专利名称：晶体管结构的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种晶体管结构，且特别是关于一种采用透明氧化物半导体以及有机高分子半导体的晶体管结构。
背景技术：
随着科技的进步与消费者对显示品质的要求，显示技术亦随之日益成熟。近年来更逐渐发展出次世代显示技术，亦即薄型、透明、可挠曲的显示技术与元件，其中元件的好坏与其特性，对显示器而言是主要的研究目标。在元件材料方面，氢化非晶硅薄膜晶体管(a_Si:H TFT)的技术已相当成熟，然而其工艺温度高、不透光且载子迁移率低，因此难以将一些特性元件，随着薄膜晶体管的制作过程一同制作于面板上。此外，低温复晶硅(low temperature poly-Silicon, LTPS)薄膜晶体管技术则拥有较高的载子迁移率，然而其工艺温度比氢化非晶硅薄膜晶体管更高，且制造成本较高。因此，如何使用其它种类的元件材料，其特性得以解决上述元件材料所具有的问题，亟待业界找出解决方案。
发明内容
本发明的目的是提供一种晶体管结构，其采用透明氧化物半导体以及有机高分子半导体，藉以解决采用氢化非晶硅薄膜晶体管以及低温复晶硅所具有诸如载子迁移率低、 制造成本高与工艺温度高等问题。为达上述目的，本发明的一技术样态是关于一种晶体管结构，其包含图案化N型透明氧化物半导体层以及图案化P型有机高分子半导体层。图案化N型透明氧化物半导体层形成于基板上方，以作为基极。图案化P型有机高分子半导体层形成于图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含第一部分以及第二部分，使得图案化N型透明氧化物半导体层与图案化P型有机高分子半导体层的第一部分和第二部分分别形成异质接面，其中图案化 P型有机高分子半导体层的第一部分是作为发射极，图案化P型有机高分子半导体层的第二部分是作为集电极。根据本发明一实施例，图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物且图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。根据本发明另一实施例，晶体管结构还包含绝缘层，绝缘层形成于基板和图案化N 型透明氧化物半导体层之间。本发明的另一技术样态是关于一种晶体管结构，其包含图案化P型有机高分子半导体层、图案化N型透明氧化物半导体层。图案化P型有机高分子半导体层形成于基板上方，以作为基极。图案化N型透明氧化物半导体层形成于图案化P型有机高分子半导体层上，并包含第一部分以及第二部分，使得图案化P型有机高分子半导体层与图案化N型透明氧化物半导体层的第一部分和第二部分分别形成异质接面，其中图案化N型透明氧化物半导体层的第一部分是作为发射极，图案化N型透明氧化物半导体层的第二部分是作为集电极。根据本发明一实施例，图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物且图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。根据本发明另一实施例，晶体管结构还包含绝缘层，绝缘层形成于基板和图案化P 型有机高分子半导体层之间。本发明的又一技术样态是关于一种晶体管结构，其包含第一图案化导电层、图案化N型透明氧化物半导体层、图案化P型有机高分子半导体层、图案化栅极绝缘层、有源层以及第二图案化导电层。第一图案化导电层形成于基板上方，并包含第一部分以及第二部分，其中第一图案化导电层的第一部分是作为基极导电层，第一图案化导电层的第二部分是作为栅极。图案化N型透明氧化物半导体层形成于第一图案化导电层的第一部分上。图案化P型有机高分子半导体层形成于图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含第一部分以及第二部分，使得图案化N型透明氧化物半导体层与图案化P型有机高分子半导体层的第一部分和第二部分分别形成异质接面，其中图案化P型有机高分子半导体层的第一部分是作为发射极，图案化P型有机高分子半导体层的第二部分是作为集电极。图案化栅极绝缘层形成于第一图案化导电层的第二部分上。有源层形成于图案化栅极绝缘层上，使得有源层位于第一图案化导电层的第二部分上方。