专利名称：发射辐射的器件的制作方法
发射辐射的器件本发明涉及一种发射辐射的器件，其具有构建用于发射电磁辐射的有源区。本发明的任务是，提出一种发射辐射的器件，借助该器件能够以简单的方式实现 发射辐射的器件的高的辐射发射效率。此外，将以简单的方式实现所希望的具有尽可能高 的精确度的辐射光谱。
该任务通过独立权利要求的特征来解决。本发明的有利的扩展方案以从属权利要 求来表明。根据第一方面，提出了一种发射辐射的器件，其具有带有有源区的半导体层堆， 该有源区构建用于发射电磁辐射；以及半导体层堆的至少一个表面或者构建用于透射电磁 辐射的光学元件的至少一个表面，其中该表面具有法向量，其中在电磁辐射穿过的半导体 层堆或者光学元件的至少一个表面上设置有防反射层，并且该防反射层构建为使得其对于 预先给定的波长在关于表面法向量的如下观察角下具有最小的反射在该观察角的情况下 电磁辐射的区域性的光通量的增加大致具有最大值。区域性的光通量是从相应表面的法向 量出发在半导体层堆的表面上的或者在构建用于透射电磁辐射的光学元件的表面上的立 体角范围中的光通量。在半导体层堆的表面上的或者在构建用于透射电磁辐射的光学元件的表面上的 立体角范围中的区域性的光通量能够给出关于发射辐射的器件的与角度相关的总体发射 的说明。防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在关于表面法向量的如下观察角下具 有最小的反射在该观察角的情况下电磁辐射的区域性的光通量的增加大致具有最大值。 这样构建的优点是，这样可能在考虑到电磁辐射的与观察角度相关的区域性的光通量的分 布的情况下将发射辐射的器件的总体发射最大化。在一个实施形式中，防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在关于法向量在 30°到60°之间的观察角下具有最小反射。由此，使如下的发射辐射的器件的整体发射最 大化是可能的在这些器件中，电磁辐射的区域性的光通量的增加的最大值在30°到60° 之间的观察角中。在另一优选的实施形式中，防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在关于法 向量的40°到50°之间的观察角下具有最小的反射。由此，使如下的发射辐射的器件的整 体发射最大化是可能的在这些器件中，电磁辐射的区域性的光通量的增加的最大值在大 约45°的观察角中。在另一实施形式中，发射辐射的器件具有衬底，在该衬底上设置有半导体层堆，并 且该衬底具有背离于半导体层堆的表面，在该表面上设置有防反射层。这具有的优点是，防 反射层可以简单地施加到发射辐射的器件的现存的衬底上。在另一实施形式中，发射辐射的器件具有盖板，其与半导体层堆间隔，其中盖板具 有朝向半导体层堆的表面和背离于半导体层堆的表面，并且防反射层设置在盖板的表面的 至少之一上。由此，可以有利地与半导体层堆的制造无关地进行反射层的施加。最后，反射 层也可以施加到已经制成的发射辐射的器件上。在另一实施形式中，防反射层包括金属氟化物或者金属氧化物，并且该金属选自铪、锆、铝、钛和镁。这具有的优点是，带有这种金属的金属氟化物和金属氧化物非常良好地 适于防反射层。在另一实施形式中，衬底包括选自玻璃、石英和塑料的材料。由此，针对衬底的稳 定的、可简单地制造的并且成本低廉的解决方案是可能的。根据第二方面，提出了一种发射辐射的器件，其具有带有有源区的半导体层堆， 该有源区构建用于发射初级电磁辐射；以及与半导体层堆机械耦合的转换层，该转换层具 有发光材料，该发光材料构建用于将初级电磁辐射的一部分转换为次级电磁辐射，其中初 级电磁辐射的一部分与次级电磁辐射的一部分叠加成为具有所得到的色度坐标的混合辐 射，并且在混合电磁辐射穿过的表面的至少之一上设置有色彩校正层，该色彩校正层带有 至少两个相邻地设置的层，其中第一层由具有第一折射率的材料构成，而第二层由具有第 二折射率的材料构成，第一折射率与第二折射率不同，并且这些层构建用于根据观察角来 调节所得到的色度坐标。
