专利名称：等离子体发生器、包括它的基材处理装置及基材处理方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体发生器、包括这种等离子体发生器的基材 处理装置以及基材处理方法。具体而言，本发明涉及一种能够调节电极 之间的距离的等离子体发生器、包括这种等离子体发生器的基材处理装 置以及基材处理方法。
背景技术：
有多种方法已经应用于半导体制造工艺，近年来，使用等离子体的 方法广泛应用于能源、新型材料、半导体器件制造业、环境领域，等等。等离子体是包含离子或电子和自由基的气体的离子化状态。通常， 等离子体处理是指将源气体转变成等离子体，然后将等离子化的气体沉 积到基材上或者用于清洁、灰化或蚀刻。在两个电极之间建立强电场之 后，将源气体供给到它们之间从而产生等离子体。在两个电极之间产生等离子体时，重要参量是这两个电极之间的距 离和供给到它们之间的源气体的量。如果两个电极之间的距离很长，则 在它们之间就不能建立强电场。因此，源气体不会放电。如果供给到两 个电极之间的源气体浓度很低，则即使有强电场，供给到它们之间的源 气体也不能放电。上述情况随着所要产生的等离子体的种类而变。因此，需要一种装置，其能容易地调节两个电极之间的距离，并且 当调节两个电极之间的距离时，也能改变源气体供给装置的位置。 发明内容本发明的示例性实施例提供一种等离子体发生器。在示例性实施例 中，所述等离子体发生器可以包括用于产生等离子体的多个电极，所 述电极在第一方向上为长棒形状，它们沿着垂直于所述第一方向的第二 方向并排设置在同一高度处并且相互隔开；用于将源气体供给到所述电 极的气体供给部件；以及用于调节所述电极之间的间距的距离调节单元。本发明的示例性实施例提供一种基材处理装置。在示例性实施例中， 所述基材处理装置可以包括支撑部件，其用于支撑基材使所述基材的 带图案表面面向上方；等离子体发生器，其设置在所述支撑部件上并且 用于将在其里面产生的等离子体提供给所述基材，其中所述等离子体发 生器包括用于产生等离子体的多个电极，所述电极在第一方向上为长 棒形状，它们沿着垂直于所述第一方向的第二方向并排设置在同一高度 处并且相互隔开；用于将源气体供给到所述电极的气体供给部件；以及 用于调节所述电极之间的间距的距离调节单元。本发明的示例性实施例提供一种基材处理方法，在所述方法中，从 供给到并排设置的多个电极之间的源气体产生等离子体然后进行处理。 在示例性实施例中，所述基材处理方法可以包括借助于多个连接器将 电极中的第一电极和第二电极连接；借助于所述连接器，根据处理工艺 将所述电极之间的距离调节成预定距离；使用等离子体进行处理，所述 等离子体通过在所述电极之间各自建立电场的同时供给源气体而产生。本发明的示例性实施例提供一种基材处理方法，在所述方法中，从 供给到多个电极之间的源气体产生等离子体然后进行处理。在示例性实 施例中，所述基材处理方法可以包括在电极并排设置时不同地调节所 述电极之间的间距，基于所调节的间距对基材进行处理，基于所述间距 测量处理速率，然后使用基于所述间距的测量值构建数据库；根据实际 处理中所需的处理速率，使用所述数据库确定所述电极之间的间距；基 于所选定的间距进行实际处理。
图1示出了本发明的基材处理装置。
图2示出了本发明的等离子体发生器。图3显示了本发明的电极各自与电源连接的状态。图4显示了本发明的供给部件的移动状态。图5示出了本发明的距离调节单元。图6A和图6B显示了本发明的距离调节单元的操作状态。图7显示了借助于本发明的基材处理装置对基材进行处理的状态。图8是本发明的基材处理方法的流程图。
具体实施方式
下面参照附图更充分地说明本发明，附图中显示了本发明的优选实 施例。但是，本发明可以以很多不同的方式实施，而不应该视为受限于 这里给出的实施例。提供这些实施例是为了全面、完整地公开本发明， 并将本发明的范围完全传达给本领域技术人员。附图中，为了清楚起见， 放大了部件的形状。下面以晶片W作为基材的一个例子进行说明，但本发明不限于这里 的说明。此外，将要在下面进行说明的基材处理装置1用来在大气压下 产生等离子体并且不需要特定的真空设备。图1示出了本发明的基材处理装置1，图2示出了本发明的等离子 体发生器200。图3显示了本发明的电极220a， 220b， 220c和220d各自 与电源连接的状态，图4显示了本发明的供给部件的移动状态。