第二图案化导电层形成于有源层上，并包含第一部分以及第二部分，其中第二图案化导电层的第一部分是作为源极，第二图案化导电层的第二部分是作为漏极。根据本发明一实施例，图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物且图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。根据本发明另一实施例，有源层是图案化N型透明氧化物半导体层或图案化P型有机高分子半导体层。根据本发明又一实施例，晶体管结构还包含绝缘层，绝缘层形成于第一图案化导电层的第一部分和图案化N型透明氧化物半导体层之间。本发明的再一技术样态是关于一种晶体管结构，其包含第一图案化导电层、图案化P型有机高分子半导体层、图案化N型透明氧化物半导体层、图案化栅极绝缘层、有源层以及第二图案化导电层。第一图案化导电层形成于基板上方，并包含第一部分以及第二部分，其中第一图案化导电层的第一部分是作为基极导电层，第一图案化导电层的第二部分是作为栅极。图案化P型有机高分子半导体层形成于第一图案化导电层的第一部分上。图案化N型透明氧化物半导体层形成于图案化P型有机高分子半导体层上，并包含第一部分以及第二部分，使得图案化P型有机高分子半导体层与图案化N型透明氧化物半导体层的第一部分和第二部分分别形成异质接面，其中图案化N型透明氧化物半导体层的第一部分是作为发射极，图案化N型透明氧化物半导体层的第二部分是作为集电极。图案化栅极绝缘层形成于第一图案化导电层的第二部分上。有源层形成于图案化栅极绝缘层上，使得有源层位于第一图案化导电层的第二部分上方。第二图案化导电层形成于有源层上，并包含第一部分以及第二部分，其中第二图案化导电层的第一部分是作为源极，第二图案化导电层的第二部分是作为漏极。根据本发明一实施例，图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物且图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。根据本发明另一实施例，有源层是图案化N型透明氧化物半导体层或图案化P型有机高分子半导体层。根据本发明又一实施例，晶体管结构还包含绝缘层，绝缘层形成于第一图案化导电层的第一部分和图案化P型有机高分子半导体层之间。本发明的有益技术效果是本发明通过于晶体管结构采用透明氧化物半导体以及有机高分子半导体，进而解决采用氢化非晶硅薄膜晶体管以及低温复晶硅所具有诸如载子迁移率低、制造成本高与工艺温度高等问题。
为让本发明的上述和其它目的、特征、优点能更明显易懂，以下将结合附图对本发明的较佳实施例进行详细说明，其中图IA至图IB是绘示依照本发明第一实施例的一种晶体管结构示意图。图2A至图2B是绘示依照本发明第二实施例的一种晶体管结构示意图。图3A至图3B是绘示依照本发明第三实施例的一种晶体管结构示意图。图4A至图4B是绘示依照本发明第四实施例的一种晶体管结构示意图。图5A至图5B是绘示依照本发明第五实施例的一种晶体管结构示意图。
具体实施例方式下文是举实施例配合附图作详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围，而结构运作的描述非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本发明所涵盖的范围。其中附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。图IA至图IB是绘示依照本发明第一实施例的一种晶体管结构示意图。如图IA 所示，晶体管结构100包含第一图案化导电层、第二图案化导电层、第三图案化导电层、图案化N型透明氧化物半导体层(η-type transparent oxide semiconductor) 106、图案化 P型有机高分子半导体层(p-type organic polymer semiconductor)、图案化栅极绝缘层 122、有源层124以及外覆绝缘层132。第一图案化导电层形成于基板102上方，并包含第一部分104以及第二部分118， 其中第一图案化导电层的第一部分104是作为基极导电层(基极电极)，第一图案化导电层的第二部分118是作为栅极。图案化N型透明氧化物半导体层106形成于第一图案化导电层的第一部分104上。