双极化矩阵天线的制作方法

文档序号:7195500阅读:151来源:国知局
专利名称:双极化矩阵天线的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种矩阵天线,特别是涉及一种双极化矩阵天线。
背景技术
随着无线通讯科技的演进,各式的无线通讯系统以及技术不断的推陈出新。无线通讯系统是利用天线作为发送或接收电磁波的组件。天线可分为相当多的种类,不同种类的天线使用于不同的无线通讯系统。 在各种天线中,微带天线已成为普遍使用的天线种类。微带天线具有体积小、可弯曲且可结合其它组件与电路的优点。举例来说,微带天线一般包含有基板、连接线、输入端口与辐射单元。连接线、输入端口与辐射单元是形成于基板上。辐射单元借由连接线电性连接至输入端口。信号经由输入端口输入微带天线后,可经由连接线将信号传递至辐射单元,此信号再由辐射单元以电磁波的形式发射出微带天线。 —般来说,辐射单元愈多的微带天线,此微带天线的增益越高。然而,随着通讯产品轻薄短小的设计趋势,天线基板的面积受到了限制。为了达到阻抗匹配及避免线路间的耦合效应,于有限的面积上所能配置的辐射单元的数量亦相当有限。 此外,在多输入/输出的天线系统的应用下,微带天线需要无线收发多个信号。而此些信号之间容易互相干扰,造成天线功率的下降。

实用新型内容鉴于以上的问题,本实用新型提出一种双极化矩阵天线,用以解决辐射单元配置数量有限及多个信号之间互相干扰的问题。
为了实现上述目的,本实用新型提出一种双极化矩阵天线,其特征在于,包括[0008] —基板; 多个辐射单元,设置于该基板上;[0010] —第一输入端口,设置于该基板上;[0011 ] —第二输入端口 ,设置于该基板上; 多个第一阻抗匹配线,该多个第一阻抗匹配线以一对一方式电性连接至该多个辐射单元; 多个第二阻抗匹配线,该多个第二阻抗匹配线以一对一方式电性连接至该多个辐射单元; —第一连接线,设置于该基板上,该第一连接线电性连接于该第一输入端口以及该第一阻抗匹配线之间;以及 —第二连接线,设置于该基板上,该第二连接线电性连接于该第二输入端口以及该第二阻抗匹配线之间; 其中,于每一该辐射单元上,该辐射单元的中心和与该第一阻抗匹配线的接点连成一第一假想线,并且该辐射单元的中心和与该第二阻抗匹配线的接点连成一第二假想线,同一该辐射单元上的该第一假想线与该第二假想线形成一夹角。[0017] 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,该夹角为直角。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,每一该辐射单元的形状为一多边形。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,该多边形为一方形,该第一阻抗匹配线连接
至该方形的一顶点,该第二阻抗匹配线连接至该方形的另一顶点。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,对应同一该辐射单元的该第一阻抗匹配线和该第二阻抗匹配线分别连接至该多边形的相邻的二顶点。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,该多个辐射单元为排列成一矩阵。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,于该矩阵中位于同一行上的每一该辐射单
元为相互串联。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,于该矩阵中位于同一列上的每一该辐射单元为相互并联。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,该基板具有一表面,该表面具有相对的一第一侧边以及一第二侧边,该第一输入端口接近该表面的该第一侧边,该第二输入端口接近该表面的该第二侧边。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,该第一输入端口用以输入一第一信号,每一该第一阻抗匹配线的长度为该第一信号的四分之一波长,该第二输入端口用以输入一第二信号,每一该第二阻抗匹配线的长度为该第二信号的四分之一波长。