基材处理装置1包括支撑部件100、等离子体发生器200和驱动单 元300。支撑部件100支撑晶片w使得晶片w的带图案表面面向上方。支 撑部件IOO包括托盘120和与托盘120底部连接的支撑轴160。托盘120是圆盘形状，晶片W装载在托盘120上，与托盘120大致 上并列。在托盘120的顶面上设有多个支撑销122和多个夹持销124。夹 持销124设置在托盘120的边缘从而支撑所装载的晶片W的侧部。支撑 销122设置在夹持销124里面从而支撑所装载的晶片W的底部。 支撑轴160与托盘120的底部连接从而支撑托盘120。支撑轴160 借助于皮带162与驱动轮164连接，驱动轮164与驱动器166连接。因 此，当驱动轮164通过驱动器166进行旋转时，驱动轮164的旋转力通 过皮带162传递给支撑轴160。如图2所示，等离子体发生器200设置在支撑部件100上方。等离 子体发生器200包括第一至第四电极220a,220b,220c,220d，第一至第六 连接器260a,260b,260c,260d,260e,260f以及第 一 至第三供给部件 242a，242b,242c。第一至第四电极220a,220b，220c，220d在第一方向"I"上为棒状形状。 电极长度大致上等于或大于晶片W的半径。第一至第四电极220a,220b,220c，220d设置在同一高度处，沿垂直于第一方向"r的第二方向"n"排列并且相互隔开。因此，在相互隔开的电极所限定的空间处各自形成注入通道。等离子体从各个注入通道注入。如图3所示，第一电极220a包括棒状金属电极222a和围绕着金属 电极222a设置的介电物质224a。由于电极是由较好介电特性的介电材料 制成，因此，如果给电极通电，则即使在大气压下也能产生稳定状态的 等离子体。介电物质224a防止金属电极222a受到在产生等离子体时所 产生的电弧的损害。同样地，第二电极220b至第四电极220d中的每一 个都包括棒状金属电极和介电物质。介电物质244和264是石英或陶瓷。在这一实施例中，金属电极的长度等于晶片W的半径，金属电极的 纵向截面是圆形。但是，金属电极的纵向截面可以是多边形，例如三角 形或四边形。如图3所示，第一电压施加给第一电极220a和第三电极220c，低于 第一电压的第二电压施加给第二电极220b和第四电极220d。因此，在第 一电极220a和第二电极220b之间、第二电极220b和第三电极220c之 间以及第三电极220c和第四电极220d之间建立了电场。正如后面将要 说明的，供给源气体从而产生等离子体。第一电压与第一电极220a和第三电极220c并联，第二电压与第二 电极220b和第四电极220d并联。因此，尽管一个电极短路，正常电压
也可以施加给其它电极。此外，短路电极可以部分地替换。在这一实施例中，使用中频(MF)电源250。但是，可以使用高频电源。气体供给部件安装在第一至第四电极220a,220b,220c,220d上方。气 体供给部件包括第一至第三供给部件242a,242b,242c，第一至第三供给口 244a,244b,244c以及供给管线246。对应于在第一电极220a和第二电极220b之间形成的第一注入通道 230a安装第一供给部件242a。对应于在第二电极220b和第三电极220c 之间形成的第二注入通道230b安装第二供给部件242b。对应于在第三电 极220c和第四电极220d之间形成的第三注入通道230c安装第三供给部 件242c。在第一供给部件242a上形成有第一流入口 244a。从第一供给部件 242a向第一注入通道230a供给的源气体经由第一流入口 244a流入第一 供给部件242a。在第二供给部件242b上形成有第二流入口 244b，在第 三供给部件242c上形成有第三流入口 244c。如图2所示，供给管线246与第一至第三流入口 244a,244b,244c连 接。源气体沿着供给管线246流入第一至第三流入口 244a，244b,244c。供 给管线246由阀248打开或关闭。气体供给部件还包括架280，该架与第一至第三供给部件 242a，242b,242c的顶部连接。如图4所示，在架280的内侧壁沿着第二方向"II"设有导轨282。在 第一供给部件242a外周面的顶端形成有第一凹槽243a。导轨282插在凹 槽243a中并且引导第一供给部件242a在第二方向"II"上移动。