这具有的优点是，在考虑到混合电磁辐射的组成的情况下可能根据观察角差别明 显地影响发射辐射的器件的初级辐射和次级辐射的混合比例。此外，这具有的优点是，不应 被发射的波长的电磁辐射可以被反射回转换层中，并且在那里可以为了进一步的利用而转 换为次级电磁辐射。在第二方面的一个实施形式中，色彩校正层构建为带有多个层的层堆，并且这些 层设置为使得分别与层之一相邻的两个层具有如下的折射率这些折射率二者都小于或大 于相应的层的折射率。这对应于具有交替的高和低折射率的层的层堆的布置。通过层的这 种布置，能够实现宽带的并且高效的色彩校正。在第二方面的另一实施形式中，色彩校正层设置在转换层上。由此，色彩转换层可 以设置为使得其在机械上受到特别良好的保护。在第二方面的另一实施形式中，发射辐射的器件具有盖板，该盖板设置在转换层 上，并且该盖板具有背离于转换层的表面，色彩校正层设置在该表面上。由此，可以与层堆 以及转换层的制造无关地进行色彩校正层的施加。反射层最后也可以施加到已经制成的发 射辐射的器件的盖板上。在第二方面的另一实施形式中，发射辐射的器件具有盖板，该盖板与转换层间隔， 其中盖板具有朝向半导体层堆的表面和背离于半导体层堆的表面，并且色彩校正层设置在 盖板的表面至少之一上。这具有的优点是，可以与层堆以及转换层的制造无关地进行色彩 校正层的施加。反射层最后也可以施加到此外已经制成的发射辐射的器件的分离的盖板 上。在第二方面的另一实施形式中，色彩校正层包括金属氟化物或者金属氧化物，并 且金属选自镁、铪、锆、铝和钛。色彩校正层的层可以由不同的金属氟化物和金属氧化物形 成。带有这种金属的金属氟化物和金属氧化物非常良好地适用于色彩校正的层。根据第三方面，提出了一种发射辐射的器件，其具有带有有源区的半导体层堆， 该有源区构建用于发射电磁辐射；以及带有表面的覆盖元件，其中在覆盖元件的第一区段 中在表面上设置有吸收性的或者反射性的层，并且在覆盖元件的第二区段中，表面没有吸 收性的或者反射性的层。这具有的优点是，发射辐射的器件可以借助半导体层堆发出具有 横截面形状的光束，该光束通过覆盖元件的构建为窗口区域的第二区段的形状来确定。
在第三方面的一个实施形式中，在覆盖元件的第二区段的表面之一上设置有防反 射层，并且该防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在关于表面法向量的如下观察角 下具有最小的反射在该观察角的情况下电磁辐射的区域性的光通量的增加大致具有最大 值。由此可能的是，在考虑到电磁辐射的与观察角度相关的区域性的光通量的分布的情况 下，在覆盖元件的构建为窗口区域的第二区段中发射辐射的器件的整体发射具有最大值。在第三方面的另一实施形式中，防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在 40°到50°之间的观察角下具有最小的反射。这具有的优点是，发射辐射的器件的整体发 射可以具有最大值，其中电磁辐射的区域性的光通量的增加的最大值在大约45°的观察角 中。在第三方面的另一实施形式中，防反射层包括金属氟化物或者金属氧化物，并且 该金属选自铪、锆、铝、钛和镁。这是特别有利的，因为带有这种金属的金属氟化物和金属氧 化物可以非常良好地适于防反射层。
