专利名称：具有包含合成物材料的制模化合物的电子装置的制作方法
技术领域：
一般而言，本发明是关于电子装置及用于电子装置的制模化合物。
背景技术：
半导体芯片及集成电路晶粒通常是封装在制模化合物中，以产生封装的集成电路。该封装的集成电路可耦接至印刷电路板，并键接至系统的其它组件。制造者通常测试印刷电路板，以确保封装的集成电路及其它组件已适当地放置于该板上。
发明内容
本发明提供一种具有包含合成物材料的制模化合物的电子装置。依据第一态样，电子装置包含封装的集成电路，该封装的集成电路包含集成电路晶粒，其具有主要表面；以及，制模化合物，其在该集成电路晶粒的该主要表面上，其中，该封装的集成电路包含相对于该制模化合物，至少大约5重量百分比(5wt% )锌。依据第二态样，电子装置包含封装的集成电路，该封装的集成电路包含集成电路晶粒，其具有主要表面；以及，材料，其在该集成电路的主要表面上，该材料具有大约1000 至10，OOOcmVg的X-光质量吸收系数。依据第三态样，电子装置包含封装的集成电路，该封装的集成电路包含集成电路晶粒，其具有主要表面；以及，制模化合物，其在该集成电路晶粒的该主要表面上，其中，该制模化合物包含合成物材料，用来吸收通过不小于大约10雷得的吸收剂量所特征化的软 χ-光辐射。依据该第三态样的实施例，该软χ-光辐射包含辐射，该辐射具有从大约1奈米至大约10奈米的波长。依据第四态样，电子装置包含封装的集成电路，该封装的集成电路包含集成电路晶粒，其具有主要表面及复数个内存单元；制模化合物，其在该集成电路晶粒的该主要表面上；以及，其中，在该电子装置暴露至通过在50KeV下、大约200雷得的吸收剂量所特征化的 X-光辐射后，该集成电路包含不超过大约IOOOppm的内存单元，其Vt已经被不小于该电子装置的读取余裕的安置器所改变。
将了解到，为了简化及清楚例示起见，图式中所例示的组件并没有依据比例绘示。 举例来说，一些该组件的尺寸、角度及变曲度，相对于其它组件，是夸张地例示。并入有本发明的教示的实施例是相对于本文所呈现的图式，来加以显示及描述，其中图1至图4为例示包含制模化合物的电子装置的特别实施例的图式；以及图5为电子装置暴露于辐射前、或暴露于辐射后，该电子装置的阈值电压分布图。在不同的图式中使用相同的参考符号代表类似或相同的项目。
具体实施方式
本发明的多种创新教示将特别参考目前的较佳示范实施例来加以描述。然而，应了解到，此等级的实施例仅提供本文的该创新教示的许多有利用途的一些范例。一般而言， 在本发明的说明书中所作成的陈述并没有必要限制任何所请求的发明。再者，一些陈述可能适用于一些发明特征、但却不适用于其它的发明特征。如本文中所使用的，”包含”、“包括”、“具有”等用语或任何其它的变化用语，是用来涵盖非排除的包含。举例来说，包含一系列特征的制程、方法、物品、或装置，并没有必要仅限制于那些特征、而是可包含其它没有明白列在或隐含在这种制程、方法、物品、或装置中的特征。此外，除非有明白地相反说明，否则，“或”是指包含的或、而非排除的或。举例来说，条件A或B是满足于A是真(或存在)且B是假(或非存在)、A是假(或不存在) 且B是真(或存在)、及A与B均为真(或存在)。并且，所使用的“一”是用来描述本文所描述的组件及组件。这样做只是为了方便起见，并且赋予本发明一般常识的范围。此描述应解读为包含一个或至少一个，并且，该单数用法也包含复数，反之亦然，除非在本文中有明确地表示相反的意思。举例来说，当本文所描述的是单一装置时，则超过一个装置可用来代替单一装置。类似地，在本文所描述的超过一个装置的地方，单一装置可被那一个装置所替换。除非有相反的定义，否则本文所使用的所有技术及科学术语，均与本发明所属的技术领域中具有通常知识者所共同了解的，具有相同的意义。虽然类似或等效于本文所揭露的那些方法及材料的其它方法及材料，可用来实施或测试本发明的实施例，然而，适当的方法及材料将在下文中有所描述。此外，该等材料、方法及范围仅作为例示之用，而非用来限制本发明。闪存及其它封装的集成电路装置可耦接至用于计算系统及其它系统中的印刷电路板。