专利名称：绝缘膜材料、使用该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜的制作方法
技术领域：
本发明是涉及形成对半导体装置的层间绝缘膜等有用的绝缘膜时所使用的绝缘 膜材料和使用该绝缘膜材料的成膜方法以及绝缘膜。根据本发明，能够得到低介电常数、且 具有铜扩散阻挡性的绝缘膜。本申请基于2008年1月23日在日本申请的日本特愿2008-013105号主张优先权， 将其内容合并于此。
背景技术：
伴随着半导体装置的高集成化，配线层正不断地被微细化。但是，在微细的配线层 中，配线层的信号延迟的影响变大，妨碍了信号传送速度的高速化。该信号延迟由于与配线层的电阻和配线层间容量成比例，为了实现高速化，配线 层的低电阻化和配线层间容量的降低是必须的。因此，最近作为构成配线层的材料，由以往的铝使用电阻率低的铜，进一步为了减 少配线层间容量，使用相对介电常数低的层间绝缘膜。例如，尽管SiO2膜具有4. 1、SiOF膜具有3.7的相对介电常数，然而，正在使用相 对介电常数更低的SiOCH膜或者有机膜。这样层间绝缘膜的相对介电常数逐渐变小，用于下一代的相对介电常数为2. 4以 下的低介电常数层间绝缘膜的研究开发正在进行，现在，有报道相对介电常数低于2.0的 层间绝缘膜。另外，将铜用于配线层的多层配线结构中，为了防止铜扩散到绝缘膜中，将铜扩散 阻挡性绝缘膜插入到铜配线层和绝缘膜的边界中。对于该铜扩散阻挡性绝缘膜，虽然使用具有优异的铜扩散阻挡性的氮化硅或者 SiCN等构成的绝缘膜，但是相对介电常数高至4 7，这使构成多层配线结构的绝缘膜整体 的实际有效的相对介电常数变高。例如，在层压相对介电常数为2. 5左右的层间绝缘膜和相对介电常数为4左右的 铜扩散阻挡性绝缘膜的多层配线结构中，实际有效的相对介电常数为3左右。即，为了降低实际有效的相对介电常数，需要铜扩散阻挡性绝缘膜的低介电常数 化，为此的研究开发正在进行。到目前为止，有关于使用了具有π电子键的有机硅烷系材料的硅和碳为主要成 分的铜扩散阻挡性绝缘膜的报道(参照专利文献1)。专利文献1 日本特开2005-45058号公报然而，在上述的现有发明中公开的铜扩散阻挡性绝缘膜的相对介电常数高至3. 9， 而且与以往的SiCN构成的铜扩散阻挡性绝缘膜相比，有铜扩散阻挡性绝缘膜不能称为优 异的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于，得到具有铜扩散阻挡性、并且具有极低的相对介电 常数的绝缘膜。为了解决所述问题，本发明采用了以下构成。[1] 一种绝缘膜材料，用于等离子体化学气相沉积(CVD)，以下述化学式(1)表示，
R1
(CH2)n Si…0)
\ 2 R2在化学式(1)中，η是3 6的整数，R1和R2分别独立地为C2H, C2H3、C3H3、C3H5, C3H7, C4H5, C4H7, C4H9, C5H7, C5H9 和 C5H11 中的任意一种。[2] 一种成膜方法，使用上述[1]中所述的绝缘膜材料，通过等离子体化学气相沉 积法形成绝缘膜。[3]根据上述[2]所述的成膜方法，在成膜时，不伴随有载气。[4] 一种绝缘膜，用上述[2]或者[3]所述的成膜方法得到。根据本发明，将上述化学式(1)表示的硅化合物作为绝缘膜材料，通过等离子体 CVD法成膜的绝缘膜，其介电常数低而且铜扩散阻挡性高。
图1是表示用于本发明的成膜方法的成膜装置的一例的简要构成图。图2是表示本发明的铜扩散阻挡性的评价方法的曲线图。图3是表示本发明的铜扩散阻挡性的评价方法的曲线图。图4是表示实施例1的铜扩散阻挡性的评价方法的曲线图。图5是表示实施例2的铜扩散阻挡性评价结果的曲线图。图6是表示比较例1的铜扩散阻挡性评价结果的曲线图。图7是表示比较例2的铜扩散阻挡性评价结果的曲线图。符号说明1..室，2..排气管，3..开闭阀，4..排气泵，5..上部电极，6..下部电极，7..高频
电源，8..基板，9..加热器，10..气体供给管道。
