专利名称：具有半导体薄膜的组合半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体装置，它可用在例如电子照相打印机的发光二极管(LED) 打印头中。
背景技术：
参考图28，常规的LED打印头900包括了一电路板901，其上面装配了具有电极焊盘903的多个LED阵列芯片902，以及具有电极焊盘905的多个驱动器集成电路(IC)芯片 904。电极焊盘903，905通过接合线906互连，从驱动IC芯片904经接合线906向形成在 LED阵列芯片902中的LED907提供电流。驱动IC芯片904上的其它电极焊盘909通过其它接合线911与电路板901上的接合焊盘910连接。
为了得到可靠的引线接合，电极焊盘903，905，909必须相当大，如一百微米见方 (100 umX IOOum),并且LED阵列芯片902必须具有与驱动IC芯片904 (典型250-300 u m) 大约相同的厚度，尽管LED阵列芯片902的功能部分(LED 907)距离表面仅有约5 u m的深度。为了适应引线接合的需要，仅仅为了容纳LED907，LED阵列芯片902就必须比必要量要大许多和厚许多。这些要求提高了 LED阵列芯片902的尺寸和材料成本。
正如图29中的平面图所示，在每个LED阵列芯片902上电极焊盘903可能必需排成交叉的形式。这种排列进一步增加了芯片面积，并且由于增加了从一些LED907它们的电极焊盘903的路径长度而增加了相关的电压降。
还不得不增加驱动IC芯片904的尺寸来容纳大量的接合焊盘905，驱动IC芯片 904通过接合焊盘905与LED阵列芯片902互连。
在日本尚未审查的专利申请公布号No 10-063807(图3-6，图8和段落0021)中公开了具有薄膜结构的发光元件，但是这些发光元件具有焊料凸点的电极焊盘，经过它来提供电流。一个这种发光元件的阵列占用与常规LED阵列芯片902基本上相同的面积。发明内容
本发明的总的目的是减小半导体装置的尺寸和材料成本。
更具体的目的是减小包含有发光元件阵列和它们的驱动电路的半导体装置的尺寸和材料成本。
本发明提供了一种集成半导体装置，其中与衬底分开形成一对半导体薄膜，然后将这对薄膜接合到衬底上。第一半导体薄膜包括至少一个半导体器件。第二半导体薄膜包括了一集成电路和端子以驱动第一半导体膜中的半导体器件。一单独互连线从第一半导体薄膜延伸到第二半导体薄膜，部分地经过衬底并且将第一半导体薄膜中的半导体器件与第二半导体薄膜中的端子电连接。如果需要的话，可以提供电介质膜以使得单独互连线与部分半导体薄膜以及与衬底绝缘。在第一半导体薄膜中的半导体器件可以是LED。该半导体薄膜可以包括由位于第 ニ半导体薄膜中的集成电路所驱动的LED阵列。与包含LED阵列芯片和分离的驱动IC芯 片的常规半导体装置相比，本发明的半导体装置减少了材料成本，这是因为LED阵列和集 成电路简化成薄膜并且由此减小了装置的总体尺寸。因为取消了常规的用于互连LED和它 们的驱动电路的大的引线接合焊盘，并且因为减小了 LED和它们的驱动电路之间的距离， 所以总体尺寸縮小了。
在附图中图1是示意性示出根据本发明第一实施例的部分集成LED/驱动IC芯片的透视 图；图2是示意性示出图1中的集成LED/驱动IC芯片的平面图；图3是更详细的示意性示出图1中的部分集成LED/驱动IC芯片的平面图；图4是示意性示出图3中的经过线S4_、剖面部分的剖视图；图5是半导体晶片的平面图，在该晶片上根据本发明第一实施例制作了集成LED/ 驱动IC芯片；图6A到6E是示意性示出制作图1中的集成LED/驱动IC芯片的制作エ艺步骤的 平面图；图7是示意性示出在LED外延薄膜制作エ艺中第一阶段的剖视图；图8是示意性示出在LED外延薄膜制作エ艺中第二阶段的剖视图；图9是示意性示出在LED外延薄膜制作エ艺中第三阶段的剖视图；图10是示意性示出图9中的经过线S9^9剖面部分的剖视图；图11A，IlB和IlC是示意性示出制作图1中集成电路薄膜的エ艺步骤的剖视图；图12是示意性示出根据本发明第二实施例的部分集成LED/驱动IC芯片的平面 图；图13是示意性示出根据第三实施例的部分集成LED/驱动IC芯片的平面图；图14是示意性示出图13中的经过线S14-S14剖面部分的剖视图；图15是示意性示出根据本发明第四实施例的部分集成LED/驱动IC芯片的平面 图；图16是示意性示出图15中的部分集成LED/驱动IC芯片的透视图；图17是示意性示出图15中的经过线S17-S17剖面部分的剖视图；图18是示意性示出根据本发明第五实施例的部分集成LED/驱动IC芯片的透视 图；图19是示意性示出图18中的部分集成LED/驱动IC芯片的平面图；图20是示意性示出根据本发明第六实施例的部分集成LED/驱动IC芯片的平面 图；图21是示意性示出根据第七实施例的部分集成LED/驱动IC芯片的平面图；图22是示意性示出根据第八实施例的部分集成LED/驱动IC芯片的平面图23是示意性示出图22中的部分集成LED/驱动IC芯片的透视图；图M是举例说明制作第八实施例中的集成电路薄膜的平面图；图25是示意性示出根据本发明第九实施例的集成LED/驱动IC芯片的平面图；图沈是示意性示出使用本发明半导体装置的LED打印头的剖视图；图27是示出使用本发明的半导体装置的LED打印头的示意性切去一部分的侧视 图；图28是示意性示出常规的LED打印头的一部分的透视图；和图四是示意性示出在常规的LED打印头中的部分LED阵列芯片的平面图。
具体实施例方式现在将參考
