专利名称：一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种薄膜晶体 管阵列基板及其制造方法。
背景技术：
对于应用于有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)的薄膜晶体管(TFT)阵列基板来 说，像素电路中的TFT按照功能可以分为用于驱动有机发光器件(OLED)的驱动TFT和起到 开关作用的开关TFT两大类，其中驱动TFT因为要给OLED器件提供稳定的电流所以需要有 很好的一致性，而开关TFT对一致性要求不高但需要有大的开关电流比，亦即高载流子迁 移率。目前在TFT阵列基板方面应用较多的是低温多晶硅(LTPS)技术，该技术通常先在玻 璃基板上沉积非晶硅层(a-Si)，然后通过热处理使非晶硅结晶以形成具有较平滑及较大晶 粒的多晶硅(P-Si)薄膜，接下来利用多晶硅薄膜来制作TFT阵列。采用LTPS技术尤其是主 流的准分子激光退火(ELA)技术获得的多晶硅TFT通常具有迁移率高的特点，但一致性相 对较差；在另一方面，采用PECVD等方法制作的微晶硅TFT可以获得很好的一致性，但载流 子迁移率通常相对较低。因此，单独采用多晶硅TFT或微晶硅TFT技术很难同时获得具有 高载流子迁移率的开关TFT和很好一致性的驱动TFT，无法完全满足AMOLED的应用需求。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的是提供一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法。本发明的目的是通过如下技术方案予以实现的本发明提供了一种有源矩阵有机发光显示器，包括一基板；配置于该基板上的多 个像素，并呈矩阵排列；平行配置于像素之间的多条数据线；平行配置于像素之间且与数 据线垂直的多条扫描线。上述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，上述开关 区域内具有开关薄膜晶体管，上述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管，且开关薄膜晶体管的 载流子迁移率大于驱动薄膜晶体管的载流子迁移率。上述有源矩阵有机发光显示器的制造方法，所述制造方法包括以下步骤在基板上采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)的方法设置一微晶硅层，其中包 含所述开关区域和所述驱动区域；利用激光束通过掩模板对开关区域的微晶硅层进行处理，以形成多晶硅层；在上述开关区域的多晶硅层上制作开关薄膜晶体管，在上述驱动区域的微晶硅层 上制作驱动薄膜晶体管。本发明提供的有源矩阵有机发光显示器，像素内开关区域中的多晶硅开关TFT具 有高载流子迁移率，驱动区域中的微晶硅驱动TFT具有良好的一致性，从而可以实现有源 矩阵有机发光显示器整体性能的提升。
图1为有源矩阵有机发光显示器阵列基板的局部电路结构示意图
图2为图1中像素12的放大结构示意图3A为本发明形成微晶硅层的示意图3B为本发明形成多晶硅层的示意图4为图3B中所用掩膜板的结构示意图。
附图标记说明如下
玻璃基板11像素12
数据线13扫描线14
开关区域21驱动区域22
开关薄膜晶体管23驱动薄膜晶体管24
存储电容25有机发光器件26
玻璃基板31缓冲层32
微晶硅层33多晶硅层34
掩膜板35，41通孔4具体实施例方式为让本发明的上述内容更明显易懂，下文特举较佳实施例，并结合附图作详细说 明如下。实施例图1为有源矩阵有机发光显示器阵列基板的局部电路结构示意图，如图所示，该 阵列基板包括玻璃基板11，配置于该基板上的多个像素12，并呈矩阵排列，平行配置于像 素之间的多条数据线13，平行配置于像素之间且与数据线垂直的多条扫描线14。图2为图 1中像素12的放大结构示意图，如图所示，所述像素12的像素区域内具有一开关区域21和 一驱动区域22，所述开关区域21内具有开关薄膜晶体管23，所述驱动区域22内具有驱动 薄膜晶体管24，还包括存储电容25和有机发光器件26。所述驱动薄膜晶体管的载流子迁 移率约为3cm7Vs，所述开关薄膜晶体管的载流子迁移率约为80cm2/Vs。图3A和3B为本发明实施例所述显示器制造方法的各工艺步骤图示，所示图2中 AA’截面区域的工艺图示。如图3A所示，先在玻璃基板31上沉积一层SiOx或SiNx/SiOx 缓冲层32，再通过PECVD的方法，在缓冲层32上形成一层微晶硅层33，其中包含图2中的 开关区域21和驱动区域22 ；如图3B所示，利用激光结晶化的方法，如ELA等方法，通过掩 膜板35对上一步形成的微晶硅层33进行局域处理，将对应开关区域21的微晶硅层33转 变为多晶硅层34。完成微晶硅层和多晶硅层的制作后，在驱动区域22对应的微晶硅层上制 作驱动薄膜晶体管24，在开关区域21对应的多晶硅层上制作开关薄膜晶体管23，继而完成 后续工艺步骤。图4为图3B所示步骤中所用掩膜板35的结构示意图，如图所示，该掩模板41仅 在对应各像素中开关区域的位置处设置通孔42，以使在激光结晶化步骤中激光束能够通过 通孔42对开关区域的微晶硅层进行局域处理使其转变为多晶硅层。通过本发明技术方案制造的AMOLED显示器，可以满足AMOLED应用对像素内不同薄膜晶体管特性的不同需求，具体来讲，即开关区域的开关TFT具有高载流子迁移率，驱动 区域的驱动TFT具有良好的一致性，从而实现AMOLED显示器整体性能的提高。