制造者可使用成像技术，以在集成电路装置或其它电子装置耦接至该印刷电路板后， 评估该集成电路装置的定位、对准、连续性、焊锡连接品质、及其它属性。在一些案例中，这些成像装置可较传统装置发射更多的辐射。举例来说，制造者或其它参予者可使用X-光成像装置，其可在160KeV峰值下，发射大于大约10雷得(例如，从大约10雷得至大约500雷得)的剂量。由该成像装置所发射的该高剂量的辐射，可在耦接至该印刷电路板的电子装置中，造成外部产生的故障。举例来说，包含电荷储存技术(镜位或其它电荷陷捕单元)的集成电路，容易受到外部产生的故障(其包含所储存的电荷的损失)的影响。当X-光辐射或其它辐射中所包含的光子或光子流将电子从该集成电路处的电荷储存单元移位时，可发生电荷损失事件， 从而驱动电荷离开该单元。该电荷损失事件可对该单元中的程序化的位的阈值电压(Vt)产生不希望的偏移，因此导致劣化资料可读性及潜在的系统故障。图1例示电子装置的特别实施例。该电子装置可为包含集成电路晶粒102或其它微芯片的封装的集成电路100。该封装的集成电路100也包含制模化合物104，其在该集成电路晶粒102的主要表面的作用部分112上。在一个实施例中，该制模化合物104可实质围绕或封闭该集成电路晶粒102。在特别的实施例中，该封装的集成电路100可经由复数个安置器(mount)(例如， 球栅数组或针栅数组)，而耦接至印刷电路板106。在特别的实施例中，该集成电路晶粒102 可包含电荷储存结构(未显示)，例如，镜位或其它基于电荷陷捕的内存。
在另一个实施例中，该集成电路晶粒102可包含浮置栅极结构。在例示实施例中， 该封装的集成电路100可包含闪存装置。在例示实施例中，该制模化合物104可为包含硅化合物(例如，二氧化硅)的合成物材料。在特别的实施例中，该制模化合物104也可包含有机材料，例如，树脂或另一种有机材料。该制模化合物104也可包含酚硬化剂、催化剂、染料、脱模剂、阻陷剂、另一种组件、
或其组合。在特别的实施例中，该合成物材料在从大约IKeV至大约IeV的χ-光能量下，可具有大约2000cm2/g至大约5000cm7g的χ-光质量吸收系数，例如，在从大约IKeV至大约 3KeV的χ-光能量下、大约2000cm2/g至大约5000cm2/g的χ-光质量吸收系数。举例来说， 该合成物材料在大约^feV的χ-光能量下，具有大约3000cm2/g的χ-光质量吸收系数。在范例中，该封装的集成电路100可包含锌材料、铝材料、另一种材料、或任何其组合，其用来吸收软X-光，但允许所使用或成像的硬X-光通过。举例来说，该材料可用来传送具有小于大约1奈米的波长的X-光辐射。举例来说，软X-光可包含具有大约1奈米至大约10奈米的波长、具有不大于大约IOkeV至大约IkeV的能量的χ-光。在一个范例中， 包含硅的集成电路晶粒可受到大约IeV、5keV、或^ieVdeV是硅的K-边缘)的能量的伤害。在例示实施例中，该材料可用来吸收通过不小于大约10雷得的吸收剂量所特征化的软 χ-光。举例来说，该制模化合物104可包含氧化锌、硼酸锌、另一种锌材料或任何其组合。在特别的实施例中，该制模化合物104可在安置器中包含锌，该锌相对于该制模化合物104具有不小于2重量百分比Qwt% )，例如至少大约5重量百分比(5wt% )锌。在一个范例中，该制模化合物104可包含从大约5重量百分比(5wt% )至大约)锌， 例如，从大约5重量百分比(5wt% )至大约10重量百分比(IOwt % )锌、从大约10重量百分比(IOwt^ )至大约15重量百分比(15衬％ )锌、从大约15重量百分比(15衬％ )至大约20重量百分比(20wt% )锌、或从大约20重量百分比(20wt% )至大约25重量百分比 (25wt% )锌。在例示实施例中，该制模化合物104可包含大约10重量百分比(10Wt% )锌。举例来说，该制模化合物可包含大约80重量百分比(80wt% )氧化硅、10重量百分比(10Wt% ) 有机材料、及大约10重量百分比(10Wt% )锌材料。