专利名称：晶片处理装置及晶片处理方法
技术领域：
本发明涉及一种晶片处理装置及晶片处理方法，特别是涉及可一边相应于被粘接体尺寸切断热敏性粘接片一边确实地将该粘接片粘接到被粘接体的晶片处理装置及晶片处理方法。
背景技术：
在将形成了电路面的半导体晶片(以下简称“晶片”)单片化为芯片后，拾取各芯片，粘接(芯片接合)到引线框。该芯片接合在晶片处理工序中可通过预先贴着用于芯片接合的热敏粘接性的粘接片而进行。
作为这样的粘接片的贴着装置，例如公开于专利文献1。公开于该文献的贴着装置具有第一台、片供给装置、压辊、切割器、第二台、及加热装置；该第一台对晶片进行吸附支承，同时，保持为使芯片接合用的粘接片临时粘接的预备加热温度；该片供给装置将粘接片供给到晶片上面侧；该压辊推压被供给到晶片上面侧的粘接带，将该粘接片临时粘接于晶片；该切割器沿晶片的外周缘切断粘接片；该第二台对临时粘接了粘接片的晶片进行吸附支承；该加热装置配置于该第二台的上方。
支承于上述第二台的晶片由上述加热装置加热到比预备加热温度高的温度，这样，成为粘接片完全粘接于晶片的构成。
专利文献1日本特开2003-257898号公报发明的公开发明要解决的问题然而，在公开于专利文献1的构成中，由于粘接片在受到预备加热温度的状态下沿晶片外周缘被切断，所以，该外周缘位置的粘接片成为带粘性的状态。因此，除了难以顺利地由切割器进行切断动作外，还存在这样的问题，即，在切断时，粘接剂转移到切割器的刀尖区域，在之后的沿晶片外周缘切断临时粘接于晶片的粘接片时不能以良好的精度进行切断。
另外，还存在这样的问题，即，由于将进行粘接片的临时粘接的第一台保持为预备加热温度，所以，当贴着比晶片平面面积大的粘接片时，有时从该晶片的外周缘伸出的粘接片部分牢牢地粘接于台，难以除去沿晶片外缘切断粘接片后的外周侧无用粘接片部分。另一方面，如果上述无用粘接片部分完全未粘接于第一台，则无用粘接片部分成为自由状态，所以，当将粘接片贴着到晶片上时，粘接片由其姿势保持用的张力和压辊的推压力而被拉伸，发生折皱，成为在晶片与粘接片间卷入气泡的状态，这将成为导致粘接片的贴着不良的主要原因。
另外，在公开于专利文献1的构成中，对于贴着有重合了粘接片与保护带的状态的原材料片(原シ一ト)的晶片，当用机械手将晶片移载到用于剥离上述保护带的台上时，需要一时返回到常温，所以，需要用于降温的时间，降低了整体上实施晶片处理工序时的处理效率。另外，由于也不进行从第一台将晶片移载到第二台时的温度控制，在将晶片移载到第二台后，对该晶片进行加热，所以，从这一点考虑，也成为使晶片处理效率下降的主要原因。
发明内容
本发明就是着眼于这样的问题而做出的，其目的在于提供一种晶片处理装置及晶片处理方法，该晶片处理装置及晶片处理方法在将热敏粘接性的粘接带贴着到晶片等被粘接体、将粘接带切断成被粘接体的大小时，可一边防止粘接剂转移到切断机构侧，一边顺利地进行切断，将粘接带贴着到被粘接体。
本发明的另一目的在于提供一种晶片处理装置，该晶片处理装置在将粘接片贴着到晶片时，可避免产生于该晶片周围的无用粘接片部分牢牢地粘接到贴着台的面上，另一方面，在将粘接片贴着到晶片时，不会在该晶片上的粘接片中产生折皱。
另外，本发明的再一目的在于提供一种在将粘接片贴着到需要温度控制的晶片的场合可实现温度控制时间的缩短、提高整体的处理效率的晶片处理装置。
用于解决问题的手段为了达到上述目的，本发明的晶片处理装置具有支承被粘接体的台，将热敏粘接性的粘接片供给到上述被粘接体上面而将该粘接片贴着到被粘接体的贴着单元，及将上述粘接片按各被粘接体切断的切断机构；其中上述台采用控制为第一温度、第二温度、及第三温度的构成；在该第一温度，临时粘接上述粘接片；在该第二温度，使上述粘接片的粘着性下降，切断被粘接体周围的粘接片；在该第三温度，使粘接片完全粘接到被粘接体。
在本发明中，上述台将被粘接体保持为上述第一至第三温度地由分别独立的台构成。
另外，本发明的晶片处理装置包含支承半导体晶片作为被粘接体的台，将呈带状的热敏粘接性的粘接片供给到半导体晶片的上面侧进行贴着的贴着单元，及将上述粘接片按每个半导体晶片切断的切断机构；其中上述切断机构具有沿宽度方向切断上述粘接片的宽度方向切断功能和沿半导体晶片的外周切断粘接片的周向切断功能；上述台具有被控制为第一温度而将上述粘接片临时粘接到半导体晶片的贴着台，被控制为比第一温度低的第二温度而切断上述半导体晶片周围的粘接片的外周切割用台，及被控制为比上述第一温度高的第三温度而将粘接片完全粘接到半导体晶片的粘接用台。