本发明的实施例，其中相同的參考符号表示相同的元件。第一实施例在图1透视图中和图2和3的平面图中示意性示出了的本发明半导体装置的第一 实施例，它是集成LED/驱动IC芯片100，包括衬底101、金属层102、多个半导体薄膜和集成 电路薄膜104，金属层102与衬底101的部分表面紧密接触，下文中称为LED外延膜103的 多个半导体薄膜接合到金属层102的表面，集成电路薄膜104接合到衬底101的表面，通过 多个单独互连线105与LED外延膜103互连，如图3更清晰所示。衬底101可以是绝缘衬底，如玻璃，树脂或者陶瓷衬底。可选的，衬底101可以是 金属衬底或者半导体衬底。在衬底101的表面上与接合集成电路薄膜104的部分相邻但没有覆盖的区域内形 成金属层102。金属层102例如是厚度约100纳米(IOOnm = 0. 1 u m)的钯或金膜。LED夕卜 延膜103接合到金属层102的表面。金属层102的功能既包括与LED外延膜103的接合又 包括将位于LED底部表面上的公共端子区(没有示出)与衬底101上的公共端子区(没有 示出)的电连接。优选在金属层102和衬底101上的公共端子区之间形成欧姆接触。在这 个实施例中，LED外延膜103的公共端子区是占据LED外延薄膜的全部底面的n型GaAs层。 衬底101的公共端子区表示与提供在衬底101上的金属层102接触的衬底区。在第一实施例的变化中，衬底101的公共端子区包括衬底101上形成的端子，它使 得既与金属层102接触又与集成电路薄膜104接触。在另ー个变化中，金属层102覆盖了衬 底101的整个表面并且LED外延膜103和集成电路薄膜104都接合到金属层102的表面。如图3所示，在LED外延膜103中以规则的间隔形成多个发光二极管106(LED，下 文也称为是发光部分或发光区域)。LED106沿着衬底101的纵向方向或X方向对齐以形成 具有图3中的阵列间距P1的一行LED。在正交方向或Y方向，LED外延膜103的宽度W1比 发光区域或LED106的宽度W2要宽。例如，LED宽度W2可以是20 iim而LED外延膜103的 宽度W1可以是50iim，LED106的两边都留下15 ym的边距。LED外延膜103的宽度W1比具 有电极焊盘的常规LED阵列芯片的衬底厚度(典型约400 ym)小许多。本发明不限于单个规则LED行。LED106可以在偏移于Y方向上被布置成两个或 更多的线性阵列，并且LED106之间的间隔不需要都相同。LED的数量不局限于在图2中所 示的96个。LED外延膜103的宽度W1和发光区域105的宽度W2都不局限于上面提到的数 值。
正如下面将要说明的，在分开的衬底上优先生长LED外延膜103作为外延膜，然后将它转移到金属层102的上面。LED外延膜103的厚度可以是约2 ym，这足以得到稳定的 LED工作特性(例如，发光特性和电学特性)。该厚度比具有电极焊盘的LED阵列芯片的常规厚度(典型约300 iim)薄很多。在单独互连线105中的断路故障的概率随LED外延膜 103的厚度以及在它们的边缘处的最后的台阶高度的增加而增加。为了避免这种缺陷的产生，LED外延膜103的厚度优选小于10 u m。
集成电路薄膜104是其中制作有集成电路的半导体薄膜。如图3所示，该集成电路包括了驱动单独LED106的多个驱动电路107，该驱动电路107在集成电路中构成重复的电路单元。这些驱动电路107以规则间隔、面对多个LED106布置。除了驱动电路107之外， 集成电路薄膜104包括了用于LED106照明控制的共享电路。集成电路薄膜104的厚度与 LED外延膜103的厚度是相同的量级，如小于lOiim。
在第一实施例的变化中，例如聚酰亚胺薄膜的电介质薄膜用于平面化在LED外延膜103和集成电路薄膜104的边缘处的台阶。然后LED外延膜103和集成电路薄膜104的厚度可以大于lOiim。
参考图3，当LED106布置在具有阵列间距P1的单个行中时，驱动电路107优选布置在沿着相同方向延伸的阵列中(在图中是X方向)，具有基本上相同的阵列间距P2，使得驱动电路107面对它们所驱动的LED。
单独互连线105将LED外延膜103中的发光区域105的上表面与衬底101上的驱动电路107中的单个驱动端子107a电互连。单独互连线105可以通过对半导体薄膜构图而形成。适合的薄膜的具体实例包括单层金膜，具有钛、钼和金层的多层膜(Ti/Pt/Au膜)， 具有金和锌层的多层膜(Au/Zn膜)，具有金层和金-锗-镍层的多层膜(AuGeNi/Au膜)， 单层钯膜，具有钯和金层的多层膜(Pd/Au膜)，单层铝膜，具有铝和镍层的多层膜(Al/Ni 膜)，多晶硅膜，氧化铟锡膜(ITO)，氧化锌膜(ZnO)和这些薄膜的各种组合。
当从薄膜形成单独互连线105时，由于它们的宽度受到LED106的阵列间距P1限制，如果单独互连线105太长的话，会产生相当大的电压降，特别是在阵列间距P1相对小的紧密线性阵列中。如果必须通过例如5 ii m宽和0. 5 ii m厚的单独互连线105提供几毫安的驱动电流，那么单独互连线的长度优选小于约200 y m。
单独互连线105与LED外延膜103的顶表面和侧表面之间、与金属层102之间、与衬底101的表面之间和与驱动电路107之间的短路通过层间电介质膜(在图4，6D和6E中所示的电介质薄膜117)来阻止，根据需要层间电介质薄膜使单独互连线105与这些区域绝缘。
