专利名称：硅碳外延层的选择性形成的制作方法
技术领域：
本发明的各个实施例一般涉及用于含硅和碳的外延层的选择性形成的方 法和装置。特定的一些实施例涉及用于在半导体器件、例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件中n掺杂外延层的选择性形成的方法和装置。
技术背景流过MOS晶体管的沟道的电流大小与该沟道中的载流子的迁移率成正 比，高迁移率MOS晶体管的使用能使更多的电流流动，因此具有更快的电路 性能。通过在沟道中产生机械应力能够增加MOS晶体管的沟道中的载流子的 迁移率。处于压縮应变下的沟道，例如，生长在硅上的硅锗沟道层，具有显著 增加的空穴迁移率以提供pMOS晶体管。处于拉伸应变下的沟道，例如，生 长在松弛硅锗上的薄硅沟道层，获得显著增加的电子迁移率以提供nMOS晶 体管。通过形成一个或多个碳掺杂的硅外延层，也能够提供处于拉伸应变下的 nMOS晶体管沟道，该nMOS晶体管沟道可以与pMOS晶体管中的压縮应变 的SiGe沟道互补。因而，碳掺杂的硅和硅锗外延层能够分别沉积在nMOS和 pMOS的源极/漏极上。源极区域和漏极区域能够是或者平坦的或者通过选择 性Si干蚀刻而凹进。当被适当制造时，覆盖有碳掺杂的硅外延层的nMOS源 极和漏极在沟道中施加拉伸应力并增加nMOS驱动电流。为了利用碳掺杂的硅外延层来获得在具有凹进源极/漏极的nMOS晶体管 的沟道中增加的电子迁移率，期望通过选择性沉积或者通过沉积后处理在源极 /漏极上选择性形成碳掺杂的硅外延层。另外，期望碳掺杂的硅外延层包含替 代C原子以在沟道中产生拉伸应变。利用碳掺杂的硅源极和漏极中的增大的 替代碳含量能够获得更大的沟道拉伸应变。一般地，低于100nm的CMOS (互补金属氧化物半导体)器件要求结深度小于30nm。选择性外延沉积经常被用于将含硅材料(例如，Si， SiGe和Si:C) 的外延层("epilayers")形成为结。选择性外延沉积允许在电介质区域上没有 外延生长的情况下，在硅槽(siliconmoat)上生长外延层。在半导体器件内， 诸如升高的源极/漏极、源极/漏极延伸、接触插塞(contact plug)或者双极器 件的底层沉积，可以使用选择性外延。典型选择性外延工艺包含沉积反应和蚀刻反应。在沉积工艺期间，外延层 形成在单晶表面上，而多晶材料层和/或非晶材料层沉积在诸如存在的多晶层 和/或非晶层的至少第二层上。沉积和蚀刻反应以关于外延层和关于多晶层的 相对不同的反应速率同时发生。但是， 一般以比外延层更快的速率蚀刻所沉积 的多晶/非晶层。因此，通过改变蚀刻气体的浓度，净选择工艺导致外延材料 的沉积、多晶材料的有限沉积或者不沉积。例如，选择性外延工艺可以导致在 单晶硅表面上含硅材料的外延层的形成，而在间隔片(spacer)上不留下任何 沉积。在升高的源极/漏极和源极/漏极延伸特征图案的形成期间，例如，在含硅 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)的形成期间，含硅材料的选择性 外延沉积已经成为一种有用的技术。通过蚀刻硅表面以形成凹进的源极/漏极 特征图案，然后用诸如硅锗(SiGe)材料的选择性生长的外延层填充所蚀刻的 表面，来生产源极/漏极延伸特征图案。选择性外延允许采用原位掺杂来使几 乎全部掺杂剂激活，从而省去了后退火工艺。因此，通过硅蚀刻和选择性外延 能够精确地限定结深。另一方面，超浅源极/漏极结不可避免地导致串联电阻 增加。此外，硅化物形成期间的结消耗甚至增加更多的串联电阻。为了补偿结 消耗，在所述结上外延并选择性生长升高的源极/漏极。典型地，升高的源极/ 漏极是未掺杂硅。然而，目前的选择性外延工艺具有一些缺点。