晶圆片的卸片方法、辅助装置、装置和具有其的CMP设备与流程

本发明涉及化学机械技术领域，更具体地，涉及一种晶圆片的卸片方法、晶圆片的卸片辅助装置、晶圆片的卸片装置和具有晶圆片的卸片装置的CMP设备。

背景技术：

半导体集成电路芯片制造工艺中，平坦化技术已成为与光刻和刻蚀同等重要且相互依赖的不可缺少的关键技术之一。而化学机械抛光(CMP)工艺便是目前最有效、最成熟的平坦化技术。化学机械抛光系统是集抛光、清洗、干燥、在线检测、终点检测等技术于一体的化学机械平坦化技术。CMP设备是完全自动化的，不需要人为手动操作，保证晶圆片在生产过程中每一模块每一环节的安全性，对于安全生产、降低损耗、提高生产率、增加产能、提高企业利润具有重要的意义。

相关技术中的CMP设备，通过抛光头对晶圆片吸附运载到抛光垫上进行抛光，抛光结束后再由抛光头运回晶圆片并卸载，但在卸载晶圆片的过程中，存在晶圆片被划伤和摔碎的风险。一旦发生晶圆片被划伤和摔碎的情况时，机台必须停机清理，更换耗材并进行维护和测试，会损失已损坏的晶圆片，同时，还降低了产能和效率，对企业的正常生产和生产利润造成很大的影响。

技术实现要素：

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明提出了一种晶圆片的卸片方法，所述晶圆片的卸片方法能够防止晶圆片在卸片时被划伤和摔碎，从而可以提高晶圆片的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

本发明还提出了一种具有晶圆片的卸片辅助装置、晶圆片的卸片装置和具有该晶圆片的卸片装置的CMP设备。

根据本发明第一方面实施例的晶圆片的卸片方法，包括以下步骤：将所述晶圆片运载至卸载面的上方；释放所述晶圆片以使所述晶圆片朝向所述卸载面运动，并在所述晶圆片运动的过程中朝所述晶圆片的下表面喷射液体以提供所述晶圆片运动的缓冲力。

根据本发明第一方面实施例的晶圆片的卸片方法，能够在晶圆片卸片的过程中为晶圆片提供缓冲，缓解晶圆片所受的冲击力，可以有效防止晶圆片被划伤和摔碎，从而可以提高晶圆片的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

另外，根据本发明上述实施例的晶圆片的卸片方法还可以具有如下附加的技术特征：

根据本发明的一些实施例，所述卸载面可上下移动以在所述晶圆片运载至卸载面的上方时减小与所述晶圆片之间的距离且在所述晶圆片卸载至所述卸载面上时向下移动至预定位置。

可选地，在所述晶圆片卸载至所述卸载面时以及所述卸载面向下移动的过程中停止向所述晶圆片喷射液体。

根据本发明的一些实施例，采用传感器检测所述晶圆片是否卸载至所述卸载面，当所述传感器检测到所述晶圆片卸载至所述卸载面时控制喷射液体的动作停止，当所述传感器检测到所述晶圆片未卸载至所述卸载面时控制喷射液体的动作继续进行。

根据本发明的一些实施例，所述晶圆片经过抛光处理，通过抛光头将所述晶圆片运载至所述卸载面的上方。

可选地，所述晶圆片经过CMP抛光处理。

可选地，所述抛光头上设有用于吸附所述晶圆片的吸附膜，在释放所述晶圆片的过程中，所述抛光头释放真空并通过所述吸附膜对所述晶圆片施加向下的压力。

根据本发明的一些实施例，所述喷射液体为去离子水。

根据本发明的一些实施例，所述液体的喷射流量和喷射压力均可调，所述液体的喷射流量为a，所述液体的喷射压力为b，其中，0L/min＜a≤3L/min，0psi＜b≤60psi。