在第二供 给部件242b外周面的顶端形成有第二凹槽243b，在第三供给部件242c 外周面的顶端形成有第三凹槽243c。导轨282插在第二凹槽243b和第三 凹槽243c中，第二供给部件242b和第三供给部件242c可以沿着导轨282在第二方向"n"上移动。图5示出了本发明的距离调节单元。图6A和图6B显示了本发明的 距离调节单元的操作状态。距离调节单元包括第一至第六连接器260a，260b,260c,260d，260e,260f，第一至第三轴销262a,262b,262c以及第一至第四固定销 264a,264b,264c,264d。第一轴销262a与第一供给部件242a的底部连接，并且连接第一连 接器260a的一端和第二连接器260b的一端。第一连接器260a的另一端 通过第一固定销264a与第一电极220a的一端连接，第二连接器260b的 另一端通过第二固定销264b与第二电极220b的一端连接。第一连接器 260a和第二连接器260b可以分别在第一固定销264a和第二固定销264b 上旋转。此外，第一连接器260a和第二连接器260b可以在第一轴销262a 上旋转。如果第一连接器260a在第一轴销262a上逆时针旋转而第二连接器 260b在第一轴销262a上顺时针旋转，则第一电极220a和第二电极220b 相互靠近。如果第一连接器260a顺时针旋转而第二连接器260b逆时针 旋转，则第一电极220a和第二电极220b相互远离。第二轴销262b与第二供给部件242b的底部连接，并且连接第三连 接器260c的一端和第四连接器260d的一端。第三连接器260c的另一端 通过第二固定销264b与第二电极220b的一端连接，第四连接器260d的 另一端与第三电极220c的一端连接。第三连接器260c和第四连接器260d 可以分别在第二固定销264b和第三固定销264c上旋转。此外，第三连 接器260c和第四连接器260d可以在第二轴销262b上旋转。第三轴销262c与第三供给部件242c的底部连接，并且连接第五连 接器260e的一端和第六连接器260f的一端。第五连接器260e的另一端 通过第三固定销264c与第三电极220c的一端连接，第六连接器260f的 另一端通过第四固定销264d与第四电极220d的一端连接。第五连接器 260e和第六连接器260f可以分别在第三固定销264c和第四固定销264d 上旋转。此外，第五连接器260e和第六连接器260f可以在第三轴销262c 上旋转。下面参照图6A和图6B说明电极之间的距离的调节方法。如图6A所示，附图标记do表示第二固定销264b与第三固定销264c 之间的距离，附图标记ho表示第二固定销264b与第二轴销262b之间的
高度。此外，附图标记(V表示第一轴销262a与第二轴销262b之间的距离。第一至第三供给部件242a,242b,242c沿着导轨282移动使得第一供 给部件242a与第二供给部件242b相互隔开以及第二供给部件242b与第 三供给部件242c相互隔开。如果第一至第三供给部件242a,242b，242c移 动，则第一连接器260a、第三连接器260c和第五连接器260e逆时针旋 转，同时第二连接器260b、第四连接器260d和第六连接器260f顺时针 旋转。如图6B所示，如果第一轴销262a与第二轴销262b之间的距离变成 大于do'的d。则第二固定销264b与第三固定销264c之间的距离变成大 于d()的dP第二固定销264b与第二轴销262b之间的高度变成小于h0 的&。也就是说，如果第一供给部件242a与第二供给部件242b之间的 距离以及第二供给部件242b与第三供给部件242c之间的距离增大，则 第一电极220a与第二电极220b之间的距离、第二电极220b与第三电极 220c之间的距离以及第三电极220c与第四电极220d之间的距离增大。但是，第一固定销264a与第一轴销262a之间的距离减小，第一供 给部件242a的底部与第一电极220a之间的距离以及第一供给部件的底 部与第二电极220b之间的距离减小。第二固定销264b与第二轴销262b之间的高度根据第二电极220b 与第三电极220c之间的距离&以及第三连接器260c的长度来确定。因 此，如果第三连接器260c的长度作适当地调节，则不但电极之间的距离 而且电极与供给部件之间的距离都可以根据用户需要进行调节。