图案化P型有机高分子半导体层形成于图案化N型透明氧化物半导体层106上，并包含第一部分108以及第二部分112，使得图案化N型透明氧化物半导体层106与图案化P型有机高分子半导体层的第一部分108和第二部分112分别形成异质接面，其中图案化P型有机高分子半导体层的第一部分108是作为发射极，图案化P型有机高分子半导体层的第二部分112是作为集电极。此外，第三图案化导电层形成于图案化P型有机高分子半导体层上，并包含第一部分114以及第二部分116，使得第三图案化导电层的第一部分114与第二部分116分别位于图案化P型有机高分子半导体层的第一部分108和第二部分112上，其中第三图案化导电层的第一部分114是作为发射极导电层(发射极电极)，第三图案化导电层的第二部分 116是作为集电极导电层(集电极电极)。其次，图案化栅极绝缘层122形成于第一图案化导电层的第二部分118上。有源层IM形成于图案化栅极绝缘层122上，使得有源层IM位于第一图案化导电层的第二部分118上方，其中有源层IM可为图案化P型有机高分子半导体层。第二图案化导电层形成于有源层1 上，并包含第一部分126以及第二部分128，其中第二图案化导电层的第一部分1 是作为源极，第二图案化导电层的第二部分1 是作为漏极。外覆绝缘层132形成于第二图案化导电层与第三图案化导电层上，并部分形成于基板102与图案化栅极绝缘层122上。如此一来，便可完成左侧PNP双极性接面晶体管(Bipolar Junction transistor, BJT)与右侧薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)。此外，由上述可知，双极性接面晶体管和薄膜晶体管具有部分相同的工序，因此其制作可以分别或一起在面板上制作。如图IB所示，晶体管结构150除了其有源层174可为图案化N型透明氧化物半导体层而不同于图IA中的晶体管结构100之外，晶体管结构150实质上与晶体管结构100相同。在本实施例中，图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物anfeSiO， IGZ0)，且图案化P型有机高分子半导体层包含五环素(Pentacene)。此外，第一、第二与第三图案化导电层可为金属(例如钛(Ti)、金(Au)、铝(Al)、钼(Mo)或氧化铟锡(ITO)) 或导电高分子(例如掺杂聚苯胺(Doped Polyaniline(PANI))或聚苯乙烯磺酸的混合物 (PED0T:PSS(Baytron P)))。再者，上述基板可为玻璃或塑料基板。图2A至图2B是绘示依照本发明第二实施例的一种晶体管结构示意图。如图2A所示，晶体管结构200包含第一图案化导电层、第二图案化导电层、第三图案化导电层、图案化P型有机高分子半导体层206、图案化N型透明氧化物半导体层、图案化栅极绝缘层222、 有源层224以及外覆绝缘层232。第一图案化导电层形成于基板202上方，并包含第一部分204以及第二部分218， 其中第一图案化导电层的第一部分204是作为基极导电层(基极电极)，第一图案化导电层的第二部分218是作为栅极。图案化P型有机高分子半导体层206形成于第一图案化导电层的第一部分204上。图案化N型透明氧化物半导体层形成于图案化P型有机高分子半导体层206上，并包含第一部分208以及第二部分212，使得图案化P型有机高分子半导体层与图案化N型透明氧化物半导体层的第一部分208和第二部分212分别形成异质接面，其中图案化N型透明氧化物半导体层的第一部分208是作为发射极，图案化N型透明氧化物半导体层的第二部分212是作为集电极。此外，第三图案化导电层形成于图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含第一部分214以及第二部分216，使得第三图案化导电层的第一部分214与第二部分216分别位于图案化N型透明氧化物半导体层的第一部分208和第二部分212上，其中第三图案化导电层的第一部分214是作为发射极导电层(发射极电极)，第三图案化导电层的第二部分 216是作为集电极导电层(集电极电极)。其次，图案化栅极绝缘层222形成于第一图案化导电层的第二部分218上。有源层2M形成于图案化栅极绝缘层222上，使得有源层2M位于第一图案化导电层的第二部分218上方，其中有源层2M可为图案化N型透明氧化物半导体层。