在第三方面的另一实施形式中，电磁辐射是初级电磁辐射，并且带有与层堆机械 耦合的转换层，该转换层具有发光材料，该发光材料构建为用于将初级电磁辐射的一部分 转换为次级电磁辐射，其中初级电磁辐射的一部分与次级电磁辐射的一部分叠加成为具有 所得到的色度坐标的混合辐射，并且其中在覆盖元件的第二区段上设置有色彩校正层，该 色彩校正层带有至少两个相邻地设置的层，其中第一层由具有第一折射率的材料构成，而 第二层由具有第二折射率的材料构成，第一折射率与第二折射率不同，并且这些层构建用 于根据观察角来调节所得到的色度坐标。这具有的优点是，考虑到混合电磁辐射的组成的 情况下可能根据观察角差别明显地影响发射辐射的器件的初级辐射和次级辐射的混合比 例。在第三方面的另一实施形式中，色彩校正层包括金属氟化物或者金属氧化物，并 且金属选自镁、铪、锆、铝和钛。这是有利的，因为带有这种金属的金属氟化物和金属氧化物 非常良好地适于用于色彩校正的层。在第三方面的另一实施形式中，色彩校正层构建为带有多个层的层堆，并且这些 层设置为使得分别与这些层之一相邻的两个层具有如下的折射率这些折射率二者都小于 或大于相应的层的折射率。这是有利的，因为具有交替的高和低折射率的层堆能够实现宽 带的并且高效的色彩校正。在第三方面的另一实施形式中，防反射层和色彩校正层设置在覆盖元件的第二区 段的两个彼此对置的表面上。这具有的优点是，覆盖元件可以用作防反射层的支承体以及 用作色彩校正层的支承体。此外，这具有的优点是，防反射层可以与色彩校正层无关地施加 到覆盖元件上。在另一实施形式中，发射辐射的器件是发光二极管。由此可能的是，将反射层和/ 或色彩校正层用于发光二极管。在另一实施形式中，发射辐射的器件面状地构建。在此，面状地构建意味着发射 辐射的器件关联地在面区域上延伸，该面区域至少具有数平方毫米的面积，优选数平方厘 米的面积，并且特别优选为一平方分米或者数平方分米的面积或者更大。这具有的优点是， 反射层和/或色彩校正层可以构建用于面状构建的发射辐射的器件并且由此也用于非常 平坦的发射辐射的器件。
下面借助示意图更为详细地阐述本发明的有利的扩展方案。其中
图1示出了带有防反射层的发射辐射的装置的第一实施形式的截面图，图2示出了带有防反射层的发射辐射的装置的另一实施形式的截面图，图3示出了带有防反射层的发射辐射的装置的另一实施形式的截面图，图4示出了带有色彩校正层的发射辐射的装置的第一实施形式的截面图，图5示出了带有色彩校正层的发射辐射的装置的另一实施形式的截面图，图6示出了带有色彩校正层的发射辐射的装置的另一实施形式的截面图，图7示出了发射辐射的装置的一个实施形式的截面图，图8示出了沿着图7的线VIII-VIII’的发射辐射的装置的另一实施形式的俯视 图，图9示出了发射辐射的装置的色彩校正层的截面图，图10示出了与观察角度有关的根据CIE色表的发射辐射的装置的色度坐标，图11示出了带有所选择的色度坐标的CIE色表，以及图12在归一化视图中示出了发光二极管的区域性的光通量的分布图。在所有附图中，相同结构或者功能的元件用相同的附图标记来表示。所示的元件及其彼此间的大小关系原则上不能视为合乎比例。更确切地说，为了更清楚和/或为了更好的理解，各元件例如层、部件、器件和区域可以被夸厚地或者夸大地 示出。在图1中示出了发射辐射的器件8的第一实施例。发射辐射的器件8具有半导体层堆10。半导体层堆10具有构建用于发射电磁辐 射R的有源区12。这种发射辐射的器件8优选构建为使得发射辐射的器件8是发光二极管或者发光 二极管阵列。优选的是，发射辐射的器件8是半导体发光二极管，例如基于AlIn-GaN的半导体 发光二极管。连接区13与有源区12相邻地设置，这些连接区与连接线耦合，用于为发射辐射的 器件8提供电流。半导体层堆10设置在衬底18上。特别优选的是，衬底18具有玻璃。可替选地或 者附加地，衬底18也可以包括石英、塑料膜、金属、金属膜、硅晶片或者任意其他合适的衬 底材料。可替选地或者附加地，衬底18也可以具有层压物或者多个层构成的层序列。