根据本发明的一些实施例，所述卸载面上设有至少一个过水口，所述卸载面的下方设有喷头，所述喷头适于喷出经过所述过水口且喷射至所述晶圆片的下表面的液体。

可选地，所述过水口和所述喷头分别包括一一对应的多个。

进一步地，每个所述喷头的喷射角度可调。

可选地，多个所述喷头沿所述卸载面的周向间隔开，每个所述喷头的喷射方向相对于竖直方向的倾斜角为α，其中，0°≤α＜90°。

根据本发明第二方面实施例的晶圆片的卸片辅助装置，包括：托盘、卸载支架和喷头，所述卸载支架设在所述托盘上，所述卸载支架的上表面形成有用于承接晶圆片的卸载面，所述卸载面上设有上下贯通的过水口；所述喷头设在所述托盘上且位于所述卸载面下方，所述喷头适于喷出经过所述过水口且喷射至所述晶圆片的下表面的液体。

根据本发明第二方面实施例的晶圆片的卸片辅助装置，可以在晶圆片卸片时提供辅助，在卸片过程中向晶圆片的下表面喷射液体，能够在晶圆片卸片的过程中为晶圆片提供缓冲，缓解晶圆片所受的冲击力，可以有效防止晶圆片被划伤和摔碎，从而可以提高晶圆片的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

根据本发明的一些实施例，所述卸载支架包括：升降杆，所述升降杆的下端与所述托盘相连；卸载板，所述卸载板设在所述升降杆的上端，所述卸载板的上表面形成有所述卸载面，所述卸载板上设有所述过水口。

可选地，所述卸载板包括多个沿所述升降杆的周向间隔开且沿所述升降杆的径向延伸的卸载支板，任意两个相邻的所述卸载支板间隔开形成有所述过水口。

可选地，所述卸载板上设有向上凸出的多个凸起，多个所述凸起共同定位所述晶圆片。

根据本发明的一些实施例，所述过水口和所述喷头分别包括多个，多个所述喷头与多个所述过水口在上下方向上位置对应且沿所述卸载支架的周向间隔开。

可选地，每个所述喷头的喷射角度可调。

可选地，每个所述喷头的喷射方向相对于竖直方向的倾斜角为α，其中，0°≤α＜90°。

根据本发明的一些实施例，所述卸载面上设有用于检测所述晶圆片是否卸载至所述卸载面的传感器，所述传感器与所述喷头相连以控制所述喷头的喷射情况。

根据本发明第三方面实施例的晶圆片的卸片装置，包括用于运载晶圆片的运载头和根据本发明第二方面实施例的晶圆片的卸片辅助装置，所述抛光头适于晶圆片运载至所述卸片辅助装置的卸载面的上方。

根据本发明实施例的晶圆片的卸片装置，通过设置根据本发明第二方面实施例的晶圆片的卸片辅助装置，可以利用晶圆片的卸片辅助装置在晶圆片卸片时提供辅助，能够在晶圆片卸片的过程中为晶圆片提供缓冲，缓解晶圆片所受的冲击力，可以有效防止晶圆片被划伤和摔碎，从而可以提高晶圆片的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

根据本发明的一些实施例，所述运载头为抛光头。

根据本发明第四方面实施例的CMP设备，包括根据本发明第三方面实施例的晶圆片的卸片装置。

根据本发明第四方面实施例的CMP设备，通过设备根据本发明第三方面实施例的晶圆片的卸片装置可以有效防止晶圆片在卸片时被划伤和摔碎，从而可以提高晶圆片的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

图1是根据本发明第一方面实施例的晶圆片的卸片方法的步骤图；

图2是根据本发明第一方面实施例的晶圆片的卸片方法的流程图；

图3是根据本发明第二方面实施例的晶圆片的卸片辅助装置的俯视图；

图4是根据本发明第三方面实施例的晶圆片的卸片装置的示意图。

附图标记：

1000：卸片装置；2000：晶圆片；

100：抛光头；200：卸片辅助装置；11：吸附膜；

21：托盘；22：卸载支架；23：喷头；2a：过水口；

1：升降杆；2：卸载板；3：卸载支板；4：凸起。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可以是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面结合图1和图2图详细描述根据本发明第一方面实施例的晶圆片的卸片方法。