第二图案化导电层形成于有源层2M上，并包含第一部分226以及第二部分228，其中第二图案化导电层的第一部分2 是作为源极，第二图案化导电层的第二部分2 是作为漏极。外覆绝缘层232形成于第二图案化导电层与第三图案化导电层上，并部分形成于基板202与图案化栅极绝缘层222上。如此一来，便可完成左侧NPN双极性接面晶体管与右侧薄膜晶体管。此外，由上述可知，双极性接面晶体管和薄膜晶体管具有部分相同的工序，因此其制作可以分别或一起在大面板上制作。如图2B所示，晶体管结构250除了其有源层274可为图案化P型有机高分子半导体层而不同于图2A中的晶体管结构200之外，晶体管结构250实质上与晶体管结构200相同。在本实施例中，图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物，且图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。此外，第一、第二与第三图案化导电层可为金属(例如 钛(Ti)、金(Au)、铝(Al)、钼(Mo)或氧化铟锡(ITO))或导电高分子(例如掺杂聚苯胺 (Doped Polyaniline(PANI))或聚苯乙烯磺酸的混合物(PEDOT:PSS(Baytron P)))。再者， 上述基板可为玻璃或塑料基板。图3A至图:3B是绘示依照本发明第三实施例的一种晶体管结构示意图。如图3A所示，相较于图IA中的晶体管结构100，晶体管结构300还包含绝缘层，绝缘层形成于第一图案化导电层的第一部分304和图案化N型透明氧化物半导体层306之间，并包含第一部分 342与第二部分344，其中绝缘层的第一部分342形成于第一图案化导电层的第一部分304 和图案化N型透明氧化物半导体层306的一侧，而绝缘层的第二部分344形成于第一图案化导电层的第一部分304和图案化N型透明氧化物半导体层306的另一侧，且绝缘层可与图案化栅极绝缘层322于一道工艺步骤中一起形成。在本实施例中，晶体管结构300除了还包含绝缘层外，其结构与图IA中的晶体管结构100实质上相同。此外，如图:3B所示，相较于图IB中的晶体管结构150，晶体管结构350还包含绝缘层，绝缘层形成于第一图案化导电层的第一部分3M和图案化N型透明氧化物半导体层356 之间，并包含第一部分392与第二部分394，其中绝缘层的第一部分392形成于第一图案化导电层的第一部分邪4和图案化N型透明氧化物半导体层356的一侧，而绝缘层的第二部分394形成于第一图案化导电层的第一部分3M和图案化N型透明氧化物半导体层356的另一侧，且绝缘层可与图案化栅极绝缘层372于一道工艺步骤中一起形成。在本实施例中， 晶体管结构350除了还包含绝缘层外，其结构与图IB中的晶体管结构150实质上相同。图4A至图4B是绘示依照本发明第四实施例的一种晶体管结构示意图。如图4A所示，相较于图2A中的晶体管结构200，晶体管结构400还包含绝缘层，绝缘层形成于第一图案化导电层的第一部分404和图案化P型有机高分子半导体层406之间，并包含第一部分 442与第二部分444，其中绝缘层的第一部分442形成于第一图案化导电层的第一部分404 和图案化P型有机高分子半导体层406的一侧，而绝缘层的第二部分444形成于第一图案化导电层的第一部分404和图案化P型有机高分子半导体层406的另一侧，且绝缘层可与图案化栅极绝缘层422于一道工艺步骤中一起形成。在本实施例中，晶体管结构400除了还包含绝缘层外，其结构与图2A中的晶体管结构200实质上相同。
此外，如图4B所示，相较于图2B中的晶体管结构250，晶体管结构450还包含绝缘层，绝缘层形成于第一图案化导电层的第一部分4M和图案化P型有机高分子半导体层456 之间，并包含第一部分492与第二部分494，其中绝缘层的第一部分492形成于第一图案化导电层的第一部分4M和图案化P型有机高分子半导体层456的一侧，而绝缘层的第二部分494形成于第一图案化导电层的第一部分4M和图案化P型有机高分子半导体层456的另一侧，且绝缘层可与图案化栅极绝缘层472于一道工艺步骤中一起形成。在本实施例中， 晶体管结构450除了还包含绝缘层外，其结构与图2B中的晶体管结构250实质上相同。图5A至图5B是绘示依照本发明第五实施例的一种晶体管结构示意图。