上述晶片处理装置还包含移载上述半导体晶片的移载装置，该移载装置具有温度调整单元，该温度调整单元在上述各台间移载上述半导体晶片期间对该半导体晶片的温度进行调整。
另外，采用这样的构成，即，还包含将完全贴着了上述粘接片的半导体晶片移载到安装装置的移载装置，该移载装置具有在将半导体晶片移载到安装装置期间对半导体晶片的温度进行调整的温度调整单元。
另外，上述贴着台具有内侧台部和围住该内侧台部的外侧台部，该外侧台被控制为比上述内侧台部低的温度。
另外，采用这样的构成，即，在上述内侧台部与外侧台部间安装导热构件，由该导热构件将外侧台部加热到比内侧台部低的温度。
另外，上述内侧台部和外侧台部分别独立地受到温度控制。
另外，上述粘接片可使用芯片接合片。
另外，上述粘接片可使用通过硬化而形成保护膜的保护用片。
另外，上述切断机构包含切割器，该切割器的前端位置可在沿宽度方向切断粘接片的位置和沿被粘接体外缘切断的位置间进行位置调整。
另外，本发明采用的晶片处理方法在半导体晶片的上面侧贴着呈带状的热敏粘接性的粘接片；其中，包含以下工序将上述半导体晶片或对其进行支承的台保持为第一温度，将上述粘接片临时粘接于半导体晶片的工序；通过使临时粘接了上述粘接片的半导体晶片保持为比第一温度低的第二温度，从而降低粘接片的粘着性，切断半导体晶片周围的片部分的工序；及使上述半导体晶片和粘接片成为比第一温度高的第三温度，将该粘接片完全粘接到半导体晶片的工序。
上述晶片处理方法可采用这样的方法，即，还包含通过移载装置将上述粘接片完全粘接了的半导体晶片移载到安装装置的工序，在该移载工序期间，通过上述移载装置冷却半导体晶片。
在本说明书中，“临时粘接”是指，将粘接片贴着于晶片等被粘接体，相应于该被粘接体的形状等切断粘接片时，表现出不在贴着的区域产生粘接片的剥离或卷起的程度的初期粘接性；“完全粘接”是指，比临时粘接更强的粘接状态，表现出不会因切割工序、拾取工序等后续工序使得粘接片从被粘接体发生剥离的程度的粘接性。
发明的效果按照本发明，在将粘接片临时粘接到被粘接体后，成为使该粘接片的粘着性下降的第二温度，所以，可顺利地进行在该温度下切断粘接片的处理时的切断动作。
因此，当作为被粘接体以晶片为对象沿该晶片的外周缘切断粘接片时，粘接剂不会转移到切割器的刀尖区域，可按良好的精度对依次作为处理对象送来的每个晶片进行切断。
另外，在采用保持了第一至第三温度的台分别独立的构成的场合，可避免在一个台进行不同的温度控制的场合的时滞，也可使各台的温度控制简易化。
另外，贴着台具有内侧台部和外侧台部，可分别控制温度，从而使得即使热敏粘接性的粘接片比半导体晶片的平面尺寸大，也可将与半导体晶片对应的区域保持为临时粘接温度，可消除位于其外周侧作为无用粘接片部分被除去的部分牢牢地粘接于外侧台的问题。此时，无用粘接片部分相对外侧台部按不妨碍除去或剥离的程度粘接，还可避免在成为非粘接的场合可能发生的晶片上的粘接片产生折皱等情况。
另外，可由移载装置进行半导体晶片的温度控制，所以，在移载被粘接体时，可简易而且迅速地调整到预先设定的温度。而且，在安装装置中不需要调整半导体晶片的温度，可立即进行安装处理，可提高作为晶片处理装置整体的处理效率。
另外，由于切割器具有宽度方向切断功能和周向切断功能，所以，可共用单一的切割器形成为简易的构成。
图1为示出本实施方式的晶片处理装置的整体构成的示意平面图。
图2为用于按历时顺序说明晶片处理工序的示意截面图。
图3为示出晶片初期处理工序和贴着装置的正面图。
图4为贴着装置的示意透视图。
图5为示出进行粘接片的临时粘接的初期阶段的示意正面图。
图6为临时粘接粘接片、沿宽度方向切断该片时的示意正面图。
图7为示出贴着台和连动机构的示意透视图。
图8为图7的部分截面图。
图9为示出切断机构的动作的示意正面图。
图10为示出将晶片从贴着台移载到外周切割用台的状态的示意正面图。
图11为示出图10的下一阶段的示意正面图。
图12为示出将残留在被移载到外周切割用台的晶片外周的片部分切断的状态的示意正面图。
图13为示出由移载装置移载晶片的区域的示意平面图。
图14为安装装置的示意正面图。
图15为示出将晶片安装到环框的工件的移载状态的示意正面图。
图16为安装装置的示意平面图。
图17为示出贴着台的另一实施方式的侧面图。