参照图1所示，根据本发明第一方面实施例的晶圆片的卸载方法，可以包括以下步骤：将晶圆片运载至卸载面的上方。卸载面可以承接晶圆片，晶圆片运载至卸载面的上方，当晶圆片向下运动时，可以由卸载面支承下落的晶圆片，晶圆片落至卸载面上，就可以完成卸片工作。

释放晶圆片以使晶圆片朝向卸载面运动。释放晶圆片后，晶圆片在自身重力的作用下会向下运动，落向卸载面。

在晶圆片运动的过程中，朝晶圆片的下表面喷射液体，以提供晶圆片运动的缓冲力。晶圆片被释放后会向下运动，由于自身的重力，运动过程中会加速，因此下落至卸载面上时受冲击力的作用会产生撞击，朝晶圆片的下表面喷射液体，液体向上的冲力可以为晶圆片提供缓冲力，减小晶圆片下落的冲击力，避免卸片时晶圆片与卸载面产生撞击，为晶圆片提供保护作用，从而可以有效防止晶圆片在卸片时被划伤或摔碎，进而可以提高晶圆片的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

根据本发明第一方面实施例的晶圆片的卸片方法，首先将晶圆片运载至卸载面的上方，然后释放晶圆片使晶圆片朝向卸载面运动，并在晶圆片运动的过程中朝晶圆片的下表面喷射液体，利用喷射液体提供晶圆片运动的缓冲力，可以减小晶圆片下落的冲击力，避免卸片时晶圆片与卸载面产生撞击，为晶圆片提供保护作用，从而可以有效防止晶圆片在卸片时被划伤或摔碎，进而可以提高晶圆片的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

根据本发明的一些实施例，卸载面可以上下移动，以在晶圆片运载至卸载面的上方时减小与晶圆片之间的距离，方便晶圆片下落，并且在晶圆片卸载至卸载面上时可以向下移动至预定位置，便于对晶圆片进行后续收纳和存储等工作。

可选地，在晶圆片卸载至卸载面时以及卸载面向下移动的过程中停止向晶圆片喷射液体。也就是说，当晶圆片下落至卸载面上以后，可以停止向晶圆片喷射液体。由此，可以避免喷射液体对晶圆片的后续收纳和存储工作产生影响，同时可以节约喷射的液体，在一定程度上降低成本。

在本发明的一些实施例中，如如图1和图2所示，可以采用传感器检测晶圆片是否卸载至卸载面，当传感器检测到晶圆片卸载至卸载面时，可以控制喷射液体的动作停止，当传感器检测到晶圆片未卸载至卸载面时，可以控制喷射液体的动作继续进行。换言之，可以采用传感器实时检测晶圆片是否完成卸片，并根据检测结果控制停止喷射液体或继续喷射液体，使得喷射液体以辅助卸片的功能贴合实际需要。

可选地，喷射液体可以是去离子水，去离子水能够降低与晶圆片表面接触时对晶圆片的影响，确保晶圆片在卸片过程中不受损伤。

根据本发明的一些实施例，液体的喷射流量和喷射压力均可调，以适应不同规格的晶圆片。液体的喷射流量为a，液体的喷射压力为b，其中，0L/min＜a≤3L/min，0psi＜b≤60psi。也就是说，液体的喷射流量a可以在0L/min-3L/min之间选取，例如，液体的喷射流量可以是500mL/min、1L/min、2L/min或3L/min；液体的喷射压力b可以在0psi-60psi之前取值，例如，液体的喷射压力可以是10psi、20psi或50psi。