具体实施例方式以下对本发明进行详细说明。本发明的等离子体CVD用绝缘膜材料是上述化学式(1)表示的硅化合物，都是公 知化合物，可以通过公知的合成方法得到。将该化学式(1)表示的化合物用作铜扩散阻挡 性绝缘膜材料是目前并不知道的。该硅化合物是3 6个-CH2-基相互结合，形成三元环至六元环的环状结构，环的 两端部的碳与硅原子键合，在该环状结构内，不含有双键的化合物。关于取代基R1、R2，在一个分子内，既可以是相同的取代基也可以是相互不同的取代基。另外，对于上述化学式(1)表示的硅化合物，从所形成的绝缘膜的介电常数低、有 无铜扩散阻挡性、机械强度方面考虑，优选将取代基R1的碳原子数设定为X，取代基R2的碳 原子数设定为Y时，满足η = Χ+Υ(η为化学式⑴的CH2的结合数)的关系。另外，优选取 代基R1和R2是相同的取代基。作为化学式(1)表示的化合物的具体化合物，优选1，1_ 二乙烯基-1-硅杂环戊 烷、1，1- 二烯丙基-1-硅杂环戊烷。作为除此以外使用的硅化合物的例子，可以举出1，1_ 二乙炔基-1-硅杂环丁 烷、1，I" 二乙烯基-1-硅杂环丁烷、1，I" 二 -1-丙炔基-1-硅杂环丁烷、1，I" 二 -2-丙炔 基-1-硅杂环丁烷、1，1-二丙烯基-1-硅杂环丁烷、1，1-二烯丙基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 丙基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二异丙基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 -1- 丁炔基-1-硅杂环丁烷、 1，1- 二 -2- 丁炔基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 -3- 丁炔基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 -1- 丁烯 基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 -2- 丁烯基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 -3- 丁烯基-1-硅杂环丁 烷、1，1- 二环丁基-1-硅杂环丁烷、1，1-二丁基-1-硅杂环丁烷、1，1-二仲丁基-1-硅杂环 丁烷、1，1-二叔丁基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 -1-戊炔基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 -2-戊炔 基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 -3-戊炔基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 -1-戊烯基-1-硅杂环丁 烷、1，1- 二 -2-戊烯基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 -3-戊烯基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二 -4-戊 烯基-ι-硅杂环丁烷、1，1-二环戊基-ι-硅杂环丁烷、1，1-二戊基-1-硅杂环丁烷、1， 1- 二叔戊基-1-硅杂环丁烷、1，1- 二乙炔基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二乙烯基-1-硅杂环戊 烷、1，1- 二 -1-丙炔基-1-硅杂环戊烷、1，I" 二 -2-丙炔基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二丙烯 基-1-硅杂环戊烷、1，1-二烯丙基-1-硅杂环戊烷、1，1-二丙基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二异 丙基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二 -1- 丁炔基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二 -2- 丁炔基-1-硅杂环戊 烷、1，1- 二 -3- 丁炔基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二 -1- 丁烯基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二 -2- 丁 烯基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二 -3- 丁烯基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二环丁基-1-硅杂环戊烷、 