参考图4，LED外延膜103包括，从底部向上，n型砷化镓(GaAs)层111和三层n型砷化铝镓(AlGaAs)层一八1!^1_!^下部覆层112(0彡叉<1)41和1_>有源层113(0彡7<I)，和AlzGapzAs上部覆层114(0彡z < I)。在n型AlzGapzAs层114上形成第二 n型 GaAs接触层，然后部分被去掉并且部分掺杂锌(Zn)，以生成用于每个LED的p型GaAs接触层115。每个LED还包括在n型AlyGai_yAs有源层113和n型AlzGa1=As上部覆层114中形成的P型Zn扩散区116。当提供的正向电流通过在p型和n型区之间的界面处的pn结时， 光被发射。去除包括Pn结的那部分第二 GaAs层，留下该p型GaAs接触层115作为位于每个LED内的岛。用上面提到的电介质薄膜117覆盖包括pn结的那部分n型AlzGahAs上部覆层114，它可以看成是LED外延膜103的部分。
n 型 GaAs 层 111 约 IOnm(0. 01 u m)厚，n 型 AlxGa1^As 下部覆层 112 约 0. 5 u m 厚， n型AlyGa^As有源层113约I y m厚，n型AlzGapzAs上部覆层114约0. 5 y m厚，并且p型 GaAs接触层115a约IOnm(0. 01 u m)厚。LED外延膜103的总厚度是约2. 02 u m。
AlGaAs层的Al成分比例x, y, z优选选择为x > y并且z > y (如x = z = 0. 4, y = 0. I)，而且Zn扩散区116的扩散前沿优选位于n型AlyGai_yAs有源层113的内部。对于这种结构，通过pn结注入的少数载流子被限制在n型AlyGapyAs有源层113内和其中通过Zn扩散产生的p型AlyGapyAs区内，以便能获得高的发光效率。图4中所示的结构能够使用大约2 u m薄的LED外延膜103来获得高的发光效率。
LED外延膜103不局限于上面给出的厚度或材料。还可以使用其他材料，例如铝镓铟磷化物((AlxGa1J yliVyP，其中0彡x<l且0彡y<l)，氮化镓(GaN)，氮化铝镓(AlGaN) 和氮化铟镓(InGaN)。在图4中所示的LED具有双异质结结构，但通过在单个的异质多层类型或单层类型的外延层中形成扩散区可以制作具有单异质结结构或同质结结构的LED。
下面将说明制作集成LED/驱动IC芯片100的方法。在这个方法中，正如图5所示，多个集成LED/驱动IC芯片是在晶片衬底IOla上同时形成的。在图6A到6E中说明了制作工艺步骤，这些图示出了一个集成LED/驱动IC芯片的一部分。
在制作工艺中，在晶片衬底IOla上淀积第一金属层，并且通过例如剥离来对其构图以便在每个芯片形成区IOla中留下金属层102，。如图6B所示，在每个芯片形成区101b， LED外延膜103接合到每个金属层102并且集成电路薄膜104接合到衬底101a。LED外延膜103和集成电路薄膜104可以以任一种顺序被附着。正如图6C所示，形成电介质薄膜 117以便覆盖衬底101a、金属层102、LED外延膜103和集成电路薄膜104的必要部分。如图6D所示，通过光刻在电介质薄膜117上形成单独互连线105。如图6E所示，沿着图5所示的切割线118将晶片衬底IOla切割并分离成单个的集成LED/驱动IC芯片100。
由电介质薄膜117覆盖的区域不一定是在这些图中所示的区域。例如，可以形成电介质薄膜117以便仅仅覆盖LED外延膜103和金属层102。
为了在金属层102与LED外延膜103的下侧上的公共端子区(不可见)之间，和在金属层102与衬底101上的公共端子区(不可见)之间形成欧姆接触，在与金属层102 紧密接触地布置LED外延膜103之后，在200°C到250°C的温度下对晶片进行退火。该退火也增强了 LED外延膜103与金属层102之间的接合。同样地，在通过光刻形成单独互连线 105之后，晶片在约200°C的温度下进行退火以形成欧姆接触。
下面将参考图7到10说明LED外延膜103的制作工艺。该图解说明的工艺同时产生用于接合多个集成LED/驱动IC芯片100的多个LED外延膜103。
参考图7，制作工艺以在制作衬底120上形成LED外延层103a开始，形成LED外延层103a可以通过公知的技术，例如金属有机化学汽相淀积(MOCVD)或分子束外延(MBE)。图 7中的LED外延膜制作衬底120包括GaAs衬底121、GaAs缓冲层122、铝镓铟磷化物((AlGa) InP)腐蚀停止层123和砷化铝(AlAs)牺牲层124。在AlAs牺牲层124上以此顺序形成n 型 GaAs 接触层 111、n 型 AlxGapxAs 下部覆层 112、n 型 AlyGapyAs 有源层 113、n 型 AlzGa1=As 上部覆层114和n型GaAs接触层115a，建立LED外延层103a。
图7中所示的结构可以进行修改。例如，可以增加各种层，并且如果不需要的话可以省略腐蚀停止层123。
参考图8，现在形成层间电介质膜117a，其中形成开口，包括锌(Zn)的p型杂质通过例如固相扩散方法穿过合适的开口扩散以生成Zn扩散区116。然后将用于固相扩散工艺的扩散源薄膜(没有示出)除去以露出Zn扩散区116中的GaAs接触层的表面。由于p型杂质扩散，在这些区域中的n型GaAs接触层115a变成了 p型GaAs接触层115。如图8所示，通过腐蚀优选除去包括pn结的那部分GaAs接触层。
参考图9和10，现在将LED外延膜从制作衬底120分离。通过光刻和腐蚀在LED 外延层103a中形成平行槽125。为了简化，在这些工艺中使用的光致抗蚀剂掩模在图中没有示出，并且仅仅示出一个槽125(在图10)。腐蚀剂是磷酸和过氧化氢溶液，该溶液腐蚀 AlGaAs层112、113、114和GaAs层111、115、比腐蚀(AlGa) InP腐蚀停止层123快很多。形成槽125的腐蚀停止在腐蚀停止层123的表面。当形成槽125时，牺牲层124的部分表面应被暴露于腐蚀剂。尽管磷酸/过氧化氢溶液不必要腐蚀层间电介质薄膜117，但可以将层间电介质薄膜117从将要腐蚀出槽125的区域中除去。可以使用相同的光致抗蚀剂掩模用于从这些区域中除去电介质薄膜117和用于腐蚀槽125。(AlGa) InP腐蚀停止层123确保了槽腐蚀过程不会使GaAs衬底121凹陷。
