专利名称：：用于光学邻近校正的批量图像建模的制作方法
技术领域：
：本发明涉及集成电路设计和制造、尤其涉及的是用于预测集成电路布局中的特征的位置信息的方法。
背景技术：
：在光刻中，通过曝光掩膜图案(这里使用的术语"掩膜"包括术语"标线")来将图像投射到涂敷有光敏材料的晶片上，从而在集成电路或其他器件上创建特征。在曝光之后，晶片将会接受化学和机械处理，以便创建该曝光图案定义的特征。随着在晶片上创建的特征日益减小，出现了将要在晶片上创建的期望特征不与在晶片上创建的实际特征相匹配的光学和其他处理失真。关于偏差的示例包括拐角磨圆、线路末端縮短等等。这些偏差有可能极大降低期望特征的功能性能。为了补偿这些失真，很多光刻处理使用了一种或多种分辨率增强技术(RET)来改善用以在晶片上印刷期望图案的图案保真度。在光学邻近校正(0PC)之类的大多数分辨率增强技术中，进行如何在晶片上印刷特征的仿真。然后，所述仿真将被用于以一种补偿预期失真的方式来调整掩膜或标线上包含的图案。无论名称如何，OPC通常都包含了针对不与光学图像传递相关的其他不期望的图案失真的预校正处理，其中举例来说，该失真有可能起因于掩膜制造和蚀刻过程。作为仿真的一部分，可以使用抗蚀剂模型，该抗蚀剂模型预测了在用特定掩膜图案曝光时，抗蚀剂材料将会如何表现。OPC抗蚀剂模型通常基于"阈值模型"，其中该模型进行了如下近似，那就是根据光致抗蚀剂是正性还是负性，接收到高于某个阈值的入射能量的抗蚀剂中固定深度处的任何点要么显影掉(developaway)，要么保持不变。这些抗蚀剂模型包含了模型阈值取决于特征环境的"可变阈值模型"。目前观察到的是，当前的OPC建模方法在预测光学效应方面非常精确，但其在预测抗蚀剂行为方面则不够精确，这是因为复杂抗蚀剂行为包含了诸如垂直扩散、显影速率效应、抗蚀剂厚度影响、抑制层影响等效应，而在"阈值"抗蚀剂模型中是不能精确说明这些效应的。因此，在校准中通常会使光学模型参数失真，以使其与抗蚀剂响应行为相匹配，这降低了模型的可预测性，并且在计算和人力资源方面是非常低效的。由此，期望提供计算效率高并且可以与OPC结合使用的更精确的方法来对抗蚀剂行为建模。
发明内容在这里描述了一种用于预测在集成电路布局中表示的并与集成电路制造过程一起使用的特征的侧面位置信息的方法，其中该特征例如可以是抗蚀剂特征或是位于抗蚀剂层下方的层中的特征，该过程则将图像投射到抗蚀剂上。该方法包括提供位于抗蚀剂内部6不同深度的图像强度值的侧面分布。接下来，根据特定抗蚀剂显影时间，并且进一步根据处于抗蚀剂内部一个以上的深度的图像强度值，预测特征边缘点的侧面位置。在一个实施例中，特征的侧面位置信息是如下确定的，首先估计在每一个侧面位置(x，y)从上到下显影抗蚀剂所需要的时间t(x，y)，该时间是用如下等式计算的<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中ZT是抗蚀剂厚度，c(z)是根据经验确定的加权函数，Y是常数，I(x，y，z)是投射在抗蚀剂上的图像的侧面位置(x，y)在每一个(z)位置的图像强度值。接下来将一个特定的抗蚀剂显影时间tdCT应用于时间显影函数t(x，y)，以便确定得到的抗蚀剂特征轮廓的侧面位置。在这里描述了一种用于预测在集成电路布局中表示的并与集成电路制造过程一起使用的特征的侧面位置信息的系统，其中该过程将图像投射到抗蚀剂上。该系统包括数据处理器、存储子系统和程序代码。在被数据处理器执行时，该程序代码执行以下步骤提供处于抗蚀剂内部不同深度的图像强度值的侧面分布，以及根据特定抗蚀剂显影时间并且进一步根据处于抗蚀剂内部一个以上深度的强度值来预测特征边缘点的侧面位置。所描述的方法和系统使用这里公开的抗蚀剂模型，该抗蚀剂模型创建了一个新颖的基于物理的抗蚀剂显影的复杂行为的算法，其中该算法引入了观察到的复杂的抗蚀剂行为。这个抗蚀剂模型可以实施为OPC的一部分，并且只要通过少量可调参数的回归即可根据经验而高精度地与试验结果相匹配。该抗蚀剂模型显示出与众多其他的抗蚀剂模型一样精确，并且它比当前的OPC抗蚀剂模型要快很多。通过考察附图、详细描述和后续权利要求，可以了解本发明的其他方面和优点。图1显示了示例集成电路设计流程的简化表示。图2是使用这里描述的抗蚀剂模型来预测在光刻曝光和显影过程中将形成的抗蚀剂特征的侧面位置信息的流程图。图3是掩膜图案上的示例设计特征的平面图。图4示出了底层之上的抗蚀剂层的三维视图。图5和图6示出的分别是位于在y=yl和y=y2沿着x轴获取的截面上抗蚀剂内部不同深度处的期望特征的投射图像的图像强度值I(x，y，z)的示例曲线图。