在 此，层的至少之一可以具有玻璃或者由玻璃构成。特别地，在由层序列形成的衬底18的情 况下，至少其上设置有半导体层堆10的层可以具有玻璃。此外，衬底18也可以具有塑料。如果发射辐射的器件8构建为使得在有源区12中发射的电磁辐射R穿过衬底 18(图2)发射，则衬底18可以有利地具有对于有源区12中产生的电磁辐射的至少一部分 的透明度。在该配置中有利的是，在有源区12和衬底18之间构建的连接区13也可以具有 对于有源区12中产生的电磁辐射的至少一部分的透明度。半导体层堆10具有带有法向量N的表面14，在该表面上设置有防反射层30 (图 1)。防反射层30构建为使得其对于预先给定的波长在关于半导体层堆10的表面14的法向量N的观察角ALPHA下具有最小的反射，其中在该观察角的情况下电磁辐射R的区域性 的光通量的增加大致具有最大值。在图12中以归一化的形式示例性地针对发光二极管示出了区域性的光通量的分布。该图示是根据0°至观察角ALPHA之间的立体角范围来绘出的。立体角范围分别 从法向量N出发，并且观察角ALPHA可以在0°到90°之间。在此，区域性的光通量归一化 到0°至90°之间的立体角范围中的区域性的光通量上。在此所示出的作为发光二极管的 发射辐射的器件8的实施形式中，对于等于45°的观察角ALPHA的值，达到区域性的光通量 的最大上升。换言之，这意味着，对于发光二极管的整体发射，最大的微分量值(Beitrag) 在如下的立体角中对于该立体角，观察角ALPHA等于45°。防反射层30不必一定构建为使得对于预先给定的波长正好在关于表面14的法向 量N的观察角ALPHA下反射是最小的，因为电磁辐射R的区域性的光通量的增加通常在电 磁辐射R的区域性的光通量的增加的最大值左右的 宽的区域中是近似恒定的。因此，将防 反射层30构建为使得对于预先给定的波长在关于表面14的法向量N的观察角ALPHA下， 最小反射在电磁辐射R的区域性的光通量的增加的最大值附近，这就足够。特别优选的是，对于预先给定的波长，防反射层30的最小反射在关于法向量N的 30°到60°之间的观察角ALPHA下。于是可能的是，对于发射辐射的器件8达到整体发射 的最大化，对于该整体发射在30°到60°之间的观察角ALPHA的情况下存在电磁辐射R的 区域性的光通量的最大值。尤其特别优选的是，对于预先给定的波长，在40°到50°之间的观察角ALPHA的 范围中存在防反射层30的最小反射。在另一实施形式中，衬底18具有表面15，该表面背离于半导体层堆10(图2)。在 衬底18的背离于半导体层堆10的表面15上设置有防反射层30。图2的实施形式的防反 射层30的功能对应于图1的实施形式的防反射层30的功能。图3示出了带有半导体层堆10和与半导体层堆10间隔的盖板20的发射辐射的 器件，其中该盖板具有朝向半导体层堆10的表面16以及背离于半导体层堆10的表面17。 为了实现减少在构建为适于透射电磁辐射R的光学元件的盖板20上的反射，防反射层30 不但设置在盖板20的朝向半导体层堆10的表面16上，而且设置在盖板20的背离半导体 层堆10的表面17上。由此可以实现，对于预先给定的波长在关于表面16、17的法向量N 的观察角ALPHA的情况下达到最小的反射，其中在该观察角ALPHA的情况下电磁辐射R的 区域性的光通量的增加具有最大值。这是特别有利的，因为这样可以实现将盖板的两个表 面16、17上的反射最小化。在表面14、15、16、17之一或者多个上的防反射层30通过一种材料、尤其是金属氟 化物或者金属氧化物的一个或多个薄的层的气相淀积来实现。金属氟化物和/或金属氧化 物的金属优选选自铪、锆、铝、钛和镁。合适的材料尤其是氟化镁、二氧化硅、二氧化钛或者