图9示出了沿图10中的线S9-S9的剖面，图9给出了成为一个LED外延薄膜103 的侧视图。图10示意了两个LED外延薄膜103的端部剖面图。槽125之间的间隔限定了图3中用W1表示的LED外延膜宽度。为了能够制作薄的LED外延膜并且能够在相对短时间内将它们从LED外延膜制作衬底120上分离，宽度W1优选小于300 u m。小的宽度W1 (例如前面提到的50 y m宽度)还提高了能够同时形成的LED外延膜的数量，从而减少了材料成本和每个LED外延膜的整个制作成本。
参考图9和10，在槽125形成之后，使用10%的氢氟酸(HF)溶液来选择性地腐蚀 AlAs牺牲层124。因为HF对AlAs层124的腐蚀速率比对AlGaAs层112_114、GaAs层111、 115、121和122以及(AlGa) InP腐蚀停止层123的腐蚀速率快很多，所以能够腐蚀AlAs牺牲层124而对这些其他层没有显著损伤。图10示出了腐蚀过程中的中间阶段，其中仍然留下部分Al As牺牲层124。到这个腐蚀过程的结束时，AlAs牺牲层124被完全除去，如图9 所示，使得LED外延膜103从制作衬底120中分离出去。
在通过腐蚀完全除去AlAs牺牲层124后，用去离子水清洗LED外延膜103以便没有腐蚀溶液残余物留下。然后通过例如真空吸引夹具从制作衬底120提起每个LED外延薄膜103，转移到衬底101上的金属层102，并按如上面解释的那样与金属层102接合。
为了在腐蚀过程中保护LED外延膜103并且便于在分离和附着过程中对它们的处理，在槽125形成之前可以在LED外延层103a上形成保护支持层(没有示出)，并且在将外延层接合到金属层102之后将保护支持层从LED外延膜103中去掉。
下面将参考图IlA到IlC来说明集成电路薄膜104的制作。在所描述的工艺中， 集成电路薄膜104被制作在绝缘体上的硅(SOI)衬底130上，该绝缘体上的硅衬底130包含有娃衬底131、隐埋氧化层132和半导体娃层133。隐埋氧化层132是二氧化娃(SiO2) 层，也称作是BOX层。半导体硅层133也称作是SOI层。在图IlA中，集成电路133a在靠近半导体硅层133的表面形成。接下来，如图IlB所示，例如使用HF来选择性地腐蚀SiO2 层132。图IlB示出了腐蚀过程中的中间阶段，当腐蚀过程结束时，SiO2层132被完全地除去。现在，通过例如真空吸引夹具从硅衬底131提起包括了集成电路133a的半导体硅层 133，将其转移到晶片衬底IOla上所要求的位置，并且与晶片衬底IOla附着而成为集成电路薄膜104，如图IlC所示。
为了在3102层132的腐蚀过程中保护集成电路133a，并且在分离和附着工艺中便于对集成电路薄膜104的处理，在腐蚀工艺之前在半导体硅层133上可以形成保护支持层 (没有示出)，如图IIB所示，并且在附着工艺之后去掉保护支持层，如图IIC所示。
第一实施例的一个效果是，因为LED外延膜103通过薄膜单独互连线105与集成电路薄膜104中的驱动电路107电连接，所以在LED外延膜103和驱动电路107之间不再需要制作引线接合连接。因此降低了装配成本，并且降低了互连故障的发生率。
一个相关的效果是，由LED外延膜103所占据的区域比常规LED阵列芯片所占据的区域小许多，并且能够减小由集成电路薄膜104所占据的区域，这是因为不再需要为这两个区域之间的互连提供引线接合焊盘。此外，因为LED外延膜103受到衬底101的支撑， 不需要加厚来提供用于引线接合的强度，因此它们比常规的LED阵列芯片薄许多。这些结果导致材料成本的大幅度降低。特别是，即便考虑了制作衬底120，与常规的LED阵列芯片相比，大幅度减少了相对昂贵的化合物半导体材料的必需量，如砷化镓。
另外一个效果是，因为在LED外延膜103中的LED106靠近它们的驱动电路107，单独互连线105就能相应缩短，导致电阻降低，更不用说包含有LED和LED驱动电路的装置的组合宽度的全面减小。这样，集成LED/驱动IC芯片100与常规的成对LED阵列芯片和驱动器IC芯片相比，占据更少的空间并且能在较低功率下工作。
此外，在第一实施例的集成LED/驱动IC芯片100中，金属层103被布置在外延膜 104的下面，并且外延膜具有极薄的厚度，例如，约2 u m的厚度。因此，光不仅从LED105直接向上发射而且从LED105向下发射的光被金属层103的表面反射以便穿过外延膜104向上传播。因此，集成LED/驱动IC芯片100的发光强度可被增加。
第二实施例
在图12的局部平面图中示意性示出了本发明半导体装置的第二实施例。这个集成LED/驱动IC芯片150不同于第一实施例中的集成LED/驱动IC芯片100，其中在位于 LED外延膜103和集成电路薄膜104之间的衬底101上提供了包括有导电材料的转接端子区域151。单独互连线105从LED外延膜103中的LED106的发光部分的上面延伸到衬底 101上的转接端子区域151，然后延伸到集成电路薄膜104的单个端子区域107a。转接端子区域151使得有可能改变LED外延膜103和集成电路薄膜104之间的位置关系例如，通过比较图3和12所说明的，将它们分隔开较大的距离。
除了前面叙述的要点之外，第二实施例与上面说明的第一实施例相同。
第三实施例
