专利名称：电极部的构造的制作方法
技术领域：
本发明涉及电极部的构造，具体而言，涉及在贯通配线的端部形成有电极的电极部的构造。
背景技术：
图1及图2是表示在贯通配线的端部形成电极的电极构造物的一例的概略立体图及其剖面图。该电极构造物IlA在基板12的上表面形成电极13，在基板12的下表面形成电极14，通过贯通基板12内的贯通电极15电连接位于基板12的上表面和下表面的电极 13和电极14。S卩，如图1及图2所示，从基板12的上表面朝向下表面开设有贯通孔16，贯通孔16 的内周面用孔内绝缘膜17覆盖，经由孔内绝缘膜17在贯通孔16内形成贯通电极15。基板 12的上表面及下表面用绝缘膜18覆盖，在上表面的绝缘膜18上面形成电极13，电极13通过绝缘膜18的接触孔19与贯通电极15的上端面连接。在下表面的绝缘膜18下面设置有电极14，电极14的上表面与贯通电极15的下表面连接。另外，下表面的电极14通过焊锡等接合材料观与配线基板20的图形配线27接合。例如图3及图4所示，该电极构造物IlA将电极13与其它部件接合。图3表示使用焊锡等接合材料21将电极13与电路基板22的配线焊盘接合的情况。另外，图4表示用贯通电极15连接形成于基板12的两面的电极13和电极14的电极构造物11A、用贯通电极 15连接形成于基板12的两面的电极13彼此之间的电极构造物11B，用接合材21接合电极构造物IlA的电极13和电极构造物IlB的电极13而将电极构造物彼此之间层叠。这种电极构造物IlA或IlB的电极部用如图5(a) (d)所示的工序制作。首先， 如图5(a)所示，在由Si等构成的基板12上形成凹部16a后，在凹部16a的内表面形成由 SiO2等构成的孔内绝缘膜17，再在用孔内绝缘膜17覆盖的凹部16a内填充导电材料，在凹部16a内形成贯通电极15。通过研磨该基板12使贯通电极15露出，并研磨上端面，如图5 (b)所示，与基板12 的上表面相对应，将贯通电极15的上端面整修为平滑。接着，如图5(c)所示，在基板12的上表面通过SW2等形成绝缘膜18，与贯通电极15的上端面相对应，在绝缘膜18上开设接触孔19。之后，在贯通电极15及绝缘膜18的上表面通过蒸镀及溅射等堆积电极金属，如图5 (d)所示，将电极金属层进行构图而形成电极13，并且，将电极13和贯通电极15进行连接。图5(b)的工序原理上为平滑地加工贯通电极15的端面(露出面)。但实际上，将贯通电极15的端面和基板12的表面之间的高度差设定得小到亚微等级以下，将贯通电极 15的端面与基板12的表面相对应进行平坦加工在技术上变得困难。因此，通过对从基板12突出的贯通电极15进行化学机械研磨而使其与基板12 的表面接近平坦时，利用进行化学机械研磨时的化学作用和机械作用的配合，如图6(a)所示，在贯通电极15和孔内绝缘膜17之间产生槽沈，或者如图7(a)所示，贯通电极15的端面凹陷成盆状。另外，因为研磨加工时的面内偏差，所以，当在某区域使贯通电极15的端面接近平坦时，在其它区域如图6(a)所示在贯通电极15和孔内绝缘膜17之间产生槽沈，或图7(a)所示，贯通电极15的端面凹陷成盆状。这样，如图6 (a)所示在贯通孔16内在贯通电极15的周围产生槽沈时，如图6 (b) 所示，在除去贯通电极15的区域形成绝缘膜18，在贯通电极15的端面及其周围在绝缘膜 18上形成电极13时，由于槽沈的存在而在电极13上产生断线。这样，在形成于贯通电极 15的端面的电极13a(13)和形成于绝缘膜18上的电极13b (13)之间产生断线时，即使周围的电极13b与例如图3所示的电路基板22连接，贯通电极15和电路基板22也不能电连接，产生劣质品。