在这一实施例中，由于第一连接器260a和第二连接器260b长度相 同，因此即使它们二者之间的距离发生变化，第一供给部件242a也置于 第一电极220a和第二电极220b之间。图7显示了借助于本发明的基材处理装置1对晶片W进行处理的状态。将晶片W装载在托盘120上。所装载的晶片W由支撑销122和夹 持销124支撑。托盘120由支撑轴160支撑，该支撑轴借助于驱动器166旋转。利用驱动单元300，将等离子体发生器200置于晶片W上方。此时，用户可以借助于距离调节单元对等离子体发生器内的电极之间的距离进 行调节。电极之间的距离可以根据所要产生的等离子体类型或工艺类型 来确定。电极之间的距离的调节方法与上述相同。将第一电压施加给第一电极220a和第三电极220c，将低于第一电压 的第二电压施加给第二电极220b和第四电极220d。如果施加了第一电压 和第二电压，则在第一电极220a和第二电极220b之间以及第三电极220c 和第四电极220d之间分别形成电势差。因此，建立了电场。将源气体供给到第一至第三注入通道230a,230b,230c。源气体沿着供 给管线供给到第一至第三供给口 244a,244b,244c之后，其经由第一至第 三供给部件242a,242b，242c供给到第一至第三注入通道230a,230b,230c。如上所述，第一供给部件242a设置在第一电极220a和第二电极220b 之间，第二供给部件242b设置在第二电极220b和第三电极220c之间， 第三供给部件242c设置在第三电极220c和第四电极220之间。因此， 源气体可以均匀地供给到第一至第三注入通道230a，230b,230c中。如果供给了源气体，则在第一电极220a和第二电极220b之间、第 二电极220b和第三电极220c之间以及第三电极220c和第四电极220之 间产生等离子体。所产生的等离子体沿着持续供给的源气体的流向到达 晶片W的顶面，以用于处理晶片W的顶面。根据前面所述，能容易地调节电极之间的距离，并且也能调节电极 与供给部件之间的距离。此外，因为用于将源气体供给到电极之间的供 给部件的位置随着电极之间的距离的变化而改变，因此，将源气体均匀 地供给到电极之间所限定的空间中。图8是本发明的基材处理方法的流程图。如上所述，两个电极之间 的距离是对晶片W进行等离子体处理时的重要参量。最佳距离随着所供 给的源气体的种类和基材的处理步骤而变化。因此，下面使用的等离子 体发生器200可以根据源气体或处理步骤来调节最佳距离。不同地调节第一至第四电极220a,220b,220c,220d之间的间隔(SIO)。设定第一至第四电极220a,220b，220c,220d之间的间隔的方法与上述相 同。基于所调节的间距对晶片W进行处理(S20)。在进行处理时，供给相 同的源气体而不同地设定间距。预定时间过后，基于所调节的间距测量 处理速率(S30)。使用上述测量值建立数据库(S40)。预先确定在实际处理时所需的晶片处理速率(S50)。根据预定的处理 速率，从上述数据库确定电极之间的最佳间距(S60)。根据所确定的间距 进行实际处理(S70)。按照上述说明，可以容易地调节电极之间的距离，同时测量处理速 率。此外，可以根据在实际处理时所预定的处理速率选择最佳值。如上所述，可以容易地调节电极之间的距离并且也可调节电极与供 给部件之间的距离。此外，用于将源气体供给到电极之间的供给部件的 位置随着电极之间的距离的变化而改变。虽然己经结合附图所示的本发明实施例说明了本发明，但本发明不 限于此。显然，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，本领域技术人 员可以作出各种替换、修改和变化。
权利要求
1. 一种等离子体发生器，包括用于产生等离子体的多个电极，所述电极在第一方向上为长棒形状， 它们沿着垂直于所述第一方向的第二方向并排设置在同一高度处并且相 互隔开；用于将源气体供给到所述电极的气体供给部件；以及 用于调节所述电极之间的间距的距离调节单元。
2. 如权利要求1所述的等离子体发生器，其中所述电极包括 第一电极，第一电压施加在所述第一电极上；以及第二电极，第二电压施加在所述第二电极上，所述第二电极与所述 第一电极相邻设置，所述第二电压低于所述第一电压。