当然，液体的喷射流量和喷射压力不限于以上描述，还可以是其它取值，本领域的技术人员可以根据晶圆片的规格等因素进行适应性调整，在此不再详细描述。

根据本发明的一些实施例，卸载面上可以设有至少一个过水口，卸载面的下方可以设有喷头，喷头适于喷出经过过水口且喷射至晶圆片的下表面的液体。具体而言，卸载面的下方设有喷头，喷头可以喷出液体，液体经过过水口喷射至晶圆片的下表面，为晶圆片提供缓冲。

可选地，过水口和喷头可以分别包括一一对应的多个，从而可以增大缓冲力，加强保护效果。例如，过水口和喷头均可为三个，并且三个过水口和三个喷头一一对应。当然，本发明的过水口和喷头的数量不限于次此，过水口和喷头还可以是其他数量，例如，四个、五个等。

有利地，每个喷头的喷射角度可调。由此，可以改变喷头喷出的液体的方向，使得喷射液体适应晶圆片的规格，进一步提高缓冲和保护的效果，同时可以降低喷射液体的过程中对晶圆片造成伤害的概率。

可选地，多个喷头可沿卸载面的周向间隔开，以提高喷射液体的均匀性，有利地，多个喷头可沿卸载面的周向均匀间隔开，从而可以进一步提高晶圆片所受的液体的缓冲力的均匀性，防止晶圆片在卸片时被划伤或摔碎。

可选地，每个喷头的喷射方向相对于竖直方向的倾斜角为α，其中，α可以满足0°≤α＜90°。也就是说，每个喷头喷射液体时，液体可以竖直向上喷射向晶圆片的下表面，也可以倾斜向上喷射向晶圆片的下表面。由此，可以调节液体的缓冲力以及缓冲作用区域，以适应不用要求。例如，α可以是0°，即喷头竖直喷射液体，或者，α可以是45°、60°等，即喷头倾斜向上喷射液体，这对于本领域的技术人员来说是可以理解的，在此不再详细描述。

根据本发明的一些实施例，晶圆片经过抛光处理，可以通过抛光头将晶圆片运载至卸载面的上方。也就是说，晶圆片经过抛光处理后，抛光头可以将晶圆片运载至卸载面的上方，然后再进行卸片工作，结构简单紧凑，并且运载便捷。

在一些实施例中，晶圆片可以经过CMP抛光处理，即晶圆片经过化学机械抛光后，可以进行卸片。由此，可以实现晶圆片表面的平坦化加工。

可选地，抛光头上可以设有用于吸附晶圆片的吸附膜，在释放晶圆片的过程中，抛光头可以释放真空并通过吸附膜对晶圆片施加向下的压力。这样，抛光头可以通过吸附膜吸附晶圆片，从而实现对晶圆片的运载，并且在卸片时，可以通过吸附膜对晶圆片施加向下的压力，无需使用额外的卸片专用装置，结构简单，占用空间小，可靠性高。

图2示出了根据本发明第一方面实施例的晶圆片的卸片方法的流程图。

如图2所示，首先抛光头装载晶圆片，然后将晶圆片运载到抛光垫上进行CMP抛光，抛光结束后，抛光头将晶圆片运载至卸载面的上方，接着卸载面向上移动以减小卸载面与晶圆片之间的距离，喷头开始喷射液体，液体可以经过过水口喷射向晶圆片的下表面，为晶圆片提供缓冲力。

抛光头释放晶圆片，开始卸载晶圆片。具体地，抛光头释放真空并通过吸附膜对晶圆片施加向下的压力，进行卸片。在卸片过程中，喷头持续喷射液体，并且传感器实时检测晶圆片是否卸载至卸载面。

当传感器检测到晶圆片卸载至卸载面时，说明晶圆片卸载完成，可以控制喷射液体的动作停止；而当传感器检测到晶圆片未卸载至卸载面时，说明卸载工作仍在进行，此时可以控制喷射液体的工作继续进行，直到传感器检测到晶圆片卸载至卸载面，可以停止喷射液体。