如图1所例示的，该制模化合物104可包含实质均勻分布的该材料，用来吸收软 X-光。或者，该材料可实质分布，以致于该集成电路晶粒102的该作用表面112是在该锌 (或其它材料)及该集成电路晶粒102中相对于该作用表面112的另一表面之间。举例来说，如图2所例示的，制模化合物204可包含一层锌210，其分布于邻近该封装的集成电路 100的表面的区域，例如上表面216，该上表面216可包含模型记号217或类似的识别器。 χ-光辐射可从面对该上表面216的来源发射，并且，该锌或其它化合物可实质分布于该来源及该集成电路晶粒102之间的区域。在另一个实施例中，如图3所例示的，该封装的集成电路100在该集成电路晶粒 102及χ-光来源之间的涂层310中，可包含锌或另一种材料。在另外的实施例中，该封装的集成电路100可在该封装的集成电路100的该上表面416之下、但在该集成电路晶粒的该作用表面之上的层410中，包含锌或另一种材料。该锌或其它材料可分布于某区域中，该区
7域的宽度W大于该集成电路晶粒102的宽度Y，以致于朝该集成电路晶粒102、成某角度移动的软χ-光，将会被吸收。在一个实施例中，用来吸收软χ-光的该化合物的浓度是相对于该制模化合物 104，该浓度是反比于该集成电路晶粒102的厚度。举例来说，当该集成电路晶粒102的厚度 420增加时，但该封装的集成电路100的整体尺寸仍实质相同时，该锌或其它材料的浓度可因此减少，只要从大约0. 2 μ mol/cm2至大约0. 5 μ mol/cm2 (例如，大约0. 3 μ mol/cm2)的锌或其它材料是平行于该集成电路晶粒的该作用表面并且在该作用表面及χ-光或其它辐射来源之间即可。在其它实例中，可使用具有小于大约0. 2 μ mol/cm2或大于大约0. 5ymol/ cm2的锌的安置器。该锌或其它材料所具有的浓度，会视需要使得该制模化合物仍是透明的、半透明的、或不透明的。该等以上实施例已经以范例来加以描述，其中，辐射来源是较接近集成电路晶粒的该作用表面，而较远离该集成电路晶粒的另一表面。本领域中的熟习技术者将理解到，以上所描述的实施例可予以改变，以应付例如当辐射是从来源而发射至该集成电路晶粒102 的非作用表面(例如，表面114，其为该晶粒102的主要表面)。举例来说，在χ-光辐射是从堆栈的芯片装置下方(也就是，靠近集成电路晶粒的非作用表面)发射的情况下，靠近该辐射来源的低芯片会比远离于该辐射来源的上芯片，更多受到辐射的伤害。因此，锌或另一种具有本文所描述的适当的χ-光质量吸收性质的材料，可分布于该辐射来源与该集成电路晶粒的该非作用表面之间，以致于软χ-光会被吸收。举例来说，大约0. 3 μ mol/cm2锌或这种其它适当材料，可出现在该集成电路晶粒102的其它表面114与χ-光或其它辐射来源之间。在例示、非限定的实施例中，该印刷电路板可包含锌材料，例如，氧化锌、硼酸锌、 另一种锌材料、铝材料、另一种用来吸收软X-光但允许具有用来成像的波长的X-光通过的材料、或任何其组合。图5为电子装置暴露于辐射前、或暴露于辐射后，该电子装置的内存单元的阈值电压分布图。在一个范例中，该内存单元可包含内存单元，其在该集成电路中被逻辑性指定为零(程序化的位)或为壹(抹除的位)。该图500包含在该电子装置暴露于辐射前、复数个内存单元的初始Vt分布502。该图500也包含在热处理后、该复数个内存单元的回焊Vt 分布504。该图包含在该电子装置暴露至通过在50KeV下、大约400雷得的吸收剂量所特征化的χ-光辐射后、该复数个内存单元的Vt分布506。经发现，在特别的实施例中，如本文所描述的包含锌材料的电子装置的复数个内存单元的Vt分布(未显示)可实质符合该回焊Vt分布504。举例来说，在包含锌的该电子装置中，在暴露至该χ-光辐射后，不超过IOOOppm的该内存单元被扰动。举例来说，不超过 700ppm(例如，不超过600ppm或不超过450ppm)被扰动。在一个实施例中，当该电子装置包含锌材料时(如本文所描述的)，在该电子装置暴露至辐射后，内存单元的阈值电压的改变，是小于读取余裕(例如，有保护带的阈值电压，以允许从抹除位区分程序化的位。)相反地，在未包含锌的该电子装置中，在暴露至该χ-光辐射后，数以千计的该内存单元会被扰动，以致于他们可产生读取错误。此外，Vt分布504可包含飞行者位(flyer bits)，其中，该Vt分布502可没有包含飞行者位。再者，该电子装置中不包含锌的该内存单元可在暴露至该χ-光辐射后，展现有限的读取错误率。
