同。例如，在相邻层积氧化硅膜和氮化硅膜的情况下，各个膜的折射率不同。因此，入射来的激光在氧化硅膜和氮化硅膜的边界面上，一部分反射，从低反射率部返回的激光强度相对变大。尤其，若半导体器件内部增加布线层，则通过布线层表面反射的激光也增多。因此，来自高反射率部的光强度和来自低反射率部的光强度差变小，而产生不能正确特定位置对照用标记的位置的问题。
另一方面，半导体器件的多层化正在发展，在系统LSI(LargeScale Integrated Circuit)中，在半导体器件内部形成6层以上的布线层的情况增多。若层积数增多，存在各个层的膜厚偏差相加，多层的厚度偏差大的情况。依赖于该厚度偏差，从低反射率部反射的光的强度也产生偏差，还产生位置对照用标记的识别不稳定的问题。特别，随着半导体器件的细微化，熔断熔丝工序中所要求的位置决定精度很高，另一方面，因绝缘层上形成了各种材料的膜的构成材料的变化，维持识别位置对照用标记的位置的精度变得困难。
发明内容
本发明为解决上述问题而作出，其目的是提供一种不依赖于半导体器件的构造，可稳定识别位置对照用标记的半导体器件。
为实现上述目的，基于本发明的半导体器件的第1a方面中，表面具有包含高反射率部和平坦的低反射率部的位置对照用标记；形成多个嵌入部，内部具有将与所述嵌入部的周围不同的物质填充到所述嵌入部的折射膜；在将所述高反射率部投影到所述折射膜时，在避开为所述高反射率部的阴影部分的区域的至少一部分上形成所述嵌入部。
另外，基于本发明的半导体器件的第二方面中，表面具有包含高反射率部和平坦的低反射率部的位置对照用标记；内部包括具有凹凸的漫反射膜；在将所述高反射率部投影到所述漫反射膜时，在避开为所述高反射率部的阴影部分的区域的至少一部分上形成所述凹凸。
从与附图相关联理解的与本发明有关的下面详细说明中可明白本发明的上述和其他目的、特征、方面和优点。
图1A和图1B是位置对照用标记的说明图；图2是基于本发明的实施例1的第一半导体器件的截面图；图3是与图2的III-III线有关的向视截面图；图4是基于本发明的实施例1的第二半导体器件的截面图；图5是与图4的V-V线有关的向视截面图；图6是由激光扫描情况下所得到的反射波形的示意图；图7是基于本发明的实施例2的半导体器件的截面图；图8是与图7的XIII-XIII线有关的向视截面图；图9A和图9B是基于本发明的实施例2的第一硅基板的说明图；图10A和图10B是基于本发明的实施例2的第二硅基板的说明图；图11是基于本发明的实施例2的漫反射膜的凸部的放大截面图；
图12是基于本发明的实施例2的凸部的斜视图；图13A和图13B是基于本发明的实施例2的漫反射膜的说明图；图14～图16是基于本发明的实施例2的第一制造方法的工序图；图17～图20是基于本发明的实施例2的第二制造方法的工序图。
具体实施例方式
参照图1～图6，说明基于本发明的实施例1的半导体器件。
图1A是说明形成位置对照用标记的位置的示意平面图；图1B是位置对照用标记的平面图。如图1A所示，在形成存储单元等的熔丝配置区域30的周围形成位置对照用标记1。本实施例中，位置对照用标记1在四个位置形成，而使其包围熔丝配置区域30的周围。如图1B所示，位置对照用标记1包括高反射率部2和作为高反射率部2的周围部分的低反射率部3。低反射率部3是半导体器件的表面形成的氮化硅膜的一部分。高反射率部2形成为板状，并在低反射率部的上侧形成。低反射率部3是半导体器件主表面的一部分，没有凹凸形状，而是平坦的。在两个位置形成高反射率部2，使其与长向方向彼此垂直。在使用具有接近红外区域波长的光来作为扫描位置对照用标记用的激光的情况下，作为高反射率部2，例如，形成Al、Cu等的金属布线层。作为接近红外区域波长的激光，例如，使用具有1.0μm～1.35μm左右波长的激光。