最后，卸载面向下移动至预定位置，完成晶圆片的卸载工作。

根据本发明实施例的晶圆片的卸片方法，在抛光头运载晶圆片到卸载面上方时，利用多个喷头向晶圆片的下表面喷射去离子水，直到传感器检测到晶圆片卸载完成，喷射液体时液体向上的冲力可以缓减部分晶圆掉落的冲击力，由此起到保护晶圆的作用，并且喷射液体的流量和压力可以调节，使液体在不损伤晶圆的情况下起到托举晶圆片的作用，从而缓解了晶圆片卸载掉落时的冲击力，可以有效防止晶圆片划伤和摔碎，降低晶圆片损伤的风险，保护晶圆安全卸片，提高晶圆片的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

下面结合图3和图4对根据本发明实施例的晶圆片的卸片辅助装置200和晶圆片的卸片装置1000进行详细描述。

参照图3和图4所示，根据本发明第三方面实施例的晶圆片的卸片装置1000可以包括运载头和卸片辅助装置。其中，卸片辅助装置为根据本发明第二方面实施例的晶圆片的卸片辅助装置200。

具体而言，运载头可用于运载晶圆片1000，以将完成抛光的晶圆片2000转移。如图3所示，运载头可适于将晶圆片2000运载至卸片辅助装置200的上方，从而可以在卸片辅助装置200的辅助下完成晶圆片2000的卸载。

可选地，运载头可以是抛光头100。也就是说，晶圆片2000经过抛光处理后，抛光头100可以将晶圆片2000运载至卸载面的上方，然后再进行卸片工作，结构简单紧凑，并且运载便捷。

参考图3和图4所示，根据本发明第二方面实施例的晶圆片的卸片辅助装置200可以包括：托盘21、卸载支架22和喷头23。

具体而言，如图3和图4所示，托盘21可以形成为大体圆盘形，卸载支架22可以设在托盘21上，卸载支架22的上表面可以形成有用于承接晶圆片2000的卸载面，晶圆片2000卸载时，向下运动至卸载面上，卸载面上可以设有上下贯通的过水口2a。

如图4所示，喷头23可以设在托盘21上，并且喷头23可位于卸载面的下方，喷头23适于喷出经过过水口2a且喷射至晶圆片2000的下表面的液体。也就是说，喷头23可以喷出液体，液体可以经过过水口2a朝向晶圆片2000的下表面喷射。

晶圆片2000在卸载的过程中，会向下运动，落向卸载面。在晶圆片2000运动的过程中，喷头23朝晶圆片2000的下表面喷射液体，以提供晶圆片2000运动的缓冲力。晶圆片2000被释放后会向下运动，由于自身的重力，运动过程中会加速，因此下落至卸载面上时受冲击力的作用会产生撞击，通过朝晶圆片2000的下表面喷射液体，液体向上的冲力可以为晶圆片2000提供缓冲力，减小晶圆片2000下落的冲击力，避免卸片时晶圆片2000与卸载面产生撞击，为晶圆片2000提供辅助和保护作用，从而可以有效防止晶圆片2000在卸片时被划伤或摔碎，进而可以提高晶圆片2000的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

根据本发明第二方面实施例的晶圆片的卸片辅助装置200，通过在托盘21上设置喷头23，利用喷头23喷出液体，液体经过过水口2a喷射至晶圆片2000的下表面，可以在晶圆片2000卸片时提供辅助，能够在晶圆片2000卸片的过程中为晶圆片2000提供缓冲，缓解晶圆片2000下落至卸载面上时所受的冲击力，可以有效防止晶圆片2000被划伤和摔碎，从而可以提高晶圆片2000的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

根据本发明的一些实施例，如图3和图4所示，卸载支架22可以包括：升降杆1和卸载板2，其中，升降杆1的下端可与托盘21相连，卸载板2可以设在升降杆1的上端，卸载板2的上表面可以形成有卸载面，卸载板2上可以设有过水口2a，结构简单，方便加工和装配。