在图13的局部平面图和在图14的局部剖视图中示意性示出了本发明半导体装置的第三实施例。这个集成LED/驱动IC芯片160不同于第一实施例中的集成LED/驱动IC 芯片100，其中在LED外延膜103和衬底101之间没有金属层。衬底101的上表面和LED外延膜103的下表面都通过适当的化学方法来处理以除去沾染物，和进行平面化，例如平面化到一个原子层的量级，在这之后通过加压和加热将两个表面紧密接触放置并且接合在一起。
尽管在第二实施例中为了实现安全接合所必需的加热温度比在第一实施例中要高，但是第二实施例消除了由于在第一实施例中插入在LED外延膜和娃衬底之间的金属层中的不规则厚度所引起的接合缺陷的可能性。因为消除了与插入的金属层相关的误差，所以还能提高LED106的阵列与驱动电路107的阵列之间的对准精确度。
除了没有金属层之外，第三实施例与第一实施例是相同的。
第四实施例
在图15的局部平面图中、在图16的局部透视图中和在图17的局部剖视图中示意性示出了本发明半导体装置的第四实施例。在这个集成LED/驱动IC芯片170中，每个LED 是作为一单独的LED外延膜171形成的。
每个LED外延膜171具有图17所示的结构，包括p型GaAs下部接触层172、p型 AlxGa1^xAs下部覆层173、p型AlyGai_yAs有源层174、n型AlzGa1=As上部覆层175、和n型 GaAs上部接触层176。Al成分比例x、y、z可以满足条件x > y且z > y (例如，x = z =0.4, y = 0. I)。电介质薄膜117形成在n型GaAs上部接触层176上。将电介质薄膜177 的中央条纹除去以允许单独互连线105以垂直于图17纸面的方向、穿过LED外延膜171的整个宽度、与n型GaAs上部接触层176的表面接触。单独互连线105延伸到对应驱动电路 107的端子区域107a，如图15和16所示。
LED外延薄膜171不局限于图17中所示的部分结构或者上面说明的成分比例。进行各种修改是可行的。
第四实施例的一个效果是，因为每个LED外延膜171非常的小，所以LED外延膜中由温度引起的内部应力大幅度减小，而如果LED外延膜的热膨胀系数远远不同于衬底101 的热膨胀系数，则由温度引起的内部应力非常大，而且基本上消除了导致LED失效的其中一个因素。从而提高了集成LED/驱动IC芯片170的可靠性。
因为每个LED外延膜171的接合区域小，所以LED外延膜171的小尺寸使得将它们与金属层102接合的过程变得容易。不完全接触缺陷的发生率因此减少。
另一个效果是，因为LED外延膜171除了发光区域之外不包括任何部分，所以LED 外延膜的宽度能够被减小并且单独互连线105的长度能够相应地减小。
除了前面叙述的要点之外，第四实施例与第一实施例相同。
第五实施例
在图18的局部透视图中和在图19的局部平面图中示意性示出了本发明半导体装置的第五实施例。第五实施例的集成LED/驱动IC芯片180包括衬底181，在其上形成带有端子区182a的电路图案182 ;接合到衬底181表面的多个LED外延膜183 ;接合到衬底 181表面的多个集成电路薄膜184 ;和多个薄膜单独互连线185和186 (在图19中示出)。 在第五实施例中，每一个集成电路薄膜184与一个LED外延膜183面对,如图18所不，并且具有端子区184a和184b，如图19所示。
第一薄膜单独互连线185从LED106外延膜183中的LED106延伸，越过衬底181 的表面，延伸到集成电路薄膜184，将LED106的发光部分与其面对着的集成电路薄膜184中的端子区184a电互连。层间电介质层(没有示出)配置在第一单独互连线185的下面，这里防止电学短路是必需的。
第二薄膜单独互连线186从集成电路薄膜184延伸到衬底181上的电路图案182，将集成电路薄膜184中的端子区184b与电路图案182中的端子区182a电互连。这些单独互连线186用于例如为集成电路薄膜184中的驱动电路提供电信号和功率的输入与输出。 层间电介质层(没有示出)配置在第二单独互连线186的下面，这里防止对电路图案182 和集成电路薄膜184的电学短路是必需的。
因为常规的接合线被薄膜单独互连线185和186所代替，能够实现减少尺寸和材料，并且能够降低互连故障率。与第一实施例相比，集成电路薄膜184减小的尺寸有助于它们附着于衬底。
除了前面叙述的要点之外，第五实施例是与第一实施例相同的。
第六实施例
在图20局部平面图中示意性示出了本发明半导体装置的第六实施例。根据第六实施例的集成LED/驱动IC芯片190包括衬底191，其上形成有电路图案192 ;接合到衬底191表面的多个LED外延膜193 ;接合到衬底191表面的多个集成电路薄膜194 ;和多个薄膜单独互连线195和196。第六实施例不同于与第五实施例，其中每个集成电路薄膜194 面对着三个LED外延膜193。集成电路薄膜194具有端子区，第一和第二单独互连线195和 196都连接到该端子区。衬底191上的电路图案192具有端子区，第二单独互连线196连接到该端子区。
第一薄膜单独互连线195从LED外延膜193中的LED延伸，越过衬底191的表面， 延伸到集成电路薄膜194，将LED的发光部分与其面对着的集成电路薄膜194中的端子区电互连。层间电介质层(没有示出)配置在第一单独互连线195的下面，这里防止电学短路是必需的。
第二薄膜单独互连线196从集成电路薄膜194延伸到衬底191中的电路图案192 的端子区，将集成电路薄膜194中的端子区与电路图案192的端子区电互连。第二单独互连线196用于例如为集成电路薄膜194中的驱动电路提供电信号和功率的输入与输出。层间电介质层(没有示出)配置在第二单独互连线196的下面，这里防止对电路图案192和集成电路薄膜194的电学短路是必需的。