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,每一该第一阻抗匹配线与该第一连接线具有一第一连接点,该第一连接在线相邻的两个该第一连接点之间的长度为一个波长,每一该第二阻抗匹配线与该第二连接线具有一第二连接点,该第二连接在线相邻的两个该第二连接点之间的长度为一个波长。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,对于每一该第一阻抗匹配线,当该第一阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离小于该第一阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距离时,该第一阻抗匹配线直接连接该第一连接线,以及对于每一该第二阻抗匹配线,当该第二阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距离小于该第二阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离时,该第二阻抗匹配线直接连接该第二连接线。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,对于每一该第一阻抗匹配线,当该第一阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离大于该第一阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距离时,该第一阻抗匹配线经由一第一耦合电容耦接该第一连接线,以及对于每一该第二阻抗匹配线,当该第二阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距离大于该第二阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离时,该第二阻抗匹配线经由一第二耦合电容耦接该第二连接线。[0029] 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,该第一耦合电容为于该第一阻抗匹配线与该第一连接线之间的一耦合间隙所形成的等效电容,以及该第二耦合电容为于该第二阻抗匹配线与该第二连接线之间的一耦合间隙所形成的等效电容。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,对于每一该第一阻抗匹配线,当该第一阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离等于该第一阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距离时,该第一阻抗匹配线经由一第一耦合电容耦接该第一连接线,以及对于每一该第二阻抗匹配线,当该第二阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距离等于该第二阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离时,该第二阻抗匹配线经由一第二耦合电容耦接该第二连接线。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,对于每一该第一阻抗匹配线,当该第一阻抗 匹配线与该第一输入端口之间的距离等于该第一阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距 离时,该第一阻抗匹配线直接连接该第一连接线,以及对于每一该第二阻抗匹配线,当该第 二阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距离等于该第二阻抗匹配线与该第一输入端口之 间的距离时,该第二阻抗匹配线直接连接该第二连接线。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,该双极化矩阵天线还包括一底板以及多个