图2和图3表示本实施例的第一半导体器件。图2是第一半导体器件的位置对照用标记的部分的示意截面图。本实施例的半导体器件在硅基板10的主表面上形成氮化硅膜11、碳化硅膜12、第一氧化硅膜20和第二氧化硅膜21作为绝缘层。在作为折射层的第一氧化膜膜20中形成多个第一嵌入部4。形成第一嵌入部4，使其贯通第一氧化硅膜20。另外，将图2的截面形状形成为梯形。在半导体器件的主表面上侧形成高反射率部2。位置对照用标记的低反射率部是氮化硅膜11的平坦主表面。低反射率部是氮化硅膜11的主表面中高反射率部2的周围区域。
第一氧化硅膜20作为主要折射激光用的折射层形成。在半导体器件的上面形成高反射率部2。将高反射率部2投影到第一氧化硅膜20时，在避开为高反射率部2的阴影部分的区域中，在位置对照用标记的区域整体正下方形成第一嵌入部4。本实施例中，形成为包围为高反射率部2阴影部分的周围。彼此相隔一定间隔形成第一嵌入部4。
图3表示与图2的III-III线有关的向视截面图。图3截面图的大致中央的带状部分是将高反射率部投影到第一氧化硅膜20时为阴影的投影区域31，投影区域31的两侧是将低反射率部投影到第一氧化硅膜20时为阴影的投影区域32。形成第一嵌入部4，使得平面形状为长方形，有规则地形成第一氧化硅膜20。形成第一嵌入部4，使其长向方向与投影区域31的长向方向平行或垂直。形成第一嵌入部4，使其在大致正方形的网格线上配置一个网格形状。
在第一嵌入部4中填充与第一嵌入部4的周围不同的物质。即，本实施例中，填充与第一氧化硅膜20不同的物质。对于所填充的材料，除了以半导体为主材料的物质之外，还可以是反射率高的铜和铝等金属。
本实施例中，虽然在作为折射层的第一氧化硅膜中形成了第一嵌入部4，但是第一嵌入部4也可在作为其他绝缘膜的氧化硅膜11和碳化硅12上形成。虽然第一嵌入部4的平面形状是矩形，但是并不限定于该形态，例如，也可形成平面形状为圆形的第一嵌入部。另外，图2截面图中，虽然形成第一嵌入部4，使其截面形状为梯形，但并不限于该形态，例如，也可形成为截面形状为长方形。即，形成第一氧化硅膜20和第一嵌入部4的边界，使其与激光入射的方向平行。另外，也可以在将高反射率部2投影到第一氧化硅膜20时的高反射率部2的阴影部分上形成第一嵌入部4。另外，也可不如图3所示有规则地形成第一嵌入部4，也可以在不规则位置上形成第一嵌入部4。
图4和图5表示本实施例的第二半导体器件。图4是第二半导体器件的位置对照用标记的部分的示意截面图。该半导体器件除第一氧化硅膜20、第二氧化硅膜21之外，还包括第三氧化硅膜22。在第三氧化硅膜22的内部形成第二嵌入部5。折射层是第一氧化硅膜20和第三氧化硅膜22。在第二半导体器件中，形成两层折射层。在半导体器件的内部形成这些折射层，半导体器件的表面平坦。
图5是表示与图4的V-V线有关的向视截面图。在第一氧化硅膜20的内部形成矩形的第一嵌入部4。形成第一嵌入部4，使得各个长向方向与高反射率部的投影区域31的长向方向平行。形成第一嵌入部4，使其相隔一定间隔后排成一列。形成多个该列，使其彼此平行。在第三氧化硅膜22的内部形成第二嵌入部5，使其与第一嵌入部4同样为矩形。形成第二嵌入部5，使得各个长向方向与第一嵌入部4的长向方向垂直。形成第二嵌入部5，使其相隔一定间隔后排成一列，形成该列，使其彼此平行。使各个列交互地形成第一嵌入部4和第二嵌入部5。这样，有规则地配置第一嵌入部4和第二嵌入部5。