1，1- 二丁基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二仲丁基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二叔丁基-1-硅杂环戊 烷、1，1- 二 -1-戊炔基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二 -2-戊炔基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二 -3-戊 炔基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二 -1-戊烯基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二 -2-戊烯基-1-硅杂环 戊烷、1，1- 二 -3-戊烯基-1-硅杂环戊烷、1，1- 二 -4-戊烯基-1-硅杂环戊烷、1，1-二环戊 基-1-硅杂环戊烷、1，1-二戊基-1-硅杂环戊烷、1，1-二叔戊基-1-硅杂环戊烷、1，ι- 二乙 炔基-1-硅杂环己烷、1，1- 二乙烯基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 -1-丙炔基-1-硅杂环己烷、 1，1- 二 -2-丙炔基-1-硅杂环己烷、1，1- 二丙烯基-1-硅杂环己烷、1，I" 二烯丙基-1-硅 杂环己烷、1，1- 二丙基-1-硅杂环己烷、1，1- 二异丙基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 -1- 丁炔 基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 -2- 丁炔基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 -3- 丁炔基-1-硅杂环己 烷、1，1- 二 -1- 丁烯基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 -2- 丁烯基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 -3- 丁 烯基-1-硅杂环己烷、1，I" 二环丁基-1-硅杂环己烷、1，1-二丁基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 仲丁基-1-硅杂环己烷、1，1- 二叔丁基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 -1-戊炔基-1-硅杂环己 烷、1，1- 二 -2-戊炔基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 -3-戊炔基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 -1-戊 烯基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 -2-戊烯基-1-硅杂环己烷、1，1- 二 -3-戊烯基-1-硅杂环己 烷、1，1- 二 -4-戊烯基-1-硅杂环己烷、1，1-二环戊基-1-硅杂环己烷、1，1- 二戊基-1-硅
5杂环己烷、1，1- 二叔戊基-1-硅杂环己烷、1，ι- 二乙炔基-1-硅杂环庚烷、1，ι- 二乙烯 基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -1-丙炔基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -2-丙炔基-1-硅杂环庚 烷、1，1- 二丙烯基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二烯丙基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二丙基-1-硅杂 环庚烷、1，1- 二异丙基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -1- 丁炔基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -2- 丁炔 