附图标记说明10 晶片处理装置15 贴着装置16 带贴着单元17 带剥离单元18 安装装置40 贴着台40C 内侧台部40D 外侧台部41 贴着单元44 导热构件45 移载装置47 外周切割用台
48 粘接用台101 温度调整单元137 安装台W 半导体晶片PT 保护带RF 环框S 粘接片(热敏粘接性的粘接片)S1 无用粘接片部分具体实施方式
下面参照
本发明的实施方式。
图1示出本实施方式的晶片处理装置的平面图，图2为按历时顺序说明晶片处理工序的示意截面图。在这些图中，晶片处理装置10作为进行一连串的工序的装置构成，该一连串的工序以晶片W为对象，该晶片W在构成电路面的表面贴着了UV硬化型保护带PT(参照图2)，在将芯片接合用热敏粘接性的粘接片S(以下称“粘接片S”贴着到晶片W的背面后，经由切割带(ダイシングテ一プ)DT在环框RF上安装晶片W。
上述晶片处理装置10如图1所示那样，具有收容晶片W的盒11，对从该盒11取出的晶片W进行吸附保持的机械手12，在上述保护带PT进行UV照射的UV照射单元13，进行晶片W的定位的校准装置14，在进行了校准处理的晶片W的背面贴着上述粘接片S(参照图2)的贴着装置15，包含带贴着单元16和带剥离单元17的安装装置18，及对剥离了保护带PT的晶片W进行收容的储料器19；该带贴着单元16在贴着了粘接片S后的晶片W上贴着切割带DT，然后将晶片W安装于环框RF；该带剥离单元17剥离上述保护带PT。
上述晶片W在保护带PT处于上面侧的状态下收容于盒11内，保护带PT的上面侧由机械手12保持，移载到UV照射单元13。机械手12如图3也示出的那样由单轴移动装置21、沿该单轴移动装置21移动的滑动构件22、立设于该滑动构件22的上下移动机构24、设于该上下移动机构24的上端并可在大致水平面内旋转的关节型的臂26、及设于该臂26前端的具有大致C字状或大致U字状的平面形状的吸附构件27构成。在这里，吸附构件27经由旋转机构28连接于臂26的前端部，该旋转机构28可使晶片W的面进行表背翻转。
上述UV照射单元13如图3所示那样，由吸附台30、UV灯31、及壳体32构成；该吸附台30移载由上述机械手12的吸附构件27吸附保持的晶片W并对其进行吸附；该UV灯31配置于该吸附台30的上方位置；该壳体32将这些吸附台30和UV灯31罩住。吸附台30经由图中未示出的进退机构可在大致平面内沿图3中左右方向往复移动地设置。
上述校准装置14由校准台34、传感器35、及单轴机械手37构成；该校准台34具有X-Y移动机构，而且可旋转地设置；该传感器35设于该校准台34的上面侧，由检测晶片W的图中未示出的V形切口等的照相机等构成；该单轴机械手37可相对输送板36的下方位置进退地支承校准台34。
上述输送板36的下面侧为吸附面，经由上述机械手12接受UV照射完毕的晶片W。此时，晶片W翻转成保护带PT侧为下面侧的状态，吸附于输送板36的吸附面。该输送板36位于校准台34的上方，同时，可经由输送机械手38朝图1中左右方向移动地设置。当输送板36从机械手12接受了UV照射完毕的晶片W时，校准台34经由单轴机械手37移动到其下面侧来接受晶片W，此后，进行校准，使晶片W再次吸附到输送板36，移载到贴着装置15。
上述贴着装置15如图3至图5所示那样，由贴着台40、贴着单元41、切断机构43、移载装置45、外周切割用台47、粘接用台48、及回收装置50构成；该贴着台40从上述输送板36接受晶片W，支承该晶片W；该贴着单元41将上述粘接片S临时粘接到吸附于该贴着台40的晶片W的背面侧(上面侧)；该切断机构43沿宽度方向按每个晶片W切断粘接片S；该移载装置45从贴着台40吸附晶片W并进行移载；该外周切割用台47用于吸附和支承经由该移载装置45移载的晶片W，同时，由切断机构43切断从晶片W的外周伸出的无用粘接片部分S1(参照图4)；该粘接用台48并设于该外周切割用台47，同时，用于将临时粘接的粘接片S完全地粘接于晶片W；该回收装置50回收在上述晶片W的外周缘位置被切断了的无用粘接片部分S1。
