专利名称：基底处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及基底处理装置。具体地说，本发明涉及这样一种实施工艺处理的装置，其在应用于有机发光二极管的基底上形成薄膜。
背景技术：
最近，信息处理设备正在迅速发展，它们具有各种形状和快速处理数据的功能。这类信息处理设备具有用于显示被处理信息的显示装置。这样的显示装置主要是采用阴极射线管型显示装置，但是，与阴极射线管型显示装置相比，平板显示装置具有重量轻、尺寸紧凑等各种特性，最近也被用作信息处理设备的显示装置。尤其引人注意的是，与液晶显示相比，有机发光二极管(OLED)具有各种优点，例如，厚度薄、能耗低、图象质量清晰、响应速度快，等等。这是因为，OLED不需要单独的逆光元件(backlight unit)。
为了制造上述OLED，需要很多工艺处理，且主要采用集群型(cluster type)装置来完成这些工艺处理。在集群型装置中，将处理室布置成圆形，用于在处理室之间传送基底的机械手位于该圆形的中央。
但是，由于基底是由机械手传送的，所述工艺处理需要多次将基底从处理室卸载以及将基底载入处理室。另外，当处理室的数量增多、基底尺寸变大时，所述集群型装置所占的面积也要增大。
发明内容
本发明提供一种基底处理装置，其能为有机发光二极管有效地进行沉积过程。
本发明还提供一种基底处理装置，其能连续地进行多个工艺过程。
按照本发明的一个方面，基底处理装置包括多个处理室、传送导轨、至少一个基底支架以及沉积材料供给部件。所述处理室包含多个沉积室，每个沉积室具有一个穿透其侧壁的开口。所述传送导轨安装在沉积室内的上部。当基底在沉积室之间移动以及对基底进行处理时，所述基底支架支撑着基底。所述基底支架连接于传送导轨，从而使该基底支架沿着传送导轨移动。所述沉积材料供给部件向基底支架所支撑的基底提供沉积材料，该沉积材料供给部件设置在沉积室内的传送导轨的下方。所述基底支架经由所述开口、沿着传送导轨在处理室之间移动，当连接于传送导轨的基底支架支撑着基底的时候，对基底进行处理。
可以在所述处理室之间设置闸门阀，用于打开或关闭所述开口，从而使得处理室的内部相互隔离开。在对基底进行处理时，所述沉积室的内部维持为真空状态。
每个处理室还可包括掩模安装室和掩模拆卸室。所述掩模安装室提供一个空间，在该空间中，进行让具有预定图案的掩模附着于基底的过程。所述掩模安装室设置在沉积室的第一侧并具有一个开口，经由该开口移动基底。所述掩模拆卸室提供一个空间，在该空间中，进行从基底拆卸掩模的过程，所述掩模拆卸室设置在沉积室的第二侧并具有一个开口，经由该开口移动基底。
在对基底进行处理时，所述沉积室的内部维持为真空状态。将所述掩模安装室、所述沉积室和所述掩模拆卸室划分成一个或多个组，而且，所述闸门阀可以打开或关闭设置在所述掩模安装室、所述沉积室和所述掩模拆卸室的组之间的开口。
所述基底可以是用来制造有机发光二极管的基底。所述基底支架包括形成于其下表面的粘附层，而且，通过该粘附层让所述基底附着于所述基底支架。
所述沉积材料供给部件可以包括用于容纳沉积材料的供给箱和用于加热该供给箱的加热部件，在对所述基底进行处理时，向所述基底提供所述沉积材料。
所述基底处理装置还可以包括挡板，穿透该挡板形成一个面对着沉积材料供给部件上部的开口。所述挡板安装在附着于基底支架的基底与沉积材料供给部件之间。所述挡板可防止由沉积材料供给部件提供的沉积材料经由沉积室的开口流动或沉积在传送导轨上。
在对基底进行处理时，所述基底支架可以沿着传送导轨连续移动。或者，在对基底进行处理时，所述基底支架可以在预定位置停留预定时间之后再移动。
所述基底处理装置还可以包括用于遮盖一个开口的盖子，经由该开口将沉积材料供给部件中的沉积材料提供给沉积室。
所述基底处理装置还可以包括返回导轨，用于返回已经卸下基底的基底支架。该返回导轨设置在处理室内的传送导轨上，而且，当沿着传送导轨返回时，所述基底支架将掩模从掩模拆卸室移动至掩模安装室。
所述基底处理装置还可以包括掩模返回部件，用于沿着传送导轨将掩模从掩模拆卸室移动至掩模安装室，而且，所述沉积室的内部具有缓冲空间，所述掩模返回部件在该缓冲空间中临时停留。
所述缓冲空间位于沉积室的传送导轨的上方。所述缓冲空间位于掩模安装室内，且掩模拆卸室具有一缓冲空间，所述掩模返回部件在该缓冲空间中临时停留。
所述基底支架包括用于支撑基底的支撑板以及驱动轮，当支撑板沿着传送导轨传送时，该驱动轮在传送导轨的上表面上滚动。所述驱动轮与所述支撑板的下表面相结合。
所述基底支架还可以包括沿着传送导轨的侧面滚动的引导轮，当沿着传送导轨传送支撑板时，该引导轮可以防止支撑板朝着基本上垂直于传送导轨纵向的方向偏离传送导轨。
