半导体薄膜设备传片腔室的透明盖板结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体薄膜设备传片腔室的透明盖板结构，此结构主要应用于半导体镀膜设备传片腔室中双层机械手臂上基板的有无及状态的观察，属于半导体薄膜沉积的应用与制备技术领域。
【背景技术】
[0002]现有半导体镀膜设备的传片腔室内为提高产能采用了双层机械手臂传片，在机械手传片的过程中，可能会发生滑片、撞片、碎片等现象，为了能够观察到双层机械手臂的传片状态，一般采用了比较厚的大透明塑料板，此透明盖板的材料成本及加工费用极高，表面易受到刮伤。
【发明内容】
[0003]本发明以解决上述问题为目的，设计了一种半导体薄膜设备传片腔室的透明盖板结构，实现了对双层机械手臂传片时基板有无及状态的观察，而且降低了成本。该结构是将原大透明盖板变换为多个小的透明盖板分布在传片腔室盖板偏中间的位置，此位置的确定与基板大小和机械手臂间距有关系。通过此位置处的小透明盖板可以观察到机械手臂上基板的有无及状态。
[0004]为实现上述目的，本发明采用下述技术方案:半导体薄膜设备传片腔室的透明盖板结构，主要包括升降机构连接板(I)、传片腔室盖板(2)、圆形透明盖板(4)及密封圈(6)。本发明是依据机械手左右手之间的间距及传片通道位置，参考机械手上基板位置迹线(7)在X和Y方向的交点位置，选取内侧交叉点位置。
[0005]所述传片腔室盖板⑵上设有多个小的透明盖板⑷；
[0006]所述圆形透明盖板(4)所处观察位置结构对称，机械手在X或Y任意方向传取片时，都可观察到晶圆的有无及状态。
[0007]所述圆形透明盖板⑷与腔室盖板(2)之间由密封圈(6)密封并通过螺钉B (5)连接，升降机构连接板(I)通过螺钉A(3)连接到传片腔室盖板(2)上，整个结构为一体式，可通过升降机构连接板(I)后端的气缸进行开关操作。
[0008]本发明的有益效果及特点在于:
[0009]1、本发明实现了一种可观察传片腔室内双层机械手臂传片的机构，四处观察位置结构对称，机械手在X或Y任意方向传取片时，都可观察到晶圆的有无及状态；
[0010]2、依附于I的基础上，多个小透明盖板的分布替代了比较厚的大透明盖板，大大的降低了设备的总成本并提高了设备的整体美观性。
【附图说明】
[0011]图1是本发明的结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]实施例
[0013]参照图1，一种半导体薄膜设备传片腔室的透明盖板结构，包括:升降机构连接板
1、传片腔室盖板2、螺钉A3、圆形透明盖板4、螺钉B5及密封圈6。
[0014]本发明依据机械手左右手之间的间距及传片通道位置，参考机械手上基板位置迹线7在X和Y方向的交点位置，选取内侧交叉点位置，设计了由多个小的透明盖板4组成的传片腔室盖板2。机械手在X或Y任意方向传取片时，都可观察到晶圆的有无及状态，圆形透明盖板4与腔室盖板2之间由密封圈6密封，并通过螺钉B5连接，升降机构连接板I通过螺钉A3连接到传片腔室盖板2上，整个结构为一体式，可通过升降机构连接板I后端的气缸进行开关操作。
[0015]所述传片腔室盖板2上至少设有两块圆形透明盖板4 ;
[0016]所述圆形透明盖板4最佳选择四块；
[0017]所述圆形透明盖板4处于观察位置，其结构对称；
[0018]所述螺钉A3采用M8内六角螺钉；
[0019]所述螺钉B5采用M6内六角螺钉。
[0020]本发明可广泛应用于半导体薄膜沉积的应用与制备技术领域。
【主权项】
1.一种半导体薄膜设备传片腔室的透明盖板结构，其特征在于:它包括升降机构连接板、传片腔室盖板、圆形透明盖板及密封圈，所述传片腔室盖板上设有多个小的圆形透明盖板，圆形透明盖板与腔室盖板之间通过密封圈密封并由螺钉B连接，升降机构连接板通过螺钉A连接到传片腔室盖板上，整个结构为一体式，可通过升降机构连接板后端的气缸进行开关操作。2.如权利要求1所述的半导体薄膜设备传片腔室的透明盖板结构，其特征在于:所述圆形透明盖板所处观察位置结构对称。3.如权利要求1所述的半导体薄膜设备传片腔室的透明盖板结构，其特征在于:所述传片腔室盖板2上至少设有两块圆形透明盖板4。
【专利摘要】半导体薄膜设备传片腔室的透明盖板结构，包括升降机构连接板、传片腔室盖板、圆形透明盖板及密封圈。本发明是依据机械手左右手之间的间距及传片通道位置，参考机械手上基板位置迹线在X和Y方向的交点位置，选取内侧交叉点位置。所述传片腔室盖板上设有多个小的透明盖板；所述圆形透明盖板所处观察位置结构对称，机械手在X或Y任意方向传取片时，都可观察到晶圆的有无及状态。所述圆形透明盖板与腔室盖板之间由密封圈密封并通过螺钉B连接，升降机构连接板通过螺钉A连接到传片腔室盖板上，整个结构为一体式，可通过升降机构连接板后端的气缸进行开关操作。本发明由多个小透明盖板的分布替代了比较厚的大透明盖板，不但降低了设备的总成本并提高了设备的整体美观性。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN104882396
【申请号】CN201510212398
【发明人】方仕彩, 吴凤丽, 姜崴, 廉杰
【申请人】沈阳拓荆科技有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年4月29日