许多不同态样及实施例均是可能的，那些态样及实施例中的一些将在下文中加以描述。在阅读此说明书后，熟习技术者将理解到，那些态样及实施例仅用作例示、而非用以限制本发明的范围。举例来说，依据第一态样，电子装置包含封装的集成电路，该封装的集成电路包含集成电路晶粒，其具有主要表面；以及，制模化合物，其在该集成电路晶粒的该主要表面上，其中，该封装的集成电路包含相对于该制模化合物，至少大约5重量百分比(5wt% )锌。依据该第一态样的特定实施例，该制模化合物包含至少大约5重量百分比 (5wt%)锌。依据另外的实施例，该集成电路晶粒包含相对于该主要表面的另一表面，其中，该主要表面是设置在其它表面与该制模化合物中实质所有该锌之间。依据该第一态样的不同特定实施例，可包含制模化合物，其包含大约10wt%锌； 大约5wt%至大约25wt%锌；5wt%至大约；10wt%至大约15胃1%锌；大约15wt% 至大约20wt%锌；大约20wt%至大约25wt%锌。依据该第一态样的另一个特定实施例，该锌是实质均勻地分布整个该制模化合物。依据该第一态样的另一个特定实施例，该锌是设置在该制模化合物中、包含该封装的集成电路的表面的一层中。依据额外的实施例，该锌是包含在该制模化合物的表面上的涂层中。依据该第一态样的另一个特定实施例，该锌是设置在该制模化合物中、未包含该封装的集成电路的表面的一层中。依据该第一态样的另一个特定实施例，该制模化合物包含氧化锌、酸锌或其组合。依据该第一态样的另一个特定实施例，该制模化合物包含合成物材料，该合成物材料包含氧化硅、有机材料、环氧树脂、酚硬化剂、催化剂、染料、脱模剂、阻陷剂、或其组合。依据该第一态样的另一个特定实施例，该制模化合物包含模型记号。依据第二态样，电子装置包含封装的集成电路，该封装的集成电路包含集成电路晶粒，其具有主要表面；以及，材料，其在该集成电路的主要表面上，该材料具有大约1000 至10，OOOcmVg的X-光质量吸收系数。依据特定的实施例，该第二态样复包含制模化合物，该制模化合物包含在该主要表面上的该材料，其中，该材料在平行于该集成电路晶粒的该主要表面的区域中包含大约 0.3ymol/Cm2锌。依据另外的实施例，该锌是分布于辐射来源与该集成电路晶粒的该主要表面之间。该锌也可分布在辐射来源与除了该集成电路晶粒的该主要表面以外的表面之间。依据第三态样，电子装置包含封装的集成电路，该封装的集成电路包含集成电路晶粒，其具有主要表面；以及，制模化合物，其在该集成电路晶粒的该主要表面上，其中，该制模化合物包含合成物材料，用来吸收通过不小于大约10雷得的吸收剂量所特征化的软 X-光辐射。依据该第三态样的实施例，该软X-光辐射包含辐射，该辐射具有从大约1奈米至大约10奈米的波长。依据该第三态样的另一个实施例，该软χ-光辐射包含X-光辐射，该X-光辐射所具有的能量不大于大约IOkeV jkeV、大约5keV、或大约^ceV。依据该第三态样的另一个实施例，该制模化合物是用来吸收通过从大约10雷得至大约500雷得的吸收剂量所特征化的软χ-光辐射。
依据该第三态样的另一个实施例，该制模化合物是用来传送χ-光辐射，该χ-光辐射具有小于大约1奈米的波长。依据该第三态样的另一个实施例，该制模化合物包含氧化锌、硼酸锌或其组合。依据该第三态样的另一个实施例，该制模化合物包含大约10wt%锌、或大约 5wt% 至大约 25wt%。依据第四态样，电子装置包含封装的集成电路，该封装的集成电路包含集成电路晶粒，其具有主要表面及复数个内存单元；制模化合物，其在该集成电路晶粒的该主要表面上；以及，其中，在该电子装置暴露至通过在50KeV下、大约200雷得的吸收剂量所特征化的 X-光辐射后，该集成电路包含不超过大约IOOOppm的内存单元，其Vt已经被不小于该电子装置的读取余裕的安置器所改变。