为保持当前外延工艺期间的 选择性，在整个沉积工艺中必须控制并调节前驱物的化学浓度，以及反应温度。 如果硅前驱物供给不足，则蚀刻反应会占优，并且整个工艺减慢。另外，会发 生对衬底特征图案的有害过蚀刻。如果蚀刻剂前驱物供给不足，则沉积反应会 占优，降低跨过衬底表面形成单晶和多晶材料的选择性。另外，目前的选择性 外延工艺通常要求高反应温度，诸如约800°C、 1,000°C或更高的温度。由于 热预算考虑和对于衬底表面可能的不受控制的氮化反应，在制造工艺期间不期望这样的高温。此外，在较高工艺温度下通过典型选择性Si:C外延工艺注入的大部分碳原子将占据Si晶格的非替代(即，空隙)位置。通过降低生长温 度，能够获得替代碳浓度的较高百分率(例如，在5SO。C的生长温度下接近 100%)，然而对于器件应用来说，不期望在这样较低温度下缓慢的生长速率， 并且这种选择性处理在较低的温度下可能是不可行的。对于具有不同掺杂剂和掺杂浓度的外延来说，硅碳外延的生产条件可以不 相同。关心沉积期间高浓度掺杂剂(例如，大于10^原子/cm3)向Si:C外延 中的注入，因为在沉积期间高浓度掺杂剂的注入减少了利用诸如离子掺杂的后 续操作步骤来增加掺杂剂浓度的需要。考虑到外延生产工艺期间大量的变量， 这些变量包括但不限于温度、载气类型、沉积气体类型、蚀刻气体类型、蚀刻 气体、沉积气体和载气每一个的流率和处理室压力，因此对具有特定掺杂剂和 掺杂剂浓度的具体外延的特定变量的选择和最优化是不可预见的。因而，高浓 度掺杂剂向Si:C外延中的注入可能需要改变大量变量以获得高质量外延。这 将期望提供用于形成重n掺杂的Si'.C外延的工艺。这些方法对于晶体管器件 的生产将是有用的。发明内容本发明的一实施例涉及形成和处理含硅外延层的方法。本发明的其他实施 例涉及制造包括含有硅和碳的外延层的晶体管器件的生产方法。根据本发明的一实施例， 一种用于在衬底表面上外延形成碳硅膜的方法，包括在处理室中放置包括单晶表面和第二表面的衬底；在低于约600°C的温度 和沉积压力下，暴露衬底于包含硅源、碳源和n型掺杂剂的沉积气体中；以及 在超过约600°C的温度和至少约是暴露于沉积气体期间的压力的10倍的压力 下，暴露衬底于包含氯化氢的蚀刻气体中，该方法导致在单晶表面上重掺杂n 型外延的选择性沉积。在一实施例中，掺杂剂包括磷源，例如，磷化氢。在其他实施例中，掺杂 剂包括砷源，例如砷化氢。掺杂剂可以包括砷化氢和磷化氢的组合。在一实施 例中，蚀刻气体只包含氯化氢。可以从氯化氢源气体将氯化氢输送给处理室。 可选地，可以通过在处理室中混合氢源气体和氯源气体而在处理室中形成氯化 氢。在一实施例中，掺杂剂浓度是至少约2X10"原子/cm3。根据一实施例， 沉积期间的温度是在约575°C到低于约600QC的范围中。在一实施例中，蚀 刻期间的温度是在高于约600°C到低于约650°C的范围中。另一实施例包括在沉积期间流入二氯硅垸。在另一实施例中，在沉积期间 流入氯化氢。在本发明的实施例中，外延膜在晶体管生产工艺的制造步骤期间 形成，并且该方法还包括在衬底上形成栅电介质；在栅电介质上形成栅极电 极；以及在电极的相对侧的衬底上形成源极区域/漏极区域，并在源极区域/漏 极区域之间限定沟道区域。上述内容已经很广义地概括了本发明的某些特征和技术优点。本领域的技 术人员应当理解所公开的特定实施例可以容易地被用作在不偏离本发明的范 围的条件下修改或设计其他结构或工艺的基础。本领域的技术人员还应当认识 到这种等同解释不偏离如所附权利要求书中描述的本发明的精神和范围。
因此为了更详细地理解本发明的以上所述特征，将参照附图中示出的实施 例对以上简要所述的本发明进行更具体描述。然而，应该注意，附图中只示出 本发明典型的实施例，因此不能认为是对本发明范围的限定，本发明可以允许 其他等同的有效实施例。图1是根据本发明一实施例的场效应晶体管对的剖面图；以及 图2是图1所示具有形成在器件上的附加层的NMOS场效应晶体管的剖 面图。
