，并通过气体喷射体供应至基板处理空间。或者，还可在气体喷射体内激活工序气体来供应到基板处理空间。
[0076]并且，利用相互不同的工序气体的两种工序可以是蒸镀相互不同的薄膜的工序，例如反复蒸镀氧化膜与氮化膜的层叠构造。这时，根据层叠构造的层数，基板到达卸载区域的基板支承架之后还可利用转台移动基板来反复蒸镀薄膜。
[0077]另外，也可在各个基板处理空间蒸镀4种相互不同的薄膜，同样地，在这情况下在至少一个基板处理空间执行基板的等离子处理。
[0078]基板处理开始在装载区域L的基板处理空间，完成在卸载区域UL的基板处理空间。这时，优选为，在执行多于基板处理空间个数的基板处理的情况下，最终的基板处理完成在卸载区域UL的基板处理空间从而能够搬出基板。
[0079]如上所述，若基板Wl到达卸载区域UL并完成处理，则下降转台135b与基板支承架137b，将位于处理腔室130的卸载区域UL的升降销突出于基板支承架137b上部，由升降销上支撑处理基板W2。
[0080]之后，开放配置在卸载区域UL的第二闸门131b，使卸载臂230的手部236向处理腔室130的卸载区域UL前进，将处理基板W2安装在手部236的叶片238 (参照图9)，然后使手部236后退将处理基板W2卸载到传送腔室120内。若卸载了处理基板W2，则关闭第二闸门131b且旋转转台135b，使处理基板W2移动到装载区域L。
[0081]接着，开放第一闸门131a，使装载臂220向处理腔室130内部前进，将在传送腔室120内等待的未处理基板Wl装载于升降销上部(参照图11)。
[0082]其次，使装载臂220的手部226后退，然后关闭第一闸门131a，在装载区域L执行未处理基板Wl的处理。并且，与此同时旋转基板移送机器人200的旋转轴210，向负载锁定腔室前方移动装载臂220与卸载臂230的手部236。
[0083]接着，开放第二负载锁定腔室IlOb的闸门，使卸载臂230的手部236向第二负载锁定腔室IlOb内部前进，将处理基板W2搬入到第二负载锁定腔室IlOb内部(参照图12)。
[0084]若向第二负载锁定腔室IlOb内部搬入了处理基板W2，则关闭第二负载锁定腔室IlOb的闸门。
[0085]然后，反复一系列的过程，在处理腔室130反复执行处理基板W2的卸载与未处理基板Wl的装载。
[0086]如上所述，根据本发明实施形态的基板处理方法，在一个处理腔室130内可执行多个工序，进而可缩短基板处理所需的时间。另外，基板移动机器人200的装载臂220与卸载臂230分别承担基板的装载与卸载，进而可缩短移送基板所需的时间。另外，即使增加了在处理腔室130处理的基板个数，也无需增加基板移动机器人200而可有效地移送基板。
[0087]如上所述，在本发明的详细说明中对具体实施例进行了说明，但是在不超出本发明的范围内可进行各种变形。因此针对本发明的范围而言，不应限定于所说明的实施例，应该由后述的权利要求范围以及与权利要求范围同等的范围来决定。
【主权项】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括: 负载锁定腔室； 传送腔室，配置在所述负载锁定腔室的一侧； 处理腔室，配置在所述传送腔室的一侧；及 基板移送机器人，配置在所述传送腔室内部，在所述负载锁定腔室与所述处理腔室之间移送基板， 其中，所述处理腔室包括:多个基板支撑架，在所述处理腔室内部支撑基板；多个气体喷射体，将工序气体分别喷射到所述多个支撑架上；转台，在所述多个基板支撑架之间移送基板；第一闸门，导入未处理基板；以及第二闸门，导出处理基板， 所述基板移送机器人通过所述第一闸门与所述第二闸门分别单独移送所述未处理基板与所述处理基板。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述处理腔室包括:本体，上部开放并且形成有内部空间；顶盖，配置在所述本体的上部来遮盖所述本体的上部， 在所述顶盖具有:延长部，沿着上下方向延长，在其内部形成有处理基板的空间。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于， 在所述顶盖形成多个处理所述基板的空间， 所述气体喷射体与所述基板支撑架的配置个数对应于处理所述基板的空间的个数。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于， 在所述多个气体喷射体中的至少一个喷射与其余气体喷射体不同的工序气体。