基板处理装置及基板处理方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及基板处理装置及基板处理方法，更详细地说涉及可提高基板处理效率的基板处理装置及基板处理方法。
【背景技术】
[0002]一般地说，集群(cluster)系统被称为包括基板移送机器人(或测试分类机:handler)与配置在其周围的多个处理模块的多功能腔室装置。近来，在液晶显示装置(LCD)、等离子显示装置、半导体制造装置等中正在逐渐增加可统一执行多个处理的集群系统的需求。
[0003]如上所述，多功能腔室装置包括:负载锁定腔室，用于向外部搬入/搬出基板；传送腔室，与负载锁定腔室连通并移送基板的空间；处理腔室，与传送腔室连通并进行实质性的基板处理。并且，在传送腔室配置移送基板的基板移送机器人。
[0004]如上所述，在多功能腔室装置的处理腔室处理多个基板，并且通常都利用相同的工序气体来处理多个基板。因此，为了利用其它工序气体来处理基板，需要吹扫处理腔室内部的过程，据此增加了处理基板所需时间，存在降低生产性的问题。
[0005](现有技术文献)
[0006](专利文献)
[0007]专利文献1:KR2013-57409A
【发明内容】
[0008]技术问题
[0009]本发明提供在处理腔室内利用相互不同的工序气体来执行基板处理，进而可提高工序效率的基板处理装置及基板处理方法。
[0010]本发明提供可在处理腔室有效安装及卸载多个基板的基板处理装置及基板处理方法。
[0011]技术方案
[0012]根据本发明实施形态的基板处理装置包括:负载锁定腔室；传送腔室，配置在所述负载锁定腔室的一侧；处理腔室，配置在所述传送腔室的一侧；及基板移送机器人，配置在所述传送腔室内部，在所述负载锁定腔室与所述处理腔室之间移送基板，所述处理腔室包括:多个基板支撑架，在所述处理腔室内部支撑基板；多个气体喷射体，将工序气体分别喷射到所述多个支撑架上；及转台，在所述多个基板支撑架之间移送基板；第一闸门，导入未处理基板；第二闸门，导出处理基板，所述基板移送机器人通过所述第一闸门与所述第二闸门分别单独移送所述未处理基板与所述处理基板。
[0013]所述处理腔室可包括:本体，上部开放并且形成内部空间；顶盖，配置在所述本体的上部来遮盖所述本体的上部，在所述顶盖具有:延长部，沿着上下方向延长，在其内部形成处理基板的空间。
[0014]在所述顶盖可形成多个处理所述基板的空间，所述气体喷射体与所述基板支撑架的配置个数对应于处理所述基板的空间的个数。
[0015]在所述多个气体喷射体中至少一个能够喷射与其余气体喷射体不同的工序气体。
[0016]在所述转台上部可具有支撑所述基板的多个基板支撑环，在所述转台形成贯通所述基板支撑架的多个开口，在所述开口具有向所述开口内侧的凸起以使支撑所述基板支撑环，所述基板支撑环选择性地被所述基板支撑架与转台支撑。
[0017]所述基板移送机器人可包括:旋转轴，设置在所述传送腔室；装载臂，可旋转地连接于所述旋转轴的上部，通过所述第一闸门将所述未处理基板移送到所述处理腔室；及卸载臂，可旋转地连接于所述旋转轴，通过所述第二闸门导出所述处理腔室内的处理基板。
[0018]所述负载锁定腔室可包括:第一负载锁定腔室，收容未处理基板；第二负载锁定腔室，收容在所述处理腔室完成处理的处理基板。
[0019]根据本发明实施形态的基板处理方法，其作为利用基板处理装置处理基板的方法，其中基板处理装置包括负载锁定腔室、配置在所述负载锁定腔室的一侧的传送腔室、配置在所述传送腔室一侧的处理腔室及配置在所述传送腔室的基板移送机器人，在所述处理腔室具有导入未处理基板的第一闸门与导出处理基板的第二闸门，所述基板移送机器人通过所述第一闸门将所述未处理基板导入所述处理腔室，通过所述第二闸门导出所述处理腔室内的处理基板。