二氧化锆。特别优选的是，防反射层30具有多个层。这具有的优点是，由此可以强烈地使反 射最小化。此外，通过由多个层构建防反射层30，可以实现针对多个波长的反射降低。在其他实施形式中，发射辐射的器件8优选构建为发光二极管，其发射混合光，即来自至少两个波长范围的电磁辐射(图4至6)。特别优选的是，这种发射辐射的器件8构 建为白光发光二极管。在图4至6中示出了具有带有有源区12的半导体层堆10的发射辐射的器件8，该 有源区构建用于发射初级电磁辐射P。发射辐射的器件8具有转换层40，其与半导体层堆 10机械耦合。在导通方向施加以电流的情况下在发射辐射的器件8的有源区12中产生的初级 电磁辐射P特别是可以具有如下的光谱该光谱具有紫外光谱范围直到红外光谱范围的波 长。特别地可以有利的是，该光谱至少包括对于观察者可见的波长。电磁辐射的光谱可以 有利地也包括多个波长，使得在观察者处可以形成混色的发光印象。对此可能的是，发射辐 射的器件8本身可以产生具有多个波长的初级电磁辐射P，或者由发射辐射的器件8产生的 初级电磁辐射P的一部分或者由发射辐射的器件8产生的、具有第一波长(譬如在蓝色和 /或绿色光谱范围中)的初级电磁辐射P的全部通过波长转换材料转变为第二波长(譬如 在黄色和/或红色光谱范围中)的次级电磁辐射S。为此，在有源区12之后设置有转换层 40，其具有波长转换材料。合适的波长转换材料以及带有波长转换材料的层在其结构和功 能方面对于本领域技术人员是已知的，而在此不再详细阐述。初级电磁辐射P的一部分与 次级电磁辐射S的一部分叠加为具有所得到的色度坐标的混合电磁辐射M。对于白光发光 二极管，混合电磁辐射M在很大程度上是白光。值得期望的是，这种白光发光二极管促成了 在平面中尽可能均勻的色彩印象。如在图10中所示的那样，混合电磁辐射M的色度坐标Cx和Cy随着变得更大的观 察角ALPHA而增大。这意味着，在黄色和/或红色光谱范围中的第二波长的次级电磁辐射 S在混合电磁辐射M中的比例随着变得更大的观察角ALPHA而增大。在图11中示出了带有混合电磁辐射M的色度坐标Cx和Cy的CIE色表。绘出了针 对观察角ALPHA为90°的混合电磁辐射M的色度坐标G以及针对等于0°的观察角ALPHA 的色度坐标0。此外，在图11的CIE色表中给出了非彩色的点E，对应于纯白的光。在图4和6中示出的实施形式中，在转换层40上设置有盖板20。盖板20具有背 离转换层40的表面17，在该表面上设置有色彩校正层48。色彩校正层48具有至少两个相邻设置的层50、51。第一层50由具有第一折射率 N_1的材料构成，第二层51由具有第二折射率N_2的材料构成。第一折射率N_1不同于第 二折射率12。层50、51在其折射率N_1、N_2以及它们的厚度方面构建为使得所得到的色 度坐标可以根据观察角ALPHA来调节。通过合适地选择折射率丄1、丄2以及层50、51的厚 度，特别可以实现的是，针对90°的观察角ALPHA的色度坐标G或者针对等于0°的观察角 ALPHA的色度坐标0接近色度坐标E，如通过在图11的CIE色表图中的箭头所表明的那样。如果色彩校正层48构建为带有多个层50、51、52、53、54、55、56的层堆，如在图9 中示意性地示出的那样，并且如果层50、51、52、53、54、55、56设置为使得分别与层之一相 邻的两个层具有如下的折射率这些折射率二者都小于或大于相应的层的折射率。换言之， 这意味着，色彩校正层48的层之一分别在相邻的层之间，该相邻的层或者二者都具有较大 的折射率或者具有较小的折射率。这样，可以实现特别好的色彩校正并且由此实现色度坐 标G、0对色度坐标E的特别远的接近。 在图5中示出了发射辐射的器件8的一个实施形式，其中色彩校正层48直接施加在转换层40的表面42上。