具体实施方式
本发明的各个实施例一般提供用于形成和处理含硅外延层的方法和装置。 特定的一些实施例涉及在晶体管生产期间用于形成和处理外延层的方法和装 置。如在此所使用的，外延沉积指在衬底上单晶层的沉积，从而沉积层的晶体 结构与衬底的晶体结构匹配。因此，外延层或膜是具有与衬底的晶体结构匹配 的晶体结构的单晶层或膜。外延层与块衬底和多晶硅层不相同。在本申请中，术语"含硅"材料、化合物、膜或层应当被解释为包含至少含有硅的成分，以及可以含有锗、碳、硼、砷、'磷化镓和/或铝。诸如金属、卤素或氢的其他元素可以通常以份量每百万(ppm)浓度在含硅材料、化合物、 膜或层中被注入。含硅材料的化合物或合金可以用縮^表示，诸如Si表示硅， SiGe表示硅锗，Si:C表示硅碳以及SiGeC用于表示fe锗碳。所述縮写既不表 示具有化学计量关系的化学方程式，也不表示含硅材料的任何具体的还原/氧 化态。本发明的一或多个实施例一般提供在电子器件制造期间在衬底的单晶表 面上选择性并外延沉积含硅材料的工艺。包含单晶表面(例如硅或硅锗)和诸 如非晶表面和/或多晶表面(例如，氧化物或氮化物)的至少第二表面的衬底 被施加外延工艺以在单晶表面上形成外延层，同时在第二表面上形成有限的多 晶层或不形成多晶层。外延工艺典型地包括重复沉积工艺和蚀刻工艺的循环， 直到生长了所需厚度的外延层为止。在共同转让并共同待审的美国专利申请序 列号No. 11/001,774中公开了示例性交替沉积和蚀刻工艺，该美国专利申请被 公布为美国专利申请公开号No.2006/0115934，发明名称为"Selective Epitaxy Process With Alternating Gas Supply"，在此通过引用其全部内容作为参考。在一或多个实施例中，沉积工艺包括暴露衬底表面于至少含有硅源和载气 的沉积气体中。沉积气体还可以包含锗源和/或碳源，以及掺杂剂源。在具体 的实施例中，沉积气体包含足量的n型掺杂剂前驱物，这导致在外延膜中含有 至少约lXl(^原子/cn^的n型掺杂剂。在特定的实施例中，最终的外延膜包 含至少约2X 102Q原子/cm3的ri型掺杂剂，更具体地说，至少约5 X 102Q原子/cm3 的n型掺杂剂。如在此使用的，掺杂剂浓度的这些级别将被称为使用n型掺杂 剂的重掺杂。合适的n型掺杂剂的实例包括P、 As和Sb。在沉积工艺期间， 外延层形成在衬底的单晶表面上，而多晶/非晶层形成在诸如电介质、非晶和/ 或多晶表面的第二表面上，电介质、非晶和/或多晶表面被统称为"第二表面"。 然后，衬底暴露于蚀刻气体中。典型地，蚀刻气体包含载气和诸如氯气或氯化 氢的蚀刻剂。然而，根据一个或多个实施例，申请人确认了对重掺杂的n型膜 的有效蚀刻可以仅使用氯化氢进行蚀刻，而不使用氯气。蚀刻气体除去在沉积 工艺期间所沉积的含硅材料。在蚀刻工艺期间，多晶/非晶层以比外延层更快 的速率被除去。因此，沉积和蚀刻工艺的净结果是在单晶表面上形成外延生长 的含硅材料，同时将在第二表面上多晶/非晶含硅材料的生长减至最低程度，如果这种生长有的话。视需要可以重复沉积和蚀刻工艺的循环以获得含硅材料 的所需厚度。能够被本发明的实施例沉积的含硅材料包括含有掺杂剂的硅、硅 锗、硅碳、硅锗碳和其变体。在工艺的一个实例中，对于重n掺杂外延，HC1气体用作蚀刻剂充分地除 去在第二表面上的多晶/非晶含硅材料。 一般地，由于蚀刻剂通常需要高温来 激活，因此沉积工艺可以在比蚀刻反应低的温度下执行。