专利名称：发光二极管结构的制作方法
技术领域：
本实用新型是关于一种发光二极管结构，特别是指一种增设有齐纳二极管以达到 静电放电防护功能的发光二极管结构。
背景技术：
由于发光二极管(LED :Light Emitting Diode)具有体积小、耗电低以及寿命 长...等优点，因此目前已广泛应用于家电、车辆、计算机外设产品、通讯产品以及照明产 品...等上，发光二极管已然成为新世代的光源，其重要性不言可喻。然而，发光二极管却很容易在制造或使用过程中受到静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)的影响而损坏。为了解决上述的静电放电问题，公知已有利用齐纳二极管(Zener diode)电性连 接于发光二极管上的解决方案，概述如下。请参阅图1所示，为公知的发光二极管1，具有一承座11，该承座11则由基板(包 含第一、二基板电极111、112)以及形成于该基板上的反射杯113所组成，第一基板电极 111、第二基板电极112以及反射杯113之间则由铝阳极化膜13来彼此分隔。两个后电极 12a、12b分别形成于该承座11的底侧，且分别电性连接至第一和第二基板电极111、112。发 光芯片14和齐纳二极管15则分别设置在第一基板电极111和第二基板电极112上，以保 护发光芯片14免于受到静电放电影响。至于透镜16配置于反射杯113上，以聚集发光芯 片14所发出的光。惟，此等方案却因为增设了齐纳二极管15，反而造成发光芯片14所发出 的光会被齐纳二极管15给吸收掉约20%的重大缺失。因此，如何设计出一种能既能利用齐纳二极管来保护发光芯片免于受到静电放电 影响，又能将光被齐纳二极管吸收掉的比例给降至最低(相对而言就提高了发光芯片的亮 度)，为本申请人所企欲解决的一大课题。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种发光二极管结构，以改进公知技术中存在的缺 陷。为实现上述目的，本实用新型提供的发光二极管结构，包括一承座、一第一导电 架、一第二导电架、发光芯片、一导电胶以及一齐纳二极管。该承座，具有一基底和一形成于该基底上的反射杯，该基底的内底面设有一第一 凹部和一第二凹部；该第一导电架，设置于该第一凹部内；该第二导电架，设置于该第二凹 部内；该导电胶，设置于该第二凹部内的内底面上，且该导电胶是电性接触于该第二导电 架；该发光芯片，设置于该第一导电架上，该发光芯片的两电极分别与第一、二导电架电性 连接在一起；该齐纳二极管，设置于该导电胶上，该齐纳二极管的一电极与导电胶彼此电性 相通，而该齐纳二极管的另一电极则由一导线来电性连接于该第一导电架。由本实用新型将齐纳二极管给埋入于承座内，以大幅降低齐纳二极管吸收发光芯片的光的比例，相对而言乃提升发光芯片的亮度，从而既能使用齐纳二极管来达到静电放电防护功能，又能大幅降低齐纳二极管吸收发光芯片的光的比例。
图1为公知发光二极管的剖面图。图2为本实用新型发光二极管第一实施例的剖面图。图3为本实用新型发光二极管第二实施例的剖面图。图4为本实用新型发光二极管第三实施例的剖面图。附图中主要组件符号说明1发光二极管；11承座；111第一基板电极；112第二基板电极；113反射杯；12a后 电极；12b后电极；13铝阳极化膜；14发光芯片；15齐纳二极管；16透镜；200发光二极管； 2承座；21基底；210内底面；211第一凹部；212第二凹部；213分隔体；214第三凹部；22反 射杯；23荧光层；24荧光胶；3第一导电架；4第二导电架；41凸体；5发光芯片；51第一导 线；52第二导线；6导电胶；7齐纳二极管；70导线；8白胶。
具体实施方式