图6示出了发射辐射的器件8的一个实施形式，其中盖板20与转换层40间隔。 在背离半导体层堆10的表面17上设置有色彩校正层48。这具有的优点是，色彩校正层48 可以事后施加到盖板20上。然而，色彩校正层48也可以附加地或者单独地设置在盖板20 的朝向半导体层堆10的表面16上。图7a和7b示出了具有带有有源区12的半导体层堆10的发射辐射的器件8的实 施形式。半导体层堆10构建用于发射初级电磁辐射P。发射辐射的器件8具有转换层40， 其与半导体层堆10机械耦合。带有发光材料的转换层40构建为用于将初级电磁辐射P的 一部分转换为次级电磁辐射S。初级电磁辐射P的一部分和次级电磁辐射S彼此叠加为具 有所得到的色度坐标的混合辐射N。发射辐射的器件8具有覆盖元件62，该元件具有第一区段64和第二区段66。覆 盖元件62具有外表面68和内表面70。在覆盖元件62的第一区段64的外表面68上设置 有吸收性的或者反射性的层72。覆盖元件62的第二区段66的表面68、70没有吸收性的或 者反射性的层72。反射性的和/或吸收性的层72特别是也可以设置在覆盖元件62的侧面区段74 上。由此，可以避免特别是在覆盖元件62的侧面区段74以及在接近覆盖元件62的第二区 段66的、覆盖元件62的第一区段64的前部区域的部分(参见图8)中光的透射。覆盖元件62的没有反射性的和/或吸收性的层72的第二区段66可以具有合适 的形状，如在图8中所示出的那样。如果发射辐射的器件8例如要用于车辆的前灯，则光锥 在从第一区段64向第二区段66的过渡上具有或多或少的突然的暗/亮过渡。特别地，覆 盖元件62的第二区段66可以具有两个部分区段66a、66b，它们的主延伸方向彼此倾斜为使 得它们彼此形成大约150°至170°的角。当覆盖元件62的第二区段66要作为用于车辆 的前灯的遮光元件使用并且该遮光元件优选要作为非对称的近光灯使用时，这是特别有利 的。图7b示出了发射辐射的器件8，其中在覆盖元件62的第二区段66的表面68上设 置有防反射层58。防反射层58构建为使得发射辐射的器件8对于预先给定的波长在关于 表面68、70的法向量N的观察角ALPHA下具有最小的反射，其中在该观察角的情况下混合 电磁辐射M的区域性的光通量的增加大致具有最大值。防反射层58优选构建为使得其对 于预先给定的波长在40°到50°之间的观察角ALPHA下具有最小的反射。特别优选的是， 防反射层58由金属氟化物或者金属氧化物形成。优选的是，金属选自铪、锆、铝、钛和镁。在覆盖元件62的第二区段66的表面70上设置有色彩校正层48。色彩校正层48 具有至少两个相邻设置的层50、51。第一层50由具有第一折射率N_1的材料构成，第二层 51由具有第二折射率N_2的材料构成。第一折射率N_1不同于第二折射率N_2。由此可能 的是，将这些层构建用于根据观察角ALPHA来调节所得到的色度坐标。特别地，色彩校正层 48可以构建为带有多个层50、51、52、53、54、55、56的层堆(图9)。防反射层58和色彩校正层48设置在覆盖元件62的第二区段66的两个彼此对置 地设置的表面68、70上。由此，覆盖元件62的第二区段66可以用于容纳防反射层58以及 色彩校正层48。本发明并未通过借助实施例的描述而局限于此。更确切地说，本发明包括任意新的特征以及特征的任意组合，特别是包含权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者 该组合本身并未明确地在权利要求或者实施例中说明。 本专利申请要求德国专利申请DE 10 2007 045 087. 9和D E 10 2008005 344.9 的优先权，它们的公开内容通过引用结合于此。
权利要求