支撑件,该多个支撑件设置于该基板以及该底板之间。 上述的双极化矩阵天线,其特征在于,该底板为一金属底板。 综上所述,本实用新型的功效在于,本实用新型提供的双极化矩阵天线,能有效的 利用平面空间增加辐射单元的数量,借以提高天线增益,同时仍可达到阻抗匹配,且避免线 路间的耦合效应及不同信号之间的互相干扰。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述,但不作为对本实用新型 的限定。

图1为本实用新型一实施例的双极化矩阵天线的结构图; 图2为本实用新型一实施例的一辐射单元的结构示意图; 图3为图1中A部分的放大图; 图4为图1中B部分的放大图; 图5为本实用新型的侧示图; 图6a、图6b、图6c以及图6d,为本实用新型经由第一输入端口输入的第一信号的 水平场形图; 图7a、图7b、图7c以及图7d,为本实用新型经由第一输入端口输入的第一信号的 垂直场形图; 图8a、图8b、图8c以及图8d,为本实用新型经由第二输入端口输入的第二信号的 水平场形图; 图9a、图9b、图9c以及图9d,为本实用新型经由第二输入端口输入的第二信号的 垂直场形图; 图lOa为本实用新型经由第一输入端口输入的第一信号的回馈损失与频率的关 系图; 图lOb为本实用新型经由第二输入端口输入的第二信号的回馈损失与频率的关 系图; 图10c为本实用新型的第一信号以及第二信号的隔离度与频率的关系图。 其中,附图标记 10基禾反 20辐射单元 21、21'第一辐射单元 22、22'第二辐射单元[0053]23 、23,第三辐射单元24、24'第四辐射单元25第五辐射单元26第六辐射单元31第一输入端口32第二输入端口41第一阻抗匹配线42第二阻抗匹配线43第一耦合电容44第二耦合电容45第一假想线46第二假想线51第一连接线52第二连接线60底板62支撑件71第一侧边72第二侧边81第一顶点82第二顶点83第三顶点84第四顶点91、91'子连接线91a行方向子连接线91b列方向子连接线92、92,子连接线92a行方向子连接线92b列方向子连接线93、93,子连接线93a行方向子连接线93b列方向子连接线94、94,子连接线94a行方向子连接线94b列方向子连接线95子连接线96子连接线
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作具体的描述[0090] 图1为本实用新型一实施例的双极化矩阵天线结构图,及图2为本实用新型一实 施例的一辐射单元的结构示意图。请参照图1及图2,此双极化矩阵天线包括基板10、多个 辐射单元20、第一输入端口 31、第二输入端口 32、多个第一阻抗匹配线41、多个第二阻抗匹 配线42、第一连接线51以及第二连接线52。 多个辐射单元20、第一输入端口31、第二输入端口32、多个第一阻抗匹配线41、多 个第二阻抗匹配线42、第一连接线51和第二连接线52皆设置于基板10上。基板10可为 印刷电路板,而辐射单元20、第一输入端口 31、第二输入端口 32、第一阻抗匹配线41、第二 阻抗匹配线42、第一连接线51和第二连接线52可为形成在基板表面的印刷线路。 第一输入端口 31经由第一连接线51电性连接于多个第一阻抗匹配线41。第二输 入端口 32经由第二连接线52电性连接于多个第二阻抗匹配线42。 多个第一阻抗匹配线41以一对一方式电性连接至多个辐射单元20,且多个第二 阻抗匹配线42以一对一方式电性连接至多个辐射单元20。 于每一辐射单元20上,辐射单元20的中心和其与第一阻抗匹配线41的接点连成 一第一假想线45,且辐射单元20的中心和其与第二阻抗匹配线42的接点连成一第二假想 线46。在同一辐射单元20上的第一假想线45与第二假想线46具有一夹角。在一实施例 中,此夹角大致上为直角。要注意的是,假想线非实际存在于辐射单元20上的实线,其仅为 示意的用的虚拟线。 第一输入端口 31用以输入第一信号。输入的第一信号可经由第一连接线51和第 一阻抗匹配线41传送至各个辐射单元20,进而由辐射单元20辐射出。第二输入端口 32用 以输入第二信号。输入的第二信号可经由第二连接线52和第二阻抗匹配线42传送至各个 辐射单元20,进而由辐射单元20辐射出。 