根据一或多个实施例， 已确认对于重掺杂n型外延，通过在沉积之后提高压力为沉积压力的至少约 10倍，在特定的实施例中，为大于沉积压力的约20倍，在更特定的实施例中， 为大于沉积压力的30倍，则有效蚀刻能够在高于约600°C且低于约650°C的 温度下发生。由于与利用氩和氦作为载气相关的成本考虑，因此氮通常是优选载气。尽 管氮一般比氩廉价得多，但根据本发明的一或多个实施例，尤其在甲基硅烷是 硅源气体的实施例中，氩是优选载气。使用氮气作为载气可能产生的一个缺点 是衬底上的材料在沉积期间氮化。然而，需要以诸如高于800。C的高温的这种 方式来激活氮气。因此，根据一或多个实施例，在低于氮气激活阈值的温度下 执行的工艺中，氮气能够被用作惰性载气。在沉积工艺期间使用惰性载气具有 几个作用。其中一个是，惰性载气可以提高含硅材料的沉积速率。虽然氢气可 以用作载气，但在沉积期间，氢气具有吸附到衬底或与之反应以形成氢终止 (hydrogen-terminated)表面的倾向。氢终止表面比裸硅表面对外延生长的反 应更慢。因此，通过不妨碍实施沉积反应使用惰性载气提高了沉积速率。根据本发明的第一实施例，与连续式沉积相比，交替沉积和净化步骤的全 外延(blanket epitaxy)即非选择性外延导致使用较高次硅烷生长的外延膜的 结晶度改善。如在此使用的，"较高次硅烷"指乙硅烷或更高次硅烷前驱物。 在某些特定的实施例中，"较高次硅垸"指乙硅垸、新戊硅垸(NPS)或这些 物质的混合物。示例性工艺包括在处理室中装载衬底，并调节处理室内的条件 到所需温度和压力。然后，开始沉积工艺以在衬底的单晶表面上形成外延层。 然后结束沉积工艺。然后，确定外延层的厚度。如果获得了外延层的预定厚度， 则结束外延工艺。然而，如果没有获得预定厚度，则重复沉积和净化步骤的循 环直到获得预定厚度。该示例性工艺的另外具体内容将在下面进行描述。衬底可被无图案化或者图案化。图案化衬底是包含形成在衬底表面中或衬底表面上的电子特征图案的衬底。图案化衬底通常包含单晶表面和至少一个非 单晶的第二表面，诸如电介质、多晶或非晶表面。单晶表面包含裸晶体衬底或 沉积的单晶层,该单晶层通常由诸如硅、硅锗或硅碳的材料制成。多晶或非晶 表面可以包含电介质材料和非晶硅表面，所述电介质材料是诸如氧化物或氮化 物，具体地说是氧化硅或氮化硅。在处理室中装载衬底之后，将处理室中的条件调节到预定温度和压力。使 温度满足具体执行的工艺的要求。
一般地，处理室在沉积期间维持在低于约600°C的温度，而在蚀刻期间维持在高于约600°C的温度。执行外延工艺的适 当温度可以取决于被用来沉积含硅材料的具体前驱物。在一个实例中，己经发 现尤其是当压力已经增加到在沉积期间使用的压力的至少10倍时，氯化氢 (HC1)气体很好地起重n掺杂的含硅材料的蚀刻剂的作用。处理室在沉积期间通常维持在从约0.1Torr (托)到50Torr的压力。在一 个实施例中，沉积压力维持在约10Torr。压力在各工艺步骤期间和之间可以波 动，但一般维持不变。在蚀刻期间，处理室中的压力上升至沉积期间使用的压 力的至少约10倍。在沉积工艺期间，衬底暴露于沉积气体中以形成外延层。衬底暴露于沉积 气体中一段约0.5秒到约30秒的时间，例如，从约1秒到约20秒，更具体地， 从约5秒到约10秒。在特定的实施例中，沉积步骤持续约10到ll秒。沉积 工艺的特定暴露时间视后续蚀刻工艺期间的暴露时间以及在工艺中使用的具 体前驱物和温度而定。 一般地，衬底暴露于沉积气体中足够长以形成最大厚度 的外延层。在一或多个实施例中，沉积气体至少包含硅源和载气，并可以包含至少一 个第二元素源，诸如碳源和/或锗源。另外，沉积气体还可以包含掺杂剂化合 物以提供诸如硼、砷、磷、镓和/或铝的掺杂剂源。在另一实施例中，沉积气 体可以包含至少一种蚀刻剂，诸如氯化氢。