一种研磨配置信息的校正方法以及晶圆研磨系统与流程

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种研磨配置信息的校正方法以及晶圆研磨系统。

背景技术：

现有的晶圆研磨系统中，每个晶圆研磨系统包括一研磨头，多个研磨头形成一组研磨头，在每组研磨头工作产生一组研磨数据时，往往会存在一个或多个研磨头因为其表面形貌的不同，使得其对应的研磨数据明显偏离正常值，现有的做法是在一个研磨头存在问题的情况下将存在问题的研磨头研磨后的晶圆判定为失效，在多个研磨头存在问题的情况下，需要停机对存在问题的研磨头进行更换。这样做会使得合格的晶圆减少，对晶圆研磨系统的产能产生较大的影响。

技术实现要素：

针对上述问题，本发明提出了一种研磨配置信息的校正方法，应用于晶圆研磨系统，每个所述晶圆研磨系统包括一组研磨头，一组所述研磨头中所述研磨头的数量为多个，所述晶圆研磨系统还包括多个存储单元，每个所述研磨头的所述研磨配置信息存储在对应的所述存储单元中；所述校正方法包括：

步骤S1，根据每个所述存储单元中的所述研磨配置信息控制对应的所述研磨头的工作；

步骤S2，按组对每个所述研磨头的工作情况进行监控；

步骤S3，根据监控情况找到一组所述研磨头中存在问题的所述研磨头；

步骤S4，对存在问题的所述研磨头对应的所述存储单元中的所述研磨配置信息进行校正。

上述的校正方法，其中，一组所述研磨头中所述研磨头的数量为4个。

上述的校正方法，其中，所述步骤S2具体为：

收集一组所述研磨头中每个所述研磨头研磨的晶圆的表面形貌的数据。

上述的校正方法，其中，所述步骤S3具体为：

找到所述数据中反映出的表面形貌存在差异的所述晶圆对应的所述研磨头。

上述的校正方法，其中，所述晶圆研磨系统还包括一研磨垫，所述晶圆放置在所述研磨垫上，所述研磨头位于所述晶圆上方；

所述研磨头受到朝向所述晶圆表面的应力，以对所述研磨垫上的所述晶圆进行研磨。

上述的校正方法，其中，所述研磨配置信息包括研磨液配比和研磨液名称。

上述的校正方法，其中，所述晶圆研磨系统还包括一操作界面，所述操作界面与所述每个所述存储单元连接，以供操作人员对所述存储单元内的所述研磨配置信息进行校正。

一种晶圆研磨系统，应用如上任意一项所述的校正方法。

有益效果：本发明提出的一种研磨配置信息的校正方法以及应用该校正方法的晶圆研磨系统，能够独立对存在问题的研磨头的研磨配置信息进行校正，从而免去停机更换研磨头的麻烦，并减少晶圆失效的情况，进而提高晶圆研磨系统的产能。

附图说明

图1为本发明一实施例中研磨配置信息的校正方法的步骤流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明。

在一个较佳的实施例中，如图1所示，提出了一种研磨配置信息的校正方法，应用于晶圆研磨系统，每个晶圆研磨系统包括一组研磨头，一组研磨头中研磨头的数量为多个，晶圆研磨系统还包括多个存储单元，每个研磨头的研磨配置信息存储在对应的存储单元中；校正方法可以包括：

步骤S1，根据每个存储单元中的研磨配置信息控制对应的研磨头的工作；

步骤S2，按组对每个研磨头的工作情况进行监控；

步骤S3，根据监控情况找到一组研磨头中存在问题的研磨头；

步骤S4，对存在问题的研磨头对应的存储单元中的研磨配置信息进行校正。

在一个较佳的实施例中，一组研磨头中研磨头的数量为4个。

在一个较佳的实施例中，步骤S2具体为：

收集一组研磨头中每个研磨头研磨的晶圆的表面形貌的数据。

上述实施例中，优选地，步骤S3具体为：

找到数据中反映出的表面形貌存在差异的晶圆对应的研磨头。

在一个较佳的实施例中，晶圆研磨系统还包括一研磨垫，晶圆放置在研磨垫上，研磨头位于晶圆上方；

研磨头受到朝向晶圆表面的应力，以对研磨垫上的晶圆进行研磨。

在一个较佳的实施例中，研磨配置信息包括研磨液配比和研磨液名称。

在一个较佳的实施例中，晶圆研磨系统还包括一操作界面，操作界面与每个存储单元连接，以供操作人员对存储单元内的研磨配置信息进行校正。

在一个较佳的实施例中，还提供了一种晶圆研磨系统，应用如上任意一个实施例中的校正方法。

综上所述，本发明提出的一种研磨配置信息的校正方法以及应用该校正方法的晶圆研磨系统，能够独立对存在问题的研磨头的研磨配置信息进行校正，从而免去停机和更换研磨头的麻烦，并减少晶圆失效的情况，进而提高晶圆研磨系统的产能。

通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。

对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。