专利名称：一种防止晶粒漂移的整流器的制作方法
技术领域：
一种防止晶粒漂移的整流器技术领域[0001]本实用新型涉及一种整流器，尤其涉及一种防止晶粒漂移的整流器。
技术背景[0002]整流器是利用二极管的单向导电特性对交流电进行整流，故被广泛应用于交流 电转换成直流电的电路中。现有整流器二极管晶粒的引线框的焊接区域常见结构为平面 结构。引线框的焊接区域涂点焊锡膏，放上二极管晶粒之后，在入炉焊接过程中锡膏处 于融融状态，焊接后二极管晶粒的位置偏移难以准确控制。因此如何解决现有锡膏焊接 过程中二极管晶粒漂移的问题，是本实用新型研究的问题。发明内容[0003]本实用新型提供一种防止晶粒漂移的整流器，该整流器可防止焊接过程中焊锡 融融状态时晶粒的漂移问题。[0004]为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种防止晶粒漂移的整流 器，该整流器的环氧封装体内部由连接片、引线框、二极管晶粒组成，该引线框的焊接 区与所述二极管晶粒之间通过焊锡膏连接；所述引线框的焊接区上表面设有凹槽，所述 焊锡膏位于该凹槽内及凹槽周边，所述二极管晶粒位于所述凹槽上方并通过所述焊锡膏 与引线框的焊接区上连接。[0005]上述技术方案中的有关内容解释如下[0006]1、上述方案中，所述凹槽为方形或圆形。[0007]由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点[0008]本实用新型是一种防止晶粒漂移的整流器，在该引线框晶粒焊接区域的中心位 置有一个小于晶粒尺寸的圆形或方形凹槽。在入炉焊接过程中，凹槽内的锡膏厚度大 于其周围平面区域，锡膏处于高温融融状态时，芯片受到凹槽内液态锡膏的粘结力大于 周围区域，故此结构可以有效的减少芯片漂移，使焊接后晶粒的位置更趋于焊接区域中 心。该结构同时具有其他两优点，第一，当芯片摆放位置稍微偏离焊接区域中心时，由 于上述凹槽内锡膏的粘结力，芯片可以自动向中心位置对齐；第二，当焊接区域涂点的 锡膏量略多于正常水平时凹槽内可以含有一定量的锡膏，避免由于锡膏过量导致芯片严 重偏移或芯片短路污染等问题。
[0009]附图1为现有现有引线框结构；[0010]附图2为本实用性新型引线框结构主视图；[0011]附图3为附图2的侧视图；[0012]附图4为本实用性新型结构示意图。[0013]以上附图中1、连接片；2、引线框；3、二极管晶粒；4、焊接区；5、焊锡膏；6、电流传输端；7、凹槽。
具体实施方式
[0014]
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述[0015]实施例一种防止晶粒漂移的整流器，[0016]该整流器的环氧封装体内部主要由连接片1、引线框2、二极管晶粒3组成，该 引线框2 —端的焊接区4与所述二极管晶粒3之间通过焊锡膏5连接，该引线框2另一端 是作为所述整流器的电流传输端6;其特征在于所述引线框2的焊接区4上表面设有凹 槽7，所述焊锡膏5位于该凹槽7内及凹槽7周边，所述二极管晶粒3位于所述凹槽7上 方并通过所述焊锡膏5与引线框2的焊接区4连接。[0017]所述凹槽7为方形或圆形。[0018]所述二极管晶粒3的中心与所述凹槽7中心在所述二极管晶粒3的水平方向上重叠。[0019]上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技 术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范 围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护 范围之内。
权利要求1.一种防止晶粒漂移的整流器，该整流器的环氧封装体内部主要由连接片(1)、引线 框O)、二极管晶粒C3)组成，该引线框( 一端的焊接区(4)与所述二极管晶粒(3)之 间通过焊锡膏( 连接，该引线框( 另一端是作为所述整流器的电流传输端(6)；其特 征在于所述引线框O)的焊接区(4)上表面设有凹槽(7)，所述焊锡膏(5)位于该凹槽 (7)内及凹槽(7)周边，所述二极管晶粒(3)位于所述凹槽(7)上方并通过所述焊锡膏(5) 与引线框O)的焊接区⑷连接。
2.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于所述凹槽(7)为方形或圆形。
专利摘要一种防止晶粒漂移的整流器，该整流器的环氧封装体内部由连接片、引线框、二极管晶粒组成，该引线框的焊接区与所述二极管晶粒之间通过焊锡膏连接；其特征在于所述引线框的焊接区上表面设有凹槽，所述焊锡膏位于该凹槽内及凹槽周边，所述二极管晶粒位于所述凹槽上方并通过所述焊锡膏与引线框的焊接区上连接。本实用新型可防止焊接过程中焊锡融融状态时晶粒的漂移问题。
文档编号H01L23/495GK201812815SQ201020271748
公开日2011年4月27日 申请日期2010年7月27日 优先权日2010年7月27日
发明者何洪运, 姜旭波, 张雄杰, 程琳 申请人:苏州固锝电子股份有限公司