上述贴着台40如图4所示那样，将上面侧形成为吸附面，同时，保持为可在一定程度上使粘接片S熔融而将其临时粘接到晶片W的第一温度，在本实施方式中大致保持为110℃。该贴着台40如图8所示那样，具有基座台40B、设于该基座台40B上面侧的内侧台部40C、及围住该内侧台部40C的外侧台部40D。内侧台部40C构成晶片W的支承面地设置成与该晶片W大致同一平面形状，在其内部配置加热器H，将晶片W保持为大致110℃地构成。另外，在形成于内侧台部40C与外侧台部40D间的间隙C内配置导热构件44，由该导热构件44将外侧台部40D保持为比内侧台部40C的温度低的温度，在本实施方式中约为40℃。为此，以较弱的粘接力将伸出到晶片W外侧的无用粘接片部分S1粘接于外侧台部40D，当将粘接片S贴着于晶片W时不会在该晶片上产生折皱等。
另外，上述贴着台40可经由移动装置52在能够从上述输送板36接受晶片W的位置与通过上述贴着单元41下部区域到达外周切割用台47上方的位置间往复移动地设置，同时，可经由升降装置53上下升降地设置。贴着台40也能够在平面内旋转地设置上述内侧台部40C和外侧台部40D。移动装置52包括一对轨54、54、由这些轨54引导着在该轨54上移动的滑动板55、在与固定于该滑动板55的托架57螺纹接合的状态下贯通的滚珠花键轴58、及对该滚珠花键轴58进行旋转驱动的电动机M(参照图1)。在这里，电动机M固定于图中未示出的构架，另一端侧可旋转地支承于轴承60。因此，通过电动机M的正反旋转驱动，使贴着台40沿轨54朝图1中左右方向往复移动。另外，升降装置53由配置于贴着台40下面中央部的上下移动机构62、固定于上述滑动板55上的导块63、及可沿该导块63升降的四根脚构件64构成，上述上下移动机构62沿上下方向进退，从而可使贴着台40升降，从上述输送板36接受晶片W。
在上述贴着台40的上面形成切割器接受槽40A，该切割器接受槽40A用于沿宽度方向切断从贴着单元41送出的带状的粘接片S，同时，在沿贴着台40的移动方向的两侧面的上部，设置构成连动机构的齿条65和安装于该齿条65外侧面的导向杆67。
上述贴着单元41如图5和图6所示那样，设置在配置于贴着台40上方的板状构架F的区域内。该贴着单元41具有可供给地对卷绕成筒状的粘接片S进行支承的支承辊70，对粘接片S施加送出力的驱动辊71和夹紧辊72，用于将层叠于粘接片S的剥离片PS卷绕的卷绕辊73，配置于支承辊70与夹紧辊72间的二个导向辊74、74和设于这些导向辊74、74间的张力调节辊75，将剥离了剥离片PS的粘接片S的引入端区域推压到贴着台40上面而将其夹入的推压构件76，依次将粘接片S推压到晶片W背面侧(图5中上面侧)进行临时粘接的压辊78，及在粘接片S的送出方向配置于压辊78近前位置的张紧辊79和导向辊80。压辊78作为加热装置内装有加热器。另外，在推压构件76的下面侧具有吸附部，对上述粘接片S的端部进行吸附保持。
上述驱动辊71、夹紧辊72及卷绕辊73构成使处于原材料(原反状態)状态的粘接片S与剥离片PS剥离的剥离部。其中，辊71、73由设于构架F背面侧的电动机M1、M2分别进行旋转驱动。另外，推压构件76、压辊78、及张紧辊79可分别经由缸82、83、84上下移动。压辊78如图7和图8所示那样，经由托架85将其两端侧连接于缸83，在其旋转中心轴86的两端侧，配置与上述齿条65相互作用而构成连动机构的一对小齿轮88、88和在这些小齿轮88更外侧位置作为旋转体的一对滚轮89、89。小齿轮88、88可与齿条65啮合地设置，另一方面，滚轮89、89与压辊78的旋转无关地在上述导杆67上转动。
上述切断机构43如图5和图6所示那样，包含沿贴着台40的移动方向延伸的臂部90、和可经由设于该臂部90前端侧(图5中左端侧)下面的单轴机械手91进退地设置的切割器单元92。切割器单元92由切割器上下用缸95和安装于该切割器上下用缸95前端的切割器96构成，该切割器上下用缸95支承在沿单轴机械手91移动的托架94上。在这里，切割器上下用缸95按可在大致铅直面内旋转的状态安装于托架94，这样，切割器96的前端位置可按在大致铅直面内沿圆弧轨迹的状态调整切割器刀具角度，使得在后述的圆周切割时粘接片S不从晶片W伸出地设定，另外，可由上述单轴机械手91沿臂部90的延伸方向进退。切断机构43如图1所示那样，可由电动机M3的驱动在导向构件97上移动地受到支承，该导向构件97朝着与贴着台40移动方向正交的方向(图1中Y方向)。因此，切割器96的前端成为进入到贴着台40的切割器接受槽40A的姿势，当切断机构43整体沿导向构件97移动时，实现沿宽度方向切断粘接片S的功能。