基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -3- 丁炔基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -1- 丁烯基-1-硅杂环庚烷、1， 1- 二 -2- 丁烯基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -3- 丁烯基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二环丁基-1-硅杂 环庚烷、1，1- 二丁基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二仲丁基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二叔丁基-1-硅杂环 庚烷、1，1- 二 -1-戊炔基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -2-戊炔基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -3-戊炔 基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -1-戊烯基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -2-戊烯基-1-硅杂环庚烷、1， 1- 二 -3-戊烯基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二 -4-戊烯基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二环戊基-1-硅杂 环庚烷、1，1- 二戊基-1-硅杂环庚烷、1，1- 二叔戊基-1-硅杂环庚烷等。接下来，说明本发明的成膜方法。本发明的成膜方法基本上是使用上述的化学式(1)表示的绝缘膜材料，通过等离 子体CVD法进行成膜的方法。该情况下，可以使用化学式(1)表示的硅化合物的一种或者 混合两种以上来使用。混合一种以上的绝缘膜材料使用时的混合比率没有特别的限定，可以考虑得到的 绝缘膜的相对介电常数、铜扩散阻挡性等而决定。另外，在成膜时，可以向含有上述化学式(1)表示的硅化合物的绝缘膜材料添加 载气进行成膜，但是，为了改善铜扩散阻挡性，优选将该绝缘膜材料单独成膜。该载气，除了不含氧的气体，例如氦、氩、氪、氙等稀有气体以外，可以举出氮，氢， 甲烷、乙烷等烃等，没有特别的限定。对于载气可以混合两种以上来使用，包括绝缘膜材料 在内其混合比例没有特别的限定。因此，送入到成膜装置的室内而用于成膜的成膜用气体，有可能成为除了含有绝 缘膜材料的气体以外混入了载气的混合气体。绝缘膜材料以及载气如果在常温下为气态则直接使用，如果是液态则通过使用氦 等惰性气体的鼓泡而进行的气化、通过气化器进行的气化、或者通过加热进行的气化使其 成为气体之后使用。作为等离子体CVD法，可以使用公知的方法，例如使用如图1所示的平行平板型的 等离子体成膜装置等进行成膜。图1所示的等离子体成膜装置，具备有可以减压的室1，该室1通过排气管2、开闭 阀3，与排气泵4连接。另外，室1具备有压力计(未图示)，可以测定室1内的压力。在室 1内，设有相对向的一对平板状的上部电极5和下部电极6。上部电极5与高频电源7连接， 可以向上部电极5施加高频电流。下部电极6兼做放置基板8的放置台，在其内部内装有加热器9，可以加热基板8。另外，气体供给管道10与上部电极5连接，该气体供给管道10与成膜用气体供给 源(未图示)相连接，从该成膜用气体供给装置供给成膜用的气体，该气体穿过在上部电极 5内形成的多个贯通孔，向下部电极6扩散的同时流出。另外，在上述成膜用气体供给源具备有将上述的绝缘膜材料气化的气化装置和调 整其流量的流量调节阀的同时，还设有供给载气的供给装置，这些气体也流过气体供给管