[0020]所述处理腔室可包括:多个基板支撑架；多个气体喷射体，与所述多个基板支撑架面对面配置；转台，在所述多个基板支撑架之间移送基板；及多个基板处理空间，分别形成在所述多个基板支承架与多个气体喷射体之间。若在所述多个基板处理空间中的某一个基板处理空间完成基板处理，则根据所述转台的旋转驱动，将所述基板移动到其他基板支承架，在相互不同的基板处理空间执行基板处理。
[0021]在所述处理腔室中，在所述第一闸门侧配置装载区域，在所述第二闸门侧配置卸载区域，可在所述装载区域与所述卸载区域分别配置所述多个基板支承架中的一个来形成基板处理空间，在所述装载区域的基板处理空间开始基板处理，在所述卸载区域的基板处理空间完成基板处理。
[0022]可通过所述多个气体喷射体全部供应相同的工序气体，在所述多个基板处理空间全部执行相同的基板处理。
[0023]可利用所述多个气体喷射体中的至少一个气体喷射体供应其它工序气体，在所述多个基板处理空间中至少一个基板处理空间执行相互不同的基板处理。
[0024]在配置在所述装载区域的基板处理空间与配置在所述卸载区域的基板处理空间中，可执行相互不同的基板处理。
[0025]在所述多个基板处理空间中的至少一个基板处理空间内，可执行基板的等离子处理。
[0026]有益效果
[0027]根据本发明实施形态的基板处理装置及基板处理方法，能够在一个处理腔室内利用相互不同的工序气体来处理多个基板。因此，可提高基板处理效率及生产性。
[0028]另外，可在处理腔室有效地安装/卸载多个基板。这时，在处理腔室内部设置基板装载区域及卸载区域，可使基板移动到各个区域，通过设置的区域分别装载及卸载基板，进而可减少基板移送机器人的移动次数，可缩短移送基板的所需时间。
【附图说明】
[0029]图1是概略性示出根据本发明实施例的基板处理装置的平面图。
[0030]图2是图示图1所示的处理腔室内部构造的剖面图。
[0031]图3是图示图1所示的基板移送机器人的立体图。
[0032]图4是图示图1所示的基板移送机器人的侧视图。
[0033]图5是示出用根据本发明实施例的基板移送方法从负载锁定腔室搬出基板的过程的图。
[0034]图6至12是示出用根据本发明实施例的基板移送方法来装载及卸载基板的过程的图。
[0035]图13至图15是概念性示出根据本发明实施例在处理腔室内处理基板的各种方法的图。
[0036]主要附图标记:
[0037]110:负载锁定腔室 120:传送腔室
[0038]130:处理腔室135:基板移动部
[0039]137:基板支撑部 140:气体喷射体
[0040]200:基板移送机器人
[0041]具体实施方法
[0042]以下，参照附图详细说明本发明的实施形态。但是，本发明不限于在以下公开的实施形态，可以相互不同的各种形态实现，本实施形态只是使本发明的公开更加完整并且是为了将发明的范畴完全地告知具有通常知识的技术人员而提供的。
[0043]图1是概略性图示根据本发明实施例的基板处理装置的平面图。图2是图示图1所示的处理腔室的内部构造的剖面图。图3是图示图1所示的基板移送机器人的立体图。图4是图示图1所示的基板移送机器人的侧视图。
[0044]参照图1，基板处理装置包括闸盒模块(未图示)、大气压模块(未图示)、负载锁定腔室110、传送腔室120 (transfer chamber)及处理腔室130。闸盒模块装载收容了待处理的基板的闸盒，或卸载用于收容完成了处理的基板的闸盒。大气压模块被配置在闸盒模块的后方，在内部设置可在大气压下操作的搬送机器人(未图示)。搬送机器人将收容在闸盒的基板搬入至负载锁定腔室110，或将负载锁定腔室110内的基板搬出到闸盒。另外，负载锁定腔室110配置在大气压模块110与传送腔室120之间，是从外部搬入或搬出到外部的基板暂时停留的缓冲空间。针对负载锁定腔室110而言，在维持大气压状态时若从外部被搬入基板则转换为真空状态，在将基板搬出到外部时从真空状态转换为大气压状态。这时，负载锁定腔室110可包括收容未处理基板Wl的第一负载锁定腔室IlOa与收容在处理腔室130完成了蒸镀、蚀刻等处理的处理基板W2的第二负载锁定腔室110b，第一负载锁定腔室IlOa与第二负载锁定腔室IlOb可并排配置以使收容基板的内部空间相互