如图5A 所示，晶体管结构500包含第一图案化导电层、第二图案化导电层、第三图案化导电层、第一图案化P型有机高分子半导体层506、第一图案化N型透明氧化物半导体层、第二图案化 N型透明氧化物半导体层522、第二图案化P型有机高分子半导体层以及外覆绝缘层534。第一图案化导电层形成于基板502上方，并包含第一部分504以及第二部分518， 其中第一图案化导电层的第一部分504是作为第一基极导电层(第一基极电极)，第一图案化导电层的第二部分518是作为第二基极导电层(第二基极电极)。第一图案化P型有机高分子半导体层506形成于第一图案化导电层的第一部分504上，以作为第一基极。第一图案化N型透明氧化物半导体层形成于第一图案化P型有机高分子半导体层506上，并包含第一部分508以及第二部分512，使得第一图案化P型有机高分子半导体层506与第一图案化N型透明氧化物半导体层的第一部分508和第二部分512分别形成异质接面，其中第一图案化N型透明氧化物半导体层的第一部分508是作为发射极，第一图案化N型透明氧化物半导体层的第二部分512是作为集电极。此外，第二图案化导电层形成于第一图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含第一部分514以及第二部分516，使得第二图案化导电层的第一部分514与第二部分516分别位于图案化N型透明氧化物半导体层的第一部分508和第二部分512上，其中第二图案化导电层的第一部分514是作为第一发射极导电层(第一发射极电极)，第二图案化导电层的第二部分516是作为集电极导电层(第一集电极电极)。再者，第二图案化N型透明氧化物半导体层522形成于第一图案化导电层的第二部分518上，以作为第二基极。第二图案化P型有机高分子半导体层形成于第二图案化N 型透明氧化物半导体层522上，并包含第一部分524以及第二部分526，使得第二图案化N 型透明氧化物半导体层522与第二图案化P型有机高分子半导体层的第一部分5M和第二部分5 分别形成异质接面，其中第二图案化P型有机高分子半导体层的第一部分5M是作为发射极，第二图案化P型有机高分子半导体层的第二部分5 是作为集电极。第三图案化导电层形成于第二图案化P型有机高分子半导体层上，并包含第一部分528以及第二部分532，使得第三图案化导电层的第一部分5 与第二部分532分别位于第二图案化P型有机高分子半导体层的第一部分5M和第二部分5 上，其中第三图案化导电层的第一部分5 是作为第二发射极导电层(第二发射极电极)，第三图案化导电层的第二部分532是作为第二集电极导电层(第二集电极电极)。在本实施例中，外覆绝缘层534形成于第二图案化导电层与第三图案化导电层上，并部分形成于基板502上。另外，第一与第二图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物，且第一与第二图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。此外，第一、第二与第三图案化导电层可为金属(例如钛(Ti)、金(Au)、铝(Al)、钼(Mo)或氧化铟锡(ITO)) 或导电高分子(例如掺杂聚苯胺(Doped Polyaniline(PANI))或聚苯乙烯磺酸的混合物 (PEDOT:PSS(Baytron P)))。再者，上述基板可为玻璃或塑料基板。如此一来，便可完成左侧NPN双极性接面晶体管与右侧PNP双极性接面晶体管。此外，由上述可知，前述两种类型的双极性接面晶体管具有部分相同的工序，因此其制作可以分别或一起在大面板上制作。举例而言，基于电路功能的考量，可将上述作为开关的两种类型双极性接面晶体管，在面板的驱动电路区上同时制作出来。如图5B所示，相较于图5A中的晶体管结构500，晶体管结构550还包含绝缘层，绝缘层形成于第一图案化导电层的第一部分5M和第一图案化P型有机高分子半导体层556 之间，且形成于第一图案化导电层的第二部分568和第二图案化N型透明氧化物半导体层 572之间，并包含第一部分592、第二部分594与第三部分596。具体而言，绝缘层的第二部分594形成于第一图案化导电层的第一部分5M与第一图案化导电层的第二部分568之间，且形成于第一图案化P型有机高分子半导体层556 与第二图案化N型透明氧化物半导体层572之间。绝缘层的第一部分592形成于第一图案化导电层的第一部分5M和第一图案化P型有机高分子半导体层556的另一侧。