一种发射辐射的器件(8)，其具有-带有有源区(12)的半导体层堆(10)，该有源区构建用于发射电磁辐射(R)；以及-半导体层堆(10)的至少一个表面(14，15，16，17)或者构建用于透射电磁辐射(R)的光学元件(18，20)的至少一个表面(14，15，16，17)，其中该表面(14，15，16，17)具有法向量(N)，其中在半导体层堆(10)或者光学元件(18，20)的、电磁辐射(R)穿过的至少一个表面(14，15，16，17)上设置有防反射层(30)，并且该防反射层构建为使得该防反射层对于预先给定的波长在关于表面(14，15，16，17)的法向量(N)的如下观察角(ALPHA)下具有最小反射在该观察角的情况下电磁辐射(R)的区域性的光通量的增加大致具有最大值。
2.根据权利要求1所述的发射辐射的器件(8)，其中防反射层(30)构建为使得该防反 射层对于预先给定的波长在关于法向量(N)在30°到60°之间、特别是在40°到50°之 间的观察角(ALPHA)下具有最小反射。
3.根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的器件(8)，其具有衬底(18)，在该 衬底(18)上设置有半导体层堆(10)，并且该衬底(18)具有背离半导体层堆(10)的表面 (15)，在该表面上设置有防反射层(30)。
4.根据上述权利要求中的任一项所述的发射辐射的器件(8)，其中发射辐射的器件 (8)具有盖板(20)，该盖板与半导体层堆(10)间隔，其中盖板(20)具有朝向半导体层堆 (10)的表面(16)和背离半导体层堆(10)的表面(17)，并且防反射层(30)设置在盖板(20) 的表面(16，17)的至少之一上。
5.根据权利要求3或4所述的发射辐射的器件(8)，其中衬底(18)包括选自玻璃、石 英和塑料的材料。
6.一种发射辐射的器件(8)，其具有-带有有源区(12)的半导体层堆(10)，该有源区构建用于发射初级电磁辐射(P)；以及_与半导体层堆(10)机械耦合的转换层(40)，该转换层具有发光材料，该发光材料构 建用于将初级电磁辐射(P)的一部分转换为次级电磁辐射(S)，其中_初级电磁辐射(P)的一部分与次级电磁辐射(S)的一部分叠加成为具有所得到的色 度坐标的混合辐射(M)，以及-在混合电磁辐射(M)穿过的表面(16，17，42)的至少之一上设置有色彩校正层(48)， 该色彩校正层(48)带有至少两个相邻地设置的层(50，51)，其中第一层(50)由具有第一 折射率(N_l)的材料构成，第二层(51)由具有第二折射率(N_2)的材料构成，第一折射率 (N_l)与第二折射率(N_2)不同，并且这些层(50，51)构建用于根据观察角(ALPHA)来调节 所得到的色度坐标。
7.根据权利要求6所述的发射辐射的器件(8)，其中色彩校正层(48)构建为带有多个 层(50，51，52，53，54，55，56)的层堆，并且这些层(50，51，52，53，54，55，56)设置为使得分 别与层(50，51，52，53，54，55，56)之一相邻的两个层(50，51，52，53，54，55，56)具有如下的 折射率这些折射率二者都小于或大于相应的层(50，51，52，53，54，55，56)的折射率。
8.根据权利要求6或7所述的发射辐射的器件(8)，其中色彩校正层(48)设置在转换 层(40)上。
9.根据权利要求6或7所述的发射辐射的器件(8)，其具有盖板(20)，该盖板(20)设 置在转换层(40)上，并且该盖板具有背离转换层(40)的表面(17)，色彩校正层(48)设置 在该表面上。
10.根据权利要求6或7所述的发射辐射的器件(8)，其中发射辐射的器件(8)具有盖 板(20)，该盖板(20)与转换层(40)间隔，其中盖板(20)具有朝向半导体层堆(10)的表面 (16)和背离半导体层堆(10)的表面(17)，并且色彩校正层(48)设置在盖板(20)的表面 (16，17)至少之一上。