另外，如图7(a)所示，在贯通电极15的端面凹陷成盆状时，如图7(b)所示，在除去贯通电极15的区域形成绝缘膜18，在贯通电极15的端面及其周围在绝缘膜18上形成电极13时，在形成于贯通电极15的端面的电极13a (13)和形成于绝缘膜18上的电极13b (13) 之间产生断线。另外，在贯通电极15的端面凹陷时，使用焊锡等接合材料21使电极13与电路基板22等接合时，如图8所示，根据位置不同，接合材21的厚度大幅变化。因此，因温度变化等发生热伸缩时，在接合材料21及电路基板22、电极13等之间产生的内部应力变大，在该接合部分容易发生剥离及裂纹，在电极13和电路基板22之间有可能断线。(关于专利文献1)作为将贯通电极的端面与基板的表面平滑地加工的技术，公开在专利文献1中。 专利文献1记载的加工方法如图9所示，在粘贴于平板23上的研磨布M上涂敷含有平均磨粒直径为SOnm以下的胶质的二氧化硅的研磨剂25，且在其上使基板12和贯通电极15的研磨面接触，将研磨压力控制为规定的压力，由此，以使贯通电极端面和基板表面的高度差 d成为-0. 5 μ m < d < 0. 5 μ m的方式进行抛光加工。但是，为防止断线，只要将贯通电极端面和基板表面的高度差d设定为-0.5μπι< d < 0.5μπι即可这样的记载于专利文献1的条件只不过只是经验原则，尤其是，在基板12的上表面形成绝缘膜18，从其上形成电极13的情况下，根据绝缘膜18的膜厚和电极13的厚度的关系，即使贯通电极端面和基板表面的高度差满足-0. 5 μ m < d < 0. 5 μ m的条件的情况下，有时也会发生断线，另外，即使没有满足该条件的情况下有时也不会发生断线。另外，在用专利文献1的方法中追求基板和贯通电极的平坦性的情况下，要根据贯通电极的材料、形状、寸法等变化研磨条件，反复试验决定最适合的研磨条件，存在需要花费时间和成本，电极构造物的成本增高，并且开发时间也变长的问题。专利文献1 (日本)特开平7483536号公报
发明内容
本发明是鉴于上述技术课题而提出的，其目的在于，提供一种在贯通配线的端部形成电极的电极部的构造，其能够可靠地防止该电极部的断线。本发明提供的电极部的构造，在设置于基板的贯通孔内形成贯通电极，对所述基板的表面进行磨削、研磨，通过绝缘膜覆盖所述基板的表面，并且，与所述贯通电极的端面
4对应，在所述绝缘膜上开口形成有接触孔，在所述绝缘膜上形成电极，而且，通过所述接触孔在所述贯通电极的端面形成所述电极，其特征在于，以使所述贯通电极的端面不从所述基板的表面凹陷的方式而形成，在所述接触孔的开口缘从所述基板的表面测定的所述贯通电极的突出长度Dp为所述绝缘膜的膜厚Ddiel以下，且将从所述基板的表面测定的所述贯通电极的顶部的突出长度设定为Dtsv时，以满足以下条件的方式形成所述贯通电极的端面，即、0 ( Dtsv ( Ddiel+Dp，其中，Dp > 0。根据本发明的电极部的构造，能够将使绝缘膜的膜厚设定为一定时的电极表面的最大高度差设定为最小，提高电极表面的平坦度。因此，在将具备该触点部的电极构造物安装于另外的电路基板等或层叠多个电极构造物彼此时，在使用焊锡等接合材料将电极与电路基板的电极焊盘接合、或将电极彼此接合时，能够使接合材料的厚度均勻化。因此，能够缓和伴随温度变化等的热膨胀/收缩导致的在接合材料及电极等上产生的内部应力，防止接合材料及电极的剥离及裂纹，能够防止电极接合部的断线。本发明的电极部构造的某实施方式的特征在于，所述电极的厚度比所述绝缘膜的膜厚厚。根据该实施方式，不会因绝缘膜的高度差部分等而导致电极断线。本发明的电极部构造的其它实施方式的特征在于，所述贯通电极的端面由弯曲面构成。在这样的实施方式中，能够将贯通电极的端面制成弯曲面，因此，通过基板研磨能够平整贯通电极，提高量产性。