图7和图8示出的是在图5和图6的截面中显示的图像强度值I(x，y，z)的侧面位置(x，y)需要的显影时间t(x，y)。图9示出的是使用了这里描述的抗蚀剂模型的抗蚀特征的得到轮廓。图IOA和图IOB示出的是传统的可变抗蚀剂模型和这里描述的抗蚀剂模型的测试图案边缘放置误差。图IIA至图IID是示出了在预测得到显影抗蚀特征方面本发明的改进精确度的各种测试图案的扫描电子显微镜图像。图12是可以用于实施包括本发明的方面的软件的计算机系统的简化框图。具体实施例方式图1显示的是所示例的集成电路设计流程的简化表示。应该理解的是，与这里的所有流程图一样，在不影响所实现的功能的情况下，图1的很多步骤可以组合、并行执行或以不同顺序执行。在某些情况下，如果重新排列步骤，则只有在进行了某些其他改动的情况下才会实现相同的结果，而在其他情况下，如果重新排列步骤，则只有在满足了某些条件的情况下才会实现相同的结果。对读者来说，这种重新排列的可能性是显而易见的。在高的层次，图1的处理从产品概念开始(步骤100)，并且是在EDA(电子设计自动化)软件设计过程中实现的(步骤110)。在完成设计时将会进行制造过程(步骤150)以及封装和装配过程(步骤160)，由此最终产生完成的集成电路芯片(结果170)。EDA软件设计过程(步骤110)实际包括多个步骤112-130，为了简单起见，这些步骤以线性方式显示。在实际的集成电路设计过程中，特定的设计有可能需要退回某些步骤，直至某些测试通过。同样，在任何实际设计过程中，这些步骤有可能是按照不同的顺序和组合出现的。由此，该描述是作为上下文和一般性解释而提供的，而不是用于特定集成电路的具体或推荐设计流程。现在将要提供的是关于EDA软件设计过程(步骤110)中的组成步骤的简要描述。系统设计(步骤112):设计人员描述其希望实现的功能，他们可以执行假设(what-if)规划来精炼功能、检查费用等等。硬件-软件架构可以在这个阶段中产生。在该步骤中可以使用的来自Synopsys公司的示例EDA软件产品包括ModelArchitect、Saber、Systemstudio以及DesignWare⑧产品。逻辑设计和功能验证(步骤114):在该阶段中将编写用于系统中的模块的VHDL或Verilog代码，并且会就功能的准确性而对设计进行检查。更具体地说，检查该设计，以确保它响应于特定的输入激励而产生正确输出。在该步骤中可以使用的来自Synopsys公司的示例EDA软件产品包括VCS、VERA、DesignWare、Magellan、Formality、ESP以及LEDA产品。用于测试的合成和设计(步骤116):在这里，VHDL/Verilog被转换成网表。该网表可以针对目标技术而进行优化。此外，在这里还执行测试的设计和实施过程，以便允许检查已完成的芯片。在该步骤中可以使用的来自Synopsys公司的示例EDA软件产品包括DesignCompiler、PhysicalCompiler、TestCompiler、PowerComplier、FPGACompiler、TetraMAX以及DesignWare⑧产品。网表验证(步骤118):在该阶段会就与定时限制的相容性以及与VHDL/Verilog源代码的对应性而对网表进行检查。在该步骤中可以使用的来自Synopsys公司的示例EDA软件产品包括Formality、PrimeTime以及VCS产品。设计规划(步骤120):在这里将构造芯片的整个平面布置图，并且将针对定时和顶层路由而对其进行分析。在该步骤可以使用的来自Synopsys公司的示例EDA软件产品包括Astro禾口ICCompiler产品。物理实施(步骤122):放置(电路元件的定位)和路由(电路元件的连接)可以在这个步骤中进行。在该步骤中可以使用的来自Synopsys公司的示例EDA软件产品包括AstroRail、Primetime以及StarRC/XT产品。分析和提取(步骤124):在该步骤在晶体管级验证电路功能，而这继而将允许假设(what-if)精炼。在该步骤中可以使用的来自Synopsys公司的示例EDA软件产品包括AstroRail、PrimeRail、Primetime以及StarRC/XT产品。物理验证(步骤126):在该步骤中将执行各种检查功能，以便确保下列各项的正确性制造过程、电的问题、光刻问题以及电路。在该步骤可以使用的来自Synopsys公司的示例EDA软件产品包括Hercules产品。