与第五实施例相比，第六实施例需要较少的第二单独互连线，因为第六实施例的集成电路薄膜较少，能够相应地简化衬底上的电路图案。
在其他方面，第六实施例与第五实施例基本上相同。因为常规的接合线被薄膜单独互连线195和196所代替，所以能够实现尺寸和材料的减少，并且能够降低互连故障率。
第七实施例
在图21局部平面图中示意性示出了本发明半导体装置的第七实施例。根据第七实施例的集成LED/驱动IC芯片200包括衬底201，其上形成具有端子区202a的电路图案 202 ;在衬底201上形成的金属层201a并且它们紧密接触；接合到金属层201a表面的多个 LED外延膜203 ;接合到衬底201表面的集成电路薄膜204 ;和多个薄膜单独互连线205和 206。集成电路薄膜204具有端子区204a和204b。根据第七实施例的集成LED/驱动器芯片200与图18中(第五实施例)示出的集成LED/驱动IC芯片180不同在于每个LED106 是作为单独的LED外延膜203形成的。LED外延膜203以规则的间隔、单一一行的方式接合到金属层201a上。
电路图案202是互连图案,用于将位于衬底201上提供功率和电信号的输入/输出端子连接到集成电路薄膜204的端子区204b，并连接到集成电路薄膜204外部的其他电路元件的端子，例如电阻器、电容器和存储器电路，这些其他电路元件配置在衬底201上用于驱动控制。电路图案202还可以将集成电路薄膜204的端子区204b与这些电阻器、电容器、存储器电路和其他电路元件连接。
第一单独互连线205从LED外延膜203中的LED上面延伸，越过衬底201的表面， 延伸到集成电路薄膜204，将LED的发光部分与其面对着的集成电路薄膜204中的端子区 204a电互连。层间电介质薄膜(没有示出)配置在单独互连线205的下面，这里防止电学短路是必需的。
第二单独互连线206从集成电路薄膜204延伸到衬底201上的电路图案202，将集成电路薄膜204中的端子区204b与电路图案202的端子区202a电互连。第二单独互连线 206用于例如为集成电路薄膜204中的驱动电路提供电信号和功率的输入与输出。层间电介质层(没有示出)配置在单独互连线206的下面，这里防止对电路图案202或集成电路薄膜204的电学短路是必需的。
除了前面所述的要点之外，第七实施例与上面说明的第五实施例相同。因为常规的接合线被薄膜单独互连线205和206所代替，因此能够减少尺寸和材料，并且能够降低互连故障率。另外，LED外延膜203的小尺寸有助于它们安全接合到金属层201a，能够减小 LED外延膜的宽度，并且通过减小热应力来降低LED的故障率。
第八实施例
在图22平面图中和在图23的局部透视图中示意性示出了本发明半导体装置的第八实施例。在第八实施例中的集成LED/驱动IC芯片210包括衬底211，其上形成有电路图案212 ;在衬底211上形成的金属层211a并且它们紧密接触；接合到金属层211a表面的多个LED外延膜213 ;接合到衬底211表面的集成电路薄膜214 ;和多个薄膜单独互连线215 和216。LED外延膜213以单——行的方式接合到金属层211a上面。用于单独互连线215 和216的端子区配置在集成电路薄膜214中，并用于第二单独互连线216的端子区配置在衬底211上的电路图案212中。
第一薄膜单独互连线215从LED外延膜213中的LED上面延伸，越过衬底211的表面，延伸到集成电路薄膜214，将LED的发光部分与其面对着的集成电路薄膜214中的端子区电互连。层间电介质薄膜(没有示出)配置在单独互连线215的下面，这里防止电学短路是必需的。
第二薄膜单独互连线216从集成电路薄膜214延伸到衬底211上的电路图案212， 将集成电路薄膜214中的端子区与电路图案212的端子区电互连。第二单独互连线216用于例如为集成电路薄膜214中的驱动电路提供电信号和功率的输入与输出。层间电介质层 (没有示出)配置在单独互连线216的下面，这里防止对电路图案212和集成电路薄膜214 的电学短路是必需的。
因为常规的接合线被薄膜单独互连线215和216所代替，所以能够实现减少尺寸和材料，并且能够降低互连故障率。
在图24中示意性示出了在第八实施例中用于集成电路薄膜214的制作工艺。在例如玻璃衬底的制作衬底217上一起形成多个集成电路薄膜214。每个集成电路薄膜214 从玻璃衬底217中分离，然后接合到集成LED/驱动IC芯片210的衬底211。制作工艺包括了热处理步骤，但是因为这些步骤是在玻璃衬底217上执行的，所以集成LED/驱动IC芯片 210的衬底211不需要有高耐热性，这样拓宽了衬底材料的选择。
除了前面所述的要点之外，第八实施例与第一实施例相似。
第九实施例
在图25平面图中示意性示出了本发明半导体装置的第九实施例。根据第九实施例的集成LED/驱动IC芯片220包括衬底221，其上形成有电路图案222 ;在衬底221上形成的金属层221a并且它们紧密接触；接合到金属层221a表面的多个LED外延膜223 ;接合到衬底221表面的一对集成电路薄膜224 ;和多个薄膜单独互连线225和226。LED外延膜223以单一一行的方式接合到金属层221a上。集成电路薄膜224具有用于第一和第二单独互连线225和226的端子区，并且在衬底221上的电路图案222具有用于第二单独互连线226的端子区。
LED外延膜223的数量不局限于图中示出的八个，并且集成电路薄膜224的数量不局限于两个。例如，可以有三个或更多集成电路薄膜224。