本发明的电极部构造的再其它实施方式的特征在于，使所述贯通电极的端面整体从所述绝缘膜的所述开口露出。根据这样的实施方式，能够使贯通电极的端面和电极的连接面积最大，能够减小贯通电极和电极的连接部分的阻抗。本发明的电极部构造的再其它实施方式的特征在于，所述绝缘膜的所述开口形成于比所述贯通电极的外周更靠内侧。根据这样的实施方式，能够防止由于开设接触孔时的偏差导致的基板从绝缘膜露出，能够缓和对接触孔开口时的要求精度。另外，根据该实施方式，能够将贯通电极的突出长度Dtsv的上限值设定为大的值，因此，能够扩大贯通电极的突出长度Dtsv的允许范围或调整范围，电极部的设计及制造变得容易。另外，用于解决本发明的所述课题的技术手段具有适当组装以上说明的构成要素的特征，本发明根据构成要素的组合能够进行多种变化。
图1是表示电极构造物的一例的概略立体图；图2是沿图1的X-X线的剖面图；图3是表示将图2所示的电极构造物的电极与电路基板接合的形态的剖面图；图4是表示在基板的两面具有电极的电极构造物的两电极中的一个电极和图2所示的电极构造物的电极接合的形态的剖面图；图5(a) (d)是表示在电极构造物上制作电极部的工序的概略剖面图；图6(a)及(b)是表示通过研磨在贯通电极的端面的周围产生槽的情况下的概略剖面图；图7(a)及(b)是表示通过研磨而贯通电极的端面凹陷成盆状的情况下的概略剖面图8是用于说明如图7(b)所示贯通电极的端面凹陷情况下的不良情况的剖面图；图9是用于说明专利文献1公示的贯通电极的研磨方法的概略剖面图；图10是表示本发明的电极部的构造的概略剖面图；图11是用于说明本发明的电极部的制造工序的剖面图；图12是用于说明与图11的工序连续的工序的剖面图；图13(a)是用于说明与图12的工序连续的工序的剖面图，图13 (b)是用于说明与图13(a)的工序连续的工序的剖面图；图14是用于说明与图13(b)的工序连续的工序的剖面图；图15是表示电极部的一形态(形态I)的图；图16是表示电极部的其它形态(形态II)的图；图17是表示电极部的另外的其它形态(形态III)的图；图18是表示电极部的另外的其它形态(形态IV)的图；图19是表示电极部的另外的其它形态(形态V)的图；图20是表示电极部的另外的其它形态(形态VI)的图；图21是用于说明接触孔的边缘倾斜的情况下的接触孔的边缘的贯通电极的突出长度Dp的定义的图；图22是表示电极的表面的最大高度差Rmax和贯通电极的突出长度Dtsv的关系的图；图23(a)及(b)是用于说明本发明的作用效果的概略剖面图。附图标记说明11A、13B、电极构造物12、基板13、电极13a、电极13b、电极14、电极15、贯通电极16、贯通孔16a、凹部17、孔内绝缘膜18、绝缘膜19、接触孔20、配线基板21、接合材料22、电路基板
具体实施例方式下表面，参照
本发明的具体实施方式
。但是，本发明并不限于以下的实施
6方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内可进行各种设计变更。图10是表示本发明的电极部的构造的放大剖面图。该电极部的构造用于例如图 1及图2所示的电极构造物IlA及图4所示的电极构造物IlB等。在本发明的电极部的构造中，如图10所示，从由Si等构成的基板12的上表面朝向下表面开设有贯通孔16，贯通孔 16的内周面用由SW2等构成的孔内绝缘膜17覆盖，在贯通孔16内经由孔内绝缘膜17通过镀敷CiuAuSn等导电材料等进行填充，形成贯通电极15。贯通配线也包括在基板12和贯通电极15之间层状地形成孔内绝缘膜17和Ti及氮化膜等势垒金属膜的结构。贯通电极 15的端面(上表面)以与基板12的上表面成为同一面内的方式平坦地形成，或从基板12 的上表面突出成为大致平滑的曲面。