其中,第一阻抗匹配线41的长度可约等于第一信号的四分之一波长,且第二阻抗 匹配线42的长度可约等于第二信号的四分之一波长。 基板10的形状可为方形,此基板10具有第一侧边71以及第二侧边72。第一侧边 71与第二侧边72互相平行。第一输入端口 31接近第一侧边71,且第二输入端口 32接近 第二侧边72。 多个辐射单元20可排列成一矩阵。此矩阵中相邻的组件可为等距或是不等距。此 矩阵可为二维矩阵,具有一行方向以及一列方向。行方向与列方向具有一夹角,此夹角较佳 为直角。在此实施例中,位于同一行上的每一辐射单元20可相互串联。于矩阵中位于同一 列上的每一辐射单元20可相互并联。 每一辐射单元20的形状可为一多边形。此多边形较佳为方形。此方形具有四个 顶点,为了方便描述,以下分别称之为第一顶点81、第二顶点82、第三顶点83以及第四顶点 84。第一顶点81、第二顶点82、第三顶点83以及第四顶点84依序相邻。第一阻抗匹配线 41连接至方形的第一顶点81,且第二阻抗匹配线42连接至方形的第二顶点82。换言之,第 一阻抗匹配线41和第二阻抗匹配线42是连接至辐射单元20的相邻两顶点。 在此实施例中,第一信号经由第一阻抗匹配线41输入至第一顶点81。并且第一 信号以第一极化方向,也就是沿第一顶点81至第三顶点83的方向,由辐射单元20以电磁 波的形式发射。第二信号经由第二阻抗匹配线42输入至第二顶点82。并且第二信号以第 二极化方向,也就是沿第二顶点82至第四顶点84的方向,由辐射单元20以电磁波的形式发射。从图中可看出,第一极化方向与第二极化方向为互相垂直。其中,第一极化方向可为 +45° ,而第二极化方向可为-45° 。 图3是为图1中A部分的放大图。于此图中,位于同一行上的每一辐射单元相互 串联。以六个辐射单元为例,第一辐射单元21、第二辐射单元22、第三辐射单元23、第四辐 射单元24、第五辐射单元25以及第六辐射单元26排列于一直在线。第一辐射单元21、第 二辐射单元22、第三辐射单元23、第四辐射单元24、第五辐射单元25以及第六辐射单元26 分别连接至第一输入端口 31以及第二输入端口 32。 第一辐射单元21距离第一输入端口 31最近,并且距离第二输入端口 32最远。第 六辐射单元26距离第二输入端口 32最近,并且距离第一输入端口 31最远。若是距离输入 端口越近的辐射单元,则此辐射单元流经的电流越大,反之亦然。也就是说,第一输入端口 31输入第一辐射单元21的电流会远大于第二输入端口 32输入第一辐射单元21的电流。 因此,第一辐射单元21会具有良好的双端口隔离度。同样的,第二输入端口 32输入第六辐 射单元26的电流会远大于第一输入端口 31输入第六辐射单元26的电流。此第六辐射单 元26亦会具有良好的双端口隔离度。 每一第一阻抗匹配线41与第一连接线51具有一第一连接点。第一连接线51相 邻的两个第一连接点之间的长度为一个波长。每一第二阻抗匹配线42与第二连接线52具 有一第二连接点。第二连接线52上相邻的两个第二连接点之间的长度为一个波长。 换言之,第一辐射单元21的第一阻抗匹配线41与第一输入端口 31之间的第一连 接线51的线段称为子连接线91。第二辐射单元22与第一输入端口 31之间的第一连接线 51的线段称为子连接线92。第三辐射单元23与第一输入端口 31之间的第一连接线51的 线段称为子连接线93。第四辐射单元24与第一输入端口 31之间的第一连接线51的线段 称为子连接线94。第五辐射单元25与第一输入端口 31之间的第一连接线51的线段称为 子连接线95。第六辐射单元26与第一输入端口 31之间的第一连接线51的线段称为子连 接线96。其中,子连接线92完全包括子连接线91,子连接线93完全包括子连接线92,子连 接线94完全包括子连接线93、子连接线95完全包括子连接线94且子连接线96完全包括 子连接线95。 于此,子连接线96的长度与子连接线95的长度的差距为一个波长。子连接线95 的长度与子连接线94的长度的差距为一个波长。子连接线94的长度与子连接线93的长 度的差距为一个波长。子连接线93的长度与子连接线92的长度的差距为一个波长。子连 接线91依据天线矩阵的相关位置可有不同的长度,通常为四分之一波长的倍数。 图4为图1中B部分的放大图。