专利名称：硅外延平面三极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种硅外延平面三极管。
背景技术：
在采用硅外延平面技术制造硅双极型晶体管的过程中，单纯用二氧化硅作为钝化 膜存在着很大的不稳定性，例如，双极型器件中击穿电压的蠕变，小电流下直流放大系数hFE 的下降，在高温贮存和功率老化寿命试验中hFE不稳定等等。而造成直流放大系数hFE不稳 定的主要原因是器件氧化层内部或氧化层上存在着大量的可动电荷，它们在高温或偏压时 产生移动从而引起直流放大系数hFE不稳定。为了使直流放大系数hFE稳定，就必须采取措 施尽量减少氧化层内部或氧化层上的可动电荷，并使它们在高温和偏压的作用下不产生移 动。
发明内容本实用新型的目的就是提供一种生产成本低、性能稳定的硅外延平面三极管。本实用新型的硅外延平面三极管，是将现有的硅外延平面三极管单纯用二氧化硅 作为钝化膜的结构，设计为里层为二氧化硅、中间层为磷硅玻璃、外层为二氧化硅的三层钝 化膜的结构。本实用新型的硅外延平面三极管生产成本低，由于在二氧化硅层内覆盖了一层磷 硅玻璃，大大降低可动电荷的迁移率，同时具有了提取和阻挡可动电荷的能力，使直流放大 系数hFE更加稳定。
图1为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
—种硅外延平面三极管，其特点是，钝化膜的里层为二氧化硅1、中间层为磷硅玻 璃2、外层为二氧化硅1的三层结构，三层的典型厚度比为1500埃3000埃1500埃。
权利要求一种硅外延平面三极管，其特征在于钝化膜为里层为二氧化硅、中间层为磷硅玻璃、外层为二氧化硅的三层结构。
2.根据权利要求1所述的硅外延平面三极管，其特征在于所述三层的典型厚度比为 1500 埃3000 埃1500 埃。
专利摘要一种硅外延平面三极管，是将现有的硅外延平面三极管单纯用二氧化硅作为钝化膜的结构，设计为里层为二氧化硅、中间层为磷硅玻璃、外层为二氧化硅的三层钝化膜的结构。本实用新型的硅外延平面三极管生产成本低，由于在二氧化硅层内覆盖了一层磷硅玻璃，大大降低可动电荷的迁移率，同时具有了提取和阻挡可动电荷的能力，使直流放大系数hFE更加稳定。
文档编号H01L23/29GK201655781SQ20102016192
公开日2010年11月24日 申请日期2010年4月16日 优先权日2010年4月16日
发明者胡援朝, 赵建华 申请人:江西联创特种微电子有限公司