所述支撑板的下表面包括用于支撑基底的中央部分；安装有驱动轮的末端部分；以及形成于中央部分与末端部分之间的第一弯曲部分。所述传送导轨的上表面包括与驱动轮接触的平坦部分；以及对应于第一弯曲部分的第二弯曲部分。
所述基底处理装置还可以包括用于驱动基底支架的驱动器。该驱动器包括形成于支撑板侧壁上的齿条传动机构；与齿条传动机构相结合的小齿轮传动机构；通过电动机进行旋转的第一旋转轴；里面插有第一旋转轴的第一磁性物质；用于旋转小齿轮传动机构的第二旋转轴，该第二旋转轴基本上垂直于第一旋转轴；以及第二磁性物质，用于将旋转力从第一旋转轴传输给第二旋转轴。所述第二旋转轴插在第二磁性物质中，且第二磁性物质基本上垂直于第一磁性物质。
由上所述，可以缩短用于处理基底的时间，并减小了安装所述基底处理装置的面积，而且，在维修任意室时，其它室可以继续维持为真空状态。
下面结合附图进行详细说明，以更容易地理解本发明的上述和其它优点。附图中图1是立体图，显示了本发明一个示例性实施例的基底处理装置；图2和3是平面图，显示了本发明另一个示例性实施例的基底处理装置的布置；图4是平面图，显示了本发明一个示例性实施例的基底传送装置；图5是剖视图，显示了图4所示的基底支架；图6是沿图4中I-I线的剖视图；图7是剖视图，显示了本发明一个示例性实施例的掩模安装/拆卸室；图8是剖视图，显示了本发明一个示例性实施例的沉积室；图9是剖视图，显示了在图8的沉积室中进行的沉积过程；图10是剖视图，显示了图1的基底处理装置中掩模的拆卸过程；图11和12是剖视图，显示了应用于图1的基底处理装置的闸门阀；图13显示了在维修任意室的时候各室内的真空状态；图14显示了本发明另一示例性实施例的基底处理装置；图15按照本发明另一个示例性实施例显示了图14的基底处理装置；以及图16至18显示了采用图14所示基底处理装置返回掩模的过程。
具体实施例方式
可以理解的是，当说明某一部件或层“在另一部件或层之上”、“连接于”或“结合于”另一部件或层时，可以是直接地在所述另一部件或层之上、直接地连接于或结合于所述另一部件或层，也可以是二者之间存在中间部件或层。相比之下，当说明某一部件或层“直接在另一部件或层之上”、“直接连接于”或“直接结合于”另一部件或层时，二者之间不存在中间部件或层。全文中，相同的附图标记表示相同的部件。这里所使用的词汇“和/或”，包括所列出的一个或多个相关条目中的任意或全部组合。
也可以理解的是，尽管可能使用了第一、第二之类的词汇来描述各个部件、组件、区域、层和/或部分，但并不是用这类词汇来限定它们。这类词汇仅仅用来让一个部件、组件、区域、层或部分与其它的区别开。因此，下面论述的第一部件、组件、区域、层或部分也可以被称为第二部件、组件、区域、层或部分，而不会背离本发明的教导。
这里使用的术语仅仅是为了描述具体的实施例，而不是为了限定本发明。这里所用到的单数形式“一个”、“该”和“所述”也应该包括复数形式，除非上下文中明确给出了其它含义。还应该理解的是，本说明书中使用的词汇“包括”或“包含”，详细列出了所具有的特征、整体(integer)、步骤、操作、部件和/或组件，但是并不排除还存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、部件、组件和/或它们的集合。
除非另有限定，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本发明所属领域的普通技术人员的常规理解相同。还应该理解的是，由常用词典所定义的以及其它术语，除非文中特别明确地作出了限定，否则，对其含义的解释应该符合它们在相关技术中的含义，而不能作理想化或是极端形式上的判断。
下面参照附图详细说明本发明。
图1是立体图，显示了本发明一个示例性实施例的基底处理装置。图2和3是平面图，显示了本发明另一个示例性实施例的基底处理装置的布置。
参照图1，基底处理装置1包括多个室。所述室包括装载室10、清洁室30、处理室40和卸载室20。处理室40包括掩模安装室42、沉积室44和掩模拆卸室46。所述基底处理装置1还可以包括除了装载室10、清洁室30、处理室40和卸载室20之外的其它室。或者，处理室40可以只包括沉积室44，且掩模安装过程和掩模拆卸装过程可以在沉积室44中进行。
本实施例中，所述装载室10、清洁室30、处理室40和卸载室20按顺序排成一排。掩模安装室42、沉积室44和掩模拆卸室46都安装在处理室40中，并且与装载室10、清洁室30、处理室40以及卸载室20布置在同一方向上。另外，用于处理室40中的室的数量可以变化，因此，大约20个室可以用于基底处理装置1作为有机发光二极管(OLED)情形下的处理室40。每个室10、20、30和40可以包括一个门以用于维修和管理。另外，每个室10、20、30和40连接至安装有真空泵(未示出)的排气管54，该排气管54用于在基底处理过程中使室10、20、30和40的内部维持为真空状态。