投片(t即e-out)(步骤127):该步骤提供"投片"数据用于光刻用途的掩膜的生成以便产生完成的芯片。在该步骤中可以使用的来自Synopsys公司的示例EDA软件产品包括CATS(R)产品族。分辨率增强(步骤128):该步骤包括对布局执行几何操作，以便提高设计的制造能力。在该步骤中可以使用的来自Synopsys公司的示例EDA软件产品包括Proteus/ProGen、ProteusAF以及PSMGen产品。掩膜预备(步骤130):该步骤包括掩膜数据预备以及掩膜自身的写入。在该步骤中可以使用的来自Synopsys公司的示例EDA软件产品包括CATS(R)产品族。本发明的实施例可以在一个或多个上述步骤中使用。特别地，本发明的实施例可以在分辨率增强步骤(步骤128)中使用。雄細景,如上所述，所期望的是提供更精确的方法来对抗蚀剂行为建模，以便与0PC结合使用。图2是使用这里描述的抗蚀剂模型来预测在光刻曝光和显影过程中形成的抗蚀剂特征的侧面位置信息的流程图。图3是掩膜图案上示例设计特征300的平面图(方框210)。在方框220，所设计的特征300被提供给光刻处理的光学模型，该光学模型将会仿真将设计特征300投射到图4的抗蚀剂430上的处理。如图4所示，抗蚀剂430具有厚度ZT并位于底层420之上。在方框230，方框220的光学模型提供在抗蚀剂内(x，y，z)位置处的图像的仿真图像强度值I(x，y，z)。该图像强度值I(x，y，z)可以位于抗蚀剂内部的离散(x，y，z)位置，或在某些实施例中，该图像强度值I(x，y，z)也可以是沿着(z)方向的连续函数。抗蚀剂430内部的图像强度值I(x，y，z)可以使用光刻处理的光学模型来提供，其中作为例证，所述光学模型可以由Synopsys公司生产的ProGen软件产生。其中，ProGen软件允许描述光学系统参数(源照明，投射瞳孔等等)、掩膜参数(透射和相位等等)，以及晶片和抗蚀剂薄膜参数(光学和介电常数，薄膜厚度等等)的特性。此外，抗蚀剂内部的图像强度值I(x，y，z)还可以使用其他软件提供和/或使用其他技术提供。图5和图6示出的分别是位于在y=yl和y=y2沿着x轴获取的截面上的抗蚀剂内部不同深度的期望特征300的投射图像的图像强度值I(x，y，z)的示例曲线图。为了易于说明，图5和图6中的图像强度值I(x，y，z)仅仅显示了在抗蚀剂的顶部(z=ZT)、抗蚀剂内部的中间深度(z=Zi)以及抗蚀剂的底部(z=0)的情况，但是应该理解，一般来说，可以在抗蚀剂430内部的更多深度提供图像强度值I(x，y，z)。此外，虽然在图5和图6中将图像强度值I(x，y，z)显示成了连续曲线，但是该图像强度值也可以在抗蚀剂430内部的离散(x，y，z)位置提供。反过来参考图2，在方框240，抗蚀剂内部的(x，y，z)位置处的显影速率是使用以9下等式计算的<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>其中I(x，y，z)是抗蚀剂内部的特定(x，y，z)位置处的图像强度值，Y是表示可以根据经验确定的抗蚀剂对比度的常数，c(z)则是独立于侧面位置(x，y)的经验性的加权函数，并且在下文中将会对其进行更详细的描述。加权函数c(z)可以说明复杂抗蚀剂行为，这些行为在最终得到的显影抗蚀剂中起到一份作用，其中举例来说，所述行为可以是抗蚀剂表面抑制、显影剂大量输送、HDMS中毒、垂直抗蚀剂扩散、衬底基础等等。在示例的实施例中，每一个(x，y，z)位置的显影速率R(x，y，z)是以c(z)与[I(x，y，z)]Y的乘积来计算的。作为替换，在计算显影速率R(x，y，z)的过程中也可以使用强度值I(x，y，z)的其他函数。由此，在一些实施例中，显影速率函数等式可以采用更为一般的形式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>其中f(x，y，z)是特定(x，y，z)点的强度值I(x，y，z)的函数。接下来，在方框250，在每一个侧面位置计算显影时间函数t(x，y)。该显影时间函数t(x，y)是在每一个侧面位置(x，y)从抗蚀剂顶部(z=ZT)到抗蚀剂底部(z=0)显影该抗蚀剂所需要的估计时间，并且在示例实施例中，该函数是使用以下等式计算的<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>在示例实施例的显影时间函数t(x，y)中，每一个侧面位置(x，y)的t(x，y)都依赖于c(z)与显影速率乘积倒数从抗蚀剂底部(z=0)到抗蚀剂顶部(z=ZT)的积分。