3. 如权利要求2所述的等离子体发生器，其中所述距离调节单元包括第一轴销；第一连接器，其一端可转动地连接至所述第一轴销，另一端可转动 地连接至所述第一电极；以及第二连接器，其一端可转动地连接至所述第一轴销，另一端可转动 地连接至所述第二电极，其中，所述第一电极和所述第二电极之间的间距由在所述第一轴销 上旋转的所述第一连接器和所述第二连接器调节。
4. 如权利要求3所述的等离子体发生器，其中所述气体供给部件包括第一供给部件，其设置在所述第一电极和所述第二电极的顶面上， 用于将源气体沿着在所述第一供给部件中形成的通道供给到所述第一电 极和所述第二电极之间，其中，所述第一轴销固定安装在所述第一供给部件上。
5. 如权利要求l所述的等离子体发生器，其中所述电极包括 第一电极，第一电压施加在所述第一电极上；第三电极，所述第一电压施加在所述第三电极上；以及 第二电极，第二电压施加在所述第二电极上，所述第二电极设置在 所述第一电极与所述第三电极之间，所述第二电压低于所述第一电压。
6. 如权利要求5所述的等离子体发生器，其中所述距离调节单元包括第一轴销；第一连接器，其一端可转动地连接至所述第一轴销，另一端可转动 地连接至所述第一电极；第二连接器，其一端可转动地连接至所述第一轴销，另一端可转动 地连接至所述第二电极，第二轴销；第三连接器，其一端可转动地连接至所述第二轴销，另一端可转动 地连接至所述第二电极；以及第四连接器，其一端可转动地连接至所述第二轴销，另一端可转动 地连接至所述第三电极，其中，所述第一连接器和所述第二连接器在所述第一轴销上旋转， 从而调节所述第一电极和所述第二电极之间的间距，所述第三连接器和 所述第四连接器在所述第二轴销上旋转，从而调节所述第二电极和所述 第三电极之间的间距。
7. 如权利要求6所述的等离子体发生器，其中所述气体供给部件包括第一供给部件，其设置在所述第一电极和所述第二电极的顶面上， 用于将源气体沿着在所述第一供给部件中形成的通道供给到所述第一电 极和所述第二电极之间；以及第二供给部件，其设置在所述第二电极和所述第三电极的顶面上， 用于将源气体沿着在所述第二供给部件中形成的通道供给到所述第二电 极和所述第三电极之间，其中，所述第一轴销固定安装在所述第一供给部件上，所述第二轴 销固定安装在所述第二供给部件上。
8. 如权利要求7所述的等离子体发生器，其中所述等离子体发生器 还包括与所述第一供给部件和所述第二供给部件的顶部连接的架，其用于 引导所述第一供给部件和所述第二供给部件在所述第二方向上移动，其中，所述第二连接器和所述第三连接器随着所述第一供给部件和 所述第二供给部件的移动而旋转。
9. 如权利要求8所述的等离子体发生器，其中，在所述架上设有导 轨，所述导轨沿着所述第二方向形成；并且在所述第一供给部件和所述第二供给部件的外周面上形成有凹槽。
10. —种基材处理装置，包括支撑部件，其用于支撑基材使所述基材的带图案表面面向上方；用于将等离子体提供给所述基材的等离子体发生器，其中所述等离子体发生器包括用于产生等离子体的多个电极，所述电极在第一方向上为长棒形状， 它们沿着垂直于所述第一方向的第二方向并排设置在同一高度处并且相 互隔开；用于将源气体供给到所述电极的气体供给部件；以及 用于调节所述电极之间的间距的距离调节单元。
11. 如权利要求IO所述的基材处理装置，其中所述电极包括 第一电极，第一电压施加在所述第一电极上；第三电极，所述第一电压施加在所述第三电极上；以及 第二电极，第二电压施加在所述第二电极上，所述第二电极设置在 所述第一电极与所述第三电极之间，所述第二电压低于所述第一电压。
12. 如权利要求ll所述的基材处理装置，其中所述距离调节单元包括第一轴销；第一连接器，其一端可转动地连接至所述第 地连接至所述第一电极；第二连接器，其一端可转动地连接至所述第 地连接至所述第二电极，第二轴销；第三连接器，其一端可转动地连接至所述第 地连接至所述第二电极；以及第四连接器，其一端可转动地连接至所述第 地连接至所述第三电极，其中，所述第一连接器和所述第二连接器在所述第一轴销上旋转， 从而调节所述第一电极和所述第二电极之间的间距，所述第三连接器和 所述第四连接器在所述第二轴销上旋转，从而调节所述第二电极和所述 第三电极之间的间距。