如上所述，所述室10、20、30和40可以布置成各种结构。例如，室10、20、30和40可以布置成图2所示的U形基底处理装置1′或是之字形，从而使布置室10、20、30和40的空间不那么长。或者，如图3所示的基底处理装置1″，将沉积室44设置成一排并让沉积室44彼此相邻，掩模安装室42和掩模拆卸室46可以布置得基本上垂直于沉积室44所排列的方向。
沉积过程中，经由装载室10将基底3载入基底处理装置1，然后，当沉积过程结束之后，经由卸载室20将基底3从基底处理装置1卸载下来。载入装载室10的基底3被传送至清洁室30。在清洁室30中，采用等离子或紫外线进行清洁基底3的清洁过程。对基底3的清洁过程完成之后，将基底3依次传送至掩模安装室42、沉积室44和掩模拆卸室46。在掩模安装室42中，将上面形成了预定图案的掩模安装于基底3之上，在沉积室44中在基底3上沉积一个薄层，然后，在掩模拆卸室46中将基底3上的掩模从该基底3移除。随后，将基底3传送至下一个处理室，例如处理室40，并重复进行安装掩模、沉积薄层以及卸载掩模等过程。在处理室40中，只进行沉积过程而不进行掩模安装过程和掩模拆卸过程。这种情况下，所述处理室40不包括掩模安装室42和掩模拆卸室46。
尽管图中没有显示，在装载室10、清洁室30和卸载室20内的下部设有基底传送机构。本实施例中，基底传送机构可以是组装件，该组装件具有轴杆，各个轴杆基本上相互平行；分别连接至轴杆外表面的辊子；电动机；以及向轴杆施加旋转力的皮带。
图4是平面图，显示了本发明一个示例性实施例的基底传送装置。基底传送装置100让基底3在处理室40内以及处理室之间传送。参照图4，基底传送装置100包括基底支架110、传送导轨140以及驱动器160。所述基底支架110在基底处理过程中支撑着基底3并在处理室40之间传送基底3。基底传送装置100中，设有多个基底支架从而让各个处理室40中的基底处理过程基本上同时进行。所述传送导轨140设置在掩模安装室42、沉积室44和掩模拆卸室46中，并引导基底支架110，从而让基底支架110沿直线运动。所述驱动器160将驱动力施加给将要沿直线运动的基底支架110。
图5是剖视图，显示了图4所示的基底支架。
参照图5，基底支架110包括支撑板120。基底3由支撑板120的下表面支撑从而使基底3的沉积表面朝下。支撑板120的下表面包括中央部分120a、弯曲部分120b和末端部分120c。在支撑板120的中央部分120a上形成粘附层122以便容易地将基底3粘附于其上。支撑板120设有分离杆126，其插在支撑板120内形成的孔128中并可上下运动。粘附层122具有适合于轻易将基底3从支撑板120分离的粘附力。如上所述，基底支架110可利用夹具(未示出)等工具或是工具与粘附层122的组合将基底3固定于其上。另外，基底支架110包括安置于其内的磁铁124，且掩模4包括金属材料，从而防止连接于基底支架110的掩模4脱落。本实施例中，磁铁124是永久磁铁。
图6是沿图4中I-I线的剖视图。
参照图6，在支撑板120的末端部分120c安装滚动机构130。滚动机构130与传送导轨140接触，以使基底支架110容易地沿着该传送导轨140移动。滚动机构130包括驱动轮132和引导轮134。驱动轮132安装在支撑板120下表面的末端部分，并沿着传送导轨140的上表面滚动。引导轮134安装在支撑板120的侧面，并沿着传送导轨140的侧面滚动。在传送基底3时以及掩模4或者基底3连接于支撑板120或从支撑板120上分离时，所述引导轮134可防止支撑板120水平移动。
在支撑板120下表面的末端部分形成第一插槽132a。该第一插槽132a形成得与传送导轨140的纵向成同一方向。多个固定轴136结合于第一插槽132a的内部两侧。将驱动轮132插在第一插槽132a中并让固定轴136分别结合于驱动轮132。在另一种结构中，在与传送导轨140纵向相同的方向上形成插槽，这些插槽彼此分隔开，于是，固定轴136和驱动轮132可以分别安装在插槽内部。
类似地，在支撑板120的侧面形成第二插槽134a。该第二插槽134a形成得与传送导轨140的纵向成同一方向。多个固定轴138结合于第二插槽134a的上、下两表面。将引导轮134插在第二插槽134a中并让固定轴138分别结合于引导轮134。
在支撑板120的中央部分120a与末端部分120c之间形成弯曲部分120b。本实施例中，支撑板120的弯曲部分120b包括凹陷部分129a和凸起部分129b。凹陷部分129a和凸起部分129b形成得与支撑板120的移动方向成同一方向。另外，凹陷部分129a和凸起部分129b交替形成于中央部分120a与末端部分120c之间。
