专利名称：结型场效应对管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种结型场效应对管。
背景技术：
随着电子技术的发展，结型场效应对管在医用电子仪器、分析仪器和各种测量仪 器上获得了越来越广泛的应用。传统的结型场效应对管是从大量的单管中选择特性曲线基 本一致的两个单管组成一对，或者是在制造过程中挑选特性曲线基本一致的两个芯片装在 一个管壳内。这两种方法在生产过程中要花费大量的时间和人力做挑选配对工作，其成品 率低、价格昂贵，而且这样组成的配对也只能满足在特定的常温条件下具有对称性能，在高 温和低温环境条件下，往往会偏离匹配对称状态。因此，如何降低生产成本，提高结型场效 应对管在高温、低温条件下的对称特性成为了结型场效应对管推广使用的瓶颈。
发明内容本实用新型的目的是针对上述的问题，提供一种生产成本低，在高温、低温条件下 对称特性良好的结型场效应对管。本实用新型的结型场效应对管，是在同一硅单晶芯片上制作两个完全一致的场效 应晶体管，两个场效应晶体管之间通过栅极与衬底之间形成的PN结二极管实现隔离，彼此 之间是完全独立。本实用新型的结型场效应对管生产成本低，由于两个结型场效应晶体管制作在很 小的硅片面积内，因此两者之间始终能够保持良好的对称特性，从而在线路中进行温度补 偿，实现零温度系数工作，在高温、低温条件下对称特性良好。
图1为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
—种结型场效应对管，是在同一硅单晶芯片上制作两个完全一致的场效应晶体 管，两个场效应晶体管之间通过栅极与衬底之间形成的PN结二极管实现隔离，彼此之间是 完全独立。以N沟道结型场效应对管为例，先在N型硅单晶片的每一个芯片上制作两个P 型阱，然后按照制作N沟道结型场效应晶体管的方法在P型阱内制作N沟道结型场效应晶 体管，同一芯片上有两个栅极G1，两个漏极D1，两个源极Sp
权利要求一种结型场效应对管，其特征在于它是在同一硅单晶芯片上制作有两个完全一致的场效应晶体管，两个场效应晶体管之间通过栅极与衬底之间形成的PN结二极管实现隔离，彼此之间完全独立。
专利摘要一种结型场效应对管，是在同一硅单晶芯片上制作两个完全一致的场效应晶体管，两个晶体管之间通过栅极与衬底之间形成的PN结二极管实现隔离，彼此之间是完全独立。本实用新型的结型场效应对管生产成本低，由于两个结型场效应晶体管制作在很小的硅片面积内，因此两者之间始终能够保持良好的对称特性，从而在线路中进行温度补偿，实现零温度系数工作，在高温、低温条件下对称特性良好。
文档编号H01L27/085GK201681939SQ20102016192
公开日2010年12月22日 申请日期2010年4月16日 优先权日2010年4月16日
发明者胡援朝, 赵建华 申请人:江西联创特种微电子有限公司