上述移载装置45如图4、图9至图14所示那样，包含在下面侧吸附晶片W的板状的吸附板100、设于该吸附板100上面侧的温度调整单元101、对吸附板100进行支承的臂102、及使该臂102朝Y方向移动的单轴机械手105。当吸附了在贴着台40上被沿宽度方向切断粘接片S后的晶片W时(参照图10)，吸附板100将成为第一温度即临时粘接时的温度(110℃)的晶片W例如冷却到常温，使粘接片S的粘性下降或消失，起到防止粘接剂转移到上述切割器96的作用。另外，移载装置45从贴着台40将晶片W移载到外周切割用台47，同时，将在该外周切割用台47切断了上述无用粘接片部分S1后的晶片W移载到粘接用台48上，然后，将在粘接用台48完全地粘接了粘接片S后的晶片W移载到下一工序。移载装置45无论在从贴着台40移载到外周切割用台47期间、从外周切割用台47移载到粘接用台48期间、从粘接用台48移载到安装装置18的哪个工序中，都由温度调整单元101进行晶片W的温度调整，可不需要或缩短移载晶片后的温度调整时间。
上述单轴机械手105如图4所示那样，在上述切断机构43的导向构件97上方位置大致平行于该导向构件97地配置。在该单轴机械手105，设有沿与上下方向正交的方向延伸的缸106和可经由该缸106升降的升降滑动构件108，在该升降滑动构件108上连接有上述臂102的基端侧(图9中右端侧)。
上述外周切割用台47如图4和图11等所示那样用于从上述贴着台40经由上述移载装置45接受晶片W，吸附该晶片W并用切断机构43切断晶片W周围的无用粘接片部分S1。该外周切割用台47在本实施方式中作为第二温度保持为常温，上面形成为吸附面，同时，具有与晶片W的外周缘周围对应的圆周槽47A。外周切割用台47在下面侧经由旋转机构110支承于升降板111上。旋转机构110具有轴线方向为上下方向的旋转轴112、支承该旋转轴112的旋转轴承103、固定于旋转轴112周围的从动皮带轮114、位于该从动皮带轮114侧方并固定于电动机M4的输出轴的主动皮带轮115、及设于这些皮带轮114、115间的皮带117，通过由电动机M4的驱动使主动皮带轮115旋转而可在平面内旋转地设置外周切割用台47。因此，上述切割器96进入到圆周槽47A，使外周切割用台47旋转，从而起到沿周向切断粘接片S的功能，即实现圆周切割。该朝周向的切断也可通过能够在水平面内旋转地构成切割器单元92而实现。
支承上述外周切割用台47的升降板111可经由升降装置120升降地设置。该升降装置120如图4所示那样由块123、一对升降侧板124、一对立起导向构件125、螺纹轴126、皮带轮127、128、及皮带129构成，该块123安装在对升降板111进行支承的大致L字状的支承体122背面侧，该一对升降侧板124连接于支承体122的两侧，该一对立起导向构件125朝上下方向对这些升降侧板124进行引导，该螺纹轴126在上下方向上贯通上述块123，该皮带轮127、128分别固定在该螺纹轴126下端和配置于立起导向构件125下端近旁的电动机M5的输出轴，该皮带129卷挂在这些皮带轮127、128；通过由上述电动机M5的驱动使螺纹轴126旋转，从而使得外周切割用台47可升降。
上述粘接用台48经由图中未示出的构架配置于外周切割用台47的侧方上部。该粘接用台48的上面构成为吸附面，经由上述移载装置45从外周切割用台47移载晶片W，对临时粘接了粘接片S的晶片W进行加热，将该粘接片S完全地粘接于晶片W。在本实施方式中，粘接用台48被控制为作为第三温度的约180℃。
上述回收装置50为在上述外周切割用台47上吸附晶片W周围的无用粘接片部分S1而进行回收的装置。该回收装置50由平面视图中大致呈X状并且各前端下面侧具有吸附功能的十字臂130、支承该十字臂130的大致中心位置的连接臂131、支承该连接臂131基端侧并相对上述切断机构43的导向构件97在平面内配置于大致正交方向的缸132、可沿该缸132移动的滑动构件133、及回收无用粘接片部分S1的回收箱135构成。十字臂130可在外周切割用台47上方位置和回收箱135的上方位置间往复移动地设置，通过在回收箱135上解除对无用粘接片部分S1的吸附，从而可使该无用粘接片部分S1落入到回收箱135内。