另外，形成第二嵌入部5，使得从形成高反射率部2侧透视看时，不与第一嵌入部4重叠。形成第一嵌入部4和第二嵌入部5，使其将高反射率部投影到各个层时，避开为高反射率部阴影的高反射率部的投影区域31。对于其他构成，与本实施例的第一半导体器件相同，所以这里不重复说明。
使用激光，对各个位置对照用标记进行位置对照用标记的识别。如图1B所示，在与高反射率部2的长向方向垂直的激光扫描方向40进行由激光进行的扫描。对各个高反射率部2及其周围部分(低反射率部3)进行由激光进行的扫描。在图1B所示的位置对照用标记中，对两个位置的高反射率部2进行激光扫描。
图6表示接收激光的反射光后得到的反射波形。反射波形包括波峰部50和波谷部51。相对来说光强度大的波峰部50是主要接收由高反射率部反射的光的部分，波峰部50两侧的光强度小的波谷部51是主要接收由低反射率部反射的光的部分。在图1B所示的位置对照用标记中，通过在两个位置的高反射率部2中进行激光扫描，而可得到各自的反射波形。通过特定该反射波形的波峰部50的位置，而可特定位置对照用标记的位置。反射波形中，波峰部50的反射光强度与其两侧的波谷部51的强度差越大，反差越大，越可正确特定位置对照用标记的位置。
入射到位置对照用标记的激光在折射率不同的物质媒体的边界边进行反射和折射(或透光)边入射。图2中，箭头41、42、43、44表示入射激光的轨迹的一例。入射到第一氧化硅膜20的激光的一部分如箭头41所示，冲撞第一嵌入部4和第一氧化硅膜20的边界后反射。另外，如箭头42所示，进入第一嵌入部4内部后，在第一嵌入部4和第一氧化硅膜20的边界折射而改变方向。对于各层边界上的反射光，如箭头43所示，在第一嵌入部4的边界折射而改变方向或如箭头44所示，在第一嵌入部4的边界反射而改变方向。
这样，作为折射层的第一氧化硅膜通过折射或反射进入位置对照用标记的激光，而可得到与向各个方向散射同样的效果。尤其具有散射从低反射率部进入内部的激光效果。因此，通过各层边界面反射入射到低反射率部的激光，而抑制回到入射方向，并可减弱反射波形的波谷部的光强度。另一方面，入射到高反射率部的激光大部分通过高反射率部的表面反射而回到入射方向，而识别为反射波形的波峰部。结果，所得到的反射波形的波峰部和波谷部的光强度差变大，而可提高位置对照用标记的识别精度。
另外，基于现有技术的半导体器件中，由于光的波动性，而被绝缘膜的膜厚偏差大大影响，对于反射波形的波峰部和波谷部，还存在强度不一定的情况。基于本发明的半导体器件中，入射到半导体器件的激光通过折射层，其方向改变为各个方向。因此，可得到不依赖于绝缘膜的膜厚偏差，波谷部的光强度一定的反射波形。这样，基于本发明的半导体器件难以受形成多个的绝缘膜的膜厚影响，而可得到反差明显的激光的反射波形。
另外，基于本发明的半导体器件，其折射膜不必要在与形成熔丝层相同的层中形成，也可在半导体器件内部的任意绝缘膜上形成。也可在半导体器件内部中应为高反射率部正下方区域(投影高反射率部而为阴影的区域)周围形成嵌入部。另外，也可在应为高反射率部正下方区域中形成嵌入部。因此，不需要严格调整高反射率部和嵌入部的位置，而使形成高反射率部时的自由度变大，容易进行设计，同时，可以容易形成高精度的位置对照用标记。
另外，现在的多层布线工艺中，在形成布线层和层间膜后，而存在通过机械化学研磨方法(CMPChemical Mechanical Polishing)，使各布线的层间膜平坦的工序。各层的边界不形成为凹凸，而为平坦。因此，伴随CMP法的制造方法时，如现有技术那样，在布线层上形成凹凸，沿该凹凸而形成位置对照用表面的凹凸(例如，特开平7-335721号公报)是不可能的。另一方面，基于本发明的制造装置即使采用伴随CMP法的制造方法，也可适用。