在替换实施例中，每一个侧面位置(x，y)的显影时间函数t(x，y)可以使用以下等式依照c(zi)与每个(zi)深度的显影速率的乘积倒数的总和来计算<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>其中ZT是在特定点抗蚀剂的厚度，并且I(x，y，Zi)是处于抗蚀剂内部的(n+1)个不同深度(zi)中的每一个深度的特定侧面位置(x，y)的强度值。图7和图8示出的分别是在图5和图6的截面中显示的图像强度值I(x，y，z)的所需要的显影时间t(x，y)。接下来，所仿真的光刻处理的特定的抗蚀剂显影时间t^被应用到时间显影函数t(x，y)，以便仿真图9中的最终抗蚀剂特征900的轮廓的侧面位置。由于显影时间函数t(x，y)代表了在每一个侧面位置(x，y)从抗蚀剂顶部到抗蚀剂底部所需要的显影时间，因此，如果特定侧面位置(x，y)需要的显影时间大于特定显影时间t^，则不会显影该侧面位置(x，y)(相关示例参见图7和图9的侧面位置(x5，yi))。否则，如果特定侧面位置(x，y)需要的显影时间小于显影时间tdCT，则显影该侧面位置(x，y)(相关示例参见图8和图9的侧面位置(x6，y》)。因此，最终得到的抗蚀剂特征900的点的侧面位置(x，y)是可以确定的，由此将会产生图9平面图中显示的抗蚀剂特征的轮廓。在示例实施例中，抗蚀剂是正性抗蚀剂，由此，在图9中的最终图像中将会移除所显影的抗蚀剂部分。应该理解的是，本发明还可以与负性抗蚀剂结合使用，其中被显影的抗蚀剂部分将会保留，而未被显影的部分则会移除。回过来参考图7和图8，侧面位置(Xl，y》、(x2，y》、(x3，y2)和(x4，y2)的时间显影函数t(x，y)具有与特定显影时间t^基本匹配的显影时间。由此，在图9中可以看出，侧面位置(Xl，y》、(x2，y》、(x3，y2)和(x4，y2)是抗蚀剂特征900的一组边缘点。这里使用的邻近于特定显影时间t^和显影时间函数t(x，y)的交点的侧面位置(x，y)具有与特定显影时间tdCT"基本匹配"的显影时间。—旦确定了最终的特征900，则可以进行附加计算来应用0PC或其他分辨率增强技术，以便根据最终得到的特征900而调整(如果需要)在掩膜上所设计的特征300(方框270)，从而提高用以在晶片上最终形成所设计的特征300的保真度。在一些实施例中，最终得到的特征和所设计的特征300可以使用用户界面输出设备(参见图12，参考数字1220)来进行重叠和显示。如上所述，在显影时间函数t(x，y)中使用的加权函数c(z)是根据经验确定并独立于侧面位置(x，y)的。如下文中更详细描述的那样，加权函数c(z)可以使用从所制造的测试特征中获取的数据来确定，而所述测试特征则是通过具有实际显影时间ta。tual的光刻过程形成的。光刻过程的光学模型仿真掩膜上的测试图案，以便计算抗蚀剂中的投射图像强度值I(x，y，z)。然后，测量所制造的测试图案边缘的侧面位置(x，y)，例如通过使用扫描电子显微镜(SEM)来进行测量。由此，所制造的测试图案边缘的这些侧面位置(x，y)具有与在制造测试图案的过程中使用的实际显影时间ta。tud基本匹配的显影时间。因此，通过在显影时间等式t(x，y)中使用位于这些边缘值的侧面位置(x，y)的图像强度值I(x，y，z)，以及通过将显影时间等式设置成与实际显影时间ta。tual相等，可以解出加权函数c(z)。例如，对使用以下等式计算显影时间函数的实施例来说4XJ)=L,、r〃-测试图案边缘的侧面位置(x，y)可以使用SEM来测量。使用如上所述的光学模型可以获取在测试图案边缘的侧面位置(x，y)的所仿真的图像强度值I(x，y，Zi)。由于测试图案边缘的侧面位置(x，y)具有与实际显影时间、tud基本匹配的显影时间，因此，通过在t(x，y)中使用位于这些边缘值的侧面位置(x，y)的图像强度值I(x，y，Zi)，以及将t(x，y)设置成等于、tu^可以得到一组线性等式，可以使用所述线性等式来解出C(Zi)。在图2-图9的示例实施例中，使用了抗蚀剂显影模型来预测抗蚀剂特征的侧面位置，但是本发明并不局限于此。例如，在替换实施例中，这里描述的抗蚀剂模型可以用于预测使用抗蚀剂特征作为蚀刻掩模的底层420中的特征的侧面位置信息(参见图4)。在这类实施例中，加权函数c(z)可以根据经验由光学模型来确定，其中该光学模型仿真投射到抗蚀剂上的测试图案图像，以便提供抗蚀剂中的图像强度值I(x，y，z)。