依据第四态样的实施例，在该电子装置暴露至通过在50KeV下、大约200雷得的吸收剂量所特征化的X-光辐射后，该集成电路中的该复数个内存单元展现不大于700ppm的扰动位的数目。依据另外的实施例，在该电子装置暴露至通过在50KeV下、大约200雷得的吸收剂量所特征化的χ-光辐射后，该集成电路中的该复数个内存单元展现不大于450ppm 的扰动位的数目。依据第四态样的另一个实施例，该内存单元包含程序化的位。该说明书及本文所描述的例示实施例是用来提供该等不同实施例的结构的一般性了解。该说明书及例示并非用来当作完全及详尽描述使用本文所描述的结构及方法的装置及系统的所有组件及特征。对于本领域中熟习技术者而言，在看过该揭露后，许多其它的实施例将是明显的。可从该揭露使用及推衍其它实施例，以致于可作出结构替换、逻辑替换、或另一种改变，而不致于背离本揭露的范围。因此，该揭露应视为例示、而非限制。为了清楚起见，本文在不同实施例中所描述的特定特征可在单一实施例中予以结合。相反地，为了简洁起见，单一实施例中所描述的不同特征，也可在次组合中分别提供。此夕卜，范围中所陈述的数值包含该范围内的每一及所有数值。好处、其它优点、及对问题的解决方案，已在以上依据特定的实施例而加以描述。 然而，好处、优点、对问题的解决方案、及可引起任何好处、优点、或解决方案发生或变得明显的特征，均不被解读为任何或所有权利要求的关键的、必需的、或主要的特征。以上所揭露的标的是例示的、且非限制的，并且，该附随的权利要求是用来涵盖落入本发明的范围的任何及所有这种修正、加强、及其它实施例。因此，就法律所能允许的最大程度而言，本发明的范围是由上述的权利要求及其均等物的最广可容许解读来决定，而并非由先前的详细描述所局限或限制。
权利要求
1.一种电子装置，包含封装的集成电路(100)，包含集成电路晶粒(132)，具有主要表面；以及制模化合物(104)，在该集成电路晶粒的该主要表面上；其中，该封装的集成电路(100)包含相对于该制模化合物至少大约5重量百分比 (5wt% )锌。
2.如权利要求1、10、14-16、21及四-32所述的电子装置，其中，该制模化合物(104)包含至少大约5重量百分比(5wt% )锌。
3.如权利要求2-10、14-16及21-32所述的电子装置，其中，该集成电路晶粒(102)包含相对于该主要表面的另一表面，并且其中，该主要表面是设置于其它表面与实质上该制模化合物中的所有该锌O10)之间。
4.如权利要求1及21所述的电子装置，其中，该制模化合物(104)包含大约IOwt%锌。
5.如权利要求1、14-16及21-32所述的电子装置，其中，该制模化合物包含从大约 5wt% 至大约 25wt%。
6.如权利要求5、21及32所述的电子装置，其中，该制模化合物(104)包含从大约 5wt%至大约IOwt%锌。
7.如权利要求5、21及32所述的电子装置，其中，该制模化合物(104)包含从大约 5wt%至大约15wt%锌。
8.如权利要求5、21及32所述的电子装置，其中，该制模化合物(104)包含从大约 15wt%至大约20wt%锌。
9.如权利要求5、21及32所述的电子装置，其中，该制模化合物包含从大约20wt%至大约25wt%锌。
10.如权利要求1、14-16及21-32所述的电子装置，其中，该锌是实质均勻地分布整个该制模化合物(104)。
11.如权利要求1、14_16及21-32所述的电子装置，其中，该锌(210)是设置于一层该制模化合物中，该层制模化合物包含该封装的集成电路的表面。
12.如权利要求11、14-16及21-32所述的电子装置，其中，该锌(310)是包含在该制模化合物的表面上的涂层中。
13.如权利要求1、14-16及21-32所述的电子装置，其中，该锌010)设置于一层该制模化合物中，该层制模化合物未包含该封装的集成电路的表面。
14.如权利要求1所述的电子装置，其中，该制模化合物(104)包含氧化锌、硼酸锌或其组合。