对于第一嵌入部4，也可通过形成为贯通第一氧化硅膜20，使第一嵌入部4的侧面积变大，而增大通过侧面反射和折射的效果。另外，如图3所示，通过有规则地形成第一嵌入部4，在折射层中也可使激光的散射效果更均匀。结果，在反射波形中可以使波峰部和波谷部变得平坦，也可得到反差更明显的反射波形。
本实施例的第二半导体器件中，在半导体器件内部形成两层折射层。基于本发明的半导体器件可形成多层具有散射激光功能的折射层。通过形成多层折射层，可以在半导体器件内部使激光散射效果增大，也可减弱反射波形的波谷部的激光强度。因此，可得到反差更大的反射波形。
通过在形成熔丝区域的周围形成这种位置对照用标记，可高精度地识别位置对照用标记，而可高精度地特定熔丝位置。尤其，由于根据晶片状态的最终检查的检查结果来进行熔丝切断，所以需要在包含到熔丝切断工序为止的所有制造工序的制造偏差等状态下特定位置。因此，比其他工序更稳定地进行校准是困难的。若将本发明适用于熔断熔丝工序，则可以高精度地特定位置对照用标记的位置，使用本发明的效果变得显著。通过根据用途和装置来改变位置对照用标记的大小、图案等，本发明的半导体器件也可适用于其他标记。例如，也可适用于分级等的标记。
(实施例2)参照图7到图22，说明基于本发明的实施例2的半导体器件。
图7是本实施例的半导体器件的位置对照用标记部分的示意截面图。在硅基板上面形成氮化硅膜11、碳化硅膜12和氧化硅膜20、21等。在主表面形成高反射率部2的情况与实施例1的第一半导体器件相同。作为低反射率部的氮化硅膜11的上面平坦的情形也与实施例1的第一半导体器件相同。
在本实施例的半导体器件的硅基板10a的上部形成凸部7a。硅基板10a是主要进行漫反射的漫反射膜。形成凸部7a，使其截面形状为山型，重复密集形成一定形状的凸部7a。在为位置对照用标记区域整体的正下方形成凸部7a，形成凸部7a，使其相对于入射来激光的方向。与实施例1的第一半导体器件相同，高反射率部2在半导体器件的主表面上形成为平板状。
图8是表示与图7的XIII-XIII线有关的向视截面图。箭头所示的方向是扫描激光的激光扫描方向40。将高反射率部2投影到硅基板10a时为阴影的部分是高反射率部的投影区域31。高反射率部的投影区域31的周围为将低反射率部投影到硅基板时为阴影的低反射率部的投影区域32。
图9A和图9B表示作为漫反射膜的第一硅基板10a的说明图。图9A是硅基板10a的平面图，图9B是与图9A的IXB-IXB线有关的向视截面图。本实施例的凸部7a在平板状的基板上面具有彼此连接地配置成三角柱的形状。凸部7a的截面形状如图9B所示，为山型。图9A的平面图中的山的棱角线形成为彼此平行。
图10A和图10B表示作为本实施例的第二漫反射膜的硅基板10b。图10A是硅基板10b的平面图，图10B是图10A的与XB-XB线有关的向视截面图。在该硅基板10b的上侧形成的凸部7b一个接一个地具有四棱锥形状。密集地有规则形成凸部7b，使其彼此连接。如图10A所示，应为凸部7b底面的形状为正方形。这样，形成为漫反射膜的凹凸，也可密集地将具有一个立方体形状的凸部形成为矩阵状。一个凸部没有必要是四棱锥，例如也可以是圆锥。虽然凸部的前端为尖，但是前端也可不为尖。进一步，特定各个凸部的形状困难，也可形成不定形的凸部。
另外，本实施例中，虽然在硅基板上形成凹凸来作为漫反射膜，但是也可不限于该实施例，作为漫反射膜也可在内部的其中一个绝缘层中形成凹凸。进一步，也可形成多层漫反射膜。
对于其他构成，由于与实施例1的第一半导体器件相同，所以这里不重复说明。
图8中，在激光扫描方向40上进行由激光进行的扫描。入射到低反射率部的激光在各层边界中边进行反射和折射(或透光)边入射。入射到高反射率部2的大部分光向入射方向反射。