可以使用SEM测量来确定使用抗蚀剂特征作为蚀刻掩模形成的层420中的经过蚀刻的特征的边缘的侧面位置(x，y)。这些边缘的侧面位置(x，y)具有与实际显影时间、t^基本匹配的显影时间。接下来，显影时间函数t(x，y)被设置成等于ta。tual，以便形成一组线性等式，可以通过求解该线性等式来确定加权函数c(z)。在这类实施例中，加权函数c(z)将会引入蚀刻效应以及复杂抗蚀剂行为。测暈结果下表概述了使用这里描述的抗蚀剂模型的测试图案的边缘放置误差(EPE)与使用传统的阈值抗蚀剂模型的测试图案的边缘放置误差(EPE)的比较，并且图IOA和图10B分别示出了传统的阈值抗蚀剂模型和这里描述的抗蚀剂模型的采样点的EPE。EPE是测试图案的预测边缘放置与实际边缘放置之间的差别。1D是沿着相邻线条长边的边缘之间的距离，2D则是相邻线条末端之间的距离。在下表以及图10A-图10B中可以看出，本发明比传统的阈值抗蚀剂模型更为精确。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>图11A-图IID是各种测试图案的扫描电子显微镜(SEM)图像。覆盖测试图案的线条IIOO是实际掩膜，并且灰色阴影区域表示最终得到的显影光致抗蚀剂图案。覆盖测试图案的线条1110是使用传统阈值抗蚀剂模型预测的显影光致抗蚀剂图案，并且覆盖测试图案的线条1120是使用这里描述的方法预测的显影光致抗蚀剂图案。在图11A-图11D的测试图案中可以看出，本发明要比传统的阈值抗蚀剂模型更为精确。应该理解的是，这里描述的方法可以在存储器存储并由通用处理器执行，或在与计算机系统分离分布的其他存储器中存储的软件实施，还可以是一种制品。图12是可以用于实施包括本发明的方面的软件的计算机系统1210的简化框图。虽然这里阐述的流程图描述了步骤序列，但是应该了解，该流程图或算法中的每一个步骤都可以通过促使1210之类的计算机以规定的方式工作来实施。计算机系统1210典型包括经由总线子系统1212而与多个外围设备通信的处理器子系统1214。处理器子系统1214可以包含一个或多个处理器。外围设备可以包括包含了存储器子系统1226和文件存储子系统1228的存储子系统1224，用户接口输入设备1222，用户接口输出设备1220，以及网络接口子系统1216。输入和输出设备允许用户与计算机系统1210进行交互。网络接口子系统1216提供了至外部网络的接口，包括至通信网络1218的接口，并且该子系统经由通信网络1218耦合到其他计算机系统中的相应接口设备。通信网络1218可以包括众多互连的计算机系统和通信链路。这些通信链路可以是有线链路、光学链路、无线链路、或是用于传递信息的任何其他机制。虽然在一个实施例中，通信网络1218是因特网，但是在其他实施例中，通信网络1218可以是任何适当的计算机网络。网络接口的物理硬件组件有时也被称为网络接口卡(NIC)，但是它们没有必要采用卡的形式例如，它们可以采用直接安装在主板上的连接器和集成电路(IC)的形式，或者具有计算机系统的其他组件的单个集成电路上的宏单元的形式。用户接口输入设备1222可以包括键盘，指示设备，例如鼠标、轨迹球、触摸板或绘图板，扫描仪，并入到显示器中的触摸屏，音频输入设备，例如语音识别系统、麦克风，以及其他类型的输入设备。通常，术语"输入设备"的使用旨在包含用于将信息输入计算机系统1210或计算机网络1218上的所有可能的设备类型和方式。用户接口输出设备1220可以包括显示子系统，打印机，传真机，或非视觉显示器，例如音频输出设备。该显示子系统可以包括阴极射线管(CRT)，平板设备，例如液晶显示器(LCD)，投影设备，或用于创建可视图像的某种其他机制。显示子系统还可以提供非视觉显示，例如借助音频输出设备来提供。通常，术语"输出设备"的使用旨在包含用于将信息从计算机系统1210输出到用户、别的机器或计算机系统的所有可能的设备类型和方式。存储子系统1224存储的是基本的编程和数据构造，这些构造提供了本发明的某些实施例的功能。例如，用于实施本发明某些实施例的功能的各种模块可以保存在存储子系统1224中。这些软件模块通常是由处理器子系统1214执行的。存储器子系统1226通常包括多个存储器，包含用于在程序执行过程中存储指令和数据的主随机存取存储器(RAM)1230和存储固定指令的只读存储器(ROM)1232。文件存储子系统1228为程序和数据文件提供了永久性存储，并且可以包括硬盘驱动器、软盘驱动器以及相关联的可移除介质，CD-ROM驱动器，光学驱动器，或是可移除介质盒。