11.一种发射辐射的器件(8)，其具有-带有有源区(12)的半导体层堆(10)，该有源区构建用于发射电磁辐射(R)；以及-带有表面(68，70)的覆盖元件(62)，其中在覆盖元件(62)的第一区段(64)中在表面 (68，70)上设置有吸收性的或者反射性的层(72)，并且在覆盖元件(62)的第二区段(66) 中，表面(68，70)没有吸收性的或者反射性的层(72)。
12.根据权利要求11所述的发射辐射的器件(8)，其中在覆盖元件(62)的第二区段 (66)的表面(68，70)之一上设置有防反射层(58)，并且该防反射层构建为使得该防反射 层对于预先给定的波长在关于表面(68，70)的法向量(N)的观察角(ALPHA)下、特别是在 40°到50°之间的范围中具有最小的反射，其中在该观察角的情况下电磁辐射(R)的区域 性的光通量的增加大致具有最大值。
13.根据权利要求11或12所述的发射辐射的器件(8)，其中电磁辐射是初级电磁辐射 (P)，并且该器件带有与半导体层堆(10)机械耦合的转换层(40)，该转换层(40)具有发光 材料，该发光材料构建为用于将初级电磁辐射(P)的一部分转换为次级电磁辐射(S)，其中初级电磁辐射(P)的一部分与次级电磁辐射(S)的一部分叠加成具有所得到的色 度坐标的混合辐射(M)，并且其中在覆盖元件(62)的第二区段(66)上设置有色彩校正层 (48)，该色彩校正层(48)带有至少两个相邻地设置的层(50，51)，其中第一层(50)由具有 第一折射率(N_l)的材料构成，第二层(51)由具有第二折射率(N_2)的材料构成，第一折 射率(N_l)与第二折射率(N_2)不同，并且这些层(50，51)构建用于根据关于表面(68，70) 的法向量(N)的观察角(ALPHA)来调节所得到的色度坐标。
14.根据权利要求13所述的发射辐射的器件(8)，其中色彩校正层(48)构建为带有多 个层(50，51，52，53，54，55，56)的层堆，并且这些层(50，51，52，53，54，55，56)设置为使得 分别与层(50，51，52，53，54，55，56)之一相邻的两个层(50，51，52，53，54，55，56)具有如下 的折射率这些折射率二者都小于或大于相应的层(50，51，52，53，54，55，56)的折射率。
15.根据权利要求13或14所述的发射辐射的器件(8)，其中防反射层(58)和色彩校 正层(48)设置在覆盖元件(62)的第二区段(66)的两个彼此对置的表面(68，70)上。
全文摘要
一种发射辐射的器件(8)，其具有带有有源区(12)的半导体层堆(10)，该有源区构建用于发射电磁辐射(R)；以及半导体层堆(10)的至少一个表面(14，15，16，17)或者构建用于透射电磁辐射(R)的光学元件(18，20)的至少一个表面(14，15，16，17)，其中该表面(14，15，16，17)具有法向量(N)，其中在半导体层堆(10)或者光学元件(18，20)的、电磁辐射(R)穿过的至少一个表面(14，15，16，17)上设置有防反射层(30)，并且该防反射层构建为使得其对于预先给定的波长在关于表面(14，15，16，17)的法向量(N)的如下观察角(ALPHA)下具有最小的反射在该观察角的情况下电磁辐射(R)的区域性的光通量的增加大致具有最大值。
文档编号H01L33/00GK101803048SQ200880107984
公开日2010年8月11日 申请日期2008年8月28日 优先权日2007年9月21日
发明者扬·马费尔德, 斯特凡·格勒奇, 斯特芬·科勒, 约尔格·埃里希·佐尔格, 莫里茨·恩格尔 申请人:欧司朗光电半导体有限公司