专利名称：一种制造nor flash芯片的离子注入方法
技术领域：
本发明属于芯片制造领域，涉及一种芯片的制造方法，尤其涉及一种 NOR FLASH芯片的制造方法。
背景技术：
随着现代社会生活的日新月异，各种电子产品相继融入现代社会的生活 中，带给用户很多便利。而其中闪存(FLASH)是上述电子产品中的重要一 员，通常使用的U盘、手机、数码相机里均需要闪存的配套使用才可以发挥 其日益丰富的作用。
闪存有许多种类型，从结构上分主要有AND、 NAND、 NOR、 DiNOR 等，其中NAND和NOR是目前较为常见的类型。NOR闪存(NORFLASH) 是目前最通用的闪存，其在存储格式和读写方式上都与常用的内存相近，支 持随机读写，具有较高的速度，这也使其非常适合存储程序及相关数据，手 机就是它的用武之地。
在现有的NORFLASH的制造方法中，采用的是自对准源极注入(SAS IMP)技术。通常的IC设计中会选用金属(metal)线或者多晶硅(dosepoly) 作为导线，而Nor Flash通过对底层(substrate)离子注入(implant)产生的 导体作为存储单元(cell array)的共源极(common source)。这种技术叫做 SAS IMP技术。
NORFLASH芯片一般使用上述SAS IMP技术制造，首先把原本平坦的
底层(substrate)刻出一道道的沟渠(trench)。此后蚀刻过程中产生的电浆 (plasma)、及清洗(clean)过程中的磁振动都可能导致沟渠侧壁的倒塌或 者破裂，出现有源区(Active Area,简称AA)破损的现象。而在此方法的 离子注入过程中，注入的砷(Arsenic)离子浓度(dose)通常为3"0"颗/CM2， 注入的砷离子速度(energy)通常为20Kev。这组离子注入的参数不能保证 电流的通道畅通，因此当AA破损出现时，NORFLASH芯片即失效。
发明内容
本发明的目的是提供一种可以提高NOR FLASH芯片制造良率的离子 注入方法。
为了实现上述目的，本发明提供一 种制造NOR FLASH芯片的离子注入 方法，该方法包括离子注入步骤气体带着要掺的杂质砷、磷在离子注入机 中离化，釆用高电压和磁场来控制并加速离子，致使所述高能杂质离子穿透 涂胶硅片的表面；该方法的离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于3*1015 颗/CM2。
作为本发明的一种优选方案，离子注入步骤中，注入的砷离子速度大于 20Kev。
作为本发明的一种优选方案，离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于 等于4承10"颗/CM2。
作为本发明的一种优选方案，离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于 等于5"0"颗/CM2。
作为本发明的一种优选方案，离子注入步骤中，注入的砷离子浓度为 5求10'5颗/CM2。
作为本发明的一种优选方案，离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于
等于6"0"颗/CM2。
作为本发明的一种优选方案，离子注入步骤中，注入的砷离子速度大于
等于20Kev。
作为本发明的一种优选方案，离子注入步骤中，注入的砷离子速度大于 等于25Kev。
作为本发明的一种优选方案，离子注入步骤中，注入的砷离子速度大于 等于30Kev。
作为本发明的一种优选方案，离子注入步骤中，注入的砷离子速度为 30Kev。
作为本发明的一种优选方案，离子注入步骤中，注入的砷离子速度大于 等于40Kev。
与现有技术相比，本发明揭示的用于制造NOR FLASH芯片的离子注入 方法，通过提高砷离子注入的注入浓度(dose)及注入速度(energy)来增 加砷离子的注入量，从而降低导线的阻值；阻值降低后，自然就会为电流产 生畅通的通道，从而提高制造NORFLASH芯片的良率。
图l是芯片制造工艺的流程图。
具体实施例方式
以下结合附图及实施例对本发明做具体介绍。 实施例一
请参与图l,图中主要介绍了芯片制造中平面化工艺的流程图，主要包 括扩散步骤、光刻步骤、刻蚀步骤、离子注入步骤、薄膜沉淀步骤、抛光步 骤、测试拣选步骤。本发明改进的是其中的离子注入步骤。
本发明揭示了一种制造NOR FLASH芯片的离子注入方法，尤其是 0.18nm的NOR FLASH芯片的离子注入方法。该离子注入方法包括离子注 入步骤气体带着要掺的杂质砷、磷在离子注入机中离化，采用高电压和磁 场来控制并加速离子，致使所述高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面。本发明 为了保证NORFLASH芯片底层的电流通道畅通，离子注入步骤中，注入的 砷离子浓度大于3^0"颗/CM2，离子速度大于20Kev。本实施例的离子注入 步骤中，注入的砷离子浓度为5"0"颗/CM2，离子速度为30Kev。
在离子注入过程中使用上述注入参数，可以把NOR FLASH芯片的制造 良品率从不足90%提高到95%。