图11表示对于入射到作为漫反射膜的硅基板10a的激光的说明图。图11是凸部7a的放大截面图。激光的入射光52与凸部7a的表面冲撞，而分为反射光53a和折射光54a(或透过光)。反射光53a再次与相邻的凸部7a冲撞，而分为反射光53b和折射光54b(或透过光)。通过形成凸部7a，到达漫反射膜的激光在彼此相邻的凸部间反复反射、折射(或透过)。折射光54a、54b与凸部7a冲撞，折射或反射高度不同。通过以各种高度折射或反射激光，而可增大散射光的效果。另外，折射光54a、54b一部分由漫反射膜吸收。
这样，通过进行反射、折射(或透过)和吸收，而可抑制激光返回到位置对照标记的一方。因此，可减小反射波形的波谷部的光强度。另一方面，入射到高反射率部的激光大部分通过高反射率部的表面反射，而得到反射波形的波峰部。这样，可以减小反射波形的波谷部的光强度，可增大反射波形的反差。进一步，通过将波峰部和波谷部的光强度设为一定而可得到反差明显的反射波形。
下面，说明漫反射膜的功能。当漫反射膜中形成的凸部周期比所入射的激光线的波长长的情况下，所入射的激光线中不产生衍射光。即，将激光按直线状入射到凸部。因此，形成漫反射膜的凸部部分可看作与对入射激光具有平均折射率的媒体相同。
例如，如图12所示，假定具有一个形状为四棱锥的凸部7b的漫反射膜。从正上方入射波长λ的激光。将形成凸部x方向和y方向的各个凸部的周期设为Ax和Ay。另外，将凸部的一个高度设为h，将凸部7b内部的折射率设为n1，将凸部7b周围的折射率设为n2。
图13A是折射率为n(z)的媒体的斜视图。图13B是高度z与折射率n(z)的关系曲线。如图13A和图13B所示，该凸部7b部分与折射率n为高度方向z的函数的n(z)的媒体等价。即，如图13A所示，对于依赖高度方向z改变折射率的媒体，可看作与从正上方入射波长为λ的激光情况相同。图13B曲线化Z方向的平均折射率的变化，横轴是折射率，纵轴是高度。该媒体顶点的折射率与处于凸部周围的物质的折射率相同，为n2。随着接近于媒体的底面，折射率慢慢变大，媒体底面的折射率与凸部内部的折射率为同一值，为n1。可以看出，凸部7b的部分可看作与这种折射率连续慢慢变化的媒体等价。所谓该平均折射率是对于所入射的激光在z位置上的折射率的平均值。
所入射的激光如图13B所示，通过慢慢变化平均折射率，而向各个方向散射。一般，光的反射多数发生在产生折射率的急剧变化的位置上，但是通过连续慢慢变化折射率，激光不能大部分向垂直向上方向反射，而可减小向位置对照标记反射的光的强度。该折射率的变化越平稳，越可以有效地抑制漫反射膜的激光线反射。由此，凸部7b的宽高比(h/Ax或h/Ay)最好大于2。
虽然漫反射膜的凸部可以分隔一定间隔后形成，但是本实施例的漫反射膜反复密集形成凸部。通过采用该构成，可使激光的散射效果增大。另外，通过反复形成一定形状的凸部，而使激光向多个方向大致均匀的散射。
进一步，虽然本实施例的漫反射膜仅为1层，但是最好形成两层以上。通过形成多层漫反射膜，可以通过各个漫反射膜散射入射的激光，即使对于透过了一层漫反射膜的激光，也可通过其他漫反射膜来散射激光，进一步，可提高散射激光的效果。
对于其他作用和效果，由于与实施例1的半导体器件相同，所以这里不进行反复说明。
参照图14到图16，说明本实施例的漫反射膜的第一制造方法。这里的漫反射膜是凸部的顶部平坦的漫反射膜。如图14所示，在半导体基板35的主表面上形成抗蚀剂图案36。接着，如图15所示，将抗蚀剂图案36作为掩膜，而在露出的硅基板等半导体基板35上进行异向性蚀刻。通过进行异向性蚀刻，可形成缺口，使得越靠近上面，开口越大。之后，如图16所示，去除抗蚀剂图案36，而可在半导体基板的上面形成凸部8a。在该半导体基板的上面形成包括氧化硅膜、氮化硅膜等的绝缘膜等，而在半导体器件的表面上形成金属布线层而作为位置对照用标记的高反射率部。这样，可在硅基板上形成具有凸部的漫反射膜。