由上述粘接用台48完全粘接了粘接片S的晶片W再次经由上述移载装置45移载到安装装置18侧。此时，吸附晶片W的移载装置45在移载过程中经由上述温度调整单元101冷却晶片W。带贴着单元16如图1和图13至图16所示那样，包含吸附环框RF和晶片W的安装台137、及朝进行切割带DT的贴着的带贴着部138移动安装台137的一对轨139。在这里，切割带DT将在以带状连续的剥离带ST的一面临时粘接了切割带片的材料作为原材料，该切割带片的直径尺寸比环框RF外径小一些。
安装台137在这里示意地用图示出，但采用实质上与上述贴着台40同样的构成，这样，安装台137可升降，而且可沿上述轨139移动。
上述带贴着部138具有支承辊140、剥离板142、卷绕辊143、及推压辊144；该支承辊140设于板状的支承构架F1的面内，可送出地支承卷绕成筒状的切割带DT；该剥离板142急剧地折回从该支承辊140送出的剥离带ST，从而剥离切割带DT；该卷绕辊143卷绕由该剥离板142折回的剥离带ST；该推压辊144用于将切割带DT推压于环框RF和粘接片S的上面而进行贴着。因此，如图14所示那样，在使安装台137移动到带贴着部138后，使安装台137的上面位置上升，朝由图中左侧的实线位置示出的方向移动安装台137，从而在环框RF和粘接片S上面贴着切割带DT，这样，可将晶片W安装于环框RF。环框RF如图15所示那样收容于框式储料器145，经由移载臂147移载到上述安装台137上。另外，在安装台137上安装于环框RF的工件K由移载臂147吸附和保持。该移载臂147在使工件K的表背面翻转的状态下将该工件K转移到输送臂149，保持于输送臂149的工件K移载到下一工序的处理位置。
上述移载臂147如图15所示那样，由可沿导向支柱150升降地设置的滑动构件151、支承于该滑动构件151的臂152、从该臂152延伸到四方而对环框RF进行吸附的分支臂153构成。臂152能够以其轴线为旋转中心旋转地设置，这样，可在保护带PT成为上面侧的状态下将工件K转移到输送臂149。
上述输送臂149可经由缸装置155朝图15中左右方向移动地设置。该输送臂149仅是没有旋转功能，成为实质上与上述移载臂147同样的构成。
吸附和保持于上述输送臂149的工件K移载到带剥离单元17。该带剥离单元17包含剥离用台156和带剥离部157，该带剥离部157如图16所示那样从移载到了该剥离用台156的工件K剥离上述保护带PT。剥离用台156可沿轨160移动地设置，在其移动过程中，上面侧的保护带PT被剥离。由带剥离部157剥离了保护带PT的工件K由图中未示出的移载机构朝输送轨162移载，经由工件输送缸161在输送轨162上移动，收容于储料器19。然后，收容于储料器19的工件K在后工序处理中被切割成芯片尺寸，同时，在进行加热处理后被拾取，接合到引线框上。
下面说明上述实施方式的晶片处理工序。
在盒11内收容有多个在电路面贴着了保护带PT的晶片W。晶片W由机械手12移载到UV照射单元13，受到预定的UV处理，UV硬化处理后的晶片W经由机械手12移载到输送板36。
在经由输送板36将晶片W移载到校准台34进行校准处理后，该晶片W再次经由输送板36移载到贴着台40。此时，贴着台40的内侧台部40C维持为可使粘接片S临时粘接的第一温度即大致110℃地受到控制，另一方面，外侧台部40D被控制为使粘接片S按较弱的粘接力粘接的温度即约40℃。另外，晶片W按上述保护带PT接触于台面的状态被吸附，因此，成为晶片W的背面为上面侧的状态。
如图5所示那样，当贴着台40移动到贴着单元41的预定位置时，被吸附和保持于推压构件76下面侧的粘接片S的引导端区域通过推压构件76的下降而接触于贴着台40的上面。在该接触结束后，压辊78下降，将粘接片S夹入到与晶片W上面之间，晶片W区域以外的无用粘接片部分S1接触于外侧台部40D(参照图5、7、8)。接着，推压构件76解除吸附并上升。此时，设于压辊78两端侧的滚轮89接触于导杆67的上面，同时，在齿条65啮合小齿轮88，成为该小齿轮88可沿齿条65旋转移动的状态。在该状态下，贴着台40朝图5中右侧移动，齿条65与小齿轮88啮合，从而使压辊78旋转，同时，滚轮89将导杆67上作为导向面转动，将依次送出的粘接片S贴着到晶片W的上面。当进行该贴着时，从晶片W的外周伸出的无用粘接片部分S1由较弱的粘接力粘接于外侧台40D，所以，当压辊78在晶片W上旋转移动时，不会产生因粘接片S的张力与压辊78的推压力拉伸而产生折皱那样的问题。压辊78由作为内装的加热装置的加热器维持大致110℃地受到控制。