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 在所述转台上部具有支撑所述基板的多个基板支撑环， 在所述转台形成贯通所述基板支撑架的多个开口，在所述开口具有向所述开口内侧的凸起用以支撑所述基板支撑环， 所述基板支撑环选择性地由所述基板支撑架与转台支撑。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于， 所述基板移送机器人包括: 旋转轴，设置在所述传送腔室， 装载臂，可旋转地连接于所述旋转轴的上部，通过所述第一闸门将所述未处理基板移送到所述处理腔室；及 卸载臂，可旋转地连接于所述旋转轴，通过所述第二闸门导出所述处理腔室内的处理基板。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于， 所述负载锁定腔室包括:第一负载锁定腔室，收容未处理基板；第二负载锁定腔室，收容在所述处理腔室完成处理的处理基板。8.—种基板处理方法，作为利用基板处理装置处理基板的方法，其中基板处理装置包括负载锁定腔室、配置在所述负载锁定腔室的一侧的传送腔室、配置在所述传送腔室一侧的处理腔室及配置在所述传送腔室的基板移送机器人，其特征在于， 在所述处理腔室具有导入未处理基板的第一闸门与导出处理基板的第二闸门， 所述基板移送机器人通过所述第一闸门将所述未处理基板导入到所述处理腔室，通过所述第二闸门导出所述处理腔室内的处理基板。9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于， 所述处理腔室包括:多个基板支撑架；多个气体喷射体，与所述多个基板支撑架面对面配置；转台，在所述多个基板支撑架之间移送基板；及多个基板处理空间，分别形成在所述多个基板支承架与多个气体喷射体之间， 若在所述多个基板处理空间中的一个基板处理空间完成基板处理，则根据所述转台的旋转驱动，将所述基板移动到其他基板支承架，在相互不同的基板处理空间执行基板处理。10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于， 在所述处理腔室中，在所述第一闸门侧配置装载区域，在所述第二闸门侧配置卸载区域， 所述装载区域与所述卸载区域分别配置所述多个基板支承架中的一个基板支承架来形成基板处理空间， 在所述装载区域的基板处理空间开始基板处理，在所述卸载区域的基板处理空间完成基板处理。11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于， 利用所述多个气体喷射体全部供应相同的工序气体，进而在所述多个基板处理空间全部执行相同的基板处理。12.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于， 在所述多个气体喷射体中，利用至少一个气体喷射体供应其它工序气体，在所述多个基板处理空间中的至少一个基板处理空间执行相互不同的基板处理。13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于， 在配置在所述装载区域的基板处理空间与配置在所述卸载区域的基板处理空间中，执行相互不同的基板处理。14.根据权利要求9至13中任意一项所述的基板处理方法，其特征在于， 在所述多个基板处理空间中的至少一个基板处理空间内，执行基板的等离子处理。
【专利摘要】本发明涉及基板处理装置及基板处理方法，其中基板处理装置包括：负载锁定腔室；传送腔室，配置在所述负载锁定腔室的一侧；处理腔室，配置在所述传送腔室的一侧；及基板移送机器人，配置在所述传送腔室内部，在所述负载锁定腔室与所述处理腔室之间移送基板。所述处理腔室包括：多个基板支撑架，在所述处理腔室内部支撑基板；多个气体喷射体，将工序气体分别喷射到所述多个支撑架上；及转台，在所述多个基板支撑架之间移送基板；第一闸门，导入未处理基板；第二闸门，导出处理基板，所述基板移送机器人通过所述第一闸门与所述第二闸门分别单独移送所述未处理基板与所述处理基板，从而提高基板处理效率。
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/02, H01L21/677
【公开号】CN104882395
【申请号】CN201510087749
【发明人】柳东浩, 李庚垠, 咸兑昊, 金容珍
【申请人】圆益Ips股份有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年2月26日
【公告号】US20150243490