可选地，升降杆1可以上下移动，以在晶圆片2000运载至卸载面的上方时减小卸载板2与晶圆片2000之间的距离，方便晶圆片2000下落，并且在晶圆片2000卸载至卸载面上时可以向下移动使卸载板2下降至预定位置，便于对晶圆片2000进行后续收纳和存储等工作。

可选地，卸载板2可以包括多个沿升降杆1的周向间隔开且沿升降杆1的径向延伸的卸载支板3，任意两个相邻的卸载支板3可以间隔开形成有过水口2a。换言之，卸载板2包括多个卸载支板3，任意两个相邻的卸载支板3之间间隔开形成过水口2a。由此，喷头23喷出的液体可以从相邻的两个卸载支板3之间的过水口2a喷射向晶圆片2000的下表面，为晶圆片2000提供缓冲和保护。

例如，如图3所示，卸载板2可以包括三个卸载支板3，三个卸载支板3间隔开，相邻的两个卸载支板3之间可以形成过水口2a。当然，本发明的结构不限于此，卸载支板3的数量不限于以上描述，还可以是其他数量，例如，四个、六个等。卸载支板3的数量可以根据实际需要，综合考虑承载能力、应用空间等因素适应性设置，对此本发明不做具体限定。

可选地，如图3和图4所示，卸载板2上可以设有向上凸出的多个凸起4，多个凸起4共同定位晶圆片2000，即晶圆片2000下落后，可以落在多个凸起4之间，从而可以提高晶圆片2000的稳定性，提高对晶圆片2000的保护效果。

可选地，如图3和图4所示，凸起4可以设在卸载支板3的自由端处。由此，可以提高对晶圆片2000定位的的均匀性和稳定性，进一步保证卸片安全可靠。

根据本发明的一些实施例，如图3和图4所示，过水口2a和喷头23可分别包括多个，多个喷头23与多个过水口2a可以在上下方向上位置对应，以使喷头23喷出的液体可以经过过水口2a喷射向晶圆片2000的下表面，为晶圆片2000提供缓冲，并且，多个喷头23与多个过水口2a可以沿卸载支架22的周向间隔开，以提高晶圆片2000所受的缓冲力的均匀性。

可选地，多个喷头23与多个过水口2a可以沿卸载支架22的周向均匀间隔开，从而可以进一步提高晶圆片2000所受的喷射液体的缓冲力的均匀性，防止晶圆片2000在卸片时被划伤或摔碎。

有利地，每个喷头23的喷射角度可调。由此，可以改变喷头23喷出的液体的方向，使得喷射的液体适应晶圆片2000的规格，进一步提高缓冲和保护的效果，同时可以降低喷射液体的过程中对晶圆片2000造成伤害的概率。

可选地，每个喷头23的喷射方向相对于竖直方向的倾斜角为α，其中，α可以满足0°≤α＜90°。也就是说，每个喷头23喷射液体时，液体可以竖直向上喷射向晶圆片2000的下表面，也可以倾斜向上喷射向晶圆片2000的下表面。由此，可以调节液体的缓冲力以及缓冲作用区域，以适应不用要求。例如，α可以是0°，即喷头23竖直喷射液体，或者，α可以是45°、60°等，即喷头23倾斜向上喷射液体，这对于本领域的技术人员来说是可以理解的，在此不再详细描述。

可选地，喷射液体可以是去离子水，以降低喷射液体对晶圆片2000的影响，确保晶圆片2000在卸片过程中不受损伤。

根据本发明的一些实施例，液体的喷射流量和喷射压力均可调，以适应不同规格的晶圆片2000。液体的喷射流量为a，液体的喷射压力为b，其中，0L/min＜a≤3L/min，0psi＜b≤60psi。也就是说，液体的喷射流量a可以在0L/min-3L/min之间选取，例如，液体的喷射流量可以是500m L/min、1L/min、2L/min或3L/min；液体的喷射压力b可以在0psi-60psi之前取值，例如，液体的喷射压力可以是10psi、20psi或50psi。

