专利名称：一种纳米硅太阳能薄膜电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种将太阳光转变为电能的装置，具体地说涉及 一种多层非晶硅薄膜结构的太阳能电池的改进。 技术背景
目前在太阳能电池制造业中，晶体硅和多晶体硅为基材的产品依 然占主导地位，其市场占有率约为80%以上。由于其基材价格昂贵， 生产成本高，成为太阳能电池发展推广的重大障碍。改进后的以非晶 体硅薄膜为主体的薄膜型太阳能电池，它可以用玻璃为衬底，具有制 作成本低，并能制成较大面积产品的优点，但光热稳定性(S—W效 应)差，转换效率n值低，稳定性也差，因此大大限制了非晶体硅薄 膜电池的发展应用。
发明内容
本实用新型的发明目的是克服已有非晶硅薄膜型太阳能电池的 上述缺点，提供一种光热稳定性(S—W效应)好，转换效率il值高， 稳定性好，生产成本低的纳米硅薄膜太阳能电池。
本实用新型包括底层(1 )、依次设置在底层(1 )上的导电膜(2)、 非晶硅薄膜(3)、 N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极 (7),在非晶硅薄膜(3)和N型纳米硅薄膜(5)之间增设有变能 隙纳米膜(4)， N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极(7)
之间增设有非晶硅薄膜(6)。
本实用新型进一步的技术特征为非晶碓薄膜(6)的厚度可为 50-100nm。 N型纳米硅薄膜(5)的晶粒大小可为2-8nm。底层(1) 为玻璃和单晶硅层。
由于本实用新型增设有变能隙纳米膜层和非晶硅薄腆纯化保护 层，能有效提高太阳能电池的转换效率n值，光热稳定性(S—W效 应)好，生产成本低，使用寿命长。
附图1为本实用新型实施例结构示意图。 以下结合实施例及其制作进一步描述本实用新型。 参见附图1,底层(1)为玻璃和单晶硅层，底层(1)上镀有导 电膜(2)，再使用PECVD薄膜沉积技术在导电膜(2)上生长一层 掺硼的P型非晶硅薄膜或纳米硅薄膜(3)，然后改变工艺条件，改变 薄膜晶态比值Xc，在导电膜(3)上沉积一展变能隙纳米膜(4)，再 在变能隙纳米膜(4)上用同一PECVD系统，通入磷垸(PN3)生长 一层N型纳米硅薄膜(5),再在该层上继续生长一层非晶硅薄膜(6), 作为对整个装置工作层的纯化保护，非晶硅薄膜(6)表层设置透明 金属电极及梳状电极(7),完成本实用新型的全部结构。
权利要求1、一种纳米硅太阳能薄膜电池，包括底层(1)，依次设置在底层(1)上的导电膜(2)、非晶硅薄膜(3)、N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极(7)，其特征为非晶硅薄膜(3)和N型纳米硅薄膜(5)之间设有变能隙纳米膜(4)，N型纳米硅薄膜(5)和透明金属电极及梳状电极(7)之间设有非晶硅薄膜(6)。
2、 按权利要求1所述的一种纳米硅太阳能薄膜电池，其特征为 非晶硅薄膜(6)的厚度为50-100nm。
3、 按权利要求1所述的一种纳米硅太阳能薄膜电池，其特征为 N型纳米硅薄膜(5)的晶粒大小为2-8nm。
4、 按权利要求1所述的一种纳米硅太阳能薄膜电池，其特征为 所说的底层(1)为玻璃和单晶硅层。
专利摘要本实用新型公开了一种纳米硅太阳能薄膜电池，它由玻璃和单晶硅底层、依次设置在底层上的导电膜、非晶硅薄膜、N型纳米硅薄膜和透明金属电极及梳状电极等组成，其主要特征是非晶硅薄膜层与N型纳米硅薄膜层间增设有变能隙纳米层。透明金属电极及梳状电极与N型纳米硅薄膜层间增设有非晶硅薄膜层。本实用新型生产成本低廉，可有效克服非晶硅薄膜太阳能电池工作时难以克服的不稳定性，提高转换效率η值。
文档编号H01L31/042GK201054355SQ20062017068
公开日2008年4月30日 申请日期2006年12月21日 优先权日2006年12月21日
发明者何宇亮, 王树娟 申请人:何宇亮;王树娟