请参照图4,第一辐射单元21'与第一输入端口 31之间的第一连接线51的线段称为子连接线91'。第二辐射单元22'与第一输入端口 31 之间的第一连接线51的线段称为子连接线92'。第三辐射单元23'与第一输入端口 31之 间的第一连接线51的线段称为子连接线93'。第四辐射单元24'与第一输入端口 31之间 的第一连接线51的线段称为子连接线94。子连接线91'包括行方向子连接线91a以及列 方向子连接线91b。子连接线92'包括行方向子连接线92a以及列方向子连接线92b。子 连接线93'包括行方向子连接线93a以及列方向子连接线93b。子连接线94'包括行方向 子连接线94a以及列方向子连接线94b。 其中,列方向子连接线91b、列方向子连接线92b、列方向子连接线93b以及列方向子连接线94b是位在同一直线(其是为假想线,而非实际存在的线路)上且沿着此直线延 伸,且第一输入端口 31亦位在此直线上。行方向子连接线91a、行方向子连接线92a、行方 向子连接线93a以及行方向子连接线94a互相平行。 在此实施例中,列方向子连接线92b以及列方向子连接线93b的长度相差为一个 波长。列方向子连接线93b以及列方向子连接线94b的长度相差为一个波长。列方向子连 接线92b与91b长度相同,且依据天线矩阵的相关位置可有不同的长度,通常为四分之一波 长的倍数。 请再参照图1,在本实用新型中,第一阻抗匹配线41可直接耦接或经由第一耦合 电容耦接43至第一连接线51,且第二阻抗匹配线42亦可直接耦接或经由第二耦合电容44 耦接至第二连接线。若是第一阻抗匹配线41与第一连接线51之间为直接耦接时,第一连 接线51输入第一阻抗匹配线41的电流会相较于经由第一耦合电容43耦接时来的大。第 二连接线52与第二阻抗匹配线42亦具有相同的现象。 其中,第一耦合电容43可为耦合间隙所形成的等效电容。第二耦合电容44可为 耦合间隙所形成的等效电容。也就是说,当经由第一耦合电容43耦接时,第一阻抗匹配线 41与第一连接线51之间没有直接相连,并且第一阻抗匹配线41与第一连接线51之间具有 一间隙。 当第一阻抗匹配线41与第一输入端口 31之间的距离小于第一阻抗匹配线41与 第二输入端口 32之间的距离时,第一阻抗匹配线41直接连接至第一连接线51。 当第一阻抗匹配线41与第一输入端口 31之间的距离大于第一阻抗匹配线41与 第二输入端口 32之间的距离时,第一阻抗匹配线41经由一第一耦合电容43耦接第一连接 线51。 当第一阻抗匹配线41与第一输入端口 31之间的距离等于第一阻抗匹配线41与 第二输入端口 32之间的距离时,第一阻抗匹配线41可直接连接至第一连接线51或是经由 一耦合电容43连接至第一连接线51。 第二阻抗匹配线42与第二输入端口 32之间的距离小于第二阻抗匹配线42与第 一输入端口 31之间的距离时,第二阻抗配线直接连接至第二连接线52。 当第二阻抗匹配线42与第二输入端口 32之间的距离大于第二阻抗匹配线42与 第一输入端口31之间的距离时,第二阻抗匹配线42经由一第二耦合电容44耦接第二连接 线52。 当第二阻抗匹配线42与第二输入端口 32之间的距离等于第二阻抗匹配线42与 第一输入端口 31之间的距离时,第二阻抗匹配线42可直接连接至第二连接线52或是经由 第二耦合电容44连接至第二连接线52。 上述的距离定义为第一阻抗匹配线41的中心点至第一输入端口 31或是第二阻 抗匹配线42的中心点至第二输入端口 32的直线距离。此直线距离亦称为欧几里得距离 (Euclidean distance)。 请参照图5,为本实用新型的侧视图。双极化矩阵天线还包括基板10、底板60以 及支撑件62。 支撑件62设置于基板10以及底板60之间,因此基板10以及底板60之间存在有 一空间。[0120] 此底板60可为一金属底板。金属底板可反射电磁波,使电磁波朝相同方向发射出 去,进而使此双极化矩阵天线具有指向性。 请参照图6a、图6b、图6c以及图6d,是为经由第一输入端口31输入的第一信号的 水平场形图。图6a代表的是操作频率为5100MHz时的水平场形图。图6b代表的是操作频 率为5400MHz时的水平场形图。图6c代表的是操作频率为5700MHz时的水平场形图。图 6d代表的是操作频率为5900MHz时的水平场形图。 