当然，液体的喷射流量和喷射压力不限于以上描述，还可以是其它取值，本领域的技术人员可以根据晶圆片2000的规格、下落距离等因素进行适应性调整，在此不再详细描述。

可选地，过水口2a和喷头23可以分别包括一一对应的多个，从而可以增大缓冲力，加强保护效果。例如，过水口2a和喷头23均可为三个，并且三个过水口2a和三个喷头23一一对应。当然，本发明的过水口2a和喷头23的数量不限于次此，过水口2a和喷头23还可以是其他数量，例如，四个、五个等。

根据本发明的一些实施例，卸载面上可以设有用于检测晶圆片2000是否卸载至卸载面的传感器(图中未示出)，传感器可与喷头23相连，以控制喷头23的喷射情况。具体而言，当传感器检测到晶圆片2000卸载至卸载面时，可以控制喷射液体的动作停止，当传感器检测到晶圆片2000未卸载至卸载面时，可以控制喷射液体的动作继续进行。换言之，可以采用传感器实时检测晶圆片2000是否完成卸片，并根据检测结果控制停止喷射液体或继续喷射液体，使得喷射液体以辅助卸片的功能贴合实际需要。

可选地，在晶圆片2000卸载至卸载面时以及支架向下移动的过程中，传感器可以控制喷头23停止向晶圆片2000喷射液体。也就是说，当晶圆片2000下落至卸载面上以后，可以停止向晶圆片2000喷射液体。由此，可以避免喷射液体对晶圆片2000的后续收纳和存储工作产生影响，同时可以节约喷射液体，在一定程度上降低成本。

根据本发明的一些实施例，晶圆片1000经过抛光处理，可以通过抛光头100将晶圆片1000运载至卸载面的上方。也就是说，晶圆片1000经过抛光处理后，抛光头100可以将晶圆片1000运载至卸载面的上方，然后再进行卸片工作，结构简单紧凑，并且运载便捷。

在一些实施例中，晶圆片1000可以经过CMP抛光处理，即晶圆片1000经过化学机械抛光后，可以进行卸片。由此，可以实现晶圆片1000表面的平坦化加工。

可选地，抛光头100上可以设有用于吸附晶圆片1000的吸附膜11，在释放晶圆片1000的过程中，抛光头100可以释放真空并通过吸附膜11对晶圆片1000施加向下的压力。这样，抛光头100可以通过吸附膜11吸附晶圆片，从而实现对晶圆片1000的运载，并且在卸片时，可以通过吸附膜11对晶圆片施加向下的压力，无需使用额外的卸片专用装置，结构简单，占用空间小，可靠性高。

根据本发明实施例的晶圆片的卸片装置1000可以利用晶圆片的卸片辅助装置200在晶圆片2000卸片时提供辅助。由于根据本发明第二方面实施例的晶圆片的卸片辅助装置200具有上述有益的技术效果，因此根据本发明第三方面实施例的晶圆片的卸片装置1000也具有相应的技术效果。即：能够在晶圆片2000卸片的过程中为晶圆片2000提供缓冲，缓解晶圆片2000所受的冲击力，可以有效防止晶圆片2000被划伤和摔碎，从而可以提高晶圆片2000的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

此外，本发明还公开了一种CMP设备，包括根据本发明上述第三方面实施例的晶圆片的卸片装置1000。

根据本发明实施例的CPM设备，通过设置根据发明第三方面实施例的晶圆片的卸片装置1000，能够在晶圆片2000卸片的过程中为晶圆片2000提供缓冲，缓解晶圆片2000所受的冲击力，可以有效防止晶圆片2000被划伤和摔碎，从而可以提高晶圆片2000的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。

根据本发明实施例的CMP设备的其他结构例如抛光头、抛光垫以及操作对于本领域的普通技术人员来说是可知的，在此不再详细描述。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“具体实施例”、“示例”或“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。