这样，当粘接片S贴着到晶片W、上述推压构件76到达刚通过了切割器接受槽40A后的上方位置时，贴着台40到达外周切割用台47的大致正上位置。然后，推压构件76下降，使粘接片S接触于贴着台40(参照图6)。此后，切断机构43的切割器96进入到上述切割器接受槽40A内，支承切割器单元92的臂部90朝图6中纸面正交方向移动，沿宽度方向切断粘接片S。此时，与切割器接受槽40A对应的粘接片S的区域不与台面接触，所以，该区域的粘性成为低的状态，粘接剂向切割器96的转移不成为问题。当宽度方向的切断结束时，上述推压构件76对位于该推压构件76下面侧的粘接片S进行吸附，返回到上升位置，准备对下一晶片W的粘接。另外，切断机构43通过切割器上下用缸95的上升，位移到切割器96的刀尖位置上升的位置，朝从贴着台40的上面位置离开的方向即图1中上方退避。
然后，如图9所示那样，使上述移载装置45的吸附板100由单轴机械手105的作动和缸106的下降移动而位于贴着台40上方，由缸107的下降使吸附板100的面位置下降，对贴着了粘接片S的晶片W进行吸附保持。这样，贴着台40移动到对成为下一处理对象的晶片W进行吸附保持的位置，同时，外周切割用台47上升，将吸附于吸附板100的晶片W移载到该外周切割用台47的上面。此时，在贴着台40成为临时粘接温度的晶片W在被吸附到吸附板100期间受到温度调整作用(冷却作用)，保持为降温到大致常温的状态。
如图11所示那样，当晶片W移载到外周切割用台47受到吸附保持时，移载装置45朝从外周切割用台47的上方位置离开的方向移动，另一方面，切断机构43移动到外周切割用台47上(参照图12)。然后，使单轴机械手91移动预定量，使切割器上下用缸95下降，从而使切割器96在与晶片W的外周缘大致对应的位置朝下方穿过，前端收容于圆周槽47A内。在该状态下，外周切割用台47由旋转机构110在水平面内旋转，沿周向切断伸出到晶片W外周的外侧的无用粘接片部分S1。当该切断结束时，切断机构43移动到从外周切割用台47的上方位置再次退避的位置，另一方面，回收装置50的十字臂130移动到上述无用粘接片部分S1上，吸附该无用粘接片部分S1，移动到回收箱135上，使无用粘接片部分S1落入。
与十字臂130移动到回收箱135侧这一动作交替，移载装置45移动到外周切割用台47上，再次吸附晶片W后，一边经由温度调整单元使该晶片W上升到完全粘接所需要的温度，一边移载到粘接用台48的上面。
对于移载到粘接用台48的晶片W，加以控制使该粘接用台48维持成为第三温度的大致180℃，从而受到粘接片S完全粘接于晶片W的作用。经过预定时间后，由上述移载装置45的吸附板100吸附晶片W，接受再次返回到常温的温度调整作用。
在吸附到移载装置45期间温度下降了的晶片W移载到吸附环柜RF的安装台137上后，经由切割带DT安装到环框RF。在晶片W为在前面通过切割进行了单片化的芯片W1的集合体的场合，在水平面内使安装台137旋转预定角度，使推压辊144的中心轴线成为与任何芯片W的任何边都不平行的状态地进行控制，在该状态下将切割带(安装带)DT贴着到粘接片S上。这样，晶片W不会因推压辊144的推压力的作用而产生倾斜，可按良好的精度贴着安装带。
晶片W安装到环框RF获得的工件K在按表背翻转的状态移载到剥离用台156将保护带PT剥离后，收容于储料器19。
如以上说明的那样，按照本发明的实施方式，当从贴着装置15的粘接用台48将晶片W移载到安装台137上时，进行该晶片W的温度控制，所以，不需要在安装台137进行温度调整，不使安装装置18侧的构造复杂即可进行安装处理。而且，在上述各台间移载的晶片在其移载时受到温度调整作用，所以，从这一点也可提高晶片处理效率。
另外，构成贴着台40的内侧台部40C和外侧台部40D分别可控制温度地设置，所以，可防止由存在于晶片W外周侧的无用粘接片部分S1导致的折皱的产生。
如以上那样，在上述记载中公开了用于实施本发明的最佳构成、方法等，但本发明并不限于此。
即，本发明主要关于特定的实施方式特别进行图示、说明，但不脱离本发明的技术思想和目的范围即可对以上说明的实施方式关于形状、位置或配置等，根据需要由本领域的技术人员进行各种变更。
例如，在上述实施方式中，贴着台40具有内侧台40C和外侧台部40D，但也可如图17所示那样，整体形成能够保持为第一温度的加热器内装型。
另外，上述贴着装置15作为在晶片W贴着芯片接合用的粘接片S的装置进行了图示、说明，但只要为具有热敏粘接性的片，则也可为其它的片，例如也可适用于将干光刻胶膜、保护膜形成用的片等贴着于晶片W的场合。