实施例二
本实施例中，离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于等于4*1015颗 /CM2，注入的砷离子速度大于等于25Kev。如，离子注入步骤中，注入的砷 离子浓度为4芍0"颗/CM2，注入的砷离子速度为25Kev。
实施例三
本实施例中，在离子注入过程中，离子注入步骤中，注入的砷离子浓度 大于等于5"0"颗/CM2，注入的砷离子速度大于等于30Kev。如，离子注入
步骤中，注入的砷离子浓度为5.5"0"颗/CM2,注入的砷离子速度为30Kev。 实施例四
本实施例中，在离子注入过程中，离子注入步骤中，注入的砷离子浓度 大于等于6"0"颗/CM2，注入的砷离子速度大于等于35Kev。如，离子注入 步骤中，注入的砷离子浓度为6"0"颗/CM2,注入的砷离子速度为40Kev。
实施例五
本实施例中，在离子注入过程中，离子注入步骤中，注入的砷离子浓度 大于等于6.5W0"颗/CM2,注入的砷离子速度大于等于40Kev。如，离子注 入步骤中，注入的砷离子浓度为7*1015颗/0\12，注入的砷离子速度为45Kev。
以上实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案。本发明保护的离子 注入方法可以适用于使用底层(substrate)作为导体的任何芯片，并不被限 制在NOR FLASH芯片的范围之内。另外，离子注入的参数只要满足"离子 注入步骤中，注入的砷离子浓度大于3nO"颗/CM2、注入的砷离子速度大于 20Kev"，均在本发明的保护范围之内。不脱离本发明精神和范围的任何修改 或局部替换，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
权利要求
1、一种制造NOR FLASH芯片的离子注入方法，该方法包括离子注入步骤，过程如下气体带着要掺的杂质砷、磷在离子注入机中离化，采用高电压和磁场来控制并加速离子，致使所述高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面；其特征在于所述离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于3*1015颗/CM2。
2、 如权利要求1所述NOR FLASH芯片的离子注入方法，其特征在于， 离子注入步骤中，注入的砷离子速度大于20Kev。
3、 如权利要求l所述NOR FLASH芯片的离子注入方法，其特征在于， 离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于等于4"0"颗/CM2。
4、 如权利要求3所述NORFLASH芯片的离子注入方法，其特征在于， 离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于等于5H0"颗/CM2。
5、 如权利要求4所述NORFLASH芯片的离子注入方法，其特征在于， 离子注入步骤中，注入的砷离子浓度为5"0"颗/CM2。
6、 如权利要求4所述NORFLASH芯片的离子注入方法，其特征在于， 离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于等于6H0"颗/CM2。
7、 如权利要求2或3或4或5或6所述NOR FLASH芯片的离子注入方 法，其特征在于，离子注入步骤中，注入的砷离子速度大于等于20Kev。
8、 如权利要求7所述NORFLASH芯片的离子注入方法，其特征在于， 离子注入步骤中，注入的砷离子速度大于等于25Kev。
9、 如权利要求8所述NORFLASH芯片的离子注入方法，其特征在于，离子注入步骤中，注入的砷离子速度大于等于30Kev。
10、 如权利要求9所述N0RFLASH芯片的离子注入方法，其特征在于， 离子注入步骤中，注入的砷离子速度为30Kev。
11、 如权利要求9所述NORFLASH芯片的离子注入方法，其特征在于， 离子注入步骤中，注入的砷离子速度大于等于40Kev。
全文摘要
本发明提供一种制造NOR FLASH芯片的离子注入方法，该方法包括离子注入步骤气体带着要掺的杂质在离子注入机中离化，采用高电压和磁场来控制并加速离子，致使所述高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面；该方法的离子注入步骤中，注入的砷离子浓度大于3*10<sup>15</sup>颗/cm<sup>2</sup>。本发明通过提高砷离子注入的注入浓度及注入速度来增加注入砷离子的数量，从而降低导线的阻值；阻值降低后，自然就会为电流产生畅通的通道。
文档编号H01L21/265GK101350299SQ20071004405
公开日2009年1月21日 申请日期2007年7月20日 优先权日2007年7月20日
发明者张艳红, 芳 王, 陆韵峰 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司