请参照图7a、图7b、图7c以及图7d为本实用新型经由第一输入端口 31输入的第 一信号的垂直场形图。图7a代表的是操作频率为5100MHz时的垂直场形图。图7b代表的 是操作频率为5400MHz时的垂直场形图。图7c代表的是操作频率为5700MHz时的垂直场 形图。图7d代表的是操作频率为5900MHz时的垂直场形图。 请参照图8a、图8b、图8c以及图8d,为本实用新型经由第二输入端口 32输入的第 二信号的水平场形图。图8a代表的是操作频率为5100MHz时的水平场形图。图8b代表的 是操作频率为5400MHz时的水平场形图。图8c代表的是操作频率为5700MHz时的水平场 形图。图8d代表的是操作频率为5900MHz时的水平场形图。 请参照图9a、图9b、图9c以及图9d,为本实用新型经由第二输入端口 32输入的第 二信号的垂直场形图。图9a代表的是操作频率为5100MHz时的垂直场形图。图9b代表的 是操作频率为5400MHz时的垂直场形图。图9c代表的是操作频率为5700MHz时的垂直场 形图。图9d代表的是操作频率为5900MHz时的垂直场形图。 图10a为依照图1结构,为本实用新型经由第一输入端口 31输入的第一信号的回 馈损失与频率的关系图。图10b为本实用新型经由第二输入端口 32输入的第二信号的回 馈损失与频率的关系图。图10c为本实用新型的第一信号以及第二信号的隔离度与频率的 关系图。 本实用新型的双极化矩阵天线,能有效的利用平面空间增加辐射单元的数量,借 以提高天线增益,同时仍可达到阻抗匹配,且避免线路间的耦合效应及不同极化方向之间 的互相干扰。 当然,本实用新型还可有其它多种实施例,在不背离本实用新型精神及其实质的 情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形,但这些 相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
权利要求一种双极化矩阵天线,其特征在于,包括一基板;多个辐射单元,设置于该基板上;一第一输入端口,设置于该基板上;一第二输入端口,设置于该基板上;多个第一阻抗匹配线,该多个第一阻抗匹配线以一对一方式电性连接至该多个辐射单元;多个第二阻抗匹配线,该多个第二阻抗匹配线以一对一方式电性连接至该多个辐射单元;一第一连接线,设置于该基板上,该第一连接线电性连接于该第一输入端口以及该第一阻抗匹配线之间;以及一第二连接线,设置于该基板上,该第二连接线电性连接于该第二输入端口以及该第二阻抗匹配线之间;其中,于每一该辐射单元上,该辐射单元的中心和与该第一阻抗匹配线的接点连成一第一假想线,并且该辐射单元的中心和与该第二阻抗匹配线的接点连成一第二假想线,同一该辐射单元上的该第一假想线与该第二假想线形成一夹角。
2. 根据权利要求1所述的双极化矩阵天线,其特征在于,该夹角为直角。
3. 根据权利要求1所述的双极化矩阵天线,其特征在于,每一该辐射单元的形状为一 多边形。
4. 根据权利要求3所述的双极化矩阵天线,其特征在于,该多边形为一方形,该第一阻 抗匹配线连接至该方形的一顶点,该第二阻抗匹配线连接至该方形的另一顶点。
5. 根据权利要求3所述的双极化矩阵天线,其特征在于,对应同一该辐射单元的该第 一阻抗匹配线和该第二阻抗匹配线分别连接至该多边形的相邻的二顶点。
6. 根据权利要求1所述的双极化矩阵天线,其特征在于,该多个辐射单元为排列成一 矩阵。
7. 根据权利要求6所述的双极化矩阵天线,其特征在于,于该矩阵中位于同一行上的 每一该辐射单元为相互串联。
8. 根据权利要求7所述的双极化矩阵天线,其特征在于,于该矩阵中位于同一列上的 每一该辐射单元为相互并联。
9. 根据权利要求1所述的双极化矩阵天线,其特征在于,该基板具有一表面,该表面具 有相对的一第一侧边以及一第二侧边,该第一输入端口接近该表面的该第一侧边,该第二 输入端口接近该表面的该第二侧边。
10. 根据权利要求1所述的双极化矩阵天线,其特征在于,该第一输入端口用以输入一 第一信号,每一该第一阻抗匹配线的长度为该第一信号的四分之一波长,该第二输入端口 用以输入一第二信号,每一该第二阻抗匹配线的长度为该第二信号的四分之一波长。