氯化氢可以作为氯化氢气体输送或 者作为单独的氢气和氯气输送，所述氢气和氯气在处理室中反应来形成HC1。硅源通常以从约5sccm到约500sccm的范围的流率提供到处理室中，优选 从约10sccm到约300sccm，更优选从约50sccm到约200scmm，例如，约 100sccm。在特定的实施例中，硅烷以约60sccm流入。沉积气体中沉积含硅化 合物有用的硅源包括硅烷、卤化硅垸和有机硅烷。硅垸包括硅垸(SiH4)和具有实验式SixH(2針2)的更高次硅垸，诸如乙硅垸(Si2H4)、丙硅烷(Si3H8)、 丁硅烷(Si4HK))和新戊硅垸，和其他。卤化硅垸包括具有实验式X'ySixH(2x+2，) 的化合物，其中X，=F、'Cl、Br或I,诸如六氯乙硅烷(Si2CU、四氯硅垸(Sia)、 二氯硅烷(Cl2SiH2)和三氯硅烷(Cl3SiH)。有机硅垸包括具有实验式RySixH-(2x+2-y)的化合物，其中R二甲基、乙基、丙基或丁基，诸如甲基硅垸((CH3)SiH3)、二甲基硅烷((CH3)2SiH2)、乙基硅垸((CH3CH2)SiH3)、甲基乙硅烷 ((CH3)Si2H5) 、 二甲基乙硅垸((CH3)2Si2H4)和六甲基乙硅烷((CH3)6Si2)。 已经发现有机硅垸化合物在将碳注入沉积的含硅化合物中的实施例中是有利 的硅源和碳源。根据一或多个实施例，含氩载气中的甲基硅烷是优选的含硅源 和载气组合。硅源通常与载气一起提供到处理室内。载气具有从约lslm (标准升每分 钟)到约100slm的流率，例如，从约5slm到约75slm，更具体地，从约10slm 到约50slm，例如，约10slm。载气可以包含氮气(N2)、氢气(H2)、氩气、 氦气和其组合。惰性载气是优选，其包含氮气、氩气、氦气和其组合。载气可 以根据外延工艺期间所使用的前驱物和/或工艺温度来选择。通常在沉积和蚀 刻步骤中的每一个的整个步骤期间载气是相同的。然而， 一些实施例可以在具 体步骤中使用不同载气。典型地，在以低温(例如，<800°C)工艺为特征的实施例中，氮气被用 作载气。部分由于在蚀刻工艺中使用氯气的缘故，因此可以采用低温工艺。氮 气在低温沉积工艺期间保持惰性。因此，在低温工艺期间氮不会被注入到所沉 积的含硅材料中。另外，氮载气不会如同氢载气那样形成氢终止表面。因氢载 气在衬底表面上的吸附而形成的氢终止表面抑制含硅层的生长速度。最后，由 于氮气比氢气、氩气和氦气廉价得多，因此低温工艺可以具有利用氮气作为载 气的经济上的优势。尽管有经济上的优势，但根据某些实施例，氩气是优选载 气。所使用的沉积气体还包含至少一个第二元素源，诸如碳源和/或锗源。在 沉积期间碳源可以添加到处理室中，与硅源和载气形成诸如硅碳材料的含硅化 合物。碳源通常以从约0.1sccm到约40sccm范围的流率提供到处理室中，例 如，从约3sccm到约25sccm，更具体地，从约5sccm到约25sccm，例如，约 10sccm。碳源可以在氩或氮气中稀释为5n/。并以750sccm的流率流入。对沉积含硅化合物有用的碳源包括有机硅烷、烷基、烯烃和乙基、丙基和丁基的炔烃。这样的碳源包括甲基硅烷(CH3SiH3) 、 二甲基硅烷((CH3)2SiH2)、乙基硅 垸(CH3CH2SiH3)、甲垸(CH4)和乙烯(C2H4)、乙炔(C2H2)、丙垸(C3H8)、 丙烯(C3H6) 、 丁炔(QH6)，和其他。外延层的碳浓度是从约200ppm到约 5原子％的范围，优选从约1原子％到约3原子％，例如1.5原子％。在一实施 例中，碳浓度可以在外延层内梯度化，优选具有在外延层的开始部分的浓度低 于在外延层的最后部分的^^度的梯度。可选地，锗源和碳源都可以在沉积期间 添入到处理室内，与硅源和载气形成诸如硅碳或硅锗碳材料的含硅化合物。