绝缘层的第三部分596形成于第一图案化导电层的第二部分568和第二图案化N型透明氧化物半导体层572的另一侧。在本实施例中，晶体管结构550除了还包含绝缘层外，其结构与图5A中的晶体管结构500实质上相同。具体而言，本发明实施例中所述的N型透明氧化物半导体具有可低温沉积、可挠曲、透明性以及均勻度佳等特点，其中采用铟镓锌氧化物当作有源层的薄膜晶体管，其载子迁移率比传统氢化非晶硅薄膜晶体管高、均勻性优于低温复晶硅薄膜晶体管且可低温制作，因此采用铟镓锌氧化物薄膜晶体管来取代氢化非晶硅薄膜晶体管与低温复晶硅薄膜晶体管以制作主动矩阵有机发光显示器，可改善采用氢化非晶硅薄膜晶体管与低温复晶硅薄膜晶体管所具有的问题(例如采用氢化非晶硅作为薄膜晶体管的有源层，则其具有载子迁移率低与工艺温度高……等问题，而采低温复晶硅作为薄膜晶体管的有源层，则其具有制造成本高与工艺温度高等问题)。其次，本发明实施例中所述的P型有机高分子半导体属于软性电子，其具备轻、 薄、大面积以及能卷曲等特性，可以提供不同于硅芯片及玻璃基板的应用领域。此外，若要配合软性电子的特性而将微电子元件制作在软性可挠式塑料基板上，则所有工序都必须在低温下完成。从而，N型透明氧化物半导体具有可低温制作的特性，使其得以配合P型有机高分子半导体达成更广泛的应用，诸如配合两种半导体材料而制成的晶体管结构，其有助于系统面板(System on Panel, SOP)的实现，亦即可将所有的周边电路(例如关键元件、 存储元件与驱动电路……等)全部整合于玻璃或塑料基板上。由本发明上述实施方式可知，应用本发明具有下列优点。本发明实施例通过于晶体管结构中，采用透明氧化物半导体以及有机高分子半导体，进而解决采用氢化非晶硅薄膜晶体管以及低温复晶硅所具有诸如载子迁移率低、制造成本高与工艺温度高等问题。虽然本发明已以实施方式揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作出各种等同的改变或替换，因此本发明的保护范围当视后附的本申请权利要求范围所界定的为准。
权利要求
1.一种晶体管结构，其特征在于，包含一图案化N型透明氧化物半导体层，形成于一基板上方，作为一基极；以及一图案化P型有机高分子半导体层，形成于该图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含一第一部分以及一第二部分，使得该图案化N型透明氧化物半导体层与该图案化P型有机高分子半导体层的该第一部分和该第二部分分别形成一异质接面，其中该图案化P型有机高分子半导体层的该第一部分是作为一发射极，该图案化P型有机高分子半导体层的该第二部分是作为一集电极。
2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物且该图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。
3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，还包含一绝缘层，形成于该基板和该图案化N型透明氧化物半导体层之间。
4.一种晶体管结构，其特征在于，包含一图案化P型有机高分子半导体层，形成于一基板上方，作为一基极；以及一图案化N型透明氧化物半导体层，形成于该图案化P型有机高分子半导体层上，并包含一第一部分以及一第二部分，使得该图案化P型有机高分子半导体层与该图案化N型透明氧化物半导体层的该第一部分和该第二部分分别形成一异质接面，其中该图案化N型透明氧化物半导体层的该第一部分是作为一发射极，该图案化N型透明氧化物半导体层的该第二部分是作为一集电极。
5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，该图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物且该图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。
6.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，还包含一绝缘层，形成于该基板和该图案化P型有机高分子半导体层之间。