6道10，从上部电极5向室1内流出。在等离子体成膜装置的室1内的下部电极6上放置基板8，从成膜用气体供给源向 室1内送入上述成膜用气体。从高频电源7向上部电极5施加高频电流，使室1内产生等 离子体。由此，在基板8上形成由上述成膜用气体通过气相化学反应生成的绝缘膜。基板8使用主要由硅晶片构成的基板，在该硅晶片上可以存在预先形成的其他的 绝缘膜、导电膜、配线结构等。作为等离子体CVD法，除了平行平板型以外，可以使用ICP等离子体、ECR等离子 体、磁控管等离子体、高频等离子体、微波等离子体、电容耦合等离子体、电感耦合等离子体 等，也可以使用在平行平板型装置的下部电极也导入高频的双频激发等离子体。该等离子体成膜装置的成膜条件优选以下的范围，但是不限于此。绝缘膜材料流量25 IOOcc/分(两种以上的情况下为合计量)载气流量0 50cc/分压力lPa 1330PaRF 功率50 500W，优选 50 250W基板温度400°C以下反应时间1秒 1800秒成膜厚度IOOnm 200nm接下来，对本发明的绝缘膜进行说明。本发明的绝缘膜是使用上述的等离子体CVD用绝缘膜材料或者上述的等离子体 CVD用绝缘膜材料与载气，由等离子体成膜装置通过等离子体CVD反应成膜的绝缘膜，其相 对介电常数为2. 9 3. 5，铜扩散阻挡性高。另外，该绝缘膜不含氧，由硅、氢、碳构成。对于由本发明的绝缘膜形成方法得到的绝缘膜具有优异的铜扩散阻挡性且具有 低相对介电常数的理由，进行如下推测。S卩，关于与构成本发明的绝缘膜材料的硅化合物的硅键合的环状结构，C-C部分的 键能最低，被等离子体切断键合而开环。开环的CH2的环状结构与其他开环的CH2的环状结构结合的同时在基板上堆积。 换一句话说，生成Si-CH2-CH2-Si等的CH2网络结构，通过该网络结构，形成致密的、具有低 相对介电常数的绝缘膜。另外，因为绝缘膜材料中不含有氧，所以在等离子体气氛中形成绝缘膜时，不会氧 化构成导电膜的铜，形成了不易产生对铜的扩散性产生很大影响的铜离子的绝缘膜。由上所述，认为本发明的绝缘膜成为具有低相对介电常数并且具有铜扩散阻挡性 的绝缘膜。实施例以下通过实施例和比较例进一步对本发明进行详细说明。但是，本发明不受以下实施例的任何限定。(实施例1)不使用载气的绝缘膜的形成在形成绝缘膜时，使用了平行平板型的电容耦合等离子体CVD装置。在预先加 热到350°C左右的基座(寸七夕一)上，运送8英寸(直径200mm)或者12英寸(直径 300mm)的硅晶片，作为绝缘膜材料气体使1，1_ 二乙烯基硅杂环戊烷以15CC/min的体
7积流量流通，将等离子体产生用高频电源装置的输出设定为180W来形成绝缘膜。此时的上 述等离子体CVD装置的室内压力为80Pa。为了测定得到的绝缘膜的相对介电常数，将上述硅晶片运送到SSM社制CV测定装 置495上，用汞电极测定了绝缘膜的相对介电常数。测定结果表示在表1。在评价得到的绝缘膜的铜扩散阻挡性上，采用了比较在铜电极(以下，Cu电极)和 铝电极(以下，Al电极)下的电流-电压(I-V)特性的差异的方法。这是利用了通过在将绝缘膜加热到100°C 300°C程度的状态下施加电场，加速 铜向绝缘膜中的扩散的偏压温度应力(Biased Temperature Stress)试验法。例如，将不具有铜扩散阻挡性的绝缘膜作为被试验膜时，在Cu电极和Al电极产生 I-V特性差异。该差异是通过施加电场，在Cu电极中促进铜离子向绝缘膜中的热扩散并发 生铜离子迁移而漏电流变大，在Al电极中由于不发生热扩散，漏电流不变大而产生。因此， 通过比较在Cu电极和Al电极下的I-V特性，可以评价绝缘膜的铜扩散阻挡性。图2是表示由Cu电极和Al电极得到的I-V特性曲线图，是铜扩散阻挡性高的特 性。即，在该例中，由Cu电极和Al电极得到的I-V特性几乎相同。图3是表示铜扩散阻挡性低的特性的曲线图。在该例中，由Cu电极和Al电极得 到的I-V特性呈现大的差异，由Cu电极得到的I-V特性的电流值比由Al电极得到的I-V 特性的电流值大2个数量级(桁)以上。这样，由Cu电极和Al电极得到的I-V特性几乎相同的情况下，可以判断铜扩散阻 挡性高，由Cu电极得到的I-V特性的电流值与由Al电极得到的I-V特性的电流值的差高 出1个数量级以上的情况下，可以判断铜扩散阻挡性低。关于该试验方法，可以参考以下文献。Alvin L. S. Loke et al.，IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 46， NO. 11,2178-2187(1999)以下，示出绝缘膜的铜扩散阻挡性的具体的评价顺序。首先，制作2个切割成30mm2左右的被测定样品，加上掩模，通过真空蒸镀一方面 形成直径约为Imm的Cu电极、另一方面形成直径约为Imm的Al电极。然后，将形成了 Cu电极的被测定样品设置到真空探测装置，在使该装置内呈 0. 133Pa以下的真空气氛状态下，用上述CV测定装置测定了 I-V特性。