本实施例中，作为传送导轨140的两个传送导轨应用于基底传送装置100。这两个传送导轨位于同一高度、彼此分隔开且相互平行。所述传送导轨140包括形成于其上表面的弯曲部分140b和平坦部分140c。下文中，将支撑板120的弯曲部分120b和传送导轨140的弯曲部分140b分别限定为第一弯曲部分和第二弯曲部分。平坦部分140c具有平的上表面，从而提供一表面让驱动轮132在其上面滚动，第二弯曲部分140b具有对应于第一弯曲部分120b的形状。也就是说，第二弯曲部分140b包括凸起部分149b和凹陷部分149a，它们分别对应于第一弯曲部分120b的凹陷部分129a和凸起部分129b。所述第一弯曲部分120b和第二弯曲部分140b可以防止微粒进入支撑板120的中央部分120a，这些微粒来源于驱动轮132或引导轮134与传送导轨140之间的摩擦，或者驱动器160的组件之间的摩擦。另外，传送导轨140具有平的侧面从而提供一表面让引导轮134在其上面滚动。
驱动器160将驱动力施加给将要沿直线运动的基底支架110。本实施例中，所述驱动器160包括第一旋转轴162、传输机构163、第二旋转轴165、小齿轮传动机构166以及齿条传动机构167。第一旋转轴162平行于传送导轨140的纵向而延伸。电动机161与第一旋转轴162的末端相结合。第二旋转轴165与第一旋转轴162相结合并且布置得基本上垂直于第一旋转轴162的方向。第二旋转轴165可以被传送导轨140旋转。利用传输机构163将第一旋转轴162所产生的旋转力传输给第二旋转轴165。
所述传输机构163包括多个第一磁性物质163a和多个第二磁性物质163b。通过将第一旋转轴162插入第一磁性物质163a中，让第一磁性物质163a连接于第一旋转轴162。第一磁性物质163a沿着第一旋转轴162彼此分隔开。第二磁性物质163b分别安装在与第一磁性物质163a相邻的位置处。每个第二磁性物质163b连接于第二旋转轴165。第二旋转轴165设有小齿轮传动机构166，且对应于小齿轮传动机构166的齿条传动机构167形成于支撑板120侧面的上部。该齿条传动机构167相继形成在与传送导轨140移动方向相同的方向上。当小齿轮传动机构166被第二旋转轴165旋转且来自小齿轮传动机构166的驱动力被传输至齿条传动机构167时，该齿条传动机构167沿着同一方向呈直线运动。与齿轮组件相比，按照本实施例，由于采用了第一磁性物质163a和第二磁性物质163b以在第一旋转轴162与第二旋转轴165之间传输驱动力，所以可以防止微粒。驱动器160被应用于各个室10、20、30和40，并在室10、20、30和40内被独立驱动。
尽管图中没有显示，可以在清洁室30与处理室之间安装夹持室，并且可以在卸载室20与处理室40之间安装卸夹室。所述夹持室和卸夹室可以包括与装载室10内相同的基底传送机构。在夹持室中，进行用于将基底3从基底传送机构传送至基底支架110的夹持过程。此外，在卸夹室中，进行用于将基底3从基底支架110传送至基底传送机构的卸夹过程。另一方面，夹持过程可以在装载室10或清洁室30中进行，卸夹过程可以在卸载室20中进行。进一步，夹持室可以位于装载室10与清洁室30之间，因此，在基底3固定于基底支架110的时候进行清洁过程。
夹持室和卸夹室中，可以安装升降机(未示出)以使基底3上下移动。当基底3装载于夹持室中的升降机上时，该升降机上升至预定位置从而让基底3附着于基底支架110的下表面。为了将基底3准确地附着于基底支架110的下表面，还需进行附加的工艺过程来校准基底3的位置。在卸夹室中，升降机下降至基底支架110下方的预定位置。此外，分离杆126向下运动因此将基底3从基底支架110推开，从而让基底3与基底支架110分离然后落在升降机上。另一方面，可以使基底支架110向下移动从而夹持基底3或将基底3从基底传送机构卸下。
图7是剖视图，显示了本发明一个示例性实施例的掩模安装/拆卸室。
参照图7，掩模安装室42和掩模拆卸室46的内部包括掩模移动器300。掩模移动器300可以上下运动，且掩模4位于掩模移动器300上。掩模4上形成有预定图案以限定将要形成薄层的区域。在掩模安装室42中，当掩模移动器300移动至预定高度时，通过应用于基底支架110的夹具(未示出)让掩模4连接至基底支架110。在将掩模4连接至基底支架110之前，在基底3与掩模4之间进行校准过程。掩模4包括金属材料以使掩模4与基底支架110的磁铁124相结合，从而防止连接至基底支架110的掩模4局部脱落。在掩模拆卸室46中，当掩模移动器300移动至预定高度时，基底支架110的夹具松开掩模4，因此让掩模4与基底支架110分离然后落在掩模移动器300上。用于掩模的连接和分离结构及方法并不限于上述示例性实施例，相反，本领域的普通技术人员可以作出各种变化和修改。