可选地，锗源可以添加到处理室内，与硅源和载气形成诸如硅锗材料的含 硅化合物。锗源通常以从约O.lsccm到约20sccm的范围的流率提供到处理室 内，优选从约0.5sccm到约约10sccm，更优选从约lsccm到约5sccm，例如， 约2sccm。对沉积含硅化合物有用的锗源包括锗烷(GeH4)、更高次锗烷和有 机锗烷。更高次锗烷包括具有实验式G^H^+2)的化合物，诸如乙锗烷(Ge2H6)、 丙锗烷(Ge3H8)和丁锗烷(Ge4H1(>)和其他。有机锗烷包括诸如甲基锗烷((CH3)GeH3) 、 二甲基锗烷((CH3)2GeH2)、乙基锗烷((CH3CH2)GeH3)，甲 基乙锗烷((CH3)Ge2H5) , 二甲基乙锗烷((CH3)2Ge2H4)和六甲基乙锗烷((CH3)6Ge2)的化合物。已经发现锗垸和有机锗烷化合物在向所沉积的含硅 化合物、即SiGe和SiGeC化合物中注入锗和碳的实施例中是有利的锗源和碳 源。外延层中的锗浓度是从约1原子％到约30原子％范围，例如约20原子％。 锗浓度可以在外延层内梯度化，优选具有在外延层的下部的浓度高于外延层的 上部的浓度的梯度。沉积期间使用的沉积气体还可以包含至少一种掺杂剂化合物以提供诸如 硼、砷、磷、镓或铝的元素掺杂剂源。掺杂剂给所沉积的含硅化合物提供各种 导电特性，例如在电子器件所需的受控及预期路径中的定向电子流。含硅化合 物的膜被掺杂特定的掺杂剂以获得所需的导电特性。在一个实例中，含硅化合 物是掺杂n型，例如具有从约10"原子/cr^到约1(^原子/cr^范围的浓度的磷、 锑和/或砷。在特定实施例中，掺杂剂浓度超过约2X10^原子/cm3。掺杂剂源通常在沉积期间以从约O.lscmm到20sccm范围的流率提供到处 理室中，例如，从约0.5sccm到约10sccm，更具体地说从约lsccm到约5sccm， 例如约3sccm。掺杂剂还可以包含砷化氢(AsH3)、磷化氢(PH3)和烷基磷化氢，诸如具有实验式RxPH(k)，其中R二甲基、乙基、丙基或丁基并且x^， 2或3。烷基磷化氢包括三甲基磷化氢((CH3).sub.3P》、二甲基磷化氢 ((CH3)2PH )、.三乙基磷化氢((CH3CH2).sub.3P )和二乙基磷化氢 ((CH3CH2)2PH)。铝和镓掺杂剂源可以包括烷化和/或卤化衍生物，诸如用实 验式RxMX(3《)描述的，其中M-Al或Ga， 11=甲基、乙基、丙基或丁基，X=C1 或F，并且f0， 1， 2或3。铝和镓掺杂剂源的实例包括三甲基铝(Me3Al)、 三乙基铝(Et3Al) 、 二甲基氯化铝(Me2AlCl)、氯化铝(A1C13)、三甲基镓 (Me3Ga)、三乙基镓(Et3Ga) 、 二甲基氯化镓(Me2GaCl)和氯化镓(GaCl3)。根据一或多个实施例，在沉积工艺结束之后，处理室可以使用净化气体或 载气吹扫，以及/或者利用真空泵对处理室排气。净化和/或排气工艺除去剩余 沉积气体、反应副产物和其他污染物。在示例性实施例中，可以通过以约5slm 流入载气约IO秒来净化处理室。沉积和净化的循环可以重复多次。在一实施 例中，沉积和净化循环重复约90次。在本发明的另一个方面中，全沉积即非选择性沉积利用较高次硅垸(例如， 乙硅烷和更高次硅垸)源在低温例如低于约600。C或更低的温度下执行。这 有助于在沉积步骤(非选择性沉积)期间在诸如氧化物和氮化物的电介质表面 上的非晶(而不是多晶)生长，这样就有利于利用后续蚀刻步骤去除电介质表 面上的层，并将对生长在晶体衬底上的单晶层的损坏减小至最小程度。在共同转让的美国专利申请序列号No. 10/688,797、公布为美国专利申请
发明者乔普拉·索拉布, 叶祉渊, 林启华, 金以宽 申请人:应用材料股份有限公司