为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容，请参阅以下有关本 实用新型的详细说明与附图，惟附图是仅提供参考与说明用，非用以限制本实用新型。本实用新型提供的发光二极管结构，特别是指一种增设有齐纳二极管以达到静电 放电(Electrostatic Discharge，ESD)防护功能的发光二极管结构。请参阅图2所示，是本实用新型第一实施例的剖面图，该发光二极管200包括一承 座2、一第一导电架3、一第二导电架4、发光芯片5、一导电胶6以及一齐纳二极管7。该承座2具有一基底21以及一形成于该基底21上的反射杯22，该反射杯22内形 成凹杯状，以容置所述发光芯片5、导电胶6和齐纳二极管7。该基底21具有一内底面210， 该内底面210设有一第一凹部211和一第二凹部212。该第一导电架3设置于该第一凹部211内，该第二导电架4和导电胶6 —起设置 于该第二凹部212内，且导电胶6除了设置于第二凹部212的内底面210上以外，还进一步 电性接触于该第二导电架4。较佳地，第一、二凹部211、212之间形成有一分隔体213，导电 胶6则设置于该分隔体213与第二导电架4之间的第二凹部212的内底面210上。该发光芯片5设置于第一导电架3上，发光芯片5的两电极(图未示)分别与第 一、二导电架3、4电性连接在一起，如图所示，发光芯片5的两电极分别由第一导线51和第 二导线52来电性连接于第一、二导电架3、4。该齐纳二极管7设置于该导电胶6上，齐纳二极管7亦具有两电极(图未示)，其 中一电极是由齐纳二极管7的设置于导电胶6上而彼此电性相通，其中另一电极则由导线 70来电性连接于第一导电架3。如图所示，由承座2的基底21设有第一、二凹部211、212，且一起设置于第二凹部 212内的第二导电架4和导电胶6又彼此电性相通，而齐纳二极管7又设置于导电胶6上而 使其一电极与导电胶6电性连接，另一电极则由导线70来与第一导电架3电性相通，从而 使齐纳二极管7能被导通而产生静电放电防护功能；同时，还能因为齐纳二极管7被设置于承座2的第二凹部212内的内底面210上，以大幅降低齐纳二极管7吸收掉发光芯片5的 光的比例。较佳地，承座2可为PPA(Polyphthalamide，聚对苯二酰对苯二胺)材质、聚酰胺 (Nylon-Polyamide)材质、或 LCP (Liquid Crystal Polymer，液晶树脂)材质；发光芯片 5 可为蓝光芯片(Blue Chip)；承座2的反射杯22内还封装有荧光层23 ；至于导电胶6则可 为银胶。本实用新型发光二极管结构的特点在于由在承座2的基底21上设有第一、二凹部211、212，导电胶6与第二导电架4 一起 设置于第二凹部212内，且导电胶6与第二导电架4还彼此电性相通，而齐纳二极管7又设 置于导电胶6上，从而导通齐纳二极管7而产生静电放电防护功能；同时，则还能因为齐纳 二极管7被设置于承座2的第二凹部212内的内底面210上，简言之，也就是在承座2的内 底面210处埋入有该齐纳二极管7，以大幅降低齐纳二极管7吸收掉发光芯片5的光的比 例。换言之，本实用新型发光二极管结构既能利用齐纳二极管7来保护发光芯片5免于受 到静电放电影响，又能将光被齐纳二极管7吸收掉的比例给降至最低，相对而言就提高了 发光芯片5的亮度，特别是发光芯片5为蓝光芯片时，将能有效应用蓝光芯片的发光效率。请参阅图3所示，为本实用新型第二实施例的剖面图，第一、二实施例之间的不同 处在于第一、承座2的第二凹部212内进一步设有一第三凹部214，且第三凹部214所凹 入于内底面210的深度大于第二凹部212的凹入深度；第二、第二导电架4进一步具有一凸体41，第二导电架4因此而状似L形，且第二 导电架4的凸体41还凸出于第三凹部214内；第三、导电胶6设置于第三凹部214内的内底面210上，且导电胶6还电性接触于 第二导电架4的凸体41。由此能达到与第一实施例相同的功效。请参阅图4所示，为本实用新型第三实施例的剖面图，第二、三实施例之间的不同 处在于第一、在第三凹部214内进一步填满白胶(或透明胶亦可)8，白胶8包覆住导电胶 6和齐纳二极管7，而由白胶8则能让光反射，从而使第三实施例的发光芯片5的亮度和发 光效率均优于第一、二实施例；第二、本第三实施例还能在承座2的第一、三凹部211、214之间形成有一分隔体 213，白胶8是填入于分隔体213与第二导电架4之间的第三凹部214内；第三、承座2的反射杯22内则可填满有荧光胶24，或亦可在反射杯22内封装一荧 光层23(图4中未示)。以上所述，仅为本实用新型的较佳可行实施例而已，非因此即局限本实用新型的 专利范围，举凡运用本实用新型说明书及附图内容所为的等效结构变化，均理同包含于本 实用新型的权利要求范围内。