将附有掩模4的基底3传送至沉积室44，以进行沉积过程。
图8是剖视图，显示了本发明一个示例性实施例的沉积室。图9是剖视图，显示了图8的沉积室中进行的沉积过程。图10是剖视图，显示了图1的基底处理装置中掩模的拆卸过程。图11和12是剖视图，显示了应用于图1的基底处理装置的闸门阀。
参照图8，沉积材料供给室48位于沉积室44的下方。沉积材料供给室48可以与沉积室44整体形成，或者，可以在独立制造沉积材料供给室48之后将该沉积材料供给室48连接至沉积室44。沉积材料供给室48的内部包括沉积材料供给部件500。沉积材料供给部件500包括供给箱520和加热部件540。供给箱520提供容纳沉积材料的容纳空间，且供给箱520的上面敞开着。加热部件540加热供给箱520因而从沉积材料产生沉积材料流。安装有真空泵的管道连接至沉积材料供给室48，且在沉积材料供给室48的前面安装有一个门56(参见图1)。本实施例中，加热部件540的例子可以包括加热线圈。加热部件540可以安装在供给箱520的内壁上或围绕供给箱520的内壁。为了从沉积材料产生沉积材料流，可用激光发射器(未示出)代替加热部件540而应用于沉积室44。本实施例中，已经说明了独立应用于沉积室44的沉积材料供给室48，但是，沉积材料供给室48也可安装在沉积室44内部。
小尺寸基底3的情况下，在面对沉积材料供给室48固定基底支架110之后进行沉积过程。但是，大尺寸基底3的情况下，则在基底支架110沿着传送导轨140移动的同时，局部地和重复地在基底3上进行沉积过程。也就是说，沉积过程可以在基底支架110持续作匀速运动时进行，或者在基底支架100停止预定时间然后再运动时进行。在进行沉积过程期间，基底支架110可在沉积室44中往返运动。另一个示例性实施例中，可以在移动供给箱520的同时进行沉积过程。但是，移动供给箱520以进行沉积过程时，沉积室44的构造是如此复杂，因此，沉积过程中，优选沿着传送导轨140移动基底支架110。
另外，对于处理室40的沉积室44，用于传送基底3的室可以设有传送导轨140。但是，处理室40的尺寸变大了，且需要将基底3传送至另一室的工艺过程。而且，用于沉积的处理时间变长了，也难以构造出用于传送大尺寸基底3的结构。
进一步，处理室40包括盖子620以用于打开/关闭供给箱520的上部或沉积材料供给室48的开口。在没有进行沉积过程时(基底3不在沉积材料供给室48之上)，盖子620防止从沉积材料产生的沉积材料流流入沉积室44中。当沉积材料流流入沉积室44时，该沉积材料流沉积在传送导轨140上或是沉积室44内部，因而产生微粒。
进行沉积过程期间，当从沉积材料产生的沉积材料流流向基底3的上部，该离沉积材料流沉积在基底支架110或是沉积室44内的另一部件上。另外，当该沉积材料流分散在沉积室44内时，分散的沉积材料流可能会经由与沉积室44相邻的开口40a流入另一室，从而污染另一室。为了防止污染与沉积室44相邻的另一室，在沉积室44内设置挡板640。挡板640的安装位置低于附在基底支架110上的基底3。挡板640具有开口642，该开口是贯通的且对应于沉积材料供给室48的开口502。经由挡板640的开口642将沉积材料流供给到沉积室44的上部，因此，从沉积材料产生的沉积材料流被限定在一个区域内，该区域即为基底3上的预定区域。
处理室40还可以包括位于传送导轨140上的返回导轨400。返回导轨400面向传送导轨140并具有与传送导轨140相同的结构。当基底3在卸夹室中与基底支架110分离时，基底支架110沿着返回导轨400返回到夹持室。此外，将掩模拆卸室46中从基底3拆卸的掩模4传送到掩模安装室42。本实施例中，如图10所示，利用经由返回导轨400返回的基底支架110，使掩模4返回到掩模安装室42。也就是说，基底支架110使掩模4从掩模拆卸室46中返回，并将返回的掩模4传送到掩模安装室42。每当基底支架110经过处理室40时，该基底支架110都重复进行返回操作。另一方面，掩模4和基底支架110可以堆叠在预定位置上，以代替自动返回掩模4和基底支架110。
在进行沉积过程时，处理室40的内部空间维持为高真空状态。但是，在维修处理室40时，处理室40的内部空间维持为大气压状态。因此，由于各个室通过开口40a之类的开口彼此相连通，当维修任意室时，所有室都维持为大气压状态。结果，当维修过程完毕，需要将所有室维持为高真空状态才能开始下一个工艺过程，这就需要很长的时间。为了缩短该时间，基底处理装置1包括闸门阀700，用于打开和关闭各个室的开口40a。如图11所示，闸门阀700可以安装在每两个室之间。但是，当闸门阀700设置在每两个室之间时，就增大了基底处理装置1的制造成本。因此，将室划分成多个组之后，就可以将闸门阀700安装在分组的室之间。