第一薄膜单独互连线225从LED外延膜223延伸，越过衬底221的表面，延伸到集成电路薄膜224，将LED外延膜223中的LED的发光部分与集成电路薄膜224中的端子区电互连。层间电介质薄膜(没有示出)配置在单独互连线225的下面，这里防止电学短路是必需的。
第二薄膜单独互连线226从集成电路薄膜224延伸到衬底221上的电路图案222， 将集成电路薄膜224中的端子区与电路图案222的端子区电互连。第二单独互连线226用于例如为集成电路薄膜224中的驱动电路提供电信号和功率的输入与输出。层间电介质薄膜(没有示出)配置在单独互连线226的下面，这里防止对电路图案222和集成电路薄膜 224的电学短路是必需的。
除了集成电路薄膜被分成多个部分之外，第九实施例与第八实施例相似。因为常规的接合线被薄膜单独互连线225和226所代替，所以能够实现减少尺寸和材料，并且能够降低互连故障率。集成电路薄膜被分成多个部分有助于对其的处理和附着。
LED打印头
图26示出了使用本发明的LED打印头700的实例。LED打印头700包括了基底 701，在其上安装了 LED单元702。LED单元702包括了在前述实施例中的任何一个中所述类型的多个集成LED/驱动IC芯片702a，将其安装成使得它们的发光部分位于棒形透镜阵列703的下面。该棒形透镜阵列703由支架704支撑。基底701、LED单元702和支架704 被夹具705固定在一起。在LED单元702中由发光元件发射的光被棒形透镜阵列703中的棒形透镜聚焦到例如电子照相打印机或复印机中的感光鼓上(没有示出)。
使用集成LED/驱动IC芯片702a代替常规的成对LED阵列芯片和驱动器IC芯片使得LED单元702在尺寸上减小，并且减小了它们的装配成本，这是由于要安装的芯片较少。
LED打印机
图27示出了可以使用本发明的全色LED打印机800的实例。该打印机800具有黄色(Y)处理单元801、深红色(M)处理单元802、蓝绿色(C)处理单元803和黑色(B)处理单元804，这些单元以级联方式一个接一个地安装。例如，蓝绿色处理单元803包括感光鼓803a，它是按照箭头所示的方向旋转，向感光鼓803a提供电流以给其表面充电的充电单元803b，选择性地照明感光鼓803a的充电表面以形成静电潜象的LED打印头803c，提供蓝绿色调色剂颗粒给感光鼓803a的表面以显影静电潜像的显影单元803d，和清洗单元803e， 该清洗单元803e在显影过的图像转移到纸上之后将残余的调色剂从感光鼓803a中清除。 LED打印头803c具有例如图26所示的结构，它包括上面九个实施例中的任何一个中所描述类型的集成LED/驱动IC芯片702a。其他处理单元801、802、804在结构上与蓝绿色处理单元803相似，但是使用了不同颜色的调色剂。
纸805 (或其他媒介)在盒子806中被一页一页地堆起。跳跃辊807向成对的运输辊810和压紧辊808提供纸805，一次提供一张。纸805在这些辊之间传递后，输送到记录辊811和压紧辊809，它们将纸提供给黄色处理单元801。
纸810依次通过处理单元801、802、803、804，进入到感光鼓和转印辊812之间的每一个处理单元，转印辊812是由例如半导电的橡胶制成。转印辊812被充电以便在它和感光鼓之间产生电势差。这个电势差将感光鼓的调色剂图像吸引到纸805上。经过四个阶段一黄色处理单元801打印黄色图像，深红色处理单元802打印深红色图像，蓝绿色处理单元803打印蓝绿色图象和黑色处理单元804打印黑色图像，在纸805上建立全色图像。
从黑色处理单元804，纸805行进通过熔凝器813，其中加热辊和垫辊加热加压以便将转印的调色剂图像熔融到纸上。然后第一输送辊814和压紧辊816将纸805向上提供给第二输送辊815和压紧辊817，它们将打印过的纸输送给位于打印机顶部的集纸箱818 上。
由发动机和传动装置(图中没有示出)来驱动这些感光鼓和不同的辊。发动机由控制单元(没有示出)控制，该控制单元例如驱动运输辊810并且暂停记录辊811直到一页纸805的前沿保持靠着记录辊811齐平，然后驱动记录辊811，从而确保了纸805在它通过处理单元801、802、803、804时被正确对准。运输辊810、记录辊811、输送辊814、815和压紧辊808、809、816、817都具有改变纸805的行走方向的功能。
LED打印头占据了这种类型的LED打印机800的制造成本的相当大部分。通过使用高可靠的并且节省空间的集成LED/驱动IC芯片，并且通过使LED头中的这些芯片和LED 单元由减少材料成本的简化的制造工艺来生产，本发明能以相对低的成本来制作高质量的打印机。
在将本发明应用于全色复印机的情况下也能得到相类似的优点。本发明还能够有利地用于单色打印机或复印机或多色打印机或复印机，但是它们的效果在全色图像形成装置(打印机或复印机)中尤其显著，这是因为在这样的装置中需要大量的曝光装置(打印头)。
本发明不局限于前述的实施例。例如在多个实施例中使用的金属层102可以用多晶硅薄膜或者其他任何适当的材料代替。
金属层102被绘制成具有直边和方角的矩形，但是该矩形形状能够修改成包括例如，切去角和边曲折。该切去角能够用作确定芯片定向的参考。该曲折能够用作确定LED 位置的参考。
LED外延膜可以用半导体薄膜来代替，在薄膜中除了形成LED还形成半导体器件。 这些其他半导体器件的可行实例包括半导体激光器、光电探测器、霍尔元件和压电器件。
LED外延膜不需要作为外延层生长在制作衬底上。可以使用任何可用的制作方法。
不需要相邻于衬底上的集成电路薄膜安装LED外延膜；只要在互连线中的电压降不会成为问题，那么LED外延膜可以以任意距离与集成电路薄膜分隔开。