13. 如权利要求12所述的基材处理装置，其中所述气体供给部件包括第一供给部件，其设置在所述第一电极和所述第二电极的顶面上， 用于将源气体沿着在所述第一供给部件中形成的通道供给到所述第一电 极和所述第二电极之间；以及第二供给部件，其设置在所述第二电极和所述第三电极的顶面上， 用于将源气体沿着在所述第二供给部件中形成的通道供给到所述第二电 极和所述第三电极之间，其中，所述第一轴销固定安装在所述第一供给部件上，所述第二轴 销固定安装在所述第二供给部件上。
14. 如权利要求13所述的基材处理装置，其中所述等离子体发生器 还包括与所述第一供给部件和所述第二供给部件的顶部连接的架，其用于 引导所述第一供给部件和所述第二供给部件在所述第二方向上移动，一轴销，另一端可转动 一轴销，另一端可转动二轴销，另一端可转动 二轴销，另一端可转动 其中，所述第二连接器和所述第三连接器随着所述第一供给部件和 所述第二供给部件的移动而旋转。
15. 如权利要求14所述的基材处理装置，其中，在所述架上设有导 轨，所述导轨沿着所述第二方向形成；以及在所述第一供给部件和所述第二供给部件的外周面上形成有凹槽。
16. —种基材处理方法，在所述方法中，从供给到并排设置的多个 电极之间的源气体产生等离子体然后进行处理，所述基材处理方法包括借助于多个连接器将电极中的第一电极和第二电极连接； 借助于所述连接器，根据处理工艺将所述电极之间的间距调节成预 定间隔；并且使用等离子体进行处理，所述等离子体通过在所述电极之间各自形 成电场的同时供给源气体而产生。
17. 如权利要求16所述的基材处理方法，其中，第一连接器的一端 可转动地连接至所述第一电极的一端，第二连接器的一端可转动地连接 至所述第二电极的一端，所述第一连接器的另一端和所述第二连接器的 另一端由第一轴销连接；并且所述第一连接器和所述第二连接器在所述第一轴销上旋转，从而调 节所述第 一 电极和所述第二电极之间的间距。
18. 如权利要求16所述的基材处理方法，其中，第一连接器的一端 可转动地连接至所述第一电极的一端，第二连接器的一端可转动地连接 至所述第二电极的一端，第三连接器的一端可转动地连接至所述第二电 极的一端，第四连接器的一端可转动地连接至所述第三电极的一端；所述第一连接器的另一端和所述第二连接器的另一端由第一轴销连 接，所述第三连接器的另一端和所述第四连接器的另一端由第二轴销连 接；并且所述第一连接器和所述第二连接器在所述第一轴销上旋转，从而调 节所述第一电极和所述第二电极之间的间距，所述第三连接器和所述第 四连接器在所述第二轴销上旋转，从而调节所述第二电极和所述第三电 极之间的间距。
19. 如权利要求18所述的基材处理方法，其中，设置第一供给部件 将源气体供给到所述第一电极和所述第二电极之间，设置第二供给部件 将源气体供给到所述第二电极和所述第三电极之间，将所述第一轴销固 定安装在所述第一供给部件上，将所述第二轴销固定安装在所述第二供 给部件上；并且所述第一电极和所述第二电极之间的间距以及所述第二电极和所述 第三电极之间的间距通过调节所述第一供给部件和所述第二供给部件之 间的距离来调节。
20. 如权利要求19所述的基材处理方法，其中，所述第一供给部件 和所述第二供给部件与所述第二电极之间的高度差通过调节所述第一供 给部件和所述第二供给部件之间的距离来调节。
21. —种基材处理方法，在所述方法中，从供给到多个电极之间的 源气体产生等离子体然后进行处理，所述基材处理方法包括在电极并排设置时不同地调节所述电极之间的间距，基于所调节的 间距对基材进行处理，基于所述间距测量处理速率，然后使用基于所述 间距的测量值建立数据库；根据实际处理中所需的处理速率，使用所述数据库确定所述电极之 间的间距；并且基于所确定的间距进行实际处理。
全文摘要
一种等离子体发生器，包括用于供给源气体的气体供给部件和使用所述源气体产生等离子体的多个电极。所述多个电极在第一方向上为长棒形状，它们沿着垂直于所述第一方向的第二方向并排设置在同一高度处并且相互隔开。所述电极之间的间距借助于距离调节单元来调节，所述距离调节单元包括与第一电极连接的第一连接器，与第二电极连接的第二连接器，以及将所述第一连接器和所述第二连接器相互连接的第一轴销。所述第一连接器和所述第二连接器在所述第一轴销上旋转，从而调节所述第一电极和所述第二电极之间的间距。
文档编号H01L21/00GK101123843SQ20071012265
公开日2008年2月13日 申请日期2007年7月10日 优先权日2006年8月10日
发明者金怡政 申请人:细美事有限公司