参照图17到图20，说明本实施例的漫反射膜的第二制造方法。如图17所示，在半导体基板35的上面形成氧化硅膜37。在氧化硅膜37的上面通过CVD法或喷溅法等，形成无定形硅膜38。接着，如图18所示，在无定形硅膜38的上面形成抗蚀剂图案36。抗蚀剂图案36的开口部分为蚀刻区域。接着，如图19所示，将抗蚀剂图案36作为掩膜，而对从开口部露出的无定形硅膜38实施异向性蚀刻。通过实施异向性蚀刻，而可得到越向抗蚀剂图案36，越形成大缺口的无定形硅膜38。接着，如图20所示，去除抗蚀剂图案36。这样，可在无定形硅膜38上形成彼此连续的相邻凸部8b。之后，与第一制造方法相同，形成包括氧化硅膜的绝缘膜和高反射率部。这样，可在半导体器件的内部形成漫反射膜。
根据本发明，可以在半导体器件的内部散射激光，可以提供一种不依赖于半导体器件的结构，可以稳定识别位置对照用标记的半导体器件。
虽然详细说明、表示了本发明，但是其仅仅是示例，并不作限定，应该明白仅通过附加的权利要求来限定发明的精神和范围。
权利要求
1.一种半导体器件，其特征在于表面上具有包含高反射率部和平坦的低反射率部的位置对照用标记；形成多个嵌入部，内部具有将与所述嵌入部周围不同的物质填充到所述嵌入部的折射膜；在将所述高反射率部投影到所述折射膜时，在避开成为所述高反射率部的阴影部分的区域的至少一部分上形成所述嵌入部。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述嵌入部形成为贯通所述折射膜，并当从形成所述高反射率部侧看所述折射膜时，其被有规则地配置。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于形成两层以上所述折射膜。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于具有熔丝，在形成所述熔丝的区域周围形成所述位置对照用标记。
5.一种半导体器件，其特征在于表面具有包含高反射率部和平坦的低反射率部的位置对照用标记；内部包括具有凹凸的漫反射膜；在将所述高反射率部投影到所述漫反射膜时，在避开成为所述高反射率部的阴影部分的区域的至少一部分上形成所述凹凸。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于所述凹凸为重复密集形成一定形状的凸部。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于形成两层以上所述漫反射膜。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于具有熔丝，在形成所述熔丝的区域周围形成所述位置对照用标记。
全文摘要
半导体器件在表面具有包含高反射率部(2)和平坦的低反射率部的位置对照用标记，形成多个第一嵌入部(4)，其内部包括将与第一嵌入部(4)周围不同的物质填充到第一嵌入部(4)的第一氧化硅膜(20)。在将高反射率部(2)投影到第一氧化硅膜(20)时，避开为高反射率部(2)的阴影部分区域的至少一部分上形成第一嵌入部(4)。
文档编号H01L21/027GK1577835SQ200410062020
公开日2005年2月9日 申请日期2004年6月25日 优先权日2003年6月27日
发明者井户康弘, 岩本猛, 河野和史 申请人:株式会社瑞萨科技