专利名称：高分子化合物以及使用其的有机晶体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及高分子化合物以及使用其的有机晶体管。
背景技术：
作为在有机晶体管中使用的材料，已经研究了各种高分子化合物，作为其例子，已 知有含有下述芴二基以及下述三苯胺残基作为重复单元的高分子化合物(参照国际公开 第02/45184号手册)。
权利要求
1.种高分子化合物，其含有由式(1)表示的重复单元，
2.如权利要求1所述的高分子化合物，其中，由式(1)表示的重复单元为由式(II)表 示重复单元，
3.如权利要求1或2所述的高分子化合物，其中，R1以及R2为氢原子。
4.如权利要求1 3中任一项所述的高分子化合物，其中，X1为硫原子。
5.如权利要求1 4中任一项所述的高分子化合物，其中，含有30 100摩尔％由式 (1)表示的重复单元。
6.如权利要求1 4中任一项所述的高分子化合物，其中，还含有式(III)表示的重复 单元。-(Ar1) - (III)式中，Ar1表示亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺残基。
7.如权利要求5所述的高分子化合物，其中，Ar1表示的亚芳基为由式(IV)表示的基
8.如权利要求1 7中任一项所述的高分子化合物，其中，聚苯乙烯换算的重均分子量为 IXlO3 IXlO8O
9.由式(V)表示的化合物，
10.由式(M-l-3a)表示的化合物的制造方法，其中，包括第1工序，其中，使由式(M-I-Ia)表示的化合物与由式(M-I-Ib)表示的化合物反应， 制造由式(M-l-2a)表示的化合物；和第2工序，使由式(M-l-2a)表示的化合物发生脱水反应，制造由式(M-l-3a)表示的化 合物，
11.一种组合物，其中，含有权利要求1 8中任一项所述的高分子化合物。
12.—种薄膜，其中，含有权利要求1 8中任一项所述的高分子化合物。
13.一种高分子发光元件，其中，具有阳极、阴极以及在该阳极与该阴极之间设置的 含有权利要求1 8中任一项所述的高分子化合物的有机层。
14.如权利要求12所述高分子发光元件，其中，有机层为发光层。
15.一种有机晶体管，其中，具有源电极、漏电极、栅电极和含有权利要求1 8中任 一项所述的高分子化合物的有机层。
16.一种光电变换元件，其中，具有阳极、阴极、和在该阳极与该阴极之间设置的含有 权利要求1 8中任一项所述的高分子化合物的有机层。
17.一种薄膜，其中，含有权利要求9所述的化合物。
18.一种发光元件，其中，具有阳极、阴极以及在该阳极与该阴极之间设置的含有权 利要求9所述的化合物的有机层。
全文摘要
一种高分子化合物，其含有由式(I)表示的重复单元，式中，X1表示氧原子、硫原子或-N(RN)-，R1、R2和RN表示氢原子、卤原子、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基等。
文档编号H01L51/42GK102056958SQ200980120699
公开日2011年5月11日 申请日期2009年5月28日 优先权日2008年6月5日
发明者后藤修, 森胁章太, 高须贺智子 申请人:住友化学株式会社, 萨美甚株式会社