11. 根据权利要求IO所述的双极化矩阵天线,其特征在于,每一该第一阻抗匹配线与 该第一连接线具有一第一连接点,该第一连接在线相邻的两个该第一连接点之间的长度为 一个波长,每一该第二阻抗匹配线与该第二连接线具有一第二连接点,该第二连接在线相 邻的两个该第二连接点之间的长度为一个波长。
12. 根据权利要求IO所述的双极化矩阵天线,其特征在于,对于每一该第一阻抗匹配 线,当该第一阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离小于该第一阻抗匹配线与该第二输 入端口之间的距离时,该第一阻抗匹配线直接连接该第一连接线,以及对于每一该第二阻 抗匹配线,当该第二阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距离小于该第二阻抗匹配线与该 第一输入端口之间的距离时,该第二阻抗匹配线直接连接该第二连接线。
13. 根据权利要求IO所述的双极化矩阵天线,其特征在于,对于每一该第一阻抗匹配线,当该第一阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离大于该第一阻抗匹配线与该第二输 入端口之间的距离时,该第一阻抗匹配线经由一第一耦合电容耦接该第一连接线,以及对 于每一该第二阻抗匹配线,当该第二阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距离大于该第二 阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离时,该第二阻抗匹配线经由一第二耦合电容耦接 该第二连接线。
14. 根据权利要求13所述的双极化矩阵天线,其特征在于,该第一耦合电容为于该第 一阻抗匹配线与该第一连接线之间的一耦合间隙所形成的等效电容,以及该第二耦合电容 为于该第二阻抗匹配线与该第二连接线之间的一耦合间隙所形成的等效电容。
15. 根据权利要求10所述的双极化矩阵天线,其特征在于,对于每一该第一阻抗匹配 线,当该第一阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离等于该第一阻抗匹配线与该第二输 入端口之间的距离时,该第一阻抗匹配线经由一第一耦合电容耦接该第一连接线,以及对 于每一该第二阻抗匹配线,当该第二阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距离等于该第二 阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离时,该第二阻抗匹配线经由一第二耦合电容耦接 该第二连接线。
16. 根据权利要求IO所述的双极化矩阵天线,其特征在于,对于每一该第一阻抗匹配 线,当该第一阻抗匹配线与该第一输入端口之间的距离等于该第一阻抗匹配线与该第二输 入端口之间的距离时,该第一阻抗匹配线直接连接该第一连接线,以及对于每一该第二阻 抗匹配线,当该第二阻抗匹配线与该第二输入端口之间的距离等于该第二阻抗匹配线与该 第一输入端口之间的距离时,该第二阻抗匹配线直接连接该第二连接线。
17. 根据权利要求1所述的双极化矩阵天线,其特征在于,该双极化矩阵天线还包括一 底板以及多个支撑件,该多个支撑件设置于该基板以及该底板之间。
18. 根据权利要求17所述的双极化矩阵天线,其特征在于,该底板为一金属底板。
专利摘要本实用新型提出一种双极化矩阵天线,其包括基板以及设置于基板上的多个辐射单元、第一输入端口、第二输入端口、多条第一阻抗匹配线、多条第二阻抗匹配线、第一连接线以及第二连接线。于每一辐射单元上,辐射单元的中心和与第一阻抗匹配线的接点连成第一假想线,并且辐射单元的中心和与第二阻抗匹配线的接点连成第二假想线。同一辐射单元上的第一假想线与第二假想线形成一夹角。本实用新型的双极化矩阵天线能有效地利用空间增加辐射单元的设置,借以有效地提高天线增益。
文档编号H01Q21/00GK201528053SQ200920178140
公开日2010年7月14日 申请日期2009年9月22日 优先权日2009年9月22日
发明者周耿弘 申请人:寰波科技股份有限公司
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