基板12的上表面用由SW2等构成的绝缘膜18覆盖， 在绝缘膜18上与贯通孔16对应开设有接触孔19。接触孔19的开口直径与形成于贯通孔 16的内周面的孔内绝缘膜17的内径相等，接触孔19的内周缘也可以与孔内绝缘膜17的内周面一致。或者也可以使接触孔19的开口直径比形成于贯通孔16的内周面的孔内绝缘膜 17的内径小，在贯通电极15的端面重合绝缘膜18(接触孔19的边缘的部分)。在向接触孔19内露出的贯通电极15的端面及其周围的绝缘膜18上形成有由Au及Pt等电极金属构成的电极13，电极13通过接触孔19与贯通电极15的端面连接。另外，设置于贯通电极 15的另一端面(下表面)的电极14如图1及图2所示的电极构造物IlA那样与图形配线 27连接，或与图4所示的电极构造物IlB那样相同，与电极13接合。另外，在本发明的电极部的构造中，在将以基板12的上表面为基准的贯通电极15 的端面顶部的突出长度(最大突出量)设定为Dtsv、将以基板12的上表面为基准的接触孔 19的边缘的贯通电极15的突出长度设定为Dp、将绝缘膜18的膜厚设定为Ddiel时，满足 DP彡Ddiel (条件1)且满足0彡Dtsv彡Ddiel+Dp (条件2)。其中，在Dtsv彡0、Dp彡0、Ddiel > 0，且突出长度Dtsv及Dp在贯通电极15的端面从基板12的上表面突出的情况下为Dtsv > 0、Dp > 0，在贯通电极15的端面从基板 12的上表面凹陷的情况下，Dtsv < 0、Dp < 0。另外，上述条件1及2也可以用0彡Dtsv彡Ddiel+Dp彡2XDdiel的条件式表示。另外，电极13的厚度Del比绝缘膜18的膜厚Ddiel厚。S卩，成为Del > Ddiel (条件3)。只要以满足上述条件1且条件2和条件3的方式研磨贯通电极15或形成绝缘膜 18及电极13，则就能够防止电极13及其周围的断线。(制造方法)图11、图12、图13(a)、(b)及图14是表示电极构造物IlA及其电极部的制造工序的概略剖面图。在图11的工序中，在用绝缘膜18覆盖了下表面的基板12(例如SOI基板)的下表面形成盲孔状的凹部16a，用由SiO2等构成的孔内绝缘膜17覆盖凹部16a的内表面。另外，对用孔内绝缘膜17覆盖的凹部16a内实施镀敷等，向凹部16a内填充由Cu、 AuSn等导电材料构成的贯通电极15，另外，在凹部16a的正下方设置电极14，使电极14的上表面与贯通电极15的下表面接合。电极14通过焊锡等接合材料观与配线基板20的图形配线27接合。接着，如图12所示，研磨基板12的上表面，直到从基板12的上表面露出贯通电极 15。该研磨工序只要研磨效率高，则加工精度也可以低，因此，研磨的基板12的上表面也可以是粗糙的状态。其结果是，凹部16a将基板12上下贯通而成为贯通孔16，贯通电极15的上端面与基板12的上表面大致成为一个面。另外，通过化学机械研磨(CMP Chemical Mechanical Polishing)多次研磨基板 12的上表面。在化学的机械的研磨中，在机械的研磨的基础上也进行化学研磨，因此，通过使用适用于特定材料的研磨剂能够选择性地仅研磨由多种材料构成的研磨对象物中的特定材料。因此，在第一阶段的化学机械研磨中相对于基板12使用研磨性能高的浆体(研磨剂)将基板12的上表面研磨成平坦。在第一阶段的化学机械研磨中，基板12的研磨量比贯通电极15的研磨量大，因此，在研磨的基板12的上表面，如图13(a)所示，在基板12的上表面，贯通电极15的上端部未被研磨而残留，从基板12的上表面突出。随后，在第二阶段的化学机械研磨中，相对于贯通电极15使用研磨性能高的浆体(研磨剂)微细地研磨基板12的上表面。