用于实施本发明的某些实施例的功能的数据库和模块可以在计算机可读介质，例如一个或多个CD-ROM上提供，并且可以由文件存储子系统1228来保存。其中，主机存储器1226包含了诸如程序代码之类的计算机指令，在由处理器子系统1214执行计算机指令时，该计算机指令将促使计算机系统操作或执行这里描述的功能。在这里使用并被称为在"主机"或"计算机"中运行的处理和软件响应于主机存储器子系统1226中的计算机指令以及数据而在处理器子系统1214上执行，其中所述主机存储器子系统1226包含用于此类指令和数据的任何其他本地或远端存储器。总线子系统1212提供了一种能让计算机系统1210的各种组件和子系统根据需要相互通信的机制。虽然总线子系统1212被示意性地显示成是单个总线，但是总线子系统的替换实施例可以使用多条总线。计算机系统1210自身可以具有不同的类型，包括个人计算机、便携式计算机、工作站、计算机终端、网络计算机、电视、大型机或任何其他数据处理系统或用户设备。由于计算机和网络的特性不断改变，因此，图12中所述的计算机系统1210的描述仅仅是用于示例本发明优选实施例的一个具体例子。计算机系统1210的众多其他配置都是可行的，其中所述配置可以具有比图12所述的计算机系统更多或更少的组件。本发明可以作为方法或是被适配成执行该方法的设备来实现。本发明可以是诸如具有在由计算机执行时执行方法步骤的逻辑的媒体之类的制品。如这里所使用的，如果前导信号、事件或数值影响了指定信号、数据或数值，那么所述指定信号、事件或数值"响应于"前导信号、事件或数值。如果存在中间处理要素、步骤或时段，那么指定信号、事件或数值可以仍旧"响应于"前导信号、事件或数值。如果中间处理要素或步骤组合了一个以上的信号、事件或数值，那么该处理要素或步骤的信号输出被认为"响应于"每一个信号、事件或数值输入。如果指定信号、事件或数值与前导信号、事件或数值是相同的，那么这仅仅是一种简并情况，其中指定信号、事件或数值仍旧被认为"响应于"前导信号、事件或数值。指定信号、事件或数值与别的信号、事件或数值的"依存关系"也是以相似的方式定义的。上文中关于本发明优选实施例的描述是出于示例和描述目的提供的。其不旨在穷举本发明或将本发明局限于所公开的确切形式。很明显，众多的修改和变更对本领域技术人员来说是显而易见的。虽然在这里参考上文中详述的优选实施例和示例描述了本发明，但是应该理解，这些示例是示例性而不是限制性的。计算机辅助处理可以用于实施所描述的实施例。相应地，本发明可以在用于执行特定步骤的方法中，包含了用于执行特定步骤的逻辑和资源的系统中，具有用于执行特定步骤的逻辑的媒体中，具有用于执行特定步骤的逻辑的数据流中，或执行特定步骤的计算机可访问服务中具体化。可以想到的是，本领域技术人员是很容易想到那些落入本发明的实质以及后续权利要求范围内的修改和组合的。权利要求一种用于预测在集成电路布局中表示的并与集成电路制造过程一起使用的特征的侧面位置信息的方法，其中该过程将图像投射到抗蚀剂上，该方法包括提供位于抗蚀剂内部不同深度的图像强度值的侧面分布；以及根据特定抗蚀剂显影时间，并且进一步根据处于抗蚀剂内部一个以上的深度的强度值，预测特征边缘点的侧面位置。2.根据权利要求1的方法，其中该特征是抗蚀剂特征。3.根据权利要求1的方法，其中该特征是位于抗蚀剂下方的层中的特征。4.根据权利要求1的方法，其中预测步骤包括根据位于抗蚀剂内部一个以上深度的多个点的强度值来估计抗蚀剂在多个侧面分布点需要的显影时间；以及预测作为所述多个点中所需要的显影时间与特定抗蚀剂显影时间基本匹配的一个点的边缘点的侧面位置。5.根据权利要求4的方法，其中估计步骤包括根据多个强度值来估计抗蚀剂在多个点中的特定点需要的显影时间，其中所述多个强度值全都位于该特定点的侧面位置以及抗蚀剂内部的一个以上的深度。6.根据权利要求5的方法，其中估计抗蚀剂在特定点需要的显影时间的步骤具有如下描述的结果、，""(z)/(/(w))其中(x，y)是特定点的侧面位置，t(x，y)是在特定点上需要的显影时间，ZT是抗蚀剂在特定点的厚度，f(I(x，y，z))是依赖于位于抗蚀剂内部不同深度(z)的特定点的强度值I(x，y，z)的显影速率函数，以及c(z)是独立于特定点的侧面位置(x，y)的加权函数。7.根据权利要求6的方法，其中显影速率函数f(I(x，y，z))具有如下描述的结果，f(I(x，y，z))=[I(x，y，z)]Y其中y是一个常数。8.