已经说明的集成电路薄膜是制作在SOI衬底上，但是能使用其他的制作方法。例如，集成电路薄膜可以是具有薄膜晶体管(TFT)的多晶硅薄膜。为了制作这种类型的薄膜， 可以通过例如化学气相淀积(CVD)的方法、以相对低的淀积温度在玻璃衬底上形成非晶硅薄膜，在玻璃衬底上已经形成有几百纳米厚的SiO2层。然后通过例如准分子脉冲激光照射对该非晶硅再结晶以得到多晶硅层。包含有例如晶体管的电路元件的集成电路图案被形成在多晶硅层中。
形成在LED外延膜下侧上的公共电极可以被分成多个电极，以便在不同时序驱动不同组的LED。
那些本领域的技术人员将认识到在由附属权利要求书加以定义的本发明范围内做进一步的变更是可能的。
权利要求
1.一种组合半导体装置，包括衬底；多个第一半导体薄膜；以及第二半导体薄膜；多个第一单独互连线，所述衬底具有实质上是平的表面，所述多个第一半导体薄膜布置并接合在所述衬底的表面，所述多个第一半导体薄膜分别仅具有一个发光元件并且为仅包含一个该发光元件所必须程度的尺寸，所述第二半导体薄膜接合在所述衬底的相同的表面，从该衬底突出地布置，所述第二半导体薄膜形成为比所述第一半导体薄宽度更宽，包含含有驱动所述发光元件的多个驱动元件群的集成电路和多个第一端子，所述第一以及所述第二半导体薄膜分别为IOu m以下的厚度，在与所述衬底之间形成该厚度的台阶，所述多个第一单独互连线从所述第一半导体薄膜的上表面经由该第一半导体薄膜的台阶、所述衬底的表面上以及第二半导体薄膜的台阶在第二半导体薄膜的上表面延伸，形成薄膜，所述多个第一单独互连线将所述第一半导体薄膜的光半导体器件与第二半导体薄膜的第一端子电连接，其结果是，多个驱动所述第二半导体薄膜。
2.权利要求I的组合半导体装置，还包括布置在第一半导体薄膜和衬底之间的导电材料层，该导电材料层接合形成在衬底上且第一半导体薄膜接合于导电材料层，由此该第一半导体薄膜接合在衬底上。
3.权利要求2的组合半导体装置，其中导电材料层是金属层或者多晶硅层。
4.权利要求I的组合半导体装置，其中作为衬底的主要材料有玻璃、树脂、陶瓷、金属或者半导体。
5.权利要求I的组合半导体装置，还包括在衬底上形成的电路图案，该电路图案包括互连线、电阻器和电容器中的至少一种。
6.权利要求5的组合半导体装置，还包括作为薄膜形成的第二单独互连线，其中 所述第二半导体薄膜具有第二端子；在衬底上形成的电路图案具有第三端子；和第二单独互连线从第二半导体薄膜延伸到衬底上的电路图案，它使第二端子与第三端子电互连。
7.权利要求6的组合半导体装置，其中第二单独互连线(186)是通过光刻形成的。
8.权利要求6的组合半导体装置，其中第二单独互连线(包括Au层、Ti/Pt/Au多层、 Au/Zn多层、AuGeNi/Au多层、Pd层、Pd/Au多层、Al层、Al/Ni多层、多晶硅层、ITO层和ZnO 层中的至少一种。
9.权利要求I的组合半导体装置，其中作为第一半导体薄膜的主要材料有非晶硅、单晶硅、多晶硅、化合物半导体或者有机半导体。
10.权利要求I的组合半导体装置，其中第一半导体薄膜是外延生长的化合物半导体膜。
11.权利要求10的组合半导体装置，其中第一半导体薄膜至少包括AlxGahAs(0 ( x<I)，(AlxGa1J JrvyP (0 彡 x<l 且0 彡 y<l)，GaN, AlGaN 和 InGaN 中的一种。
12.权利要求I的组合半导体装置，其中在第二半导体薄膜中的集成电路包括用于驱动发光元件的驱动器电路。
13.权利要求I的组合半导体装置，其中第一半导体薄膜包括以规则间隔布置的多个发光元件，所述发光元件是该多个发光元件中的一个。
14.权利要求I的组合半导体装置，其中第一半导体薄膜仅仅包括一个所述半导体器件。
15.权利要求I的组合半导体装置，其中多个第一半导体薄膜接合到衬底的所述表面， 所述第一半导体薄膜是该多个第一半导体薄膜中的一个。
16.权利要求I的组合半导体装置，其中作为第二半导体薄膜的主要材料有再结晶硅、 单晶硅、多晶硅、化合物半导体、有机半导体或者聚合物。
17.权利要求I的组合半导体装置，其中多个第一半导体薄膜接合到衬底的所述表面， 所述第一半导体薄膜是该多个第一半导体薄膜中的一个，该多个第一半导体薄膜被布置在行阵列中，第二半导体薄膜的长度基本上与线性阵列的长度相等。
18.权利要求I的组合半导体装置，其中第一单独互连线是通过光刻形成的。的组合半导体装置，其中第一单独互连线包括Au层、Ti/Pt/Au多层、 Au多层、Pd层、Pd/Au多层、Al层、Al/Ni多层、多晶硅层、ITO层和ZnO
19.权利要求I Au/Zn 多层、AuGeNi/ 层中的至少一种。
20.权利要求度。
21.I的组合半导体装置，其中第一和第二半导体薄膜小于或等于10微米厚权利要求I的组合半导体装置，其中第一单独互连线小于200微米长。
全文摘要
一种半导体装置，包括接合到衬底的两个半导体薄膜，和将第一半导体薄膜中例如发光器件的半导体器件与第二半导体薄膜中的集成电路电连接的薄膜互连线。通常，该集成电路驱动该半导体器件。两个半导体薄膜与衬底分开形成。第一半导体薄膜可以包括半导体器件阵列。第一和第二半导体薄膜可以作为阵列被复制而接合到相同的衬底。与包含有阵列芯片和分离的驱动器芯片的常规半导体装置相比，本发明装置更小并且降低了材料成本。
文档编号H01L33/00GK102529420SQ20111040528
公开日2012年7月4日 申请日期2003年11月13日 优先权日2002年11月13日
发明者佐久田昌明, 安孙子一松, 荻原光彦, 藤原博之 申请人:日本冲信息株式会社