本实施例中，如图12所示，掩模安装室42、沉积室44和掩模拆卸室46可以构造于处理室组中。这种情况下，闸门阀700位于除了处理室组之外的室之间、以及处理室组与邻近于该处理室组的室之间。当维修任意室时，可以让待维修的室与相邻的室分隔开。
图13显示了在维修任意室的时候室内的真空状态。图13中，显示了本发明一个示例性实施例的情形，其中，包括掩模安装室42、沉积室44和掩模拆卸室46的处理室40正在维修。
参照图13，安装在与处理室40相邻的室处的闸门阀700均被关闭，对应于处理室40的门52是敞开的。结果，处理室40的气压维持为大气压状态，除了处理室40之外的室的气压则维持为高真空状态。当维修过程结束时，关闭处理室40的门52，然后，处理室40的气压重新变成高真空状态。因此，可以缩短维修处理室40所需的时间，从而有效地改善基底处理装置1的操作速度。
图14显示了本发明另一示例性实施例的基底处理装置。图15按照本发明另一个示例性实施例显示了图14的基底处理装置。图14中，同样的附图标记表示与图1相同的部件，因此省略对这些相同部件的详细描述。
参照图14，基底处理装置2还包括掩模返回部件900，用于使掩模4从掩模拆卸室46返回到掩模安装室42。在处理室40外面设置用于返回基底支架110的返回导轨400。掩模返回部件900沿着传送导轨140移动。当掩模返回部件900返回时，该掩模返回部件900可能会碰撞插在处理室40中的基底支架110。为了防止掩模返回部件900与基底支架110之间的碰撞，在沉积室44内设置缓冲空间800，掩模返回部件900可临时停留在该缓冲空间800内。缓冲空间800位于沉积室44内的上部，从而能容易地移动掩模返回部件900。
在移动掩模返回部件900时，该掩模返回部件900可朝着沉积室44内的缓冲空间800上升，以避免掩模返回部件900与基底支架110之间的碰撞。附着于基底支架110的基底3上的薄层沉积过程结束之后，当从沉积室44卸载基底支架110时，掩模返回部件900连接至传送导轨140并移动至掩模安装室42。
掩模返回部件900可以具有与基底支架110相似的结构。掩模返回部件900可以利用磁性、夹具之类的机械部件或者磁性与机械部件的结合使掩模4附在其上。尽管图14中没有显示，掩模返回部件900可以在传送导轨140与缓冲空间800之间上下移动。举例来说，掩模返回部件900可以具有连接于其上的传送部件(未示出)，例如用于上下移动物体的汽缸。
为了防止基底支架110与掩模返回部件900之间的碰撞，基底处理装置2还可以包括传感器(未示出)和控制器(未示出)。所述传感器检测基底支架110的位置并将检测信号提供给控制器。所述控制器对传感器所提供的检测信号作出响应而控制掩模返回部件900的运动。为了防止基底支架110与掩模返回部件900之间的碰撞，可以在基底支架110或掩模返回部件900中编入一个程序，该程序考虑了各种因素，例如基底支架110的移动距离、掩模返回部件900的移动距离，掩模返回部件900移动至缓冲空间800的时间，掩模返回部件900停留在缓冲空间800内的时间，等等。
当掩模4返回时，掩模返回部件900可以停留在缓冲空间800内。如图15所示，缓冲空间800还可应用于掩模安装室42或掩模拆卸室46以及沉积室44。
按照图14所示的基底处理装置2，由于掩模返回部件900沿着传送导轨140移动，不需要附加的引导部件来引导掩模返回部件900。而且，因为用于处理室40中的掩模4只在处理室40中移动，装在处理室40间的开口40a的尺寸变小了，从而使得用于开口40a的闸门阀的尺寸也变小。
图16至18显示了采用图14所示基底处理装置返回掩模的过程。
参照图16至18，当掩模4位于掩模拆卸室46中的掩模返回部件900上时，掩模返回部件900沿着传送导轨140(参见图16)移动至沉积室44。当掩模4返回而掩模返回部件900并没有碰撞基底支架110的情况下，掩模返回部件900使掩模4返回掩模安装室42并移动至掩模拆卸室46或缓冲空间800。但是，在掩模返回部件900抵达掩模安装室42之前该掩模返回部件900与基底支架110发生碰撞的情况下，掩模返回部件900移动至沉积室44中的缓冲空间800(参见图17)。然后，在沉积室44中进行附着于基底支架110的基底3的沉积过程。沉积过程结束之后，当将基底支架110传送到掩模拆卸室46时，掩模返回部件900连接至传送导轨140并移动至掩模安装室42(参见图18)。此后，掩模返回部件900移动至缓冲空间800或掩模拆卸室46以重复进行沉积过程。