根据权利要求5的方法，其中估计抗蚀剂在特定点需要的显影时间的步骤具有如下描述的结果"台c(z,)/(/";^))其中(x，y)是特定点的侧面位置，t(x，y)是在特定点上需要的显影时间，ZT是抗蚀剂在特定点的厚度，f(I(x，y，Zi))是依赖于位于抗蚀剂内部(n+l)个不同深度(Zi)中的每一个深度的特定点的强度值I(x，y，Zi)的显影速率函数，以及c(z)是独立于特定点的侧面位置(x，y)的加权函数。9.根据权利要求8的方法，其中显影速率函数f(I(x，y，Zi))具有如下描述的结果f(I(x，y，Zi))=[I(x，y，Zi)]Y其中y是一个常数。10.根据权利要求1的方法，还包括根据特定抗蚀剂显影时间，并且进一步根据抗蚀剂内部一个以上的深度的强度值，预测一组特征点的相应侧面位置，其中该组特征点包括边缘点。11.根据权利要求10的方法，其中预测一组特征点的相应侧面位置的步骤包括根据位于抗蚀剂内部一个以上深度的多个点处的强度值来预测抗蚀剂在多个侧面分布点需要的显影时间；以及预测作为所述多个点中所需要的显影时间小于或基本匹配于特定的抗蚀剂显影时间的点的该组特征点的相应侧面位置。12.根据权利要求ll的方法，其中估计步骤包括根据多个强度值来估计抗蚀剂在多个点中的特定点需要的显影时间，其中所述多个强度值全都位于该特定点的侧面位置以及抗蚀剂内部的一个以上的深度。13.根据权利要求12的方法，其中估计抗蚀剂在特定点需要的显影时间的步骤具有如下描述的结果oJ柳(/(义j,z))其中(x，y)是特定点的侧面位置，t(x，y)是在特定点上需要的显影时间，ZT是抗蚀剂在特定点的厚度，f(I(x，y，z))是依赖于位于抗蚀剂内部不同深度(z)的特定点的强度值I(x，y，z)的显影速率函数，以及c(z)是独立于特定点的侧面位置(x，y)的加权函数。14.根据权利要求13的方法，其中显影速率函数f(I(x，y，z))具有如下描述的结果f(I(x，y，z))=[I(x，y，z)]Y其中y是一个常数。15.根据权利要求12的方法，其中估计抗蚀剂在特定点需要的显影时间的步骤具有如下描述的结果、，"台c(z,)/(/(x,w》其中(x，y)是特定点的侧面位置，t(x，y)是在特定点上需要的显影时间，ZT是抗蚀剂在特定点的厚度，f(I(x，y，Zi))是依赖于位于抗蚀剂内部(n+l)个不同深度(Zi)中的每一个深度的特定点的强度值I(x，y，Zi)的显影速率函数，以及c(z)是独立于特定点的侧面位置(x，y)的加权函数。16.根据权利要求15的方法，其中显影速率函数f(I(x，y，Zi))具有如下描述的结果f(I(x，y，Zi))=[I(x，y，Zi)]Y其中y是一个常数。17.根据权利要求1的方法，还包括根据特定抗蚀剂显影时间，并且进一步根据位于抗蚀剂内部一个以上的深度的强度值，预测沿着特征边缘的一组点的相应侧面位置，其中沿着特征边缘的该组点包括边缘点。18.根据权利要求1的方法，还包括根据所预测的特征边缘点的侧面位置来调整在掩膜布局中表示的设计特征。19.一种用于预测在集成电路布局中表示的并与集成电路制造过程一起使用的特征的侧面位置信息的系统，其中该过程将图像投射到抗蚀剂上，该系统包括数据处理器；存储子系统；以及程序代码，其中在被数据处理器执行时，该程序代码执行以下步骤提供处于抗蚀剂内部不同深度的图像强度值的侧面分布；以及根据特定抗蚀剂的显影时间，并且进一步根据处于抗蚀剂内部一个以上深度的强度值，预测特征边缘点的侧面位置。20.根据权利要求19的系统，其中该特征是抗蚀剂特征。21.根据权利要求19的系统，其中该特征是位于抗蚀剂下方的层中的特征。22.根据权利要求19的系统，其中预测步骤包括根据位于抗蚀剂内部一个以上深度的多个点的强度值来估计抗蚀剂在多个侧面分布点需要的显影时间；以及预测作为所述多个点中所需要的显影时间与特定抗蚀剂显影时间基本匹配的一个点的边缘点的侧面位置。23.根据权利要求22的系统，其中估计步骤包括根据多个强度值来估计抗蚀剂在多个点中的特定点需要的显影时间，其中所述多个强度值全都位于该特定点的侧面位置以及抗蚀剂内部的一个以上的深度。24.根据权利要求23的系统，其中估计抗蚀剂在特定点需要的显影时间的步骤具有如下描述的结果<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>其中(x，y)是特定点的侧面位置，t(x，y)是在特定点上需要的显影时间，ZT是抗蚀剂在特定点的厚度，f(I(x，y，z))是依赖于位于抗蚀剂内部不同深度(z)的特定点的强度值I(x，y，z)的显影速率函数，以及c(z)是独立于特定点的侧面位置(x，y)的加权函数。