虽然本发明已以比较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉 此技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此，本发明的 保护范围当以申请的专利范围所界定为准。
权利要求
一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，所述有源矩阵有机发光显示器包括一基板；以及配置在该基板上的多个像素，呈矩阵排列；多条数据线，平行配置于像素之间；多条扫描线，平行配置于像素之间且与数据线垂直；所述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，所述开关区域内具有开关薄膜晶体管，所述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管，所述制造方法包括以下步骤在所述基板上设置一微晶硅层，其中包含所述开关区域和驱动区域；将所述开关区域的所述微晶硅层进行再处理，形成多晶硅层；在所述开关区域的所述多晶硅层上制作开关薄膜晶体管，在所述驱动区域的所述微晶硅层上制作驱动薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，采用 等离子增强化学气相沉积的方法设置一微晶硅层。
3.如权力要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，采用 激光退火的方法将所述开关区域的所述微晶硅层转变为多晶硅层。
4.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，所述 多晶硅层上制作的开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于所述微晶硅层上制作的驱动薄膜 晶体管的载流子迁移率。
5.如权利要求4所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，其中 所述驱动区域的微晶硅层上制作的薄膜晶体管的载流子迁移率约为l-10cm2/Vs。
6.如权利要求4所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，其中 所述开关区域的多晶硅层上制作的薄膜晶体管的载流子迁移率约为50-250cm2/Vs。
7.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，通过 掩膜板方式形成多晶硅层。
8.一种有源矩阵有机发光显示器，包括 一基板；以及配置在该基板上的 多个像素，呈矩阵排列； 多条数据线，平行配置于像素之间； 多条扫描线，平行配置于像素之间且与数据线垂直； 所述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域， 所述开关区域内具有开关薄膜晶体管，所述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管， 其特征在于，其中所述开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于所述驱动薄膜晶体管的载 流子迁移率。
9.如权利要求8所述的一种有源矩阵有机发光显示器，其特征在于，其中所述驱动薄 膜晶体管的载流子迁移率约为l-10cm7Vs。
10.如权利要求8所述的一种有源矩阵有机发光显示器，其特征在于，其中所述开关薄膜晶体管的载流子迁移率约为50-250cm7Vs。
11.一种移动通信设备，其特征在于，所述移动通讯设备包括如权利要求8所述的主动 矩阵有机发光显示器。
12.一种视频播放设备，其特征在于，所述视频播放设备包括如权利要求8所述的主动 矩阵有机发光显示器。
13.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括如权利要求8所述的主动矩阵有机 发光显不器。
全文摘要
本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种微晶硅和多晶硅共用的显示面板及其制造方法。本发明技术方案通过制作微晶硅层和局域激光结晶化的方式，在像素内开关区域中获得具有高载流子迁移率的多晶硅开关薄膜晶体管，在驱动区域中获得具有良好一致性的微晶硅驱动薄膜晶体管，从而实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提高。
文档编号H01L51/56GK101924121SQ20101017774
公开日2010年12月22日 申请日期2010年5月20日 优先权日2010年5月20日
发明者邱勇, 高孝裕, 魏朝刚, 黄秀颀 申请人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学