另外，构成晶片处理装置10的各个单元的配置、移动方向等也不限于图示构成例，只要实施同样的处理工序即可。
另外，上述贴着台40、外周切割用台47、及粘接用台48的温度不限定本发明，可相应于所使用的热敏性粘接片的特性加以改变。
权利要求
1.一种晶片处理装置，包括支承被粘接体的台，将热敏粘接性的粘接片供给到所述被粘接体上面而将该粘接片贴着到被粘接体上的贴着单元，及按每个被粘接体切断所述粘接片的切断机构；其特征在于所述台被控制为第一温度、第二温度、及第三温度；在该第一温度，临时粘接所述粘接片；在该第二温度，使所述粘接片的粘着性下降，切断被粘接体周围的粘接片；在该第三温度，使粘接片完全粘接于被粘接体。
2.根据权利要求1所述的晶片处理装置，其特征在于所述台以将被粘接体保持为所述第一至第三温度的方式由分别独立的台构成。
3.一种晶片处理装置，包括将半导体晶片作为被粘接体支承的台，将呈带状的热敏粘接性的粘接片供给到半导体晶片的上面侧并进行贴着的贴着单元，及按每个半导体晶片切断所述粘接片的切断机构；其特征在于所述切断机构具有沿宽度方向切断所述粘接片的宽度方向切断功能和沿半导体晶片的外周切断粘接片的周向切断功能；所述台具有被控制为第一温度而将所述粘接片临时粘接到半导体晶片上的贴着台，被控制为比第一温度低的第二温度而切断所述半导体晶片周围的粘接片的外周切割用台，及被控制为比所述第一温度高的第三温度而将粘接片完全粘接到半导体晶片的粘接用台。
4.根据权利要求3所述的晶片处理装置，其特征在于还包括移载所述半导体晶片的移载装置，该移载装置具有温度调整单元，该温度调整单元在所述各台间移载所述半导体晶片期间对该半导体晶片的温度进行调整。
5.根据权利要求3所述的晶片处理装置，其特征在于还包括将完全贴着了所述粘接片的半导体晶片移载到安装装置的移载装置，该移载装置具有在将半导体晶片移载到安装装置期间对半导体晶片的温度进行调整的温度调整单元。
6.根据权利要求3所述的晶片处理装置，其特征在于所述贴着台具有内侧台部和围住该内侧台部的外侧台部，该外侧台被控制为比所述内侧台部低的温度。
7.根据权利要求6所述的晶片处理装置，其特征在于在所述内侧台部与外侧台部间安装导热构件，由该导热构件将外侧台部加热到比内侧台部低的温度。
8.根据权利要求6或7所述的晶片处理装置，其特征在于所述内侧台部和外侧台部分别独立地受到温度控制。
9.根据权利要求1、2或3所述的晶片处理装置，其特征在于所述粘接片为芯片接合片。
10.根据权利要求3所述的晶片处理装置，其特征在于所述粘接片为通过硬化而形成保护膜的保护用片。
11.根据权利要求3所述的晶片处理装置，其特征在于所述切断机构包含切割器，该切割器的前端位置可在沿宽度方向切断粘接片的位置和沿被粘接体外缘切断的位置间进行位置调整地设置着。
12.一种晶片处理方法，在半导体晶片的上面侧贴着呈带状的热敏粘接性的粘接片；其特征在于，包括以下工序将所述半导体晶片或对其进行支承的台保持为第一温度，将所述粘接片临时粘接于半导体晶片的工序，通过将临时粘接了所述粘接片的半导体晶片保持为比第一温度低的第二温度，从而降低粘接片的粘着性，切断半导体晶片周围的片部分的工序，及将所述半导体晶片和粘接片设成比第一温度高的第三温度，将该粘接片完全粘接到半导体晶片上的工序。
13.根据权利要求12所述的晶片处理方法，其特征在于还包括经由移载装置将所述粘接片完全粘接了的半导体晶片移载到安装装置的工序，在该移载工序期间，经由所述移载装置冷却半导体晶片。
全文摘要
贴着装置(15)由支承晶片(W)的贴着台(40)、贴着热敏性的粘接片(S)的贴着单元(41)、及按各半导体晶片沿宽度方向和周向切断粘接片的切割器(96)构成。台由贴着台(40)、外周切割用台(47)、及粘接用台(48)构成；该贴着台(40)被控制为将粘接片(S)临时粘接于晶片(W)的第一温度；该外周切割用台(47)被控制为降低粘接片的粘性的第二温度，沿周向切断该粘接片；该粘接用台(48)被控制为将粘接片(S)完全粘接于晶片(W)的第三温度。
文档编号H01L21/301GK1943025SQ20058001116
公开日2007年4月4日 申请日期2005年4月13日 优先权日2004年4月14日
发明者辻本正树, 吉冈孝久, 小林贤治 申请人:琳得科株式会社