然后，压力达到约 93kPa左右为止，向上述真空探测装置内填充氮的同时，将操作台(卞)温度加热到 140°C或者20(TC之后，用上述CV测定装置测定了 I-V特性。将以上的形成了 Cu电极的被测定样品的I-V特性的测定，同样地实施在形成了 Al 电极的被测定样品上，通过Cu电极和Al电极的I-V特性的差异，评价了形成的绝缘膜的铜 扩散阻挡性。结果表示在图4。此外，对膜后的测定，使用了 7 了"■，#社制造的椭圆偏振光谱装置。测定结果 表示在表1。(实施例2)使用了载气的绝缘膜的形成在形成绝缘膜时使用的装置和方法与实施例1几乎相同，但是作为材料气体使 1-1- 二乙烯基-1-硅杂环戊烷以17cc/min的体积流量流通，作为载气使氦以40CC/min伴 随着流通，将等离子体产生用高频电源装置的输出设定为150W来形成了绝缘膜。此时的上述等离子体CVD装置的室内压力为133Pa。将得到的绝缘膜的相对介电常数、铜扩散阻挡性、膜厚与实施例1同样地进行了 评价。测定结果表示在表1。铜扩散阻挡性的评价结果表示在图5。(比较例1)由不含有CH2构成的环状结构的材料气体形成的绝缘膜在形成绝缘膜时使用的装置和方法与实施例1几乎相同，但是作为材料气体使四 乙烯基硅烷以30CC/min的体积流量流通，作为载气使氦以30CC/min的体积流量伴随着流 通，将等离子体产生用高频电源装置的输出设定为100W来形成了绝缘膜。此时的上述等离 子体CVD装置的室内压力为798Pa。将得到的绝缘膜的相对介电常数、铜扩散阻挡性、膜厚与实施例1同样地进行了 评价。测定结果表示在表1。铜扩散阻挡性的评价结果表示在图6。(比较例2)由不含有CH2构成的环状结构的材料气体形成的绝缘膜在形成绝缘膜时使用的装置和方法与实施例1几乎相同，但是作为材料气体使二 烯丙基二乙烯基硅烷以30CC/min的体积流量流通，作为载气使氦以30CC/min的体积流量 伴随着流通，将等离子体产生用高频电源装置的输出设定为100W来形成了绝缘膜。此时的 上述等离子体CVD装置的室内压力为133Pa。将得到的绝缘膜的相对介电常数、铜扩散阻挡性、膜厚与实施例1同样地进行了 评价。测定结果表示在表1。铜扩散阻挡性的评价结果表示在图7。[表 1] 由表1表示的结果和图4至图7表示的曲线可知，在实施例1形成的绝缘膜的相 对介电常数为3. 08且具有铜扩散阻挡性，在实施例2形成的绝缘膜的相对介电常数为3. 38 且具有铜扩散阻挡性。与此相对地，可知在比较例1形成的绝缘膜的相对介电常数为2. 87， 不具有铜扩散阻挡性，在比较例2形成的绝缘膜的相对介电常数为2. 72，不具有铜扩散阻 挡性。这样，使用含有由上述化学式(1)表示的硅化合物的绝缘膜材料，通过等离子体 CVD法形成绝缘膜，可以形成具有铜扩散阻挡性并且相对介电常数低的绝缘膜。另外，通过 不使用氦等载气来成膜，可以形成适用于下一代用途的具有更低的相对介电常数的铜扩散 阻挡性绝缘膜。产业上的利用可能性本发明可以适用于使用下一代所要求的高集成化的LSI配线的半导体装置。
权利要求
一种绝缘膜材料，用于等离子体化学气相沉积(CVD)，以下述化学式(1)表示，在化学式(1)中，n是3～6的整数，R1和R2分别独立地为C2H、C2H3、C3H3、C3H5、C3H7、C4H5、C4H7、C4H9、C5H7、C5H9和C5H11中的任意一种。FPA00001185044000011.tif
2.一种成膜方法，使用权利要求1所述的绝缘膜材料，通过等离子体化学气相沉积法 形成绝缘膜。
3.根据权利要求2所述的成膜方法，在成膜时，不伴随有载气。
4.一种绝缘膜，用权利要求2或者3所述的成膜方法得到。
全文摘要
本发明提供了以下述化学式(1)表示的等离子体CVD用绝缘膜材料，使用了该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜。根据本发明可以得到对半导体装置的层间绝缘膜等有用的、相对介电常数低且铜扩散阻挡性高的绝缘膜。在下述化学式(1)中，n是3～6的整数，R1和R2分别独立地为C2H、C2H3、C3H3、C3H5、C3H7、C4H5、C4H7、C4H9、C5H7、C5H9和C5H11中的任意一种。
文档编号H01L21/312GK101925690SQ20098010271
公开日2010年12月22日 申请日期2009年1月20日 优先权日2008年1月23日
发明者井上实, 大野隆央, 宫泽和浩, 田岛畅夫, 神力学, 稻石美明, 羽坂智, 迫田薰 申请人:独立行政法人物质·材料研究机构;大阳日酸株式会社