权利要求一种发光二极管结构，其特征在于，包括一承座，具有一基底和一形成于该基底上的反射杯，该基底的内底面设有一第一凹部和一第二凹部；一第一导电架，设置于该第一凹部内；一第二导电架，设置于该第二凹部内；一导电胶，设置于该第二凹部内的内底面上，且该导电胶电性接触于该第二导电架；一发光芯片，设置于该第一导电架上，该发光芯片的两电极分别与第一、二导电架电性连接在一起；以及一齐纳二极管，设置于该导电胶上，该齐纳二极管的一电极与导电胶彼此电性相通，而该齐纳二极管的另一电极则由一导线来电性连接于该第一导电架。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该承座的反射杯内封装有一荧 光层。
3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该承座的第一、二凹部之间形成有一分隔体。
4.如权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电胶设置于该分隔体与第 二导电架之间的第二凹部的内底面上。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光芯片为蓝光芯片。
6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电胶为银胶。
7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该承座为聚对苯二酰对苯 二胺、聚酰胺和液晶树脂其中之一。
8.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光芯片的两电极分别以一 第一导线和一第二导线来电性连接于该第一、二导电架。
9.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该承座的第二凹部内设有一第 三凹部，该第三凹部所凹入于内底面的深度大于该第二凹部的凹入深度；该第二导电架具 有一凸体，该第二导电架的凸体凸出于该第三凹部内；该导电胶则设置于该第三凹部内的 内底面上，且该导电胶还电性接触于该第二导电架的凸体。
10.如权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，该第三凹部内填满有白胶，该 白胶包覆住该导电胶和齐纳二极管。
11.如权利要求10所述的发光二极管结构，其特征在于，该承座的第一、三凹部之间形 成有一分隔体，该白胶填入于该分隔体与该第二导电架之间的第三凹部内。
12.如权利要求10所述的发光二极管结构，其特征在于，该承座的反射杯内填满有荧 光胶。
专利摘要一种发光二极管结构，包括承座、第一、二导电架、发光芯片、导电胶以及齐纳二极管。承座具有基底和反射杯，基底的内底面设有第一、二凹部；第一、二导电架分别设置于第一、二凹部内；导电胶设置于第二凹部内的内底面上，且导电胶电性接触于第二导电架；发光芯片设置于第一导电架上，发光芯片的两电极分别电性连接于第一、二导电架；齐纳二极管设置于导电胶上而使齐纳二极管的一电极与导电胶电性相通，另一电极则由一导线来电性连接于第一导电架。由此，既能利用齐纳二极管来保护发光芯片免于受到静电放电影响，又能将光被齐纳二极管吸收掉的比例给降至最低。
文档编号H01L23/48GK201556617SQ20092024995
公开日2010年8月18日 申请日期2009年10月29日 优先权日2009年10月29日
发明者吴东璟, 张智超, 李军明, 陈东安, 陈松升 申请人:东贝光电科技股份有限公司