15.如权利要求1所述的电子装置，其中，该制模化合物(104)包含合成物材料，该合成物材料包含氧化硅、有机材料、环氧树脂、酚硬化剂、催化剂、染料、脱模剂、阻陷剂或其组I=I O
16.如权利要求1所述的电子装置，其中，该制模化合物包含模型记号。
17.一种电子装置，包含封装的集成电路(100)，包含集成电路晶粒(102)，具有主要表面；以及材料(104)，在该集成电路的主要表面上，具有大约1000至10，OOOcmVg的x_光质量吸收系数。
18.如权利要求17所述的电子装置，复包含制模化合物(104)，其包含在该主要表面上的该材料，其中，该材料在与该集成电路晶粒的该主要表面平行的区域中包含大约 0. 3 μ mol/cm2 锌。
19.如权利要求18所述的电子装置，其中，该锌是分布于辐射来源与该集成电路晶粒的该主要表面之间。
20.如权利要求18所述的电子装置，其中，该锌是分布于辐射来源与除了该集成电路晶粒的该主要表面以外的表面之间。
21.一种电子装置，包含封装的集成电路(100)，包含集成电路晶粒(102)，具有主要表面；以及制模化合物(104)，在该集成电路晶粒(10 的该主要表面上，其中，该制模化合物 (104)包含合成物材料，用于吸收通过不小于大约10雷得的剂量所特征化的软χ-光辐射。
22.如权利要求21所述的电子装置，其中，该软χ-光辐射所包含的辐射具有从大约1 奈米至大约10奈米的波长。
23.如权利要求21所述的电子装置，其中，该软χ-光辐射所包含的χ-光辐射具有不大于大约IOkeV的能量。
24.如权利要求21所述的电子装置，其中，该软χ-光辐射所包含的χ-光辐射具有不大于大约^eV的能量。
25.如权利要求21所述的电子装置，其中，该软χ-光辐射所包含的χ-光辐射具有不大于大约^eV的能量。
26.如权利要求21所述的电子装置，其中，该软χ-光辐射所包含的χ-光辐射具有不大于大约^eV的能量。
27.如权利要求21所述的电子装置，其中，该制模化合物(104)是用于吸收通过从大约 10雷得至大约500雷得的剂量所特征化的软X-光辐射。
28.如权利要求21所述的电子装置，其中，该制模化合物(104)是用来传送χ-光辐射， 其具有小于大约1奈米的波长。
29.一种电子装置，包含封装的集成电路(100)，包含集成电路晶粒(102)，具有主要表面及复数个内存单元；制模化合物(104)，在该集成电路晶粒(10 的该主要表面上；以及其中，在该电子装置暴露至通过在50KeV下、大约200雷得的吸收剂量所特征化的 χ-光辐射后，该集成电路包含不超过大约IOOOppm内存单元，该内存单元的Vt已经改变的量不小于该电子装置的读取余裕。
30.如权利要求四所述的电子装置，其中，该集成电路中的该复数个内存单元，在该电子装置暴露至通过在50KeV下、200雷得的吸收剂量所特征化的χ-光辐射后，所展现的扰动位的数目不大于大约700ppm。
31.如权利要求30所述的电子装置，其中，该集成电路中的该复数个内存单元，在该电子装置暴露至通过在50KeV下、200雷得的吸收剂量所特征化的χ-光辐射后，所展现的扰动位的数目不大于大约450ppm。
32.如权利要求四所述的电子装置，其中，该内存单元包含程序化的位。
全文摘要
一种电子装置包含封装的集成电路(100)，该封装的集成电路(100)具有集成电路晶粒(102)及制模化合物(104)，该集成电路晶粒具有作用表面(112)，该制模化合物(104)在该集成电路晶粒的该作用表面(112)上。在特别的实施例中，该封装的集成电路(100)包含相对于该制模化合物(114)至少大约5重量百分比(5wt％)锌。在另一个实施例中，该封装的集成电路(100)在与该集成电路晶粒(102)的该作用表面平行的区域中包含大约0.3μmol/cm2锌。
文档编号H01L23/29GK102484107SQ201080029411
公开日2012年5月30日 申请日期2010年6月23日 优先权日2009年6月29日
发明者A·D·弗戈尔, D·S·莱托尼恩, R·C·布莱什二世 申请人:斯班逊有限公司