由上所述，用于引导支撑基底的基底支架的传送导轨安装在进行沉积过程的沉积室内，因此，减小了基底处理装置所占的面积。此外，当连接于传送导轨的基底支架移动至沉积室的同时在基底进行沉积过程，可以缩短沉积过程的时间。
进一步，闸门阀安装在处理室或分组后的处理室之间，在维修任意室时，其它室内部能维持为高真空状态。因此，当基底处理过程持续进行时，可以减少重新操作基底处理装置所需的时间。
另外，掩模返回过程在各个处理室中独立地进行。这样，由于不需要掩模返回部件经由开口在处理室之间移动，因此可以减少闸门阀的数量。
此外，由于掩模返回部件和基底传送机构沿着传送导轨移动而且沉积室内设有缓冲空间，所述基底处理装置可以防止掩模返回部件与基底传送机构之间的碰撞，从而简化了该基底处理装置的结构。
而且，沿着传送导轨滚动的驱动轮和引导轮连接于基底支架，该基底支架可以与所述室分离，从而可以容易地对基底支架进行维修和保养。
除此之外，在基底支架的下列两个部分之间设有弯曲部分一个是安装有驱动轮和引导轮的部分，另一个是支撑基底的部分，因此，防止了由于驱动轮或引导轮与传送导轨之间的摩擦所产生的微粒的附着。
更进一步，采用磁性物质作为传输机构以用于在轴之间传输旋转力，因此，与采用齿轮组件作为传输机构的情况相比，减少了微粒。
尽管已说明了本发明的示例性实施例，但可以理解的是，本发明并不限于这些示例性实施例，相反，在本发明权利要求的精神和范围内，本领域的普通技术人员可以作出各种变化和修改。
权利要求
1.一种基底处理装置，包括多个处理室，该处理室包含多个沉积室，每个沉积室具有穿透侧壁的开口；传送导轨，其安装在所述沉积室内的上部；至少一个基底支架，当基底在所述沉积室之间移动以及对基底进行处理时，该基底支架支撑着基底，该基底支架连接于所述传送导轨，且沿着所述传送导轨移动；以及沉积材料供给部件，用于向基底支架所支撑的基底提供沉积材料，该沉积材料供给部件设置在沉积室内的传送导轨的下方，其中，所述基底支架经由所述开口、沿着所述传送导轨在处理室之间移动，在连接于传送导轨的基底支架支撑着基底的时候，对该基底进行处理。
2.如权利要求1所述的基底处理装置，还包括用于打开或关闭所述开口的闸门阀，该闸门阀将所述处理室的内部相互隔离开，其中，在对所述基底进行处理时，所述沉积室的内部维持为真空状态。
3.如权利要求1所述的基底处理装置，其中，每个处理室还包括掩模安装室，在该掩模安装室中，进行让具有预定图案的掩模附着于基底的过程，该掩模安装室设置在所述沉积室的第一侧并具有开口，经由该开口移动所述基底；以及掩模拆卸室，在该掩模拆卸室中，进行从所述基底拆卸掩模的过程，该模拆卸室设置在所述沉积室的第二侧并具有开口，经由该开口移动所述基底。
4.如权利要求3所述的基底处理装置，还包括用于打开和关闭所述开口的闸门阀，其中，在对所述基底进行处理时，所述沉积室的内部维持为真空状态，将所述掩模安装室、所述沉积室和所述掩模拆卸室划分成一个或多个组，而且，所述闸门阀打开或关闭设置在所述掩模安装室、所述沉积室和所述掩模拆卸室的组之间的开口。
5.如权利要求1所述的基底处理装置，其中，所述基底是用来制造有机发光二极管的基底。
6.如权利要求1所述的基底处理装置，其中，所述基底支架包括形成于其下表面的粘附层，且通过该粘附层让所述基底附着于所述基底支架。
7.如权利要求1所述的基底处理装置，其中，所述沉积材料供给部件包括用于容纳沉积材料的供给箱；以及用于加热所述供给箱的加热部件，用于在对所述基底进行处理时，向所述基底提供沉积材料。
8.如权利要求1所述的基底处理装置，还包括挡板，穿透该挡板形成有面对着沉积材料供给部件上部的开口，该挡板安装在附着于基底支架的基底与所述沉积材料供给部件之间，其中，所述挡板防止所述沉积材料供给部件提供的沉积材料经由沉积室的开口流动或沉积在传送导轨上。
9.如权利要求8所述的基底处理装置，其中，在对基底进行处理时，所述基底支架沿着所述传送导轨连续移动。
10.如权利要求8所述的基底处理装置，其中，在对基底进行处理时，所述基底支架在预定位置停留预定时间之后再移动。
11.如权利要求1所述的基底处理装置，还包括用于遮盖开口的盖子，经由该开口将所述沉积材料供给部件中的沉积材料提供给所述沉积室。
12.如权利要求3所述的基底处理装置，还包括返回导轨，用于返回已经卸下基底的基底支架，该返回导轨设置在处理室内的传送导轨上，其中，当所述基底支架沿着所述传送导轨返回时，该基底支架将掩模从所述掩模拆卸室移动至所述掩模安装室。