在第二阶段的化学机械研磨中，研磨从基板12的上表面突出的贯通电极 15，因此，如图13(b)所示，从基板12的上表面突出的贯通电极15的端面加工成平滑的曲面状。在该第二阶段的化学机械研磨中，以贯通电极15的端面不从基板12的上表面凹陷的方式进行管理，贯通电极15的端面以从基板12的上表面稍微突出的状态结束研磨工序。之后，如图14所示，在基板12的上表面形成SiO2等绝缘膜18，在贯通电极15的端面在绝缘膜18上开设有接触孔19。接触孔19也可以以其开口直径与孔内绝缘膜17的内径相等的方式开设，但是，理想是将接触孔19的孔径设定为比孔内绝缘膜17的内径(贯通电极15的水平断面的直径)小，贯通电极15的端面用绝缘膜18覆盖一部分。将接触孔 19的开口直径设定为与孔内绝缘膜17的内径相等时，可能会由于接触孔19的开口直径的偏差及错位而使基板12的上表面从绝缘膜18露出。接着，通过蒸镀及溅射等在绝缘膜18 上层叠Au及Pt等电极金属，另外，在将电极金属层进行构图并在贯通电极15上形成电极 13，并且，通过接触孔19使电极13与贯通电极15连接。由此，结束电极部的制造工序。(本发明的原理)下面，说明上述条件1 3的根据。图15 图20分别表示尺寸形状不同的几个贯通电极15的情况。以下，对这些电极部(形态I VI)分别评价电极13的表面的最大高度差Rmax。在图15 图20中使用的记号如图10所示，分别表示如下。Dtsv 以基板12的上表面为基准的贯通电极15的端面顶部的突出量(最大突出长度)Dp 以基板12的上表面为基准的接触孔19的缘部的贯通电极15的突出长度Ddiel 绝缘膜18的膜厚Del:电极13的厚度Rmax 电极13的表面的最大高度差另外，所谓电极13的表面的最大高度差Rmax，意思是电极13的表面内最高部位的高度(从基板12的上表面垂直测定的高度)Hmax和电极13的表面内最低部位的高度(从基板12的上表面垂直测定的高度)Hmin的差Hmax-Hmin。Dtsv、Dp、Hmax, Hmin都是从基板12的上表面测定且在基板12的外侧(在图上，基板上表面的上侧)用正数(+)量表示， 在基板12的内侧(在图上为基板上表面的下侧)用负数(一)量表示。另外，在贯通电极 15的研磨工序中，贯通电极15的端面为弯曲面，因此，成为|Dp I≤|Dtsv|这样的关系。
首先，对图15所示的形态I的情况进行考虑。在图15的形态I中表示的是贯通电极15的上端面比与基板12的上表面一致或从基板12的上表面突出，且贯通电极 15的突出长度Dtsv为绝缘膜18的膜厚Ddiel以下的情况。S卩，图15的形态I为满足 0 ( Dtsv ( Ddiel (条件4)这样的条件的情况。在这样的形态I的情况下，从图15可知，Hmax = Dp+Ddiel+DelHmin = Dp+Del因此，电极13的表面的最大高度差Rmax用如下的数学式1表示。Rmax = Hmax-Hmin= (Dp+Ddiel+Del)- (Dp+Del)= Ddiel (数学式 1)因此，在形态I的情况下，电极13的表面的最大高度差Rmax与贯通电极15的突出长度Dtsv没有关系，成为一定值(Ddiel)。在图16的形态II中，贯通电极15的突出长度Dtsv为绝缘膜18的膜厚Ddiel以上，且贯通电极15的突出长度Dtsv为在接触孔19的缘部从基板12的上表面测定的绝缘膜18的顶部的高度(Dp+Ddiel)以下的情况。另外，图16的形态II为接触孔19的缘部的贯通电极15的突出长度Dp为绝缘膜18的膜厚Ddiel以下的情况。S卩，图16的形态II为满足Ddiel彡Dtsv彡Ddiel+Dp且Dp彡Ddiel (条件幻这样的条件的情况。在这种形态II的情况下，从图16可知，接触孔19的缘部的电极13的高度差成为最大高度差Rmax，因此，成为如下的数学式2。