7.一种晶体管结构，其特征在于，包含一第一图案化导电层，形成于一基板上方，并包含一第一部分以及一第二部分，其中该第一图案化导电层的该第一部分是作为一基极导电层，该第一图案化导电层的该第二部分是作为一栅极；一图案化N型透明氧化物半导体层，形成于该第一图案化导电层的该第一部分上；一图案化P型有机高分子半导体层，形成于该图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含一第一部分以及一第二部分，使得该图案化N型透明氧化物半导体层与该图案化P型有机高分子半导体层的该第一部分和该第二部分分别形成一异质接面，其中该图案化P型有机高分子半导体层的该第一部分是作为一发射极，该图案化P型有机高分子半导体层的该第二部分是作为一集电极；一图案化栅极绝缘层，形成于该第一图案化导电层的该第二部分上；一有源层，形成于该图案化栅极绝缘层上，使得该有源层位于该第一图案化导电层的该第二部分上方；以及一第二图案化导电层，形成于该有源层上，并包含一第一部分以及一第二部分，其中该第二图案化导电层的该第一部分是作为一源极，该第二图案化导电层的该第二部分是作为一漏极。
8.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于，该图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物且该图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。
9.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于，该有源层是为该图案化N型透明氧化物半导体层或该图案化P型有机高分子半导体层。
10.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于，还包含一绝缘层，形成于该第一图案化导电层的该第一部分和该图案化N型透明氧化物半导体层之间。
11.一种晶体管结构，其特征在于，包含一第一图案化导电层，形成于一基板上方，并包含一第一部分以及一第二部分，其特征在于，该第一图案化导电层的该第一部分是作为一基极导电层，该第一图案化导电层的该第二部分是作为一栅极；一图案化P型有机高分子半导体层，形成于该第一图案化导电层的该第一部分上；一图案化N型透明氧化物半导体层，形成于该图案化P型有机高分子半导体层上，并包含一第一部分以及一第二部分，使得该图案化P型有机高分子半导体层与该图案化N型透明氧化物半导体层的该第一部分和该第二部分分别形成一异质接面，其中该图案化N型透明氧化物半导体层的该第一部分是作为一发射极，该图案化N型透明氧化物半导体层的该第二部分是作为一集电极；一图案化栅极绝缘层，形成于该第一图案化导电层的该第二部分上；一有源层，形成于该图案化栅极绝缘层上，使得该有源层位于该第一图案化导电层的该第二部分上方；以及一第二图案化导电层，形成于该有源层上，并包含一第一部分以及一第二部分，其中该第二图案化导电层的该第一部分是作为一源极，该第二图案化导电层的该第二部分是作为一漏极。
12.根据权利要求11所述的晶体管结构，其特征在于，该图案化N型透明氧化物半导体层包含铟镓锌氧化物且该图案化P型有机高分子半导体层包含五环素。
13.根据权利要求11所述的晶体管结构，其特征在于，该有源层是该图案化N型透明氧化物半导体层或该图案化P型有机高分子半导体层。
14.根据权利要求11所述的晶体管结构，其特征在于，还包含一绝缘层，形成于该第一图案化导电层的该第一部分和该图案化P型有机高分子半导体层之间。
全文摘要
本发明是一种晶体管结构，其包含图案化N型透明氧化物半导体层以及图案化P型有机高分子半导体层。图案化N型透明氧化物半导体层形成于基板上方，以作为基极。图案化P型有机高分子半导体层形成于图案化N型透明氧化物半导体层上，并包含第一部分以及第二部分，使得图案化N型透明氧化物半导体层与图案化P型有机高分子半导体层的第一部分和第二部分分别形成异质接面，其中图案化P型有机高分子半导体层的第一部分是作为发射极，图案化P型有机高分子半导体层的第二部分是作为集电极。
文档编号H01L51/05GK102447062SQ20101051811
公开日2012年5月9日 申请日期2010年10月13日 优先权日2010年10月13日
发明者叶佳俊, 王裕霖, 蔡耀州, 黄松辉 申请人:元太科技工业股份有限公司