25.根据权利要求24的系统，其中显影速率函数f(I(x，y，z))具有如下描述的结果f(I(x，y，z))=[I(x，y，z)]Y其中y是一个常数。26.根据权利要求23的系统，其中估计抗蚀剂在特定点需要的显影时间的步骤具有如下描述的结果<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>其中(x，y)是特定点的侧面位置，t(x，y)是在特定点上需要的显影时间，ZT是抗蚀剂在特定点的厚度，f(I(x，y，Zi))是依赖于位于抗蚀剂内部(n+l)个不同深度(Zi)中的每一个深度的特定点的强度值I(x，y，Zi)的显影速率函数，以及c(z)是独立于特定点的侧面位置(x，y)的加权函数。27.根据权利要求26的系统，其中显影速率函数f(I(x，y，Zi))具有如下描述的结果f(I(x，y，Zi))=[I(x，y，Zi)]Y其中y是一个常数。28.根据权利要求19的系统，其中在由数据处理器执行时，该程序代码还执行以下步骤根据特定抗蚀剂显影时间，并且进一步根据抗蚀剂内部一个以上的深度的强度值，预测一组特征点的相应侧面位置，其中该组特征点包括边缘点。29.根据权利要求28的系统，其中预测一组特征点的相应侧面位置的步骤包括根据位于抗蚀剂内部一个以上深度的多个点处的强度值来预测抗蚀剂在多个侧面分布点需要的显影时间；以及预测作为所述多个点中所需要的显影时间小于或基本匹配于特定的抗蚀剂显影时间的点的该组特征点的相应侧面位置。30.根据权利要求29的系统，其中估计步骤包括根据多个强度值来估计抗蚀剂在多个点中的特定点需要的显影时间，其中所述多个强度值全都位于该特定点的侧面位置以及抗蚀剂内部的一个以上的深度。31.根据权利要求30的系统，其中估计抗蚀剂在特定点需要的显影时间的步骤具有如下描述的结果<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>其中(x，y)是特定点的侧面位置，t(x，y)是在特定点上需要的显影时间，ZT是抗蚀剂在特定点的厚度，f(I(x，y，z))是依赖于位于抗蚀剂内部不同深度(z)的特定点的强度值I(x，y，z)的显影速率函数，以及c(z)是独立于特定点的侧面位置(x，y)的加权函数。32.根据权利要求31的系统，其中显影速率函数f(I(x，y，z))具有如下描述的结果<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>其中y是一个常数。33.根据权利要求30的系统，其中估计抗蚀剂在特定点需要的显影时间的步骤具有如下描述的结果<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>其中(x，y)是特定点的侧面位置，t(x，y)是在特定点上需要的显影时间，ZT是抗蚀剂在特定点的厚度，f(I(x，y，Zi))是依赖于位于抗蚀剂内部(n+l)个不同深度(Zi)中的每一个深度的特定点的强度值I(x，y，Zi)的显影速率函数，以及c(z)是独立于特定点的侧面位置(x，y)的加权函数。34.根据权利要求33的系统，其中显影速率函数f(I(x，y，Zi))具有如下描述的结果<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>其中y是一个常数。35.根据权利要求19的系统，其中在由数据处理器执行时，该程序代码还执行以下步骤根据特定抗蚀剂显影时间，并且进一步根据位于抗蚀剂内部一个以上的深度的强度值，预测沿着特征边缘的一组点的相应侧面位置，其中沿着特征边缘的该组点包括边缘点。36.根据权利要求19的系统，其中在由数据处理器执行时，该程序代码还执行以下步骤根据所预测的特征边缘点的侧面位置来调整在掩膜布局中表示的设计特征。全文摘要在这里公开的是一种用于预测在集成电路布局中表示的并与集成电路制造过程一起使用的特征的侧面位置信息的方法，其中该过程将图像投射到抗蚀剂上。该方法包括提供位于抗蚀剂内部不同深度的图像强度值的侧面分布。接下来，根据特定抗蚀剂显影时间，并且进一步根据处于抗蚀剂内部一个以上的深度的图像强度，预测特征边缘点的侧面位置。文档编号H01L21/02GK101796522SQ200980000205公开日2010年8月4日申请日期2009年7月31日优先权日2008年8月28日发明者B·J·法尔驰,章巧林,范永发申请人:新思科技有限公司