13.如权利要求3所述的基底处理装置，还包括掩模返回部件，用于沿着传送导轨将掩模从所述掩模拆卸室移动至所述掩模安装室，其中，所述沉积室的内部具有缓冲空间，所述掩模返回部件在该缓冲空间中临时停留。
14.如权利要求13所述的基底处理装置，其中，所述缓冲空间位于所述沉积室的传送导轨的上方。
15.如权利要求13所述的基底处理装置，还包括返回导轨，用于返回在所述处理室之间传送基底的基底传送机构，其中，所述返回导轨安装在所述处理室的外面。
16.如权利要求13所述的基底处理装置，其中，所述缓冲空间位于所述掩模安装室内，且所述掩模拆卸室具有缓冲空间，所述掩模返回部件在该缓冲空间中临时停留。
17.如权利要求1所述的基底处理装置，其中，所述基底支架包括用于支撑所述基底的支撑板；以及驱动轮，当沿着所述传送导轨传送所述支撑板时，该驱动轮在所述传送导轨的上表面上滚动，该驱动轮与所述支撑板的下表面相结合。
18.如权利要求17所述的基底处理装置，其中，所述基底支架还包括沿着所述传送导轨的侧面滚动的引导轮，当沿着所述传送导轨传送所述支撑板时，该引导轮防止所述支撑板朝着基本上垂直于所述传送导轨纵向的方向偏离所述传送导轨。
19.如权利要求17所述的基底处理装置，其中，所述支撑板的下表面包括用于支撑所述基底的中央部分；安装有所述驱动轮的末端部分；以及形成于所述中央部分与所述末端部分之间的第一弯曲部分，并且，所述传送导轨的上表面包括与所述驱动轮接触的平坦部分；以及面对着所述第一弯曲部分并对应于所述第一弯曲部分的第二弯曲部分。
20.如权利要求17所述的基底处理装置，还包括用于驱动所述基底支架的驱动器，其中，所述驱动器包括形成于所述支撑板侧壁上的齿条传动机构；与所述齿条传动机构相结合的小齿轮传动机构；通过电动机进行旋转的第一旋转轴；里面插有第一旋转轴的第一磁性物质；用于旋转所述小齿轮传动机构的第二旋转轴，该第二旋转轴基本上垂直于所述第一旋转轴；以及第二磁性物质，用于将旋转力从所述第一旋转轴传输给所述第二旋转轴，所述第二旋转轴插在所述第二磁性物质中，且所述第二磁性物质基本上垂直于所述第一磁性物质。
21.一种基底处理装置，包括多个处理室，用于将具有图案的掩模附着于基底，在所述基底上沉积材料，而且，当所述材料沉积在所述基底上之后将所述掩模从所述基底卸下；安装在处理室内上部的传送导轨；至少一个用于支撑基底的基底支架，该基底支架连接于所述传送导轨，而且，该基底支架在所述处理室内以及所述处理室之间移动；以及沉积材料供给部件，用于向基底支架所支撑的基底提供沉积材料，该沉积材料供给部件设置在基底支架所支撑的基底下方，其中，所述基底由所述基底支架支撑，在所述基底上沉积材料时，所述基底的将要沉积材料的那个表面面对下方，而且，在对基底进行处理时，所述基底支架沿着所述传送导轨连续移动，或者，在沉积过程中，所述基底支架在预定位置停留预定时间之后再移动。
22.如权利要求21所述的基底处理装置，其中，所述处理室包括掩模安装室，在该掩模安装室中，进行让所述掩模附着于所述基底的过程；掩模拆卸室，在该掩模拆卸室中，进行从所述基底拆卸所述掩模的过程；以及沉积室，在该沉积室中，进行沉积过程，该沉积室设置在所述掩模安装室与所述掩模拆卸室之间，并与所述沉积材料供给部件相结合，其中，所述掩模安装室、所述掩模拆卸室和所述沉积室具有穿透其侧壁的开口，经由该开口移动所述基底。
23.如权利要求22所述的基底处理装置，还包括用于打开和关闭所述开口的闸门阀，其中，在对所述基底进行沉积过程时，所述掩模安装室、所述掩模拆卸室以及所述沉积室的内部维持为真空状态，将所述掩模安装室、所述沉积室以及所述掩模拆卸室划分成一个或多个组，而且，所述闸门阀打开或关闭设置在所述掩模安装室、所述沉积室和所述掩模拆卸室的组之间的开口。
24.如权利要求22所述的基底处理装置，还包括返回导轨，用于返回已经卸下基底的基底支架，该返回导轨设置在处理室内的传送导轨上，其中，当所述基底支架沿着所述传送导轨返回时，该基底支架将所述掩模从所述掩模拆卸室移动至掩模安装室。
全文摘要
一种在用于有机发光二极管的基底上形成薄层的基底处理装置，该装置包括掩模安装室、沉积室和掩模拆卸室。所述掩模安装室、沉积室和掩模拆卸室的内部安装有传送导轨，而且，用于支撑基底的基底支架沿着传送导轨在这些室内或这些室之间移动。因此，缩短了用于处理基底的时间，并减小了上述装置所占的面积。另外，将上述这些室分成一个或多个组，并在分组的室之间安装闸门阀，以用于打开和关闭分组的室之间的通道。因此，在维修任意室时，其它室可以继续维持为真空状态。
文档编号H01L21/31GK1841696SQ20061000282
公开日2006年10月4日 申请日期2006年2月6日 优先权日2005年2月7日
发明者安基喆, 郑领哲, 河泰荣, 张祯元, 卢一镐, 李承培 申请人:细美事有限公司