Rmax = (Dp+Ddiel+Del) - (Dp+Del)= Ddiel (数学式 2)因此，形态II的情况也是电极13的表面的最大高度差Rmax与贯通电极15的突出长度Dtsv没有关系，成为一定值(Ddiel)。在图17的形态III中，与图16的情况相同，贯通电极15的突出长度Dtsv为绝缘膜18的膜厚Ddiel以上，且贯通电极15的突出长度Dtsv为在接触孔19的缘部从基板12 的上表面测定的绝缘膜18的顶部的高度(Dp+Ddiel)以下的情况。但是，形态III为接触孔19的缘部的贯通电极15的突出长度Dp比绝缘膜18的膜厚Ddiel大的情况。即，图17 的形态III为满足Ddiel彡Dtsv彡Ddiel+Dp且Dp > Ddiel (条件6)这样的条件的情况。 如图17的形态III与图16的情况相比，产生在接触孔19的缘部的贯通电极15的突出长度Dp大时绝缘膜18的膜厚Ddiel薄的情况。在这样的形态III的情况下，从图17可知，在接触孔19的缘部从基板12的上表面测定的电极13的顶部的高度成为最大高度Hmax，从基板12的上表面测定的电极13的平坦区域的表面高度成为最小高度Hmin，因此，Hmax = Dp+Ddiel+DelHmin = Ddiel+Del因此，电极13的表面的最大高度差为Rmax = Hmax-Hmin= (Dp+Ddiel+Del)- (Ddiel+Del)
9
=Dp (数学式 3)因此，在形态III的情况下，在贯通电极15的突出长度Dtsv变大时，伴随于此突出长度Dp也变大，因此，最大高度差Rmax也增大。在图18的形态IV中，贯通电极15的突出长度Dtsv为在接触孔19的缘部从基板 12的上表面测定的绝缘膜18的顶部的高度(Dp+Ddiel)以上的情况。另外，图18的形态 IV的情况为接触孔19的缘部的贯通电极15的突出长度Dp为绝缘膜18的膜厚Ddiel以下的情况。即，图18的形态IV为满足Ddiel+Dp彡Dtsv且Dp彡Ddiel (条件7)这样的条件的情况。在这样的形态IV的情况下，从图18可知，在贯通电极15的中央从基板12的上表面测定的电极13的表面的高成为最大高度Hmax，在接触孔19的缘部从基板12的上表面测定的电极13的谷部的高度成为最小高度Hmin，因此，Hmax = Dtsv+DelHmin = Dp+Del因此，电极13的表面的最大高度差为Rmax= (Dtsv+Del) - (Dp+Del)= Dtsv-Dp (数学式 4)因此，在该情况下，贯通电极15的突出长度Dtsv变大时，伴随于此Dtsv-Dp也变大，因此，最大高度差Rmax也增大。在图19的形态V中，贯通电极15的突出长度Dtsv为在接触孔19的缘部从基板 12的上表面测定的绝缘膜18的顶部的高度(Dp+Ddiel)以上的情况。但是，在图19的形态 V的情况下，为接触孔19的缘部的贯通电极15的突出长度Dp比绝缘膜18的膜厚Ddiel大的情况。即，图19的形态V为满足Ddiel+Dp ( Dtsv且Dp > Ddiel (条件8)这样的条件的情况。在这样的形态V的情况下，从图19可知，在贯通电极15的中央从基板12的上表面测定的电极13的表面的高度(Dtsv+Del)成为最大高度Hmax，从基板12的上表面测定的电极13的平坦区域的表面高度(Ddiel+Del)成为最小高度Hmin，因此，Rmax = (Dtsv+Del)-(Ddiel+Del)= Dtsv-Ddiel (数学式 5)因此，在形态V的情况下，贯通电极15的突出长度Dtsv变大时，伴随于此最大高度差Rmax也增大。图20的形态VI表示贯通电极15的端面凹陷，且比基板12的上表面更凹陷的情况。即，图20的形态VI满足Dtsv <0(条件9)这样条件的情况。在这样的形态VI的情况下，从图20可知，电极13的表面的最大高度差Rmax用如下的数学式6表示。Rmax = (Ddiel+Del)-(Del+Dtsv)= Ddiel-Dtsv (数学式 6)因此，电极13的表面的最大高度差Rmax随着贯通电极15的凹陷(-Dtsv)的变大而增大。另外，在绝缘膜18上开口形成接触孔19时，实际上接触孔19的缘部(内周面)不垂直，如图21所示，有时接触孔19以在开口侧(图15 图20的上方)扩大的方式使缘部倾斜。在该情况下，接触孔19的缘部在水平方向扩展，因此，决定以基板12的上表面为基准的接触孔19的缘部的贯通电极15的突出长度Dp的位置不确定。一般而言，无论是以接触孔19的缘部的下端决定Dp，还是以上端决定Dp，Dp的值都不太变化，但是，在有问题的情况下，只要以图21表示的方式决定即可。在用于电极13 的表面的最大高度Hmax的计算的情况下，只要将接触孔19的缘部的最高位置即位于接触孔19的缘部的上端正下方的贯通电极15的突出长度Dp(OUt)作为Dp的值使用即可。另外，在使用于电极13的表面的最小高度Hmin的计算的情况下，只要将接触孔19的缘部的最低位置即位于接触孔19的缘部的下端正下方的贯通电极15的突出长度Dp (in)作为Dp 的值使用即可。对上述形态I VI整理求取的电极13的表面的最大高度差Rmax的值和其条件后，得出如下表1。表权利要求
1.一种电极部的构造，在设置于基板的贯通孔内形成贯通电极，对所述基板的表面进行磨削、研磨，通过绝缘膜覆盖所述基板的表面，并且，与所述贯通电极的端面对应，在所述绝缘膜上开口形成有接触孔，在所述绝缘膜上形成电极，而且，通过所述接触孔在所述贯通电极的端面形成所述电极，其特征在于，以使所述贯通电极的端面不从所述基板的表面凹陷的方式而形成， 在所述接触孔的开口缘从所述基板的表面测定的所述贯通电极的突出长度Dp为所述绝缘膜的膜厚Ddiel以下，且将从所述基板的表面测定的所述贯通电极的顶部的突出长度设定为Dtsv时，以满足以下条件的方式形成所述贯通电极的端面，即、 0 ( Dtsv ( Ddiel+Dp, 其中，Dp > 0。
2.如权利要求1所述的电极部构造，其特征在于，所述电极的厚度比所述绝缘膜的膜厚厚。
3.如权利要求1所述的电极部构造，其特征在于，所述贯通电极的端面由弯曲面构成。
4.如权利要求1所述的电极部构造，其特征在于，使所述贯通电极的端面整体从所述绝缘膜的所述开口露出。
5.如权利要求1所述的电极部构造，其特征在于，所述绝缘膜的所述开口形成于比所述贯通电极的外周更靠内侧。
全文摘要
一种电极部的构造，在贯通配线的端部形成电极，防止该电极部的断线。在基板(12)上设置贯通上下的贯通孔(16)，在贯通孔(16)内设置贯通电极(15)。贯通电极(15)从基板(12)的上表面曲面状地突出。用绝缘膜(18)覆盖基板(12)的上表面，与贯通电极(15)对应在绝缘膜(18)上开设接触孔(19)。接触孔(19)的开口直径比贯通电极(15)的截面直径小，贯通电极(15)的上表面的周围通过接触孔(19)覆盖。接触孔(19)开口缘的自贯通电极(15)的基板上表面的突出长度Dp不比绝缘膜(18)的膜厚Ddiel大。将自贯通电极(15)的顶部的基板上表面的突出长度(最大突出长度)设定为Dtsv时，该突出长度Dtsv被调整为0≤Dtsv≤Ddiel+Dp，其中Dp＞0。
文档编号H01L29/41GK102194683SQ201010572028
公开日2011年9月21日 申请日期2010年12月3日 优先权日2010年3月10日
发明者佐野彰